JPS6323733B2 - - Google Patents

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JPS6323733B2
JPS6323733B2 JP54127547A JP12754779A JPS6323733B2 JP S6323733 B2 JPS6323733 B2 JP S6323733B2 JP 54127547 A JP54127547 A JP 54127547A JP 12754779 A JP12754779 A JP 12754779A JP S6323733 B2 JPS6323733 B2 JP S6323733B2
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Japan
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circuit
photoelectric conversion
conversion element
output signal
signal
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JP54127547A
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Japanese (ja)
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Akyoshi Yoshioka
Giichi Shibuya
Noboru Ueno
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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  • Testing Relating To Insulation (AREA)
  • Gas-Insulated Switchgears (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、ガス絶縁システムにおいて、閃絡
事故が生じた個所を閃絡時の発光により検知でき
るようにした光電変換素子付きの光検知装置に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a photodetector equipped with a photoelectric conversion element that can detect a location where a flash fault has occurred in a gas insulation system based on light emitted during a flash fault.

第1図は従来の光検知装置のブロツク図であ
る。この第1図における1は光電変換素子、2は
光電変換素子1の出力信号の大きさによりパルス
信号を発生させるパルス信号発生回路であり、3
は表示装置を示す。
FIG. 1 is a block diagram of a conventional photodetector. In FIG. 1, 1 is a photoelectric conversion element, 2 is a pulse signal generation circuit that generates a pulse signal depending on the magnitude of the output signal of the photoelectric conversion element 1, and 3
indicates a display device.

このような光検知装置において、閃絡時の発光
が光電変換素子1に入射すると、光電変換素子1
は発光現象に対応した電気信号に変換される。次
に、その出力信号の瞬時値の大きさによりパルス
信号発生回路2は表示装置3にパルス信号を入力
し、閃絡を表示する。
In such a photodetecting device, when light emitted during a flash fault enters the photoelectric conversion element 1, the photoelectric conversion element 1
is converted into an electrical signal corresponding to the luminescent phenomenon. Next, depending on the magnitude of the instantaneous value of the output signal, the pulse signal generating circuit 2 inputs a pulse signal to the display device 3 to display a flash fault.

一方、第2図はガス絶縁母線部分に第1図に示
した従来の光検知装置を取り付けた閃絡個所を示
す図である。この第2図において、1a〜1cは
それぞれ第1図の光電変換素子、2a〜2cはそ
れぞれパルス信号発生回路、3a〜3cは表示装
置である。これらの光電変換素子1a〜1c、パ
ルス信号発生回路2a〜2cはそれぞれ金属箱4
内に設けられている。各金属箱4は接続器具5を
介してガス絶縁母線11に連結されている。
On the other hand, FIG. 2 is a diagram showing a flash fault location where the conventional photodetector shown in FIG. 1 is attached to a gas-insulated busbar portion. In FIG. 2, 1a to 1c are the photoelectric conversion elements shown in FIG. 1, 2a to 2c are pulse signal generating circuits, and 3a to 3c are display devices. These photoelectric conversion elements 1a to 1c and pulse signal generation circuits 2a to 2c are each mounted in a metal box 4.
It is located inside. Each metal box 4 is connected to a gas insulated bus bar 11 via a connecting device 5.

ガス絶縁母線11の接地タンク7の中心部分に
は高電圧中心導体6が挿入されており、この高電
圧中心導体6は支持用絶縁スペーサ8を介して接
地用タンク7に支持されている。そして、各支持
用絶縁スペーサ8間には圧縮ガスで構成された空
間9が形成されている。なお10は閃絡個所を示
す。
A high voltage center conductor 6 is inserted into the center of the ground tank 7 of the gas insulated bus 11, and this high voltage center conductor 6 is supported by the ground tank 7 via a support insulating spacer 8. A space 9 made of compressed gas is formed between each supporting insulating spacer 8. Note that 10 indicates a flashing point.

