JPS63239636A - 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気カー効果を利用して読出しができるキュ
リー点書込みタイプの新規な光磁気記録媒体、及びこれ
を使用した重ね書き可能な光磁気記録方法に関する。

〔従来の技術〕

消去可能な光デイスクメモリとして光磁気ディスクか知
られている。光磁気ディスクは、従来の磁気ヘッドを使
った磁気記録媒体と比べて高密度記録、非接触での記録
再生などが可能であるという長所がある反面、記録前に
一度記録部分を消去しなければならない（一方向に着磁
しなければならない）という欠点があった。この欠点を
補う為に、記録再生用ヘッドと消去用ヘッドを別々に設
ける方式、あるいは、レーザーの連続ビームを照射しな
がら、同時に印加する磁場を変調しつつ記録する方式な
どか提案されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、これらの方法は、装置が大がかりとなり、コス
ト高になる欠点あるいは高速の変調が出来ないなどの欠
点を有する。

本発明はト述従来例の欠点を除去するためになされたも
のであり、新規な光磁気記録媒体と、これを利用するこ
とによって、従来の装置構成に簡易な構造の磁界発生手
段を付設するだけで、磁気記録媒体と同様に重ね書き（
オーバーライド）を可能とした、光磁気記録方法とを提
供することを目的とする。

（問題点を解決するための手段〕 上記の目的は以下の本発明によって達成できる。即ち、
キュリー点Ｔ１と保磁力Ｈ１を有する第１＠性層と、キ
ュリー点Ｔ２と保磁力Ｈ２を有する第２磁性層と、キュ
リー点Ｔ３と保磁力Ｈ３を仔する第３磁性層とからなる
三層構造の垂直−一化膜を少なくとも基板上に有して成
る光磁気記録媒体であって、 （Ａ）各磁性層が希土類と遷移金属の合金であること、 （Ｂ）　　　　　Ｈ＋　＞Ｈ３＞Ｈ２ Ｔ　３＞　Ｔ　＋　＞　７２、 （Ｃ）第２磁性層を介して現れる第１Ｍｉ性層と第３ｖ
ｉｉ性層の見かけの磁壁エネルギーをσ”１３、第１磁
性層、第３磁性層の膜厚を順にり１、ｈ３、Ｈ３，とす
ると、 を満たしている光磁気記録媒体と、これを使用した。後
に代表的態様が示される記録方法である。

以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図（ａ）　、　（ｂ）は各々本発明に用いる光磁気
記録媒体の一実施例を示す模式断面図である。第１図（
ａ）の光磁気記録媒体は、プリグループが設けられた透
光性の基板Ｂ上に、第１の磁性層１と第２の磁性層２と
第３の磁性層３とが積層されたものである。第１磁性層
１のキュリー点をＴ１、ｈ３、その保磁力をＨｌ、第３
磁性層３のキュリー点を第３、その保磁力をＨ３とする
と、 Ｈ，＞Ｈ３ 第３　＞Ｔ、を満たす。

（保磁力は室温におけるものである） ただし、通常は第１磁性層１のＴ、は７０〜２００℃、
Ｈ６は２〜１０ＫＯｅ　、第３磁性層３の第３は１００
〜４００℃、Ｈ３は０．１〜４ＫＯｅ程度の範囲内に設
定するとよい。第２磁性層のキュリー点Ｔ２、保磁力Ｈ
２の詳細については後に詳述する。

本発明の光磁気記録媒体の第１＆ｆｉ性層１と第３磁性
層３とは第２磁性層を介して比較的弱く結合している。

本発明の光磁気記録媒体では、第２６ｉ性層を介して現
れる第１磁性層１と第３磁性層３の間の見かけの磁壁エ
ネルギーをσＷＩ３　、第１磁性層１の膜厚をｈｌ＋第
３磁性層３の膜厚をＨ３、これらの層の飽和磁化の大き
さ順に”ｇＩ＋ＭＳ３とすると、２つの磁性層１．３は
次の式を満たすように結合している。

