JPS63235830A - 光量デイテクタ− - Google Patents

光量デイテクタ−

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Publication number
JPS63235830A
JPS63235830A JP62068022A JP6802287A JPS63235830A JP S63235830 A JPS63235830 A JP S63235830A JP 62068022 A JP62068022 A JP 62068022A JP 6802287 A JP6802287 A JP 6802287A JP S63235830 A JPS63235830 A JP S63235830A
Authority
JP
Japan
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light
pinhole
detector
diffuser
incident
Prior art date
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Pending
Application number
JP62068022A
Other languages
English (en)
Inventor
Ikuo Hikima
郁雄 引間
Akira Miyaji
章 宮地
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Publication of JPS63235830A publication Critical patent/JPS63235830A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02Details
    • G01J1/04Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02Details
    • G01J1/04Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G01J1/0407Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
    • G01J1/0437Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using masks, aperture plates, spatial light modulators, spatial filters, e.g. reflective filters
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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    • G01J1/0474Diffusers

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分計] 本発明は、例えばLSI製造用の露光装置に利用されて
いる高出力のエキシマレーザ光の光量測定に好適な光量
ディテクターの改良に関するものである。
[従来の技術] 従来の光量ディテクターとしては、フォトダイオード等
の半導体素子を用いたものが多く利用されていた。該フ
ォトダイオード等の半導体素子を用いた光景ディテクタ
ーは、小型@量である。雑音が小さい、感度波長領域が
広い、長寿命である。入射光に対する直線性が優れてい
るなどの特長をもつものである。
しかし、エキシマレーザなどの高出力のレーザが露光装
置等の光源として広く利用されている現在では、フォト
ダイオード等の半導体素子のみで構成された光量ディテ
クターでは充分に対応できないため、これらの高出力の
レーザに対応できるディテクターが必要となっていた。
詳述すると、エキシマレーザはパルス時間幅がIons
〜20nsのパルスレーザであり、出力はMW(メガワ
ット)のオーダである。
他方、一般的なフォトダイオードの感度領域は、to−
’w〜10−’Wであり、それ以上の高い領域の光が入
射すると、出力電流が飽和するか場合によっては破壊に
至ることとなる。従フて、ディテクターに入射する光を
減衰させて、光量検出を行う必要がある。
上記のような理由より、減光フィルター等を複数重ね、
これを入射光が透過することによって光の減衰を図る方
法や、石英等を数段重ねたものの表面で入射光を反射さ
せることによって入射光の減衰を図る等の方法が試みら
れている。
[発明が解決しようとする問題点] しかし、以上のうち、減光フィルター等を透過させるこ
とによって入射光を減衰させる方法では、エキシマレー
ザ等の高出力レーザによる光学素子の経時変化が大きく
、良好な減衰特性を得ることができないという不都合が
生ずる。
また、石英等の表面反射を利用した方法では、光学素子
の構成要素数が多くなり、装置構成が複雑になってしま
うという問題点がある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、経時
変化がなく、構成が簡単な減光手段により、本来の測定
範囲を超える入射光に対しても良好に測定可能な光量デ
ィテクターを提供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明にかかる光量ディテクターは、ピンホールと該
ピンホールの後方に配置されたディフューザーとにより
て構成されるとともに、受光面上方に設置された減光手
段を用いて、ディテクター受光面に入射する光を減衰さ
せることを技術的要点としたものである。
[作用コ この発明においては、ディテクター受光面上方にディフ
ューザー、さらにディフューザーの上にピンホールを配
置した構成となっている。
ピンポールにおいて入射光の光量が減少された後、ディ
フューザーにおける拡散によって入射光の光量密度が減
少され、その結果入射光が減光される。
このため、高エネルギー光による経時変化を生ずること
なく、本来のディテクターの測定範囲外の高エネルギー
光に対しても良好に光量測定を行うことができ、また、
装置の構成の簡素化及びコンパクト化が図ることができ
る。
[実施例] 以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
第1図には、本発明の一実施例が示されている。
これは、エキシマレーザ(λ=248.5nm)の光量
測定を対称とした光量ディテクターの構成例である。
図において、入射光LBがピンホール板10に入射する
と、該ピンホール板10に設けられたピンホール(図示
せず)から光が通過するようになっている。入射光LB
は、ピンホール以外の部分においては遮断され、これに
よって入射光量の減衰が行われるようにJR成されてい
る。
ピンホール板10は、ディテクタ−ケース12外上部に
設置されるとともに、蛍光対策のために、ピンホール付
