JPS63236252A - 表面分析装置 - Google Patents
表面分析装置Info
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- JPS63236252A JPS63236252A JP62067960A JP6796087A JPS63236252A JP S63236252 A JPS63236252 A JP S63236252A JP 62067960 A JP62067960 A JP 62067960A JP 6796087 A JP6796087 A JP 6796087A JP S63236252 A JPS63236252 A JP S63236252A
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- Japan
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- axis
- sample
- ion beam
- axis scanning
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、例えば被測定試料中の不純物濃度プロファ
イル等を測定する表面分析装置に関する。
イル等を測定する表面分析装置に関する。
（従来の技術）
被測定試料中の不純物濃度プロファイル等を測定する従
来の表面分析装置としては、例えば次のようなものが知
られている。
来の表面分析装置としては、例えば次のようなものが知
られている。
即ち、表面分析装置には、数ＫｅＶから１０数ＫｅＶの
加速エネルギーを有するＡｒ＋イオンまたはＯ＋イオン
等の一次イオンビームを放出するイオン源、このイオン
源からのイオンビームを集束する集束レンズ、この集束
レンズで集束されたイオンビームをＸ軸方向およびＹ軸
方向に偏向して被測定試料中に所要の面積でイオンビー
ムを照射させるＸ軸走査電極およびＹ軸走査電極、スパ
ッタにより被測定試料の表面から放出される二次イオン
を質量分析するマスフィルタおよびこのマスフィルタで
弁別された不純物イオンを計測するカウンタ等が備えら
れ、これらの構成要素が真空容器中に収容されている。
加速エネルギーを有するＡｒ＋イオンまたはＯ＋イオン
等の一次イオンビームを放出するイオン源、このイオン
源からのイオンビームを集束する集束レンズ、この集束
レンズで集束されたイオンビームをＸ軸方向およびＹ軸
方向に偏向して被測定試料中に所要の面積でイオンビー
ムを照射させるＸ軸走査電極およびＹ軸走査電極、スパ
ッタにより被測定試料の表面から放出される二次イオン
を質量分析するマスフィルタおよびこのマスフィルタで
弁別された不純物イオンを計測するカウンタ等が備えら
れ、これらの構成要素が真空容器中に収容されている。
第７図（ａ）は、上記のＸ軸走査電極に与えられるＸ軸
走査電圧ＶＸ、第７図（ｂ）はＹ軸走査電極に与えられ
るＹ軸走査電圧■ｙであり、これら走査電圧の最大値で
ある振幅±Ｖｘｍａｘ、±■ｙｍａＸは、時間ｔに対し
て一定値とされている。
走査電圧ＶＸ、第７図（ｂ）はＹ軸走査電極に与えられ
るＹ軸走査電圧■ｙであり、これら走査電圧の最大値で
ある振幅±Ｖｘｍａｘ、±■ｙｍａＸは、時間ｔに対し
て一定値とされている。
そして、所定の低圧雰囲気において集束レンズにより１
μＡ程度の電流値とされたイオンビームが、Ｘ軸走査電
極およびＹ軸走査電極にそれぞれ与えられた各走査電圧
Ｖｘ、ｖｙにより走査されて被測定試料上に所要の面積
で照射される。この照射により被測定試料の表面がスパ
ッタされて原子や分子等の粒子となって飛散する。この
飛散粒子中に含まれているイオン状態の粒子が二次イオ
ンであり、この二次イオンがマスフィルタで質ｍ分析さ
れ、被測定試料中の不純物イオンが弁別される。そして
、この不純物イオンがカウンタで計測されて、被測定試
料の表面から−深さ方向の不純物濃度プロファイル等が
求められる。
μＡ程度の電流値とされたイオンビームが、Ｘ軸走査電
極およびＹ軸走査電極にそれぞれ与えられた各走査電圧
Ｖｘ、ｖｙにより走査されて被測定試料上に所要の面積
で照射される。この照射により被測定試料の表面がスパ
ッタされて原子や分子等の粒子となって飛散する。この