上記各光電変換素子1a〜1cはそれぞれ閃絡
区間に取り付けられているものであり、この各閃
絡区間に取り付けられた光電変換素子1a〜1c
のうちの光電変換素子1bの出力波形は第3図A
に示されている。また、閃絡が生じなかつた光電
変換素子1aまたは1cの出力波形は第3図Bに
示されている。
Each of the photoelectric conversion elements 1a to 1c is installed in a flash section, and the photoelectric conversion elements 1a to 1c installed in each flash section are
The output waveform of the photoelectric conversion element 1b is shown in Figure 3A.
is shown. Further, the output waveform of the photoelectric conversion element 1a or 1c in which no flash flash occurred is shown in FIG. 3B.

この第3図A、第3図Bの両図において、横軸
に時間tをとり、縦軸に出力電圧vをとつて示す
ものである。そして、この両図におけるaは高周
波誘導ノイズであり、第3図Aのbは光電変換素
子の出力波形を示すものである。
In both FIGS. 3A and 3B, the horizontal axis represents time t, and the vertical axis represents output voltage v. In both figures, a represents high-frequency induced noise, and b in FIG. 3A represents the output waveform of the photoelectric conversion element.

ところで、上述のような従来の光検知装置にお
いては、閃絡時に同時に発生する高周波誘導ノイ
ズを完全に除去することは非常に困難であり、光
電変換素子の出力信号の瞬時値の大きさで閃絡を
表示する場合、この出力信号には、高周波誘導ノ
イズ分も含まれており、光検知装置の感度は非常
に悪くなる。
By the way, in the conventional photodetecting device as described above, it is extremely difficult to completely eliminate the high frequency induced noise that occurs at the same time as a flash, and the magnitude of the instantaneous value of the output signal of the photoelectric conversion element causes a flash to occur. When indicating a fault, this output signal also contains high-frequency induced noise, and the sensitivity of the photodetector becomes very poor.

また、上記高周波誘導ノイズaは第3図Bに示
すように、閃絡が生じていない光検知装置にも侵
入するため、高周波誘導ノイズの大きさにより、
表示装置が誤動作すると云う欠点があつた。
Furthermore, as shown in FIG. 3B, the high-frequency induced noise a also invades the photodetector where no flashover has occurred, so depending on the magnitude of the high-frequency induced noise,
There was a drawback that the display device malfunctioned.

この発明は、上記従来の欠点を除去するために
なされたもので、光電変換素子の出力波形を積分
回路および遅延ゲート回路に通すことにより、閃
絡時に発生した高周波誘導ノイズと、発光による
出力信号を分離し、高周波誘導信号を完全に除去
できるとともに、閃絡個所を正確に検知できる光
検知装置を提供できることを目的とする。
This invention was made in order to eliminate the above-mentioned conventional drawbacks. By passing the output waveform of a photoelectric conversion element through an integrating circuit and a delay gate circuit, high-frequency induced noise generated at the time of flashing and the output signal due to light emission are eliminated. It is an object of the present invention to provide a photodetecting device that can completely remove high-frequency induced signals and accurately detect flashover points.

以下、この発明の光検知装置の実施例について
図面に基づき説明する。第4図はその一実施例の
構成を示すブロツク図である。この第4図におい
て、第1図と同一部分には同一符号を付して述べ
ることにする。光電変換素子1の出力は積分作用
を行う検出回路20に送出するようになつてい
る。そして、光電変換素子1はシールドボツクス
27内に収納されている。シールドボツクス27
は高周波誘導ノイズを遮蔽するものである。この
光電変換素子1、検出回路20およびシールドボ
ツクス27とにより、検出部24が構成されてい
る。
Embodiments of the photodetecting device of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 4 is a block diagram showing the configuration of one embodiment. In FIG. 4, the same parts as in FIG. 1 will be described with the same reference numerals. The output of the photoelectric conversion element 1 is sent to a detection circuit 20 that performs an integral action. The photoelectric conversion element 1 is housed in a shield box 27. shield box 27
is used to shield high frequency induced noise. The photoelectric conversion element 1, the detection circuit 20, and the shield box 27 constitute a detection section 24.

