JPS63235836A - 熱像感知装置およびその製造方法 - Google Patents

熱像感知装置およびその製造方法

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JPS63235836A
JPS63235836A JP63057393A JP5739388A JPS63235836A JP S63235836 A JPS63235836 A JP S63235836A JP 63057393 A JP63057393 A JP 63057393A JP 5739388 A JP5739388 A JP 5739388A JP S63235836 A JPS63235836 A JP S63235836A
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thermal image
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manufacturing
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JP63057393A
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アンドリュー・アルフレッド・ターンブル
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N15/00—Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using the Nernst-Ettingshausen effect
    • H10N15/10—Thermoelectric devices using thermal change of the dielectric constant, e.g. working above and below the Curie point
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は強誘電性または焦電性赤外線検出素子の２次元
アレイを具える熱像感知装置およびその製造方法に関す
るものである。
熱および電気絶縁材料の中間層を介して回路基板に装着
された強誘電性または焦電性赤外線検出素子の２次元ア
レイを具える熱像感知装置を製造する方法はヨーロッパ
特許出願ＥＰ−Ａ−０１７３３６８号明細書に記載され
ている。このヨーロッパ特許出願明細書に記載された方
法では関連する２次元アレイの孔を絶縁層に形成し、個
別の孔の壁部全体に亘って設けられた金属被膜によって
回路基板の個別の電極に検出素子の各々を電気的に接続
するようにしている。この電気的接続部の断面をこの薄
い金属被膜に対して制限することにより検出素子および
回路基板間の伝熱路を低くするようにしている。前述し
たヨーロッパ特許出願の要旨を本発明の基準材料として
ここに列挙する。
特に、上記ヨーロッパ特許出願の方法では、検出素子ア
レイを形成した後シート状の絶縁層を検出素子アレイの
主表面で単一の電極層に接着し、孔を絶縁シートを経て
前記単一電極層までエツチングにより除去して金属化し
、次いで条溝のパターン（チャネル）を前記絶縁シート
を経て検出素子アレイまでエツチングして各々が個別の
孔を囲むピラーを形成し得るようにする。これら孔およ
び条溝は検出素子アレイに対して整列させる必要がある
。次いで金属化した絶縁ピラー構体および検出素子アレ
イのサブ−アセンブリを回路基板にその関連するはんだ
バンプにより注意深く装着する。
上述した方法によれば中間絶縁層をはんだバンプにより
回路基板の上側表面から離間すると共にその厚さ全体に
亘って個別のピラーに分割する。
かようにして、中程度の絶縁特性のみを有するテルル化
カドミウム、テルノペセレンまたは硫黄のような絶縁層
材料を用いることができる。ここに材料を用いる利点は