−＜　　　Ｈ。

２Ｍｓ、ｈ。

□＜Ｈ３ Ｍｓ３ｈ３ このような結合が必要な理由の、詳細についても後述す
るが、簡東に言えば記録によって最終的に形成されるビ
ットの磁化（第２図（「）に示す状態）を安定にするた
めである。よって、２つの磁性層１．３は、上記の関係
式を満たすようにその膜厚、保磁力、飽和磁化の大きさ
、磁壁エネルギーなどが設定されればよい。

各磁性層の材料には、垂直磁気異方性を示し且つ磁気光
学効果を呈する、ＧｄＣｏ、　ＧｄＦｅ、　ＴｂＦｅ、
　ＤｙＦｅ、　ＧｄＴｂＦｅ、　ＴｂＤｙＦｅ、　Ｇｄ
ＦｅＣｏ、　ＴｂＦｅＣｏ、　ＧｄＴＭ：ｏ。

ＧｄＴｂＦｅＧｏ等の希土類元素と遷移金属元素との非
晶質磁性合金が使用できる。

本発明の光磁気記録媒体の他の例である第１図（ｂ）に
おいて、４，５は３つの磁性層１，２゜３の耐久性を向
上させるためのあるいは光磁気効果を向上させるための
保護膜である。

６は、貼り合わせ用基板７を貼り合わすための接着層で
ある。貼り合わせ用基板７にも、１から５までの層を積
層し、これを接着１−れば表裏で記録・再生が可能とな
る。

以下、第２図〜第４図を用いて本発明の記録の過程を示
す。

第３図の３５は、上述したような構成を有する光磁気デ
ィスクである。例えば、この磁性層のある一部の磁化状
態が初め第２図（ａ）のようになっている。即ち、第２
図では、記録前、第１、第３磁性層の磁化の向きが平行
（同じ向き）なときに安定である場合について説明する
。

光磁気ディスク３５はスピンドルモータにより回転して
、磁界発生部３４を通過する。このとき、磁界発生部３
４の磁界の大きさを第１磁性層１と第３磁性層３の保磁
力の間の値に設定すると（磁界の向きは本実施例では上
向き）、第２図（ｂ）に示す様に第３磁性層３は一様な
方向に磁化され、一方、第１磁性層１の磁化は初めのま
まである。

次に光磁気ディスク３５が回転して記録・再生ヘッド３
１を通過するときに、２種（第１種と第２種）のレーザ
ーパワー値を持つレーザービームを、記録信号発生器３
２からの信号に従って、そのどちらかのパワーでもって
、ディスク面に照射する。第１種のレーザーパワーは該
ディスクを第１磁性層１のキュリー点付近まで昇温する
だけのパワーであり、第２種のレーザーパワーは該ディ
スクを第３Ｗｌ性層３のキュリー点付近まで昇温可能な
パワーである。即ち、両磁性層１．−３の保磁力と温度
との関係の概略を示した第４図において、第１種のレー
ザーパワーはＴ１付近（ＴＩに近い温度で、第１磁性層
の磁化の向きを均一に第３＠性層の向きに対して安定な
方向に配列可能な温度）、第２種のレーザーパワーはＴ
３付近（Ｔ３に近い温度で、第３Ｉｄｉ性層の磁化の向
きを均一に反転可能な温度）までディスクの温度を上昇
できる。

第１種のレーザーパワーにより第１磁性層１と第３磁性
層３とは、第１ｉｆｉ性層１のキュリー点付近まで昇温
するが、第３磁性層３はこの温度でビットが安定に存在
する保磁力を有しているのでバイアス磁界を適正に設定
しておくことにより、第２図（ｂ）に示すどちらの磁化
状態からも、第２図（Ｃ）の様な記録ビットが形成され
る（第１種の予備記録）。