検出回路20の出力は積分回路21に送出する
ようになつており、この積分回路21の出力は遅
延ゲート信号発生回路22およびゲート回路23
に送出するようになつている。ゲート回路23の
出力信号Zは表示装置3に送出するようになつて
いる。かくして、積分回路21、遅延ゲート信号
発生回路22、ゲート回路23とにより、遅延ゲ
ート回路25が構成されており、この遅延ゲート
回路25と検出回路20および表示装置3とによ
り、光検知装置26が構成されている。そして、
この検知装置26はシールドボツクス27内に収
納されている。
The output of the detection circuit 20 is sent to an integration circuit 21, and the output of this integration circuit 21 is sent to a delay gate signal generation circuit 22 and a gate circuit 23.
It is now being sent to The output signal Z of the gate circuit 23 is sent to the display device 3. Thus, the integration circuit 21, the delay gate signal generation circuit 22, and the gate circuit 23 constitute a delay gate circuit 25, and the delay gate circuit 25, the detection circuit 20, and the display device 3 constitute the photodetection device 26. It is configured. and,
This detection device 26 is housed in a shield box 27.

次に、以上のように構成されたこの発明の光検
知装置の動作について説明する。閃絡時の発光が
光電変換素子1に入射すると、発光現象の状態に
対応した電気信号は検出回路20において、所定
の時定数の出力信号Xに変換される。この出力信
号Xはさらに積分回路21に通すことにより、閃
絡時に発生した高周波誘導ノイズ分と発光による
出力信号を十分に区別することができる。
Next, the operation of the photodetecting device of the present invention configured as described above will be explained. When light emitted during a flash fault enters the photoelectric conversion element 1, an electric signal corresponding to the state of the light emitting phenomenon is converted into an output signal X having a predetermined time constant in the detection circuit 20. By further passing this output signal X through the integrating circuit 21, it is possible to sufficiently distinguish between the high frequency induced noise generated at the time of flashing and the output signal due to light emission.

積分回路21の出力信号Yは遅延ゲート信号発
生回路22およびゲート回路23に送られる。遅
延ゲート信号発生回路22に送られた積分回路2
1の出力信号Yは遅延ゲート信号発生回路22に
より高周波誘導ノイズが十分に減衰する時間t1
ゲート信号を発生させ、ゲート回路23のゲート
を開く。ゲート回路23のゲートが開くことによ
り、積分回路21の出力信号Yがゲート回路23
を通して、ゲート回路23の出力信号Zとして表
示装置3に表示される。
The output signal Y of the integrating circuit 21 is sent to a delay gate signal generating circuit 22 and a gate circuit 23. Integration circuit 2 sent to delay gate signal generation circuit 22
1 output signal Y causes the delayed gate signal generation circuit 22 to generate a gate signal at time t1 when the high frequency induced noise is sufficiently attenuated, and opens the gate of the gate circuit 23. By opening the gate of the gate circuit 23, the output signal Y of the integrating circuit 21 is transferred to the gate circuit 23.
is displayed on the display device 3 as the output signal Z of the gate circuit 23.

この場合、遅延ゲート信号発生回路22の遅延
ゲード信号を発生する時間t1を積分回路21の出
力信号Yが最大値に達するまでの時間の付近に設
定しておけば、発光による出力信号が閃絡時の電
気的ノイズの影響なしに表示装置3の動作信号と
して入力され、閃絡が表示される。
In this case, if the time t 1 for generating the delay gate signal of the delay gate signal generation circuit 22 is set near the time until the output signal Y of the integrating circuit 21 reaches the maximum value, the output signal due to light emission can be It is inputted as an operating signal to the display device 3, and the flash fault is displayed without being affected by electrical noise at the time of a flash fault.