フォトレジスト被膜の窓にイオンビームによりミリング
処理を行うことによって前記孔を形成し得ることである
。
本発明方法は強誘電性または焦電性赤外線検出素子の２
次元アレイを具え、該検出素子を熱および電気絶縁材料
の中間層を介して回路基板に装着し、関連する２次元ア
レイの孔を前記絶縁層に形成し、前記検出素子の各々を
前記孔の壁部に設けられた金属被膜を経て前記回路基板
の各電極に電気的に接続して熱像感知装置を製造するに
当り、（ａ）前記回路基板の上側表面の少なくとも一部
分にプラスチック材料を被覆してほぼ平坦な上側表面を
有する絶縁層を形成し、（ｂ）前記回路基板の前記電極
から前記プラスチク材料を局部的に除去して前記絶縁層
に孔を形成し、（ｃ）全体に金属を被覆して前記孔内お
よびこれら孔を少なくとも囲む前記プラスチック材料の
上側表面に金属被覆を形成し、（ｄ）前記プラスチック
材料の金属被覆された上側表面に検出素子のアレイを形
成するステップを具えることを特徴とする 特に後述するように、本発明によれば赤外線検出素子の
２次元アレイを簡単に製造し得、しかも著しく頑丈かつ
検出素子および回路基板間の熱的および電気的絶縁が良
好な装置構体を形成し、しかも、検出素子アレイを例え
ば金属被覆プラスチック材料に装着された強誘電または
焦電材料のシートを貫通する条溝をのこ引き処理により
回路基板に形成し、これにより前記条溝を橋絡する頂部
電極接続部を形成することができる。
本発明の他の例では互いに条溝により離間され、関連す
る２次元アレイの孔を有する熱および電気絶縁材料の中
間層を介して回路基板に装着された強誘電性または焦電
性赤外線検出素子の２次元アレイを具え、各検出素子を
個別の孔の壁部全体に亘って設けられた金属被覆により
前記回路基板の個別の電極に接続するようにした熱像感
知装置において、前記絶縁層を前記回路基板の上側表面
の少なくとも一部の被覆を形成するプラスチック材料と
し、前記孔の金属被覆を前記回路基板の個別の電極上ま
で延在させ、少なくとも１つの金属導体を支持するプラ
スチック材料を前記検出素子の一アレイの頂部に装着し
て前記検出素子間の条溝を橋絡する頂部電極接続部を形
成するようにしたことを特徴とする。
図面につき本発明を説明する。
図面は線図的に誇張して示す。従って図面の一部分の相
対的な寸法は便宜上拡大または縮小して示す。また、図
中同一部分には同一符号を付して示す。
本発明により製造した装置は既知の熱像システムに、例
えば英国特許出願ＧＢ−Ａ−２０３００２３号明細書お
よび米国特許出願ＵＳ−Ａ−４０７２８６３号明細書に
記載されたシステムに用いることができ、その内容もこ
こに基準材料として記載する。
本発明装置は回路基板１を具え、これを２次元アレイの
赤外線検出素子から信号を読出して処理する電子回路を
具える既知の形状の例えばシリコン集積回路とすること
ができる。既知の回路の特定の例は英国特許出願ＧＢ−
Ａ−２０３００２３号明細書に記載されている。これが
ため、回路基板１の内部構成は第１図に示さない。しか
し、回路基板１にはその検出素子と対向する上側表面３
に入力電極２のアレイを設ける。電極２の各々を個別の
赤外線検出素子の信号電極に接続する。図面を簡単とす
るために、第１図には検出素子が回路基板１の回路と対
向する３つの個所Ａ、ＢおよびＣのみを示すが、所望の
アレイ、例えば３２×３２素子または１２８Ｘ１２８素
子の方形アレイに相当する極めて多数の個所を装置に設
は得ることは勿論である。図面を簡単とするために、第
４図においても、アレイに少数（６Ｘ６）の個所のみを
示す。基板電極２は例えば回路基板１の上側表面３にお
いて絶縁層の窓に既知のように形成したアルミニウム接
点パッドとすることができる。
第１図に示す製造工程では、回路基板１の上側表面３に
プラスチック材料を被覆してほぼ平坦な上側表面１３を
有する肉厚の熱的および電気的絶縁層を形成する。この
プラスチック材料は回路基板１上に被覆して上側表面３
への機械的に安定な接着部を形成する。これがため、例