ここで、バイアス磁界を適正に設定するとは、次のよう
な意味である。

第１種の予備記録では第３磁性層３の磁化の向きに対し
て安定な向きに（ここでは同じ方向に）第１磁性層１の
磁化が配列する力（交換力）を受けるので、本来はバイ
アス磁界は必要でない。しかし、バイアス磁界は後述す
る第２種のレーザーパワーの予備記録では第３磁性層３
の磁化反転を補助する向きに設定される。そして、この
バイアス磁界は、第１種、第２種どちらのレーザーパワ
ーの予備記録でも、大きさ、方向を同じ状態に設定して
おくことが便宜上好ましい。かかる観点からバイアス磁
界の設定は次記に示す原理による第２種のレーザーパワ
ーの予備記録に必要な最小限の大きさに設定しておくこ
とが好ましく、この点を考慮したのが前でいう適正に設
定するという意味である。

一方、第２種のレーザーパワーにより、第３Ｗｌ性層３
のキュリー点近くまでディスクを昇温させる（第２種の
予備記録）と、上記のバイアス磁界により第３ｉｆｆ性
層３の磁化の向きが反転する。続いて第１Ｗｔ性層１の
磁化も第３磁性層３に対して安定な向きに（ここでは同
じ方向に）配列する。

即ち、第２図（ｂ）のどちらの磁化状態からも第２図（
ｄ）のような予備記録のビットが形成される。

このように、バイアス磁界と、信号に応じて変わる第１
種及び第２種のレーザーパワーとによって、光磁気ディ
スクの各箇所は第２図（Ｃ）か（ｄ）の状態に予備記録
されることになる。

次に光磁気ディスク３５を回転させ、記録ビット（Ｃ）
　、　（ｄ）が磁界発生部３４を再び通過すると、磁界
発生部３４は前述したように第１磁性層１と第３！ｆ！
性層３の間に設定されているので、記録ビット（Ｃ）は
、変化が起こらずに（ｅ）の状態である。一方、記録ビ
ット（ｄ）は第３磁性層３が磁化反転を起こしてＣｆ）
の状態になる。

（「）の記録ビットの状態が安定に存在する為には、前
記したように σＷ１３ −　　　＜　　Ｈ。

２Ｍｓ＋ｈ＋ σＷ１１ 〈Ｈ３ Ｍｓ３ｈ３ となっていることが必要である。

ここで、σ１９＋３　／　２Ｍｓ、ｈ、は第１磁性層に
働く交換力の強さを示す。つまりσＷＩ３７２Ｍ５ｌｈ
ｌの大きさの磁界で第１Ｗｌ性層の磁化の向きを、第３
磁性層の磁化の向きに対して安定な方向へ（この場合は
同じ方向に）向けようとする。そこで第１ｒｄｉ性層の
磁化がこの磁界に抗して反転しないためには、第１Ｗｔ
性層の保磁力Ｈ，が、この交換力より大きければよい。

つまりσＷ＋３　／　２Ｍｓ＋ｔ＋、　＜　Ｈ＋であれ
ばよい。

同様にして、第３磁性層には界面磁壁よりσＷ１３．　
／　２Ｍ５３ｔ＋３の大きさで、第１６ｔＡ性層の磁化
に対して安定な向きに配列させる交換力が働くので、（
ｆ）の記録ビットが安定なためにはσＷ１３／２Ｍ５３
ｈｓ＜　Ｈａであればよい。

かかる条件（第１、第３磁性層共、働いている交換力よ
りも保磁力の方が大きい）を満たすようにするには、す
なわち、第１、第３ｆｆ！性層に働く交換力が小さくな
るようにするためには、前記したように両層の膜厚、飽
和磁化を調整すれば良いが、記録感度あるいは保磁力に
は適正値があるので、任意には設定できない。そこで、
本発明では第２Ｍｉ性層を、例えば、１０〜１５０人の
ごく小さい厚さで設けることにより、第１磁性層１と第
３磁性層３の界面で働く交換相互作用を抑制し、第２磁
性層を介して現れる見かけ上の０ｗ１３の大きさを小さ
くすることを可能とした。