第5図は上述のこの発明の光検知装置をガス絶
縁システムに適用した例を示すものである。この
第5図において、第2図および第4図と同一部分
には同一符号を付して述べることにする。第5図
において、ガス絶縁母線11は第2図の場合と同
様にして構成されており、重複を避けるためにそ
の構成の説明を省略するが、圧縮ガスで構成され
た各空間9には接続器具5を介して、金属箱4が
連結されている。以上までの点は第2図と同様で
ある。
FIG. 5 shows an example in which the above-described photodetector of the present invention is applied to a gas insulation system. In FIG. 5, the same parts as in FIGS. 2 and 4 will be described with the same reference numerals. In FIG. 5, the gas insulated bus 11 is configured in the same manner as in FIG. A metal box 4 is connected via a device 5. The points up to this point are the same as those in FIG.

しかしながら、この第5図においては、以下に
述べる点が第2図とは異なるものである。すなわ
ち、各金属箱4内にはそれぞれ光電変換素子1a
〜1cが収納されている。光電変換素子1a〜1
cは第4図の光電変換素子1と同様である。これ
らの光電変換素子1a〜1cはそれぞれ測定用の
同軸ケーブル40を介してこの発明の光検知装置
26a〜26cに接続されている。この光検知装
置26a〜26cは第4図で示した光検知装置2
6と同じものである。これらの光検知装置26a
〜26cは観測室30内に設けられている。
However, FIG. 5 differs from FIG. 2 in the following points. That is, each metal box 4 includes a photoelectric conversion element 1a.
~1c is stored. Photoelectric conversion elements 1a-1
c is the same as the photoelectric conversion element 1 in FIG. These photoelectric conversion elements 1a-1c are connected to photodetectors 26a-26c of the present invention via coaxial cables 40 for measurement, respectively. The photodetectors 26a to 26c are the photodetectors 2 shown in FIG.
It is the same as 6. These light detection devices 26a
26c are provided in the observation room 30.

光検知装置26a〜26cはそれぞれ同一構成
をなすものであるが、これらの光検知装置26a
〜26cにおける検出部について、光検知装置2
6aを代表してその詳細な構成を述べることにす
る。第6図Aはその回路図であり、光電変換装置
1と並列にコンデンサC1が接続されている。光
電変換素子1の一端は同軸ケーブル40の内部導
体40aの一端に接続され、光電変換素子1の他
端は同軸ケーブル40の外部導体40bの他端に
接続されている。
The photodetectors 26a to 26c have the same configuration, but these photodetectors 26a
Regarding the detection section in ~26c, the light detection device 2
6a will be described in detail. FIG. 6A is a circuit diagram thereof, in which a capacitor C 1 is connected in parallel with the photoelectric conversion device 1. One end of the photoelectric conversion element 1 is connected to one end of the inner conductor 40a of the coaxial cable 40, and the other end of the photoelectric conversion element 1 is connected to the other end of the outer conductor 40b of the coaxial cable 40.

同軸ケーブル40の内部導体40aと外部導体
40bの各他端間には、検出回路20における抵
抗Rと直流電源Eの直列回路が接続されている。
この内部導体40aの他端はコンデンサC2を介
して第4図で示した積分回路21に接続されてい
る。なお、光電変換素子1としてフオトダイオー
ドを用いた場合を示している。
A series circuit of a resistor R and a DC power source E in the detection circuit 20 is connected between the other ends of the inner conductor 40a and outer conductor 40b of the coaxial cable 40.
The other end of this internal conductor 40a is connected to an integrating circuit 21 shown in FIG. 4 via a capacitor C2 . Note that a case is shown in which a photodiode is used as the photoelectric conversion element 1.

一方、第6図Bは第6図Aの検出部の等価回路
図である。また、第7図A、第7図Bは第4図で
示したこの発明の光検知装置の各点の波形を示し
たものであり、このうち、第7図Aの場合は閃絡
が生じた区間、第7図Bは閃絡が生じなかつた区
間の検出回路20の出力信号X、積分回路21の
出力信号のYの波形の一例を示す図である。
On the other hand, FIG. 6B is an equivalent circuit diagram of the detection section of FIG. 6A. 7A and 7B show the waveforms at each point of the photodetector of the present invention shown in FIG. 4. In the case of FIG. 7A, a flash fault occurs. FIG. 7B is a diagram showing an example of the waveforms of the output signal X of the detection circuit 20 and the output signal Y of the integration circuit 21 in the interval in which no flashover occurred.