飛散粒子中に含まれているイオン状態の粒子が二次イオ
ンであり、この二次イオンがマスフィルタで質ｍ分析さ
れ、被測定試料中の不純物イオンが弁別される。そして
、この不純物イオンがカウンタで計測されて、被測定試
料の表面から−深さ方向の不純物濃度プロファイル等が
求められる。
第８図および第９図は、上記のスパッタによるエツチン
グで被測定試料の表面に形成されたクレータ２１を示し
ている。クレータ２１の面積は、例えば１０００μｍＸ
１０００μｍ程度の大きさであり、このように被測定試
料上の所要の面積から分析された不純物イオンを計測す
ることにより、測定値の信頼性向上が図られている。
グで被測定試料の表面に形成されたクレータ２１を示し
ている。クレータ２１の面積は、例えば１０００μｍＸ
１０００μｍ程度の大きさであり、このように被測定試
料上の所要の面積から分析された不純物イオンを計測す
ることにより、測定値の信頼性向上が図られている。
（発明が解決しようとする問題点）
従来の表面分析装置にあっては、Ｘ軸走査電極およびＹ
軸走査電極に加えられる各走査電圧の振幅±ｙｘｍａｘ
、±Ｖｙｍａｘが、時間ｔの経過に対し、第７図の（ａ
）、（ｂ）に示すように一定値とされていたため、クレ
ータ２１の周囲部に照射されたイオンビームのビーム径
に依存した断面円弧状の側壁２１ａが形成され、この側
壁２１ａの部分からスパッタされた原子等の粒子２２に
よっても二次イオンが発生する。このような二次イオン
は、質量分析されてカウンタで計測されると不純物濃度
プロファイル等の測定上誤差要因となる。
軸走査電極に加えられる各走査電圧の振幅±ｙｘｍａｘ
、±Ｖｙｍａｘが、時間ｔの経過に対し、第７図の（ａ
）、（ｂ）に示すように一定値とされていたため、クレ
ータ２１の周囲部に照射されたイオンビームのビーム径
に依存した断面円弧状の側壁２１ａが形成され、この側
壁２１ａの部分からスパッタされた原子等の粒子２２に
よっても二次イオンが発生する。このような二次イオン
は、質量分析されてカウンタで計測されると不純物濃度
プロファイル等の測定上誤差要因となる。
この誤差要因を取除くため１．従来の表面分析装置では
、電気的な二次イオンの取込み手段を講じてクレータ２
１底面の平坦部から発生する二次イオン中の不純物イオ
ンのみを計測するようなことが行なわれている。
、電気的な二次イオンの取込み手段を講じてクレータ２
１底面の平坦部から発生する二次イオン中の不純物イオ
ンのみを計測するようなことが行なわれている。
しかしながら、このような手段を講じても、測定中、イ
オンビームの照射面積が同一であると、側壁２１ａから
スパッタされてクレータ２１の底面平坦部に再堆積され
るイ゛オン粒子２２ａがなお誤差要因となって、測定値
の信頼性を向上させることは難しく、不純物濃度プロフ
ァイルのダイナミックレンジが小さくなってしまうとい
う問題点があった。
オンビームの照射面積が同一であると、側壁２１ａから
スパッタされてクレータ２１の底面平坦部に再堆積され
るイ゛オン粒子２２ａがなお誤差要因となって、測定値
の信頼性を向上させることは難しく、不純物濃度プロフ
ァイルのダイナミックレンジが小さくなってしまうとい
う問題点があった。
この発明は上記事情に基づいてなされたもので、測定値
の信頼性を向上させて不純物濃度プロファイル等の測定
の際は、そのダイナミックレンジを大きくとることので
きる表面分析装置を提供することを目的とする。
の信頼性を向上させて不純物濃度プロファイル等の測定
の際は、そのダイナミックレンジを大きくとることので
きる表面分析装置を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
この発明は上記問題点を解決するために、被測定試料に
イオンビームを照射しスパッタにより当該被測定試料か
ら放出される二次イオンを質ｍ分析して被測定試料中の
不純物分析等を行なう装置において、前記イオンビーム
の照射面積を照射時間に対し所定の縮小率で縮小させる
照射面積縮小手段を具備させたことを要旨とする。
イオンビームを照射しスパッタにより当該被測定試料か
ら放出される二次イオンを質ｍ分析して被測定試料中の
不純物分析等を行なう装置において、前記イオンビーム
の照射面積を照射時間に対し所定の縮小率で縮小させる