第２磁性層の保磁力については、第１種の予備記録時に
、第２図（ｂ）において、第２磁性層の磁化が均一に、
同じ方向に配列していることが望ましい。

そこで、ディスクが回転して磁界発生部３４を通過した
ときに、第２＆Ｉｉ性層の磁化も、第３磁性層の磁化と
同様に、磁界に対して安定な方向に磁化が配列すること
が望ましい。

また、第２磁性層は第１磁性層か第３磁性層どちらかの
磁化の向きに対して常に安定な方向に配列していること
が望ましいので、保磁力Ｈ２は小さい方が好ましい。

そこで、保磁力の関係はＨｒ　＞　８３　＞　８２　と
すれば良い。

第２ｉＨ性層に用いられる材料は第１、第２磁性層と°
同じ希土類元素−遷移金属元素の合金であるが、キュリ
ー温度が第１磁性層よりも低いことが必要である。これ
は次のような理由による。

第ｆｉｌ性層−と第、３磁性層の界面に働く交換力（そ
れぞれの原子の磁気モーメントを一定方向へ配列させる
力）の大きさは、それぞれの界面に配位する原子の種類
、数、そしてそれぞれの原子間の交換定数（相互作用の
大きさを示す）、そして、それぞれの層のキュリー温度
などで決められる。

キュリー温度が関与するというのは、例えば、キュリー
温度以上では熱運動により磁気モーメントの配列が無く
なるので、交換力が働がなくなるからである。そこで、
第１、第３磁性層間に設けた第２磁性層のキュリー温度
が低い（室温に近い）ときは、室温においても、熱運動
により磁気モーメントの配列が起こりにくいので、第１
磁性層と第３磁性層の間に働く交換力を減少させること
ができる。実際にはキュリー温度が室温以下の第２磁性
層を第１、第３磁性層で挟んだ構成では、第１、第３両
磁性層からの交換力により、室温においても第２磁性層
の磁気モーメントの配列が生じることも実験で確認した
。

本発明の記録方法では、記録ビットの状態（ｅ）と（ｆ
）は、記録時のレーザーのパワーで制御され、記録前の
状態には依存しないので、瓜ね書き（オーバーライド）
が可能である。記録ビット（ｅ）と（［）は、再生用の
レーザービームを照射し、再生光を記録信号再生器３３
で処理することにより、再生できる。

第２図の説明では第１１１Ｉｉ性層１・第２磁性層２と
第３ｉｆｉ性層３との磁化の向きが平行なときに安定な
例を示したが、こわらの磁化の向きが反平行のときに安
定な磁性層についても同様に考えられる。

〔実施例） 実施例１ ４元のターゲット源を備えたスパッタ装置内に、プリグ
ループ、プリフォーマット信号の刻まれたポリカーボネ
ート製のディスク状基板を、ターゲットとの間の距１１
１０ｃｍの間隔にセットし、回転させた。

アルゴン中で、第１のターゲットより、スパッタ速度７
０λ／ｍ１（ｒ、スパッタ圧８ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒで
Ｓｆ、　Ｎ４を保護層として６５０人の厚さに設けた。

次にアルゴン中で、第２のターゲットよりスパッタ速度
５０人／ｍｉｎ、スパッタ圧２　Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒ
でＴｂＦｅ１ｌ：。

合金をスパッタし、膜厚３００人、キュリー点Ｔ。

＝約１６０℃のＴｂ、　、Ｆｅ８．Ｇｏ、の第１磁性層
を形成した。この第１磁性層自身のＨ，は約１２ＫＯｅ
であリ、副格子磁化は遷移金属の方が大きかった。

上記操作を複数回実施し、できた各々に第４のターゲッ
トよりＤｙＦｅ合金を２　Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒのアル
ゴン圧で、スパッタし、キュリー点Ｔ２約６０℃、Ｈ２
５００（Ｏｅ）のＤｙ＋７Ｆｅａ３の第２磁性層を設け
た。