いま、第5図において、ガス絶縁母線11の、
高電圧中心導体1と接地用タンク7との間に閃絡
が生じ、金属箱4内に収納されている光電変換素
子1aが閃絡を検出すると、その電気信号は同軸
ケーブル40を通して光検知装置26aに送られ
るが、第6図Bに示す検出部の等価回路におい
て、静電容量C0をコンデンサC1と同軸ケーブル
40の静電容量との合成静電容量とすると、発光
による検出部の出力波形は次のように決定され
る。そして、フオトダイオードは閃絡時の発光現
象の状態により、その内部抵抗は減少し、閉回路
100で静電容量C0の電荷が放電し、次に、静
電容量C0が失なつた電荷分を閉回路200によ
り充電する。
Now, in FIG. 5, the gas insulated bus bar 11 is
When a flash fault occurs between the high voltage center conductor 1 and the grounding tank 7, and the photoelectric conversion element 1a housed in the metal box 4 detects the flash fault, the electrical signal is sent to the photodetector through the coaxial cable 40. 26a, but in the equivalent circuit of the detection section shown in FIG . The output waveform is determined as follows. Then, the internal resistance of the photodiode decreases depending on the state of the light emission phenomenon at the time of flash, and the charge of the capacitance C 0 is discharged in the closed circuit 100, and then the charge of the capacitance C 0 is discharged. 200 is charged by the closed circuit 200.

いま、放電の時定数をτ1、充電の時定数をτ2
すると、τ2≫τ1の条件を満たすように、時定数τ2
を静電容量C0と抵抗Rによつて決定すれば、発
光現象の状態に関係なく安定な出力信号が得られ
る。また、そのときの実際の出力波形、すなわ
ち、検出回路20の出力信号Xは第7図Aに示さ
れている。この出力信号Xの波形は高周波誘導ノ
イズ分a2を含んでいるが、発光による出力信号a1
は、コンデンサC2を通しているため、直流成分
を含まない第7図のように時刻t1において正から
負にゼロ点と交叉する波形となる。
Now, assuming that the discharging time constant is τ 1 and the charging time constant is τ 2 , the time constant τ 2 is set so that the condition τ 2 ≫ τ 1 is satisfied.
If is determined by the capacitance C 0 and the resistance R, a stable output signal can be obtained regardless of the state of the light emission phenomenon. Further, the actual output waveform at that time, that is, the output signal X of the detection circuit 20 is shown in FIG. 7A. The waveform of this output signal
Since it passes through the capacitor C 2 , it becomes a waveform that does not include a DC component and crosses the zero point from positive to negative at time t 1 as shown in FIG.

次に、検出回路20の出力信号Xの波形におい
て、高周波誘導ノイズ分を完全に除去し、発光の
出力信号のみにより、表示装置を動作させる方法
について、第7図によりさらに詳述する。
Next, a method of completely removing high-frequency induced noise from the waveform of the output signal X of the detection circuit 20 and operating the display device using only the output signal of light emission will be described in more detail with reference to FIG.

前述した検出回路20の出力信号Xの波形を積
分回路21に通すと、高周波誘導ノイズ分a2
a′2のように減衰する。そして、発光による出力
信号a1は閃絡時刻t=0より時間t1(ゼロ点)で
最大他となるa′1のような出力波形となる(Y点
の出力波形)。
When the waveform of the output signal X from the detection circuit 20 described above is passed through the integration circuit 21, the high frequency induced noise component a
It decays as a′ 2 . Then, the output signal a 1 due to the light emission becomes an output waveform such as a' 1 (output waveform at point Y) that reaches its maximum value at time t 1 (zero point) from flashing time t=0 (output waveform at point Y).