照射面積縮小手段を具備させたことを要旨とする。
（作用）
被測定試料にイオンビームが照射され、被測定試料の表
面がスパッタされて二次イオンが発生する。そして、こ
の二次イオンが質ｍ分析されて目的とする不純物イオン
等が弁別される。
面がスパッタされて二次イオンが発生する。そして、こ
の二次イオンが質ｍ分析されて目的とする不純物イオン
等が弁別される。
このとき、照射面積縮小手段により被測定試料に対する
イオンビームの照射面積が、照射時間の経過とともに所
定の縮小率で縮小されて、スパッタエッチにより生じた
クレータの側壁にその後も引続いてイオンビームの照射
されることが避けられる。したがってクレータ側壁部か
らのイオン粒。
イオンビームの照射面積が、照射時間の経過とともに所
定の縮小率で縮小されて、スパッタエッチにより生じた
クレータの側壁にその後も引続いてイオンビームの照射
されることが避けられる。したがってクレータ側壁部か
らのイオン粒。
子の生じることがなくなって、クレータ底面の平坦部へ
そのイオン粒子の再堆積することが防止され、測定上の
誤差要因が除去される。
そのイオン粒子の再堆積することが防止され、測定上の
誤差要因が除去される。
（実施例）
以下、この発明の実施例を第１図ないし第６図に基づい
て説明する。
て説明する。
まず、表面分析装置の構成を説明すると、第１図中、１
は例えば８ＫｅＶ程度の加速エネルギーを有するＡｒ＋
イオンからなる一次イオンビームを生成するイオン源、
２はこのイオン源１からのイオンビームを集束する集束
レンズ、３は所要のイオンビーム電流とするための絞り
用電極、４はＸ軸走査電極、５はＹ軸走査電極であり、
Ｘ軸走査電極４にはＸ軸走査電圧発生回路６が接続され
、Ｙ軸走査電極５にはＹ軸走査電圧発生回路７が接続さ
れている。
は例えば８ＫｅＶ程度の加速エネルギーを有するＡｒ＋
イオンからなる一次イオンビームを生成するイオン源、
２はこのイオン源１からのイオンビームを集束する集束
レンズ、３は所要のイオンビーム電流とするための絞り
用電極、４はＸ軸走査電極、５はＹ軸走査電極であり、
Ｘ軸走査電極４にはＸ軸走査電圧発生回路６が接続され
、Ｙ軸走査電極５にはＹ軸走査電圧発生回路７が接続さ
れている。
Ｘ輪走査電圧発生回路６およびＹ軸走査電圧発生回路７
からは、後述するようにその振幅が時間とともに一定の
比率で順次小となる各走査電圧が出力され、これがＸ軸
走査電極４およびＹ軸走査電極５にそれぞれ加えられる
。そして、これらの走査電圧でイオンビームが偏向され
て、被測定試料に対するその照射面積が時間経過に従っ
て所定の縮小率で縮小される。
からは、後述するようにその振幅が時間とともに一定の
比率で順次小となる各走査電圧が出力され、これがＸ軸
走査電極４およびＹ軸走査電極５にそれぞれ加えられる
。そして、これらの走査電圧でイオンビームが偏向され
て、被測定試料に対するその照射面積が時間経過に従っ
て所定の縮小率で縮小される。
而して、上記のＸ軸、Ｙ軸の各走査電極４．５および各
走査電圧発生回路６．７により、イオンビームの照射面
積を照射時間に対し所定の縮小率で縮小させる照射面積
縮小手段が構成されている。
走査電圧発生回路６．７により、イオンビームの照射面
積を照射時間に対し所定の縮小率で縮小させる照射面積
縮小手段が構成されている。
８は対物レンズ、９はスパッタにより被測定試料１３の
表面から放出される二次イオンを質量分析するマスフィ
ルタ、１０はマスフィルタ９で弁別された不純物イオン
等のイオンコレクタ、１１はゲート、１２は不純物イオ
ン等を計測するためのカウンタである。
表面から放出される二次イオンを質量分析するマスフィ
ルタ、１０はマスフィルタ９で弁別された不純物イオン
等のイオンコレクタ、１１はゲート、１２は不純物イオ
ン等を計測するためのカウンタである。
上記の各構成要素のうち所要の要素は、図示省略の真空
容器に収容され、この真空容器には排気用の真空ポンプ
等が接続されている。
容器に収容され、この真空容器には排気用の真空ポンプ
等が接続されている。
次に、第２図ないし第６図を用いて作用を説明する。
第２図および第３図により、まず照射面積縮小手段にお
けるＸ軸走査電圧およびＹ軸走査電圧の設定およびその
作用から説明する。
けるＸ軸走査電圧およびＹ軸走査電圧の設定およびその