えばヨーロッパ特許出願ＥＰ−Ａ−００５５８１９号明
細書に記載されている方法と同様の方法を用いることが
できる。回路基板１および検出素子アレイ間に良好な界
面を形成するためにはプラスチック層１０の厚さを５μ
ｍ以上とするのが好適であり、特に１０μｍ以上とする
のが好適である。特に肉厚のプラスチック被覆を用いる
ことによって、上側表面１３をほぼ平坦として検出素子
を安定に装着し、これにより丈夫な構体を形成し、検出
素子および回路基板１間の熱絶縁を良好にし、これによ
り検出素子を回路基板１上に例えばのこ引き（第４図）
により形成し、更に装置の作動中回路基板１からの振動
を減衰しうるようにする。プラスチック層１０に対し種
々のプラスチック材料を用い得ることは勿論であり、特
にポリイミドを用いる場合には有利な特性を得ることが
できる。
プラスチック被覆層１０を形成した後、プラスチック材
料を局部的に除去しこの被覆層の厚さ全体を貫通して基
板電極まで孔１１をあける。プラスチック材料を用いる
他の利点はレーザビーム１８によるドリル処理によって
孔１１を簡単に形成し得る点である。この目的のため、
レーザビーム１８を所定位置に当ててプラスチック被覆
基板のレーザビーム照射位置に段状凹部を形成して基板
電極２のアレイに相当する孔１１のアレイを形成し得る
ようにする。プラスチック層１０にかくして形成した円
形の孔１１はその直径を出来るだけ小さく、例えば１０
μｍとする。かくして形成した構体を第２図に示す。
第２図は１例として孔１１の直径が基板電極２０幅より
も広く、従って各電極２の全体がプラスチック被覆層１
０の関連する孔１１によって露出される場合を示す。し
かし、基板電極２を孔１１よりも幅広にして各電極２の
一部分のみを露出し得ることは勿論である。これは１０
μｍ以下の直径の孔１１を形成する場合に相当する。孔
１１を円形とする必要はなく、他の形状とすることもで
きる。これがため、例えばポリイミド被覆１０をまず最
初部分的に硬化し、その後例えば水酸化カリウムまたは
水酸化ナトリウム溶液による写真食刻工程によって、被
膜１０を完全に硬化する前にポリイミド材料に孔をエツ
チングによりあけるようにする。写真食刻による他の手
段としては反応性イオンエツチングを用いて孔１１を形
成することもできる。
これら孔１１内およびこれら孔１１を少なくとも囲むプ
ラスチック材料１０の上側表面１３にも金属を堆積して
金属被膜１２を形成する。この金属被膜１２は前記孔が
完全に充満されないように十分薄くする。
上記金属としては例えばニクロムシート添加表面に厚さ
が例えば１５μｍの金を用いることができるが、その他
の金属を用いることもできる。第３図は金属被膜１２に
よってプラスチック材料１０の上側表面１３に連続被膜
を形成するようにした金属化構体を示す。
次いで、プラスチック材料１０の金属被膜された上側表
面１３に強誘電又は焦電材料３０のシートを設ける。こ
のシート３０は例えば前述した特許出願明細書ＩＥＰ−
Ａ−０１７３３６８およびＧＢ−Ａ−２０３００２３に
記載されているような赤外線検出素子を形成するに好適
な広範囲な材料の任意のものとすることができる。
特定の例としてはこの材料を、ジルコン酸−チタン酸鉛
（例えばランタンをドープしたジルコン酸−チタン酸鉛
）、チタン酸バリウム、硫酸グリシン（ＴＧＳ）　、チ
タン酸バリウムストロンチウム、チタン酸鉛、タンクル
ニオブ酸カリウム、二水素燐酸カリウム、およびロッシ
ェル塩とすることができる。前記シート３０の上側表面
３３および下側表面３４には夫々金属層３１を被膜する
。これら層３１および３２は任意の適当な導電材料又は
強誘電または焦電材料３０の表面への良好な接着を形成
する材料の組合せとすることができる。下側の層３２お
よび上側の層３１の双方に対しジルコン酸−チタン酸鉛
と共に用い得る特定の例はニクロム上に設けられた抵抗
値が約１５０　Ω／口の金の層とすることができる。こ
れら層３１および３２は検出すべき赤外線放射の主吸収
