JPS63236012A - 電気光学装置の駆動方法 - Google Patents
電気光学装置の駆動方法Info
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- JPS63236012A JPS63236012A JP7100587A JP7100587A JPS63236012A JP S63236012 A JPS63236012 A JP S63236012A JP 7100587 A JP7100587 A JP 7100587A JP 7100587 A JP7100587 A JP 7100587A JP S63236012 A JPS63236012 A JP S63236012A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶を用いた電気光学装置の駆動方法に関する
。更に詳しくは、強誘電性液晶を用いた光シヤツターア
レイ、画像表示装置あるいはキャラクタ−表示装置など
の電気光学装置のアクティブマトリクス駆動に関する。
。更に詳しくは、強誘電性液晶を用いた光シヤツターア
レイ、画像表示装置あるいはキャラクタ−表示装置など
の電気光学装置のアクティブマトリクス駆動に関する。
双安定性を有する強誘電性液晶を用いたマトリクス電極
構造を有する液晶電気光学装置にイ；１いては、例えば
クラークらの米国特許第４３＜３７９２ 。
構造を有する液晶電気光学装置にイ；１いては、例えば
クラークらの米国特許第４３＜３７９２ 。
４号に記載されている。また、前記強誘電性液晶とアク
ティブ素子を組み合わせた電気光学装置に付いても例え
ば特開昭６ｌ−０６２５号公報に記載されている。この
電気光学装置の駆動方法は走査電極群に、順次、周期的
にアドレス信号を選択印加し、信号電極群には侑定の情
報信号をアドレス信じとどう着させて並列的に選択印加
する時分割駆動を採用していた。
ティブ素子を組み合わせた電気光学装置に付いても例え
ば特開昭６ｌ−０６２５号公報に記載されている。この
電気光学装置の駆動方法は走査電極群に、順次、周期的
にアドレス信号を選択印加し、信号電極群には侑定の情
報信号をアドレス信じとどう着させて並列的に選択印加
する時分割駆動を採用していた。
上記アクティブ素子を用いた電気光学装置の駆動方法で
は、走査電極群に順次印加されるアドレス信号は前記強
誘電性液晶自体の応答時間以上の時間印加されている。
は、走査電極群に順次印加されるアドレス信号は前記強
誘電性液晶自体の応答時間以上の時間印加されている。
従って、電気光学装置の１画面分を走査するに要する時
間は、（強誘電性液晶の応答時間）Ｘ（走査線数）以上
となり、例えばビジネスユース用の１６ビツトＣＰＵを
採用したパーソナルコンピューター用の６４０Ｘ４００
ドツトを持ったディスプレイの場合、応答時間が１５０
μｓの強誘電性液晶を使用すれば、１画面の走査時間は
６０〜１２０ｍ５となり高速で変化する画面の表示は不
可能であった。
間は、（強誘電性液晶の応答時間）Ｘ（走査線数）以上
となり、例えばビジネスユース用の１６ビツトＣＰＵを
採用したパーソナルコンピューター用の６４０Ｘ４００
ドツトを持ったディスプレイの場合、応答時間が１５０
μｓの強誘電性液晶を使用すれば、１画面の走査時間は
６０〜１２０ｍ５となり高速で変化する画面の表示は不
可能であった。
本発明は上記問題点を解決するために、（１） マト
リクス状に配置された複数の画素電極及びその各々に対
応してアクティブ素子を複数設けた第一基板と前記画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の電気光学装置の駆動
方法において、走査電極群に順次印加されるアドレス信
号のアドレス時間が、前記強誘電性液晶自体の応答時間
よりも短いことを特徴とする。
リクス状に配置された複数の画素電極及びその各々に対
応してアクティブ素子を複数設けた第一基板と前記画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の電気光学装置の駆動
方法において、走査電極群に順次印加されるアドレス信
号のアドレス時間が、前記強誘電性液晶自体の応答時間
よりも短いことを特徴とする。
以下に実施例を挙げて本発明のアクティブ素子と強誘電
性液晶を用いた電気光学装置の駆動方法を説明する。
性液晶を用いた電気光学装置の駆動方法を説明する。
〔実施例１〕
第１図は本発明における金属−絶縁体−金属構造を有す
る非線形素子（以下、ＭＩＭと呼ぶ）を用いたアクティ
ブマトリクスの一部分を示す回路図で、走査電極群１と
信号電極群２は、ＭＩ’Ｍ３と画素電極上の液晶の容量
分４で接続されてマトリクスを形成している。このＭＩ
Ｍは素子の両端に電圧Ｖを印加した時、素子を通って流