高周波誘導ノイズa2が上記時間t1内で十分に減
衰するものとすれば、遅延ゲート信号発生回路2
2により、時間t1後にゲート信号を発生させ、ゲ
ート回路23を開くことにより、高周波誘導分が
全くないゲート回路23の出力信号Zの波形が得
られる。この出力信号Zを表示装置3の動作信号
として使用すると、出力信号Zがある場合のみ表
示装置3が動作して、閃絡を表示する。
Assuming that the high frequency induced noise a2 is sufficiently attenuated within the above time t1 , the delay gate signal generation circuit 2
2, by generating a gate signal after time t1 and opening the gate circuit 23, a waveform of the output signal Z of the gate circuit 23 without any high-frequency induced components can be obtained. When this output signal Z is used as an operating signal for the display device 3, the display device 3 operates only when the output signal Z is present to display a flash fault.

なお、上記実施例では、光電変換素子1として
フオトダイオードを用いた場合について例示した
が、光電変換素子1としてフオトトランジスタ、
フオトセルなどを用いた検出部としてもよい。
In the above embodiment, a photodiode is used as the photoelectric conversion element 1, but a phototransistor, a phototransistor,
A detection unit using a photo cell or the like may be used.

また、上記実施例では、光電変換素子1を直接
ガス母線部分に取り付けた場合を示したが、ガス
母線部分や他の部分の閃絡事故点を検出する場
合、各部にのぞき窓を設けておけば、可搬式の光
検知装置として用いられ、上記実施例と同様の効
果が得られる。
In addition, in the above embodiment, the photoelectric conversion element 1 is attached directly to the gas bus, but when detecting flash fault points in the gas bus or other parts, it is necessary to provide a peephole in each part. For example, it can be used as a portable photodetector, and the same effects as the above embodiments can be obtained.