として作用し、これにより検出素子の強誘電／焦電材料
の温度を間接的に変化し得るようにする。強誘電／焦電
材料３０はその厚さを例えば１０〜４０μｍとする。第
３図は回路基数１上に設けられたプラスチック被膜１０
の金属被膜された上側表面１３の設けられた金属化シー
ト３０を示す。
このシート３０は例えば金属層１２および３２間に設け
られた導電性エポキシの薄層によってプラスチック被覆
３Ｇに固着することができる。上記エポキシの量および
位置はこれを適宜定めてエポキシが前記孔１１内まで延
在し得ないようにする。かようにして、検出素子の信号
電極を形成する金属層３２に基板電極２を電気的に接続
する。第３図に示すも１４体では両金属層３１および３
２はシート３０の各表面３３および３４上の連続被覆と
する。
かようにして、回路基板１上に検出素子アレイを形成す
る。このシート３０はその厚さ全体を貫通する条溝３６
を設けることにより検出素子区域に分割することができ
る。回路基板１の肉厚プラスチック被覆１０のクッショ
ン効果のためこれら条溝３６は例えば厚さ１５μｍおよ
び２０μｍの刃を有するのこにより材料を切削すること
によって形成することができる。第４図の平面図に示す
ように、正方形または矩形アレイを形成するために平行
な条溝３６の２つの直交する組（ＸおよびＹ方向）を切
削してシート３０を各々がプラスチック材料１０の金属
化孔１１と重なり合う個別の素子３８に分割する。特定
の例ではこれら条溝３６は約２５μｍの幅とし、個別の
素子区域３８を例えば１００μｍ　Ｘ１００μｍとする
ことができる。また、これら条溝３６によって金属層３
３および３４を検出素子の個別の電極に分割することも
できる。
第５図に示すように、のこによる切削を十分な深さとし
て検出素子３８間に形成された条溝３６をプラスチック
材料１０の上側表面１３の連続金属被覆１２を経てプラ
スチック材料１０内まで延在させ、これにより連続金属
被覆１２を検出素子３８の下側表面３４で個別の電極接
続部に分割し得るようにする。プラスチック材料１０の
良好な熱的および電気的特性のため、プラスチック材料
１０の厚さ全体に亘る条溝によってプラスチック材料１
０の導通によるクロストークを防止することができる。
これら条溝３６は金属被覆１２を信頼性をもって分割す
るに十分な深さまで、回路基板の上側表面３から信頼性
のある安全な距離を保ちながら切削するだけである。
プラスチック材料１０の絶縁特性は強誘電または焦電材
料３０の特性と両立するかまたはこれよりも良好である
。これがため、例えばＰＬＺＴの伝熱性は約３Ｘ１０”
”Ｗ　　−ｃｍ　’　・Ｋ−’　　であり、ポリイミド
の伝熱性は約５Ｘ１０−３１’ｌ　　−ｃ＋＋＋−’　
４　’　　である。
これがため、強誘電または焦電材料に対してよりもプラ
スチック被覆１０に対する絶縁特性が良好であるため、
本発明製造方法による重要な利点は検出素子アレイが検
出素子３８間で条溝３６により完全に網状となり、従っ
て横方向および縦方向の絶縁を良好とすることができる
。
のこによる切削の代わりに写真食刻マスクを経て行うイ
オンビームエツチングを用いて１！３１．３０゜３２お
よび２をエツチングして除去することもできろ。しかし
、のこによる切削によって一層垂直な側壁を有する狭い
条溝３６を形成し得ることを確かめた。
各々がプラスチック被覆１０に剛固に装着されかつ各々
が基（反導体２に電気的に接続された個別の信号電極３
２を有する個別の検出素子３８のアレイを形成した後検
出素子３８の上側表面３１に頂部電極接続部４１を設け
る。これら頂部電極接続部４１はプラスチックフィルム
４０の下側表面に支持される少なくとも１つの金属導体
によって形成することができる。このプラスチックフィ
ルム４ｏは例えば厚さが約１μｍのポリイミドとするこ
とができる。金属導体４１は例えば厚さが１５ｎｍの金
の層とすることができる。
第５図は検出素子アレイの上側表面３３に装着されたプ
ラスチックおよび導体の積層体４ｏを示す。