近以外は表面処理されたアルミ板で上下から挟持された
構成となっている。
また、ピンホール板10に設けられたピンホールの径は
、入射光LBに対して充分小さな径、例えば10μm程
度となっている。
他方、ディテクターケース12の一重部にも表面処理が
施され、蛍光発生を防いでいる。
次に、ピンホール板10のピンホールを通過した光は、
ディフューザ14に入射することとなる。
ディフューザ14は、ディテクターケース12を介して
ピンホール板10と対向する位置であるとともに、ピン
ホトダイオード16(例えば、浜松ホトニクス製517
22−02)の受光面(図示せず)の上方、且つ、ディ
テクタ−ケース12内上部に設置されている。
また、該ディフューザー14は、短波長で吸収が少ない
石英あるいはホタル石によって形成されるとともに、そ
の厚さは、例えば約1 mmとなっており、高エネルギ
ービームの光の入射によっても劣化しないように配慮さ
れている。
前述したように、入射光LBは、ピンホールにおいて減
衰することとなるが、該ピンホールの径が10μm位で
あると紫外光のピンホールによる広がり(回折)が小さ
いため、更にディフューザー14での拡散によって、ビ
ンホトダイオード16の受光面に入射する光量密度を減
少させるように構成されている。
また、上記のようなディフューザー14での拡散による
光量密度の減少度は、ディフューザー14とビンホトダ
イオード16の受光面との距廁【に影すされる。
このため、ディフューザー14における光の散乱角が1
0°程度であっても、充分な光景密度を減少できるとと
もに、装置自体の小型化が図れるように、ディフューザ
ー14とビンホトダイオード16の受光面との距離は、
例えば数ml11程度に設定されている。
次に、上記のように減衰した光は、直流電源18と接続
されているビンホトダイオード16の受光面に入射し、
ディテクターケース12内の回路構成によって、入射し
た光の光量変化が電気信号に変換されて出力されるよう
に構成されている。
このディテクターケース12内に示された回路41′4
成は、公知のものである。
次に、第1図の他に第2図を参照しながら上記実施例の
動作について説明する。
ディテクター上方から入射する光LBは、ビンポール板
10のピンホール及びディフューザー14において減衰
して、ビンホトダイオード16の受光面に入射する。
そして、入射した光の入力分布を電気信号に変換して、
外部に出力する。
ここで、上述したように、ディフューザー14とビンホ
トダイオード16の受光面との距離は、数rRI11程
度に設定されているため、ディフューザー14において
入射光LBの光量密度は、数十分の−に低下する。
従って、ディフューザー14とビンホトダイオード16
の受光面との距離を調整することによって、ピンホール
の径に応じた光量の測定が可能となる。
例えば、入射光密度が100 mJ/cm2である場合
においても、ピンホール径10μmとして通過光は約1
0−’J程度となり、レーザの繰り返し周波数が1にH
z(10−’W)でも充分に測定範囲に入ることとなる
第2図には、この実施例の光量ディテレフタ−による入
射光密度とビンホトダイオード16の出力の関係が示さ
れている。
図から明らかなように、入射光密度100mJ/cm2
においても、入射光密度とビンホトダイオード16の出
力は直線(比例)関係となっている。
従って、入射光LBの密度を変化させることによって、
第2図に示されたグラフの傾き、即ち測定光量範囲を広
範囲において任意に選択できることとなる。
以上のように、この実施例によれば、ビンホトダイオー
ド16の上部に、ディフューザ14と、ピンホールが設
けられたピンホール板10とを設詮したことにより、高
エネルギー光による経時変化がなく、本来のディテクタ
ーの測定範囲外の高エネルギー光の測定が可能となると
ともに、装置構成の簡素化が図れるという効果がある。
しかも入射光LBの光量変化に対する直進性が優れてい
るため、測定光量範囲を広範囲において任意に選択でき
るという効果がある。
また、ディフューザー14とビンホトダイオード!6の
受光面との距離を数mm程度に設定したので、上述した
装置構成の簡素化に加え、装置のコンパクト化が図れる
という効果がある。
なお、本発明によるディテクターを露光装置に用いる場
合には、ステージ等に乗せることによりピンホール径に
応じた位置分解機能をもつ光量ディテクターとして利用
できる。
更に、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
露光装置以外の装置に用いることも充分可能である。
[発明の効果] 以上のように本発明によれば、簡素化ないしコンパクト
化された装置構成によって、経時変化を生ずることなく
、良好に高エネルギー光の光量測定を行うことができる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図は実施
例の効果を説明するためのグラフである。 [主要部の符号の説明] 10・・・ピンホール板、14・・・ディフューザー、
16・・・ピンホトダイオード

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)入射光の入力光量を検出する光量ディテクターに
    おいて、 ピンホールと、該ピンホールの後方に配置されたディフ
    ューザーとによって構成された減光手段を前記光量ディ
    テクターの受光面上方に設置したことを特徴とする光量
    ディテクター。
  2. (2)前記入射光は、エキシマレーザ光である特許請求
    の範囲第1項記載の光量ディテクター。
JP62068022A 1987-03-24 1987-03-24 光量デイテクタ− Pending JPS63235830A (ja)

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JP (1) JPS63235830A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5424930A (en) * 1993-01-12 1995-06-13 Sanyo Machine Works, Ltd. Measuring-point member for optical measurement
JP2001311664A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Minolta Co Ltd 測光装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5424930A (en) * 1993-01-12 1995-06-13 Sanyo Machine Works, Ltd. Measuring-point member for optical measurement
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