以上のように、この発明の光検知装置によれ
ば、閃絡事故点を光電変換素子で検知して検出回
路により所定の時定数に変換した信号を積分回路
で積分し、高周波誘導ノイズ分と閃絡による出力
信号を区分し、この積分回路の出力信号を遅延ゲ
ート信号発生回路で所定の時間遅延させてゲート
信号を発生させるとともに、高周波誘導ノイズを
減衰させ、このゲート信号でゲート回路を開いて
積分回路の出力を表示装置に送るようにしたの
で、閃絡時の発光現象の状態に関係なく安定な出
力信号が得られるとともに、閃絡時に発生する高
周波誘導ノイズ分を完全に除去でき、信頼性が極
めて高くなるものである。
As described above, according to the photodetection device of the present invention, the flash fault point is detected by the photoelectric conversion element, the signal converted to a predetermined time constant by the detection circuit is integrated by the integrator circuit, and the high-frequency induced noise component is integrated. The output signal caused by the flash is separated, and the output signal of this integrating circuit is delayed by a predetermined time in a delay gate signal generation circuit to generate a gate signal, attenuating high frequency induced noise, and using this gate signal to open the gate circuit. Since the output of the integrator circuit is sent to the display device, a stable output signal can be obtained regardless of the state of the light emission phenomenon at the time of flashing, and the high frequency induced noise generated at the time of flashing can be completely removed. This results in extremely high reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の光検知装置のブロツク図、第2
図はガス絶縁母線の部分に従来の光検知装置を取
り付けた状態を示す図、第3図Aは従来の光検知
装置をガス絶縁母線の部分に取り付けた場合の閃
絡区間の光電変換素子の出力信号の波形図、第3
図Bは閃絡区間以外の同上光電変換素子の出力信
号の波形図、第4図はこの発明の光検知装置の一
実施例を示すブロツク図、第5図はこの発明の光
検知装置をガス絶縁母線の部分に取り付けた状態
を示す図、第6図Aはこの発明の光検知装置にお
ける検出部の詳細な構成を示す回路図、第6図B
は第6図Aの検出部の等価回路図、第7図Aは第
5図のガス絶縁母線における閃絡区間の光電変換
素子の出力信号の波形図、第7図Bは第5図のガ
ス絶縁母線における閃絡区間以外の光電変換素子
の出力信号の波形図である。 1,1a〜1c……光電変換素子、6……高電
圧中心導体、7……接地タンク、8……支持用絶
縁スペーサ、9……空間、10……閃絡個所、1
1……ガス絶縁母線の部分、20……検出回路、
21……積分回路、22……遅延ゲート信号発生
回路、23……ゲート回路、25……遅延ゲート
回路、26,26a〜26c……光検知装置、2
7……シールドボツクス、40……同軸ケーブ
ル。なお、図中同一符号は同一部分または相当部
分を示す。
Figure 1 is a block diagram of a conventional photodetector, Figure 2 is a block diagram of a conventional photodetector.
The figure shows a state in which a conventional photodetector is attached to a gas-insulated busbar, and Figure 3A shows the photoelectric conversion element in the flash section when a conventional photodetector is attached to a gas-insulated busbar. Output signal waveform diagram, 3rd
Figure B is a waveform diagram of the output signal of the above-mentioned photoelectric conversion element other than the flash section, Figure 4 is a block diagram showing an embodiment of the photodetector of the present invention, and Figure 5 is a diagram showing the photodetector of the present invention in the gas FIG. 6A is a circuit diagram showing the detailed configuration of the detection unit in the photodetection device of the present invention, and FIG. 6B is a diagram showing a state in which it is attached to an insulated bus bar.
6A is an equivalent circuit diagram of the detection section in FIG. 6A, FIG. 7A is a waveform diagram of the output signal of the photoelectric conversion element in the flash section of the gas insulated bus bar in FIG. FIG. 6 is a waveform diagram of an output signal of a photoelectric conversion element other than a flashover section on an insulated bus. 1, 1a to 1c...Photoelectric conversion element, 6...High voltage center conductor, 7...Grounding tank, 8...Insulating spacer for support, 9...Space, 10...Flash point, 1
1... gas insulated bus bar part, 20... detection circuit,
21...Integrator circuit, 22...Delay gate signal generation circuit, 23...Gate circuit, 25...Delay gate circuit, 26, 26a to 26c...Photodetector, 2
7...Shield box, 40...Coaxial cable. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 ガス絶縁システムの閃絡光を電気信号に変換
する光電変換素子、この光電変換素子の出力信号
を積分する積分作用を有する検出回路、この検出
回路の積分値を積分してノイズ成分を減衰させる
積分回路、この積分回路の出力を入力としその出
力信号を最大値となる時点でゲート信号を発生す
る遅延ゲート信号発生回路、この遅延ゲート信号
発生回路からのゲート信号によりゲートされ上記
積分回路の出力信号を送出するゲート回路、この
ゲート回路を通して出力される信号により閃絡を
表示する表示装置を備えてなる光検知装置。 2 光電変換素子がシールドボツクス内に収納さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の光検知装置。 3 検出回路と積分回路間が同軸ケーブルを介し
て接続されていることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の光検知装置。
[Scope of Claims] 1. A photoelectric conversion element that converts flash light of a gas insulation system into an electrical signal, a detection circuit that has an integral action that integrates the output signal of this photoelectric conversion element, and a detection circuit that integrates the integral value of this detection circuit. an integrator circuit that attenuates noise components by using an integrator circuit; a delay gate signal generation circuit that receives the output of this integrator circuit and generates a gate signal when the output signal reaches its maximum value; and a gate signal generated by the gate signal from this delay gate signal generation circuit. A photodetecting device comprising: a gate circuit for transmitting an output signal of the integrating circuit; and a display device for displaying a flash fault based on the signal output through the gate circuit. 2. The photodetecting device according to claim 1, wherein the photoelectric conversion element is housed in a shield box. 3. The photodetection device according to claim 1, wherein the detection circuit and the integration circuit are connected via a coaxial cable.
JP12754779A 1979-10-01 1979-10-01 Photodetector Granted JPS5653533A (en)

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