検出素子３８の頂部電極３１の全部を共通に接続する必
要がある場合には単一の大面積金属層４１をプラスチッ
クフィルム４０により支持することができる。
しかし、各列の検出素子３８のみを共通に接続する必要
がある場合にはプラスチックフィルムによって第４図の
Ｘ方向に細長く延在する平行な金属細条を支持すること
ができる。アレイ全体に亘りプラスチックフィルム４０
を装着することによって金属細条４１の各々または単一
層４１によって検出素子間の条溝３６を橋絡し、しかも
頂部電極３１への電気接続をも行う。金属導体４１を頂
部電極３１に接着すると共にプラスチックフィルム４ｏ
の周縁を回路基板１またはこれを支持するマウントに接
着してアレイ構体をカプセル封じし得るようにする。
かくして形成した装置（第６図）は上側のプラスチック
フィルム４０を経て入射する赤外線を検出するのに好適
である。所望に応じ各検出素子３８の上側の区域に黒色
化処理を施して検出素子３８の赤外線の吸収を改善する
ことができる。検出素子３８およびその接続部はプラス
チックフィルム４０およびプラスチック被覆１０間にカ
プセル封じするのが有利であるが個別の検出素子３８上
に位置する個別の孔を有するフィルム４０を用いて検出
素子３８およびその電極３１への赤外線の透過を増大さ
せることができる。
本発明は上述した例に限定されるものではない。
特に検出素子間の条溝を十分深く切削して金属被膜Ｉ２
並びに電極層３２および３３の全部を１回の工程で分割
するのが有利である。しかし、所望に応じ検出素子の材
料を装着する前に、マスク工程により上側表面１３を金
属被膜１２を局部的に設けるのが有利である。かかる配
置を第７図に示すと共にその製造に第１〜６図の処理を
用いることができる。
これがため、マスク層の窓の箇所で孔１１内または孔の
周りに金属被膜１２を局部的に堆積するか、或いは連続
金属被膜１２を設けた後、その一部分をエツチングによ
り除去して孔１１内または孔の周りに金属被膜１２の区
域を残存させるようにする。
基板上に完全に網状のアレイを形成する代わりに、条溝
４６により互いに分離された検出素子のアレイを、検出
素子３８への頂部電極接続部を形成する少なくとも１つ
の金属導体４１を有するプラスチックフィルム４０上に
支持することもできる。かかる配置を第７図に示す。次
いでプラスチックフィルム４０およびプラスチック被覆
１０Ｍに位置し、プラスチック被覆１０の上側表面に設
けられた金属被膜１２の個別の区域に接続された検出素
子３８を有するプラスチックフィルム４０を絶縁プラス
チック被覆１０の上側表面１３上に装着する。
基板１をプラスチック材料１０で被覆する代わりに、プ
ラスチック材料（例えばポリイミド）のあらかじめ形成
されたフィルム１０を回路基板１の上側表面３上に位置
させ、かつこれに接着することもできる。この場合には
フィルム１０を基板１に位置させる前にフィルム１０に
孔１１をあけ、これを基板１に注意深く位置決めし、関
連する孔１１で各基板電極２の少なくとも一部分を露光
し得るようにする。
頂部電極接続部４１の支持に頂部プラスチックフィルム
４０を用いる代わりに、これら接続部４１を検出素子間
の条溝上に自己支持することもできる。
条溝３６または４６はこれに材料を充填しないで検出素
子３８間の熱絶縁を極めて良好に保持し得るようにする
のが好適である。しかし、所望に応じ、条溝３６または
４６に良好な絶縁材料を充填することもできる。これが
ため強誘電または焦電素子３８のサブアセンブリを例え
ば前記特許出願εＰ−Ａ−０１７３３６８の第６ａ、　
６ｂおよび６０図につき説明したような方法を用いて形
成し、例えば絶縁性エポキシ樹脂を充填した条溝により
検出素子３８を分離し得るようにする。このサブアセン
ブリは本発明の第７図に示す方法の変形例に用いること
ができ、この場合には積層フィルム４０．４１により支
持された検出素子アレイ３８の代わりに、この素子のサ
ブアセンブリの上側表面に金属を堆積することにより検
出素子３８の頂部電極接続部を簡単に形成することもで