れる電流Ｉが １：ＫＶ＠ ｅｘｐ （βｖ” ’ ” ＞
で表わされる双方向ダイオード特性を示す。
る非線形素子（以下、ＭＩＭと呼ぶ）を用いたアクティ
ブマトリクスの一部分を示す回路図で、走査電極群１と
信号電極群２は、ＭＩ’Ｍ３と画素電極上の液晶の容量
分４で接続されてマトリクスを形成している。このＭＩ
Ｍは素子の両端に電圧Ｖを印加した時、素子を通って流
れる電流Ｉが １：ＫＶ＠ ｅｘｐ （βｖ” ’ ” ＞
で表わされる双方向ダイオード特性を示す。
ここて１くは電流の流れ易さ、βは非線形性を現わす係
数である。第１図に示すマトリクスの一部を第２図に示
すような表示状報にするためには、例えば第３図に示す
ような各信号を印加ずればよい。第３１；Ｚｌ（ａ）は
走査電極群１（Ｃｎ〜Ｃｎ＋、）に印加される走査信号
、第３図（１））は信号電極ＩＴ’２ （Ｓｍ−３ｍ＋
＊ ）に印加される情報信号であり、その結果各画素
には第３図（Ｃ）に示す信号波形が印加される。
数である。第１図に示すマトリクスの一部を第２図に示
すような表示状報にするためには、例えば第３図に示す
ような各信号を印加ずればよい。第３１；Ｚｌ（ａ）は
走査電極群１（Ｃｎ〜Ｃｎ＋、）に印加される走査信号
、第３図（１））は信号電極ＩＴ’２ （Ｓｍ−３ｍ＋
＊ ）に印加される情報信号であり、その結果各画素
には第３図（Ｃ）に示す信号波形が印加される。
画素数Ｅ３４０Ｘ４００ドツトのＴ ａ Ｔ ａｔ
Ｏｓ ＣｔｌＭＮのＭＩＭを用いたマトリクス基板を
用いて、２μｍギャップのセルをつくり、強誘電性液晶
として、２０＠Ｃ，±５■で約１ｍｓの応答を示すチッ
ソ（株）製のＣＳ −１０１５を封入し電気光学装置と
した。この電気光学装置に、第３図の選択時間ｔ−８０
μｓ１ずなわち１フレームの時間か３２ｍ５１画素部分
に印加される電圧Ｖｐ−ｐ＝５０Ｖの駆動信号を印加し
たところ、正常に動作し、コントラスト比ｌ：３０が得
られた。
Ｏｓ ＣｔｌＭＮのＭＩＭを用いたマトリクス基板を
用いて、２μｍギャップのセルをつくり、強誘電性液晶
として、２０＠Ｃ，±５■で約１ｍｓの応答を示すチッ
ソ（株）製のＣＳ −１０１５を封入し電気光学装置と
した。この電気光学装置に、第３図の選択時間ｔ−８０
μｓ１ずなわち１フレームの時間か３２ｍ５１画素部分
に印加される電圧Ｖｐ−ｐ＝５０Ｖの駆動信号を印加し
たところ、正常に動作し、コントラスト比ｌ：３０が得
られた。
本実施例ではＭＩＭを用いたが、他の２喘子素子、例え
ばアモルファスシリコンを用いた双方向性ダイオード、
酸化亜鉛を用いたバリスフなど非線形性を有する素子な
らば同様な動作をすることは明らかである。
ばアモルファスシリコンを用いた双方向性ダイオード、
酸化亜鉛を用いたバリスフなど非線形性を有する素子な
らば同様な動作をすることは明らかである。
〔実施例２〕
第４図は本発明における他の実施例で、アクティブ素子
としてＴＰＴを用いたアクティブマトリクスの一部分を
示す回路図で、走査電極群５と信号電極群６は、同一基
板上でＴ Ｉ” Ｔ ７のゲートおよびソース電極を通
じてマトリクスを形成し、画素電極上の液晶の容量分８
は対向基板Ｏ上の共通電極１０に接続されている。第５
図は本実施例で用いたＴ Ｅ Ｔパネルの構造で、石英
基板１１−ヒに形成されたポリシリコン１２、前記ポリ
シリコン１２を熱酸化して得られたゲート絶縁膜１３、
ポリシリコンゲート１４より構成されるＴ Ｉ” Ｔの
上にＳ ｓ Ｏｘ層間絶縁膜１５を形成する。更に、コ
ンタクトポールを開け、信号線１０および画素電極１７
を形成しＴＰＴ基板とする。このＴＰＴ基板と対向電極
９を設けた対向基板１０を２μｍの間吋：を保ってセル
とし、液晶１８を注入する。セルの外側の両面に偏光板
１９．２０を張り付けて電気光学装置とする。
としてＴＰＴを用いたアクティブマトリクスの一部分を
示す回路図で、走査電極群５と信号電極群６は、同一基
板上でＴ Ｉ” Ｔ ７のゲートおよびソース電極を通
じてマトリクスを形成し、画素電極上の液晶の容量分８
は対向基板Ｏ上の共通電極１０に接続されている。第５
図は本実施例で用いたＴ Ｅ Ｔパネルの構造で、石英
基板１１−ヒに形成されたポリシリコン１２、前記ポリ
シリコン１２を熱酸化して得られたゲート絶縁膜１３、
ポリシリコンゲート１４より構成されるＴ Ｉ” Ｔの
上にＳ ｓ Ｏｘ層間絶縁膜１５を形成する。更に、コ
ンタクトポールを開け、信号線１０および画素電極１７
を形成しＴＰＴ基板とする。このＴＰＴ基板と対向電極
９を設けた対向基板１０を２μｍの間吋：を保ってセル
とし、液晶１８を注入する。セルの外側の両面に偏光板
１９．２０を張り付けて電気光学装置とする。
前記構造をｔＱった３２０Ｘ２４０ドツトの電気光学装
置の一部を第２図に示した表示軟融にするため、第６図
に示すような選択時間【＝ｌＯμｓ１データ電圧±５■