その膜厚はゼロ（このときは第２磁性層は設けてない）
から７０人まで１０人ずつ変化させた。第２ｉｆｆ性層
自身の副格子磁化は遷移金属元素の方が大きかった。

次に、各々に、アルゴン中で、第３のターゲットより、
スパッタ速度５０人／ｍｉｎ、スパッタ圧２Ｘ１０’　
ＴｏｒｒでかＴｂＦｅＧｏＣｕ合金をスパッタし、膜厚
２５０人、Ｔ３＝約１９０℃、Ｔｂ２．Ｆｅ５．Ｇｏ１
、ｈ３、Ｃｕ　１、ｈ３、の第３磁性層を形成した。こ
の第３磁性層自身のＨ３は１．１にＯｅであり、副格子
磁化は希土類元素の方が大きかった。

次に、各々に第１のターゲットよりＳｉ３Ｎ４を先程と
同じ条件でスパッタし、保護層として１２００人の厚さ
のＳｉ３　Ｎ４層を設けた。

次に膜形成を終えた各々の基板を、ホットメルト接着剤
を用いて、ポリカーボネートの貼り合わせ用基板と貼り
合わせ複数の光磁気ディスクのサンプルを作製した。

作成した各サンプルについて、ビットの安定性（特に（
「）の状態での）を調べた。これは外部磁界を印加しな
がら磁性層の磁化の反転の起こる磁界をＶＳＭ　（試料
振動型磁化測定器）により測定した。

本実施例においては第３磁性層の磁化の方がより小さな
外部磁界で反転が開始するので、測定できたのは第３磁
性層に働く交換力σｗ　、３層２Ｍ５２ｈ２である。

次に光磁気ディスクのサンプルを記録再生装置にセット
し、２　ＫＯｅの磁界発生部を、線速度約９ｍ／ｓｅｃ
で通過させつつ、約１μに集光した８３ｏＩＩＩＩ１１
の波長のレーザービームを５０％のデユーティで２Ｍ１
ｌｚで変調させながら、４ｍＷと８ｍＷの２値のレーザ
ーパワーで記録を行なった。記録ヘッド部でのバイアス
磁界は１２００ｅであった。

その後１ｍＷのレーザービームを照射して再生を行なっ
たところ、２値の信号の再生ができた。この実験を、全
面記録された後のサンプルについて行ない、前に記録さ
れた信号成分冷（検出されないかを、つまり、オーバー
ライドが可能であったか否かをチェックした。以上の結
果を表１にまとめて示す。

表１でオーバーライドの可否の判断で２値の信号記録が
可能なものに○印、そうでないものにｘ印、不完全なも
のにΔ印を付けた。記録が不充分だったのは、第１種の
ビットを行なったビットで１表１の第３磁性層に働く交
換力の測定値とを対応させることができる。すなわち、
サンプル１−１と１−２とは交換力の大きさが第３！ｆ
Ｉ性層の保磁力Ｈ３に比して小さくない値で、（ｆ）の
記録ビットが安定に存在しないためである。

サンプル１−８は第２ｉｆｉ性層、第１磁性層共に働く
交換力が小さすぎて、第１種の記録が完全に行なえず、
第１磁性層の磁化を反転させることができないためと考
えられる。

実施例２ 第４のターゲトを用いて第２磁性層２の材料と膜厚を変
化させたほかは、実施例１と同じ構成、同じ材料を用い
て光磁気ディスクのサンプルを作成した。

用いた第２磁性層の材料は、キュリー温度が８０℃であ
るＤＶ＋２ＴｂｓＦｅａ２．キュリー温度が３０℃であ
るＤｙＦｅＣｒキュリー温度が５℃であるＤＶ＋Ｊｅ７
ａＣｒｓ　、それぞれ用いて、膜厚を変化させて設けた
。