きる。更に、第７図の変形方法では、積層フィルム４０
、４１により支持された網状検出素子アレイ３８の代わ
りに、前記特許出願明細書ＧＢ−＾−２０３００２３（
第７ａ〜７ｃおよび８ａ〜８ｃ図）およびεＰ−Ａ−０
１７３３６８　（第５図）に記載されているように下側
表面に個別の信号電極３２を設け、上側表面に１つ以上
の共通電極３３を設けた強誘電または焦電材料の単一ウ
ェファを用いることもできる。
上述した所から明らかなように、本発明によれば特に簡
便な熱像感知装置の製造方法を提供し得、かつ特に有利
な特性を有する熱像感知装置を提供することができる。
これがため本発明は熱的および電気的絶縁プラスチック
材料の中間層１０を介して回路基板１に装着された強誘
電または焦電赤外線検出素子３８の２次元アレイを具え
る熱像感知装置を提供することができる。検出素子３８
の各々は絶縁プラスチック層１０に設けられ検出素子３
８と関連する個別の孔１１の壁部上の金属被膜によって
回路基板１の個別の電極２に電気的に接続する。検出素
子３８は絶縁プラスチック層１０まで延在し検出素子３
８の頂部電極接続部４１により橋絡された条溝３６また
は４６によって分離するのが好適である。これら条溝３
６または４６には材料を充填しないのが好適である。
本発明は上述した例にのみ限定されるものではなく要旨
を変更しない範囲内で種々の変更を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第１．　２．　３．　５および６図は本発明熱像感知装
置の製造方法の種々の工程における回路基板に設ける熱
像感知装置の諸部分を示す断面図、第４図は第３および
５図に示す工程の中間の工程を示す平面図、 第７図は本発明方法の変形例の工程を示す断面図である
。 １・・・回路基板　　　　　２・・・人力電極３・・・
上側表面　　　　　１０・・・プラスチック材料１１・
・・孔　　　　　　　　１２・・・金属被覆１３・・・
上側表面　　　　　１８・・・レーザビーム３０・・・
強誘電または焦電材料のシート３１、３２・・・金属層
　　　　３３・・・上側表面３４・・・下側表面　　　
　　３Ｇ・・・条溝３８・・・検出素子　　　　　４ｏ
・・・プラスチック被覆４１・・・頂部電極接続部　　
４６・・・条溝特許出願人　　エヌ・ベー・フィリップ
ス・フルーイランペンファブリケン ！−Ｎ （”）　　　　　　　　　　　　　　　　　　ｕ）＼ｔ Ｃフ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、強誘電性または焦電性赤外線検出素子の２次元アレ
    イを具え、該検出素子を熱および電気絶縁材料の中間層
    を介して回路基板に装着し、関連する２次元アレイの孔
    を前記絶縁層に形成し、前記検出素子の各々を前記孔の
    壁部に設けられた金属被膜を経て前記回路基板の各電極
    に電気的に接続して熱像感知装置を製造するに当り、（
    ａ）前記回路基板の上側表面の少なくとも一部分にプラ
    スチック材料を被覆してほぼ平坦な上側表面を有する絶
    縁層を形成し、（ｂ）前記回路基板の前記電極から前記
    プラスチク材料を局部的に除去して前記絶縁層に孔を形
    成し、（ｃ）全体に金属を被覆して前記孔内およびこれ
    ら孔を少なくとも囲む前記プラスチック材料の上側表面
    に金属被覆を形成し、（ｄ）前記プラスチック材料の金
    属被覆された上側表面に検出素子のアレイを形成するス
    テップを具えることを特徴とする熱像感知装置の製造方
    法。 ２、検出素子のアレイを形成するに際し、（ｅ）前記プ
    ラスチック材料の金属被覆された上側表面に強誘電性ま
    たは焦電性材料のシートを装着し、（ｆ）前記強誘電性
    または焦電性材料のシートにその厚さを貫通する条溝を
    設けて前記シートを検出素子のアレイに分割し、（ｇ）
    前記検出素子の上側表面に頂部電極接続部を設け、該頂