作用から説明する。
第２図に示すように、Ｘ軸走査電極４およびＹ軸走査電
極５の各平行平板電極に、それぞれ士■Ｘ／２および士
ＶＶ／２の走査電圧が印加されてイオンビーム１４がＸ
軸方向およびＹ軸方向に偏向され、被測定試料１３上に
所要の照射面積１５が得られるものとする。このとき、
その照射面積１５をａＸａ （ｍｍ２ ）とすると、必
要とされるＹ軸走査電圧の上限値ＶＶｏは次式で表わさ
れる。
極５の各平行平板電極に、それぞれ士■Ｘ／２および士
ＶＶ／２の走査電圧が印加されてイオンビーム１４がＸ
軸方向およびＹ軸方向に偏向され、被測定試料１３上に
所要の照射面積１５が得られるものとする。このとき、
その照射面積１５をａＸａ （ｍｍ２ ）とすると、必
要とされるＹ軸走査電圧の上限値ＶＶｏは次式で表わさ
れる。
Ｖｙｏ ＝ｌＶｙｌ−ｄ−Ｖａ−ａ／２Ｌ−４１・・・
（１） ここに ｄ：平行平板電極間の間隔 ■ａ：ミニイオンビーム速電圧 ２ｆＬ：走査電極のイオンビーム方向長さＬ：走査電極
の中点および被測定試料間の距離 Ｘ軸走査電圧の上限値Ｖｘａについては上記（１）式と
同様の式で求められる。そこで、この実施例では、第３
図の龜）、（ｂ）に示すように、Ｘ軸およびＹ軸の各走
査電圧発生回路６．７から出力されるＸ軸およびＹ軸の
各走査電圧の上限値、即ち振幅ＶＸＯ、Ｖ’Ｉ１０を、
時間ｔとともに一定の比率で順次小となるように調整し
て、イオンビーム１４の照射面積１５が照射時間に対し
て所定の縮小率で縮小されるようにしたものである。
（１） ここに ｄ：平行平板電極間の間隔 ■ａ：ミニイオンビーム速電圧 ２ｆＬ：走査電極のイオンビーム方向長さＬ：走査電極
の中点および被測定試料間の距離 Ｘ軸走査電圧の上限値Ｖｘａについては上記（１）式と
同様の式で求められる。そこで、この実施例では、第３
図の龜）、（ｂ）に示すように、Ｘ軸およびＹ軸の各走
査電圧発生回路６．７から出力されるＸ軸およびＹ軸の
各走査電圧の上限値、即ち振幅ＶＸＯ、Ｖ’Ｉ１０を、
時間ｔとともに一定の比率で順次小となるように調整し
て、イオンビーム１４の照射面積１５が照射時間に対し
て所定の縮小率で縮小されるようにしたものである。
第３図の偲）、（ωの例では、スパッタされる面が、１
回走査し終るごとにＸ軸方向の振幅ＶＸＯはリニアに減
少され、Ｙ軸方向の振幅Ｖｙｏは段階的に減少されてい
る。
回走査し終るごとにＸ軸方向の振幅ＶＸＯはリニアに減
少され、Ｙ軸方向の振幅Ｖｙｏは段階的に減少されてい
る。
なお、Ｙ軸方向の振幅ＶＶｏも、Ｘ軸方向の振幅Ｖ Ｘ
ｏと同様にリニアに減少させるようにしてもよい。
ｏと同様にリニアに減少させるようにしてもよい。
また、Ｘ軸およびＹ軸の各走査電圧Ｖｘ、ｖｙは、上記
のようにその振幅が時間ｔとともに一定の比率で順次小
となるとともに、電圧値そのものの変化率、即ちΔＶＸ
／Δｔ、ΔＶｙ／Δｔ（第３図の（ａ）、（ｂ）におけ
る波形の傾斜）は、一定とされて被測定試料１３上にお
けるイオンビーム１４の走査速度が一定となるようにさ
れている。
のようにその振幅が時間ｔとともに一定の比率で順次小
となるとともに、電圧値そのものの変化率、即ちΔＶＸ
／Δｔ、ΔＶｙ／Δｔ（第３図の（ａ）、（ｂ）におけ
る波形の傾斜）は、一定とされて被測定試料１３上にお
けるイオンビーム１４の走査速度が一定となるようにさ
れている。
そして、真空容器が排気されて所定の低圧雰囲気とされ
たのち、イオン源１から８ＫｅＶ程度の加速エネルギー
を有するＡｒ＋イオンビームが出射され、これが集束レ
ンズ２で集束され、さらに絞り用電極３でビーム径が絞
られて所要のイオンビーム電流とされる。被測定試料１
３に照射される時のイオンビーム径は、スパッタされる
面積に比べて小さい方が照射面積の縮小率が小さくなっ
て長時間の測定ができるので、１０μｍ程度以下とされ
る。
たのち、イオン源１から８ＫｅＶ程度の加速エネルギー
を有するＡｒ＋イオンビームが出射され、これが集束レ
ンズ２で集束され、さらに絞り用電極３でビーム径が絞
られて所要のイオンビーム電流とされる。被測定試料１
３に照射される時のイオンビーム径は、スパッタされる
面積に比べて小さい方が照射面積の縮小率が小さくなっ
て長時間の測定ができるので、１０μｍ程度以下とされ
る。