の駆動波形を印加したところコントラスト比１：５０が
得られた。
置の一部を第２図に示した表示軟融にするため、第６図
に示すような選択時間【＝ｌＯμｓ１データ電圧±５■
の駆動波形を印加したところコントラスト比１：５０が
得られた。
〔実施例３〕 。
実施例２で用いた電気光学装置に第７図に示すような駆
動波形を印加した。すなわち、選ＩＲ時間ｔ：＝＝１２
．Ｇ３ｕｓにし、ｌｌフレームを１組として連続して出
る同極性パルス数を０〜１１まで変化させたところ、１
２階調が確認できた。この結果から、”１間階調によっ
て通常のＴＶ用の階調表示ができることが分かった。
動波形を印加した。すなわち、選ＩＲ時間ｔ：＝＝１２
．Ｇ３ｕｓにし、ｌｌフレームを１組として連続して出
る同極性パルス数を０〜１１まで変化させたところ、１
２階調が確認できた。この結果から、”１間階調によっ
て通常のＴＶ用の階調表示ができることが分かった。
〔実施例４〕
シリコンウェファ−」二に、通常のＩＣプロセスでＣＭ
ＯＳ −Ｆ Ｅ Ｔを形成し、画素電極をＡＩて（Ｘ
１＋ｉ成し、画素ピッチＧ３．５ＸＯ３，５μｍｖ画素
数３２０Ｘ２４０Ｆット、対角線方向の寸法２５、／１
ｍｍのアクティブマトリクス基板とした。
ＯＳ −Ｆ Ｅ Ｔを形成し、画素電極をＡＩて（Ｘ
１＋ｉ成し、画素ピッチＧ３．５ＸＯ３，５μｍｖ画素
数３２０Ｘ２４０Ｆット、対角線方向の寸法２５、／１
ｍｍのアクティブマトリクス基板とした。
この基板を用い、セル厚が１μｍの反射型パネルを作り
液晶を注入して、上面に偏光板を１枚張りイ１けた電気
光学装置にした。この電気光学装置を選択時間ｔ＝８．
Ｅ３ｍｓで駆動したところ１６階調が表示可能であった
。
液晶を注入して、上面に偏光板を１枚張りイ１けた電気
光学装置にした。この電気光学装置を選択時間ｔ＝８．
Ｅ３ｍｓで駆動したところ１６階調が表示可能であった
。
上記の（？４造よりなる本発明の強誘電性液晶を用いた
電気光学装置の駆動方法を用いることにより、画素数の
多い大画面の表示を高速で動かしたり、ＴＶ画像を時間
階調で表示することが可能となる。
電気光学装置の駆動方法を用いることにより、画素数の
多い大画面の表示を高速で動かしたり、ＴＶ画像を時間
階調で表示することが可能となる。
第１図は本発明に用いたＭＩＭアクティブマトリクスの
一部分を示す図。第２図は本発明ての表示例を示す図。 第３図は第２図の表示例を得るための駆動波形の一例を
挙げた図。第４図は本発明のＴ ｌ” Ｔアクティブマ
トリクスの一部分を示ず図。第５図はＴ Ｐ Ｔを用い
たパネルの＋１＋ｒＩ造の一例を示す図。第６図はＴＰ
Ｔを用いたパネルの駆動波形例を示す図。第７図は本発
明の階調表示をするための駆動波形例を示す図。 ■・・・走査電極群 ２・・・信号電極群 ３・・・ＭＩＭ素子 ４・・・画素電極上の液晶の容量分 ５・・・走査電極群 ６・・・信号電極群 ７・・・ＴＰＴ ８・・・画素電極上の液晶の容量分 ９・・・対向基板 １０・・・対向電極 １１・・・石英基板 １２・・・ポリシリコン １３・・・ゲート絶縁膜 １４・・・ポリシリコンゲート １５・・・層間絶縁膜 １Ｇ・・・信号線 １７・・・画素電極 以 上 ＳＳ Ｓ、＋Ｉ Ｓ浦ヤ２ 第２図 第３図（ａ） 第３図（ｂ） 戦 ％＋１ ｑｈ＋２
第３図（Ｃ） 第６図 フし−へ 第７図
一部分を示す図。第２図は本発明ての表示例を示す図。 第３図は第２図の表示例を得るための駆動波形の一例を
挙げた図。第４図は本発明のＴ ｌ” Ｔアクティブマ
トリクスの一部分を示ず図。第５図はＴ Ｐ Ｔを用い
たパネルの＋１＋ｒＩ造の一例を示す図。第６図はＴＰ
Ｔを用いたパネルの駆動波形例を示す図。第７図は本発
明の階調表示をするための駆動波形例を示す図。 ■・・・走査電極群 ２・・・信号電極群 ３・・・ＭＩＭ素子 ４・・・画素電極上の液晶の容量分 ５・・・走査電極群 ６・・・信号電極群 ７・・・ＴＰＴ ８・・・画素電極上の液晶の容量分 ９・・・対向基板 １０・・・対向電極 １１・・・石英基板 １２・・・ポリシリコン １３・・・ゲート絶縁膜 １４・・・ポリシリコンゲート １５・・・層間絶縁膜 １Ｇ・・・信号線 １７・・・画素電極 以 上 ＳＳ Ｓ、＋Ｉ Ｓ浦ヤ２ 第２図 第３図（ａ） 第３図（ｂ） 戦 ％＋１ ｑｈ＋２
第３図（Ｃ） 第６図 フし−へ 第７図
Claims (3)
- （１）マトリクス状に配置された複数の画素電極及びそ
の各々に対応してアクティブ素子を複数設けた第一基板
と前記画素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を
有し、前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安
定状態を有する強誘電性液晶を挟持した構造の電気光学
装置の駆動方法において、走査電極群に順次印加される