    部電極接続部によって前記検出素子間の前記条溝を橋絡
    するステップを具えることを特徴とする請求項１に記載
    の熱像感知装置の製造方法。 ３、ステップ（ｃ）における孔内およびその周りに堆積
    された金属によってプラスチック材料の上側表面に連続
    金属被覆を形成し、ステップ（ｆ）における検出素子間
    に形成された条溝はプラスチック材料の上側表面の連続
    金属被覆を貫通してプラスチック材料内まで延在させ、
    これにより検出素子の下側表面で前記連続金属被覆を個
    別の電極接続部に分割するようにしたことを特徴とする
    請求項２に記載の熱像感知装置の製造方法。 ４、頂部電極接続部はステップ（ｇ）における検出素子
    のアレイ上に設けられたプラスチックフィルムの下側表
    面に支持された少なくとも１つの金属導体により構成す
    るようにしたことを特徴とする請求項２または３に記載
    の熱像感知装置の製造方法。 ５、装着ステップ（ｅ）の前に、強誘電性または焦電性
    材料のシートの上側および下側表面に夫々金属層を設け
    、ステップ（ｆ）における検出素子間に形成された前記
    条溝によってこれら金属層を検出素子の個別の電極に分
    割するようにしたことを特徴とする請求項２〜４の何れ
    かの項に記載の熱像感知装置の製造方法。 ６、前記条溝はステップ（ｆ）で前記材料をのこ引きに
    より形成するようにしたことを特徴とする請求項２〜５
    の何れかの項に記載の熱像感知装置の製造方法。 ７、前記頂部電極接続部を前記検出素子に接続する少な
    くとも１つの金属導体を有するプラスチックフィルムに
    前記検出素子のアレイを支持し、前記プラスチックフィ
    ルムを前記プラスチック材料の絶縁層の上側表面全体に
    亘り設け、前記検出素子を前記プラスチックフィルムお
    よび前記絶縁層間に位置させると共に前記絶縁層の上側
    表面上の前記金属被覆の個別の区域に接続するようにし
    たことを特徴とする請求項１に記載の熱像感知装置の製
    造方法。 ８、前記孔をステップ（ｂ）でレーザビームによるドリ
    ル処理によって前記プラスチック材料に形成するように
    したことを特徴とする請求項１〜７の何れかの項に記載
    の熱像感知装置の製造方法。 ９、前記プラスチック材料をポリイミドとしたことを特
    徴とする請求項１〜８の何れかの項に記載の熱像感知装
    置の製造方法。 １０、前記プラスチック材料の層はその厚さを少なくと
    も１０μｍとしたことを特徴とする請求項１〜９の何れ
    かの項に記載の熱像感知装置の製造方法。 １１、請求項１〜１０の何れかの項に記載の熱像感知装
    置の製造方法により製造した熱像感知装置。 １２、互いに条溝により離間され、関連する２次元アレ
    イの孔を有する熱および電気絶縁材料の中間層を介して
    回路基板に装着された強誘電性または焦電性赤外線検出
    素子の２次元アレイを具え、各検出素子を個別の孔の壁
    部全体に亘って設けられた金属被覆により前記回路基板
    の個別の電極に接続するようにした熱像感知装置におい
    て、前記絶縁層を前記回路基板の上側表面の少なくとも
    一部の被覆を形成するプラスチック材料とし、前記孔の
    金属被覆を前記回路基板の個別の電極上まで延在させ、
    少なくとも１つの金属導体を支持するプラスチック材料
    を前記検出素子のアレイの頂部に装着して前記検出素子
    間の条溝を橋絡する頂部電極接続部を形成するようにし
    たことを特徴とする熱像感知装置。
JP63057393A 1987-03-13 1988-03-12 熱像感知装置およびその製造方法 Pending JPS63235836A (ja)

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