次いで所要のビーム径に絞られたイオンビーム１４は、
Ｘ軸走査電極４およびＹ軸走査電極５にそれぞれ加えら
れた各走査電圧Ｖｘ、ＶＶにより走査されて被測定試料
１３上に所要の照射面積１５で照射される。この照射に
より被測定試料の表面がスパッタされて発生した二次イ
オンがマスフィルタで質量分析され、被測定試料中の不
純物イオンが弁別される。そして、第３図（Ｃ）に示す
ように、各走査電圧ｖｘ、ｖｙによるイオンビームの走
査中、所要のタイミングでゲート１１が開かれて、全ス
パッタ領域のうち中央部側で発生した二次イオンから弁
別された不純物イオンがカウンタ１２で計測されて被測
定試料１３の表面から深さ方向の不純物濃度プロファイ
ル等が求められる。
Ｘ軸走査電極４およびＹ軸走査電極５にそれぞれ加えら
れた各走査電圧Ｖｘ、ＶＶにより走査されて被測定試料
１３上に所要の照射面積１５で照射される。この照射に
より被測定試料の表面がスパッタされて発生した二次イ
オンがマスフィルタで質量分析され、被測定試料中の不
純物イオンが弁別される。そして、第３図（Ｃ）に示す
ように、各走査電圧ｖｘ、ｖｙによるイオンビームの走
査中、所要のタイミングでゲート１１が開かれて、全ス
パッタ領域のうち中央部側で発生した二次イオンから弁
別された不純物イオンがカウンタ１２で計測されて被測
定試料１３の表面から深さ方向の不純物濃度プロファイ
ル等が求められる。
このとぎ、Ｘ軸走査電極４およびＹ軸走査電極５に加え
られる各走査電圧ｖｘ、ｖｙは、第３図の（ａ）、（ｂ
）に示すように、時間ｔとともに一定の比率で順次小と
なるように調整されているので、イオンビーム１４の照
射面積１５が照射時間に対し所定の縮小率で減少される
。第４図の（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）はこの照射面積１５
の時間変化を示し、また第５図および第６図はスパッタ
によるエツチングで被測定試料１３の表面に形成される
クレータ１６を示したものである。
られる各走査電圧ｖｘ、ｖｙは、第３図の（ａ）、（ｂ
）に示すように、時間ｔとともに一定の比率で順次小と
なるように調整されているので、イオンビーム１４の照
射面積１５が照射時間に対し所定の縮小率で減少される
。第４図の（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）はこの照射面積１５
の時間変化を示し、また第５図および第６図はスパッタ
によるエツチングで被測定試料１３の表面に形成される
クレータ１６を示したものである。
第４図（ａ）は第１回目の走査で得られる照）ｊ面積１
５ａ、同図（ｂ）は第２回目の走査で得られる照射面積
１５ｂ１同図（Ｃ）は第３回目の走査で得られる照射面
積１５Ｇをそれぞれ示している。これらの図から明らか
なように、深さ方向の測定の進行とともに照射面積１５
、即ちスパッタされる領域は順次縮小され、前回のスパ
ッタで形成されたクレータ１６の周辺側壁１６ａは、今
回の照射ではスパッタされることがなくなる。したがっ
て側壁１６８部分、即ち表面側の高濃度の不純物元素が
今回スパッタされてクレータ１６の底面平坦部に再堆積
されることが著しく減少し、深さ方向の不純物濃度プロ
ファイルのダイナミックレンジが拡大されて、正確な不
純物濃度プロファイルが得られる。
５ａ、同図（ｂ）は第２回目の走査で得られる照射面積
１５ｂ１同図（Ｃ）は第３回目の走査で得られる照射面
積１５Ｇをそれぞれ示している。これらの図から明らか
なように、深さ方向の測定の進行とともに照射面積１５
、即ちスパッタされる領域は順次縮小され、前回のスパ
ッタで形成されたクレータ１６の周辺側壁１６ａは、今
回の照射ではスパッタされることがなくなる。したがっ
て側壁１６８部分、即ち表面側の高濃度の不純物元素が
今回スパッタされてクレータ１６の底面平坦部に再堆積
されることが著しく減少し、深さ方向の不純物濃度プロ
ファイルのダイナミックレンジが拡大されて、正確な不
純物濃度プロファイルが得られる。
また、被測定試料１３上におけるイオンビーム１４の走
査速度は一定とされているので、深さ方向の分解能が一
定に保たれ、さらに全測定時間は、スパッタの領域が減
少されていく分だけ短縮される。
査速度は一定とされているので、深さ方向の分解能が一