アドレス信号のアドレス時間が、前記強誘電性液晶自体
の応答時間よりも短いことを特徴とする電気光学装置の
駆動方法。 - （２）前記アクティブ素子が２端子構造を有する非線形
素子であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の電気光学装置の駆動方法。 - （３）前記アクティブ素子がＦＥＴであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の電気光学装置の駆動
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7100587A JPS63236012A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 電気光学装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7100587A JPS63236012A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 電気光学装置の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63236012A true JPS63236012A (ja) | 1988-09-30 |
Family
ID=13447954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7100587A Pending JPS63236012A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 電気光学装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63236012A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02253293A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-12 | Canon Inc | 表示装置 |
| JPH03271716A (ja) * | 1990-03-22 | 1991-12-03 | Canon Inc | アクティブマトリクス液晶素子の駆動法 |
| US5363225A (en) * | 1991-11-11 | 1994-11-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal element and driving method thereof including multi-value signal which ends at zero volts |
| US6713783B1 (en) | 1991-03-15 | 2004-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Compensating electro-optical device including thin film transistors |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP7100587A patent/JPS63236012A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02253293A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-12 | Canon Inc | 表示装置 |
| JPH03271716A (ja) * | 1990-03-22 | 1991-12-03 | Canon Inc | アクティブマトリクス液晶素子の駆動法 |
| US6713783B1 (en) | 1991-03-15 | 2004-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Compensating electro-optical device including thin film transistors |
| US5363225A (en) * | 1991-11-11 | 1994-11-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal element and driving method thereof including multi-value signal which ends at zero volts |
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