作成したそれぞれのサンプルについて、実施例１と同様
な評価を行なった。結果を表２に示す。

表−２ 表１．２の結果から、第１磁性層のキュリー温度より低
い温度をもつ第２磁性層を第１磁性層と第３Ｍｉ性層の
間に適正膜厚で設けることにより第３磁性層に働く交換
力を減少させることができることが明らかである。

キュリー温度を、例えば、室温あるいは室温以下の第２
磁性層を用いると、第２磁性層の膜厚が５Ｏ−１５０Ａ
程度の厚さで、記録ビットが安定になるので、記録層の
厚さく第１、第２、第３磁性層の膜厚の和）を小さな値
に設定できるため、記録感度が低下することがない。

比較例１ 第４のターゲットを用いて、第２磁性層の構成位置に次
の材料を、膜厚を変化させて設けたほかは、実施例１．
２と同じ構成、同じ材料を用いて光磁気ディスクのサン
プルを作製した。

用いた材料は非磁性層であるＳｉとキュリー温度が第１
磁性層のＴ１より大きい１７０℃であり、保磁力が第３
＆Ｉｉ性層よりも小さい５００・（Ｏｅ）であるＴｂ１
３Ｆｅａ２ＣＯ３の２種を用いて膜厚を変化させて設け
た。

作製したサンプルそれぞれについて、実施例１と同様の
評価を行なった。結果を表３に示す。

表−３ 表３の結果から第１磁性層と第３磁性層の間に設ける層
の材料として非磁性層のＳｉ、あるいはキュリ〒温度が
１８以上で保磁力がＨ３以下の磁性層Ｔｂ、５Ｆｅ、２
Ｃｏ３のどちらも第３磁性層へ働く交換力を減少させる
効果がある。

しかし、非磁性材料のＳｉではオーバーライドを可能に
する適正膜厚が２０〜４０人であり、再現性良く設ける
ことが必ずしも容易ではなく、Ｔｂ１、ｈ３、Ｆｅ、□
Ｃｏ３では１５０Å以上の膜厚においても、オーバーラ
イドが可能だが、第１、第２、第３Ｍｉ性層の膜厚の和
も大きくなり、光磁気記録ディスクの記録感度の低下す
る傾向にある。

さらに、本発明のような第２磁性層を設けない場合は、
第３磁性層の厚さを６００〜ｌ０ＱＱ八にすることが望
ましく、厚さが小さい場合は、記録ビットが不安定にな
る傾向がある。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように光磁気媒体として、キュリー
点Ｔ、と保磁力Ｈ０を有する第１磁性層と、キュリー点
Ｔ２と保磁力Ｈ２を有する第２＆ｆｉ性層と、キュリー
点Ｔ３と保磁力Ｈ３を有する第３磁性層とからなる三層
の磁性層を有し。且つ他の所定の要件を満たす媒体を用
い１、Ｊ己録時に、記録ヘッドと別位置に磁界発生手段
を設け、２値レーザーパワーで記録することにより、良
好な重ね書き（オーバーライド）が可能になった。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）　、　（ｂ）は各々本発明で使用する光磁
気媒体の一例の構成を示す図、第２図は、本発明の記録
法を実施中の、磁性層１．３の磁化の向きを示す図、第
３図は、記録・再生装置の概念図、第４図は第１磁性層
１と第３磁性層３の保磁力と温度との関係を示す概略図
である。 Ｂニブリグルーブ付の透光性基板、 １．２，３：磁性層 ４．５：保護層、 ６：接着層、 ７：貼り合わせ用基板。 ３１：記録・再生用ヘッド、 ３２：記録信号発生器、 ３５：光磁気ディスク、