定に保たれ、さらに全測定時間は、スパッタの領域が減
少されていく分だけ短縮される。
そして、この実施例では、上述のように周辺側壁１６ａ
からのスパッタが殆んどなくクレータ１６の底面平坦部
への再堆積が著しく減少するので、イオンビーム１４の
走査中にゲート１１の開かれる割合、即ちゲート率が、
従来例では１０ないし１６％（面積比）程度しか利用で
きなかったものが、この実施例では５０％程度まで拡大
しても、大きなダイナミックレンジをとることができて
測定値の信頼性か一層向上される。
からのスパッタが殆んどなくクレータ１６の底面平坦部
への再堆積が著しく減少するので、イオンビーム１４の
走査中にゲート１１の開かれる割合、即ちゲート率が、
従来例では１０ないし１６％（面積比）程度しか利用で
きなかったものが、この実施例では５０％程度まで拡大
しても、大きなダイナミックレンジをとることができて
測定値の信頼性か一層向上される。
なお、上述の実施例では、Ｘ軸およびＹ軸の各走査電圧
を前記第３図の０）、（ｂ）に示したように三角波とし
て方形状の照射面積が得られるようにしたが、走査電圧
は三角波でなくともよく、例えば乱数的な任意の電圧と
し、且つこの任意の電圧による適宜形状の照射面積が照
射時間の経過とともに順次縮小されるようにしてもよい
。
を前記第３図の０）、（ｂ）に示したように三角波とし
て方形状の照射面積が得られるようにしたが、走査電圧
は三角波でなくともよく、例えば乱数的な任意の電圧と
し、且つこの任意の電圧による適宜形状の照射面積が照
射時間の経過とともに順次縮小されるようにしてもよい
。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明によれば、照射面積縮小
手段により被測定試料に対するイオンビームの照射面積
が照射時間の経過とともに所定の縮小率で縮小されるの
で、スパッタエッチにより生じたクレータの側壁部にそ
の後引続いてイオンビームの照射されることが避けられ
る。したがってクレータ側壁部からイオン粒子の生じる
ことがなくなり、測定領域であるクレータ底面の平坦部
へそのイオン粒子の再堆積することが防止されて測定値
の信頼性が向上されるとともに、不純物濃度プロファイ
ル等の測定の際は、そのダイナミックレンジを大きくと
ることができるという利点がある。
手段により被測定試料に対するイオンビームの照射面積
が照射時間の経過とともに所定の縮小率で縮小されるの
で、スパッタエッチにより生じたクレータの側壁部にそ
の後引続いてイオンビームの照射されることが避けられ
る。したがってクレータ側壁部からイオン粒子の生じる
ことがなくなり、測定領域であるクレータ底面の平坦部
へそのイオン粒子の再堆積することが防止されて測定値
の信頼性が向上されるとともに、不純物濃度プロファイ
ル等の測定の際は、そのダイナミックレンジを大きくと
ることができるという利点がある。
また、被測定試料上のイオンビームの走査速度を一定と
した実施例によれば、上記共通の効果に加えて、さらに
深さ方向の分解能を一定に保つことができるという利点
がある。
した実施例によれば、上記共通の効果に加えて、さらに
深さ方向の分解能を一定に保つことができるという利点
がある。
第１図〜第６図はこの発明に係る表面分析装置の実施例
を示すもので、第１図は全体構成を示す構成図、第２図
はＸ軸走査電極およびＹ軸走査電極の部分を拡大して示
す斜視図、第３図はＸ軸およびＹ軸用の走査電圧等を示
すタイミングチャート、第４図は照射面積の時間変化を
説明するための平面図、第５図はスパッタによって形成
されるクレータを示す斜視図、第６図は第５図の■■−
■線断面図、第７図は従来の表面分析装置におけるＸ軸
およびＹ軸の走査電圧を示す波形図、第８図は同上従来
例によって形成されるクレータを示す斜視図、第９図は
第８図のＩＸ −ｒＸ線断面図である。 １：イオン源、 ４：ｘ軸走査電極、 ５：Ｙ軸走査電極、６：Ｘ軸走査電圧発生回路、７：Ｙ
軸走査電圧発生回路、９：マスフィルタ、１２ニカウン
タ、 １３：被測定試料。
を示すもので、第１図は全体構成を示す構成図、第２図
はＸ軸走査電極およびＹ軸走査電極の部分を拡大して示
す斜視図、第３図はＸ軸およびＹ軸用の走査電圧等を示
すタイミングチャート、第４図は照射面積の時間変化を
説明するための平面図、第５図はスパッタによって形成
されるクレータを示す斜視図、第６図は第５図の■■−
■線断面図、第７図は従来の表面分析装置におけるＸ軸
およびＹ軸の走査電圧を示す波形図、第８図は同上従来
例によって形成されるクレータを示す斜視図、第９図は
第８図のＩＸ −ｒＸ線断面図である。 １：イオン源、 ４：ｘ軸走査電極、 ５：Ｙ軸走査電極、６：Ｘ軸走査電圧発生回路、７：Ｙ
軸走査電圧発生回路、９：マスフィルタ、１２ニカウン
タ、 １３：被測定試料。
Claims (2)
- （１）被測定試料にイオンビームを照射しスパッタによ
り当該被測定試料から放出される二次イオンを質量分析
して被測定試料中の不純物分析等を行なう装置において
、 前記イオンビームの照射面積を照射時間に対し所定の縮
小率で縮小させる照射面積縮小手段を具備させたことを
特徴とする表面分析装置。 - （２）前記照射面積縮小手段から出力される走査用電圧
によるイオンビームの走査速度は一定であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の表面分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62067960A JPS63236252A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 表面分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62067960A JPS63236252A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 表面分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63236252A true JPS63236252A (ja) | 1988-10-03 |
Family
ID=13360043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62067960A Pending JPS63236252A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 表面分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63236252A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011111852A1 (en) * | 2010-03-11 | 2011-09-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Image processing method |
| JP2014044124A (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Fujitsu Ltd | 二次イオン質量分析装置および二次イオン質量分析方法 |
-
1987
- 1987-03-24 JP JP62067960A patent/JPS63236252A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011111852A1 (en) * | 2010-03-11 | 2011-09-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Image processing method |
| US8644637B2 (en) | 2010-03-11 | 2014-02-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Image processing method |
| JP2014044124A (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Fujitsu Ltd | 二次イオン質量分析装置および二次イオン質量分析方法 |
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