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）キュリー点Ｔ＿１と保磁力Ｈ＿１を有する第１磁性
   層と、キュリー点Ｔ＿２と保磁力Ｈ＿２を有する第２磁
   性層と、キュリー点Ｔ＿３と保磁力Ｈ＿３を有する第３
   磁性層とからなる三層構造の垂直磁化膜を少なくとも基
   板上に有して成る光磁気記録媒体であって、次の条件を
   満たしていることを特徴とする光磁気記録媒体。 （Ａ）各磁性層が希土類元素と遷移金属の合金であるこ
   と、 （Ｂ）Ｈ＿１＞Ｈ＿３＞Ｈ＿２ Ｔ＿３＞Ｔ＿１＞Ｔ＿２、 （Ｃ）第２磁性層を介して現れる第１磁性層と第３磁性
   層の見かけの磁壁エネルギーを σｗ＿１＿３、第１磁性層、第３磁性層の膜厚を順にｈ
   ＿１、ｈ＿３、とすると、 σｗ＿１＿３／２Ｍｓ＿１ｈ＿１＜Ｈ＿１且つσｗ＿１
   ＿３／２Ｍｓ＿３ｈ＿３＜Ｈ＿３ ２）第２磁性層のキュリー温度が室温以下であり、第２
   磁性層の膜厚が１０〜１５０Åである特許請求の範囲第
   １項記載の光磁気記録媒体。 ３）キュリー点Ｔ＿１と保磁力Ｈ＿１を有する第１磁性
   層と、キュリー点Ｔ＿２と保磁力Ｈ＿２を有する第２磁
   性層と、キュリー点Ｔ＿３と保磁力Ｈ＿３を有する第３
   磁性層とからなる三層構造の垂直磁化膜を少なくとも基
   板上に有して成る光磁気記録媒体であって、次の条件（
   Ａ）〜（Ｂ）、すなわち、 （Ａ）各磁性層が希土類と遷移金属の合金であること、 （Ｂ）Ｈ＿１＞Ｈ＿３＞Ｈ＿２ Ｔ＿３＞Ｔ＿１＞Ｔ＿２、 （Ｃ）第２磁性層を介して現れる第１磁性層と第３磁性
   層の見かけの磁壁エネルギーを σｗ＿１＿３、第１磁性層、第３磁性層の膜厚を順にｈ
   ＿１、ｈ＿３、とすると、 σｗ＿１＿３／２Ｍｓ＿１ｈ＿１＜Ｈ＿１且つσｗ＿１
   ＿３／２Ｍｓ＿３ｈ＿３＜Ｈ＿３ を満たしている光磁気記録媒体を使用して、次の二値の
   記録を行なうことを特徴とする記録方法。 （ａ）該媒体に対して、記録用ヘッドと異なる場所で、
   保磁力Ｈ＿３の第３磁性層を一方向に磁化させるのに充
   分で保磁力Ｈ＿１の第１磁性層の磁化の向きを反転させ
   ることのない大きさの磁界Ｂを加え、 （ｂ）次に、記録ヘッドにより、バイアス磁界を印加す
   ると同時に第１磁性層のキュリー点Ｔ＿１付近まで該媒
   体が昇温するだけのレーザーパワーを照射することによ
   り、第３磁性層の磁化の向きを変えないまま第１磁性層
   と第２磁性層の磁化の向きを第３磁性層に対して安定な
   向きにそろえる第１種の予備記録か、バイアス磁界を印
   加すると同時に第３磁性層のキュリー点Ｔ＿３付近まで
   該媒体が昇温するだけのレーザーパワーを照射すること
   により、第３磁性層の磁化の向きを反転させて、同時に
   第１、第２磁性層を共に第３磁性層に対して安定な向き
   に磁化する第２種の予備記録かを、信号に応じて実施し
   、（ｃ）次に、該媒体を運動させて、予備記録されたビ
   ットを前記磁界Ｂを通過させることにより、第１種の予
   備記録により形成されたビットについては、第１磁性層
   、第２磁性層、第３磁性層それぞれの磁化の向きをその
   まま変化させ ず、 第２種の予備記録により形成されたビットについては、
   第２、３磁性層の磁化の向きを前記磁界Ｂと同方向に反
   転させ、第１磁性層の磁化の向きはそのまま変化させな
   いとする、二値の記録。