JPS63244736A - フオト・リソグラフイ装置 - Google Patents
フオト・リソグラフイ装置Info
- Publication number
- JPS63244736A JPS63244736A JP62077810A JP7781087A JPS63244736A JP S63244736 A JPS63244736 A JP S63244736A JP 62077810 A JP62077810 A JP 62077810A JP 7781087 A JP7781087 A JP 7781087A JP S63244736 A JPS63244736 A JP S63244736A
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- Japan
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- hologram
- mask
- light source
- luminous flux
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70408—Interferometric lithography; Holographic lithography; Self-imaging lithography, e.g. utilizing the Talbot effect
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はフォト・リソグラフイＩＡ置に濁し、さらに詳
しくは露光光学系の収差の改善に関する。
しくは露光光学系の収差の改善に関する。
〈従来の技術〉
フォト・リソグラフィの原理はＪＲ４図に示すように光
源１からの光をコリメータレンズ４で所定の径を有する
光束とし、所定の形状に加工されたマスク２を介して基
板（例えば半導体）３の表面に形成されたフォトレジス
トに投影露光することにより、マスクの形状を正確に転
写して微細なエツチングを高精度に行うものである。
源１からの光をコリメータレンズ４で所定の径を有する
光束とし、所定の形状に加工されたマスク２を介して基
板（例えば半導体）３の表面に形成されたフォトレジス
トに投影露光することにより、マスクの形状を正確に転
写して微細なエツチングを高精度に行うものである。
しかしながら、第４図に示す＃Ｉｔ戒のものは光路中の
マスク２による位相歪みや回折によってマスクパターン
が正確に基板３に転写されないという欠点がある。
マスク２による位相歪みや回折によってマスクパターン
が正確に基板３に転写されないという欠点がある。
この様な欠点を先回折率効果を用いて解決した装置とし
て第５図に示す構成のものが知られている。
て第５図に示す構成のものが知られている。
第５図において１０は光［１からの平行波であり、マス
ク２を通ってビームスプリッタ（ハーフミラー）１１で
反射し２反射した光は例えば８８０（Ｂ！＋２ＳｔＯ２
ｏ）や３ａＴｉＯｉ等の光屈折効果を示す媒体１２に入
射する。この媒体には例えばアルゴンレーザ（図示せず
）からのポンプ光が同面の別の角度から入射しており、
このポンプ光は一旦媒体１２を出射後鏡１３により反射
して再びポンプ光源に戻るように配置されている。
ク２を通ってビームスプリッタ（ハーフミラー）１１で
反射し２反射した光は例えば８８０（Ｂ！＋２ＳｔＯ２
ｏ）や３ａＴｉＯｉ等の光屈折効果を示す媒体１２に入
射する。この媒体には例えばアルゴンレーザ（図示せず
）からのポンプ光が同面の別の角度から入射しており、
このポンプ光は一旦媒体１２を出射後鏡１３により反射
して再びポンプ光源に戻るように配置されている。
ビームスプリッタ１１からの光はポンプ光との間で相互
作用して共役波となり、入射経路を逆に進んで基板３を
照射する。この様な装置によればマスク２を通過して歪
んだ光は、媒体１２で反射して戻って来る間に歪みが除
かれマスク２に形成されたパターンの正確な転写が可能
となる。
作用して共役波となり、入射経路を逆に進んで基板３を
照射する。この様な装置によればマスク２を通過して歪
んだ光は、媒体１２で反射して戻って来る間に歪みが除
かれマスク２に形成されたパターンの正確な転写が可能
となる。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら、上記従来例においては、ポンプ光として
の別の光源が必要であり、共役波の反射率も低く（一般
に数％）ビームスプリッタを用いているので光の減衰が
大きく、！！板に到達する光量が少なくなってしまう。
の別の光源が必要であり、共役波の反射率も低く（一般
に数％）ビームスプリッタを用いているので光の減衰が
大きく、！！板に到達する光量が少なくなってしまう。
また、全体として大掛かりな設備が必要になるというｌ
！１ｆｆｌがあった。
！１ｆｆｌがあった。
本発明は上記従来技術の問題点に鑑みて成されたもので
、簡単な構成で光の減衰がなく、かつ。
、簡単な構成で光の減衰がなく、かつ。
歪みのない露光が可能なフォト・リソグラフィ装置を実
現づることを目的とする。
現づることを目的とする。
く問題点を解決するための手段〉
上記問題点を解決するための本発明の構成は。
光源と、前記光源からの光を平行波または球面波とし、
所定の光束に広げる光束調節部と、前記光束調節部から
の出射光を受光するホログラムが記録されたた記録手段
と、前記ホログラムが記録された記録手段で回折した光
をマスクを介して受光する基板と、前記光源からの光を
遮断する手段と。
所定の光束に広げる光束調節部と、前記光束調節部から
の出射光を受光するホログラムが記録されたた記録手段
と、前記ホログラムが記録された記録手段で回折した光
をマスクを介して受光する基板と、前記光源からの光を
遮断する手段と。
前記基板の位置を変位させる駆動部と前記駆動部への駆
動信号を制御する制御装置からなり、前記ホログラムは
前記光束調節部からの光と、前記マスクを通った他の光
源からの平行波のホログラムであることを特徴とするも
のである。
動信号を制御する制御装置からなり、前記ホログラムは
前記光束調節部からの光と、前記マスクを通った他の光
源からの平行波のホログラムであることを特徴とするも
のである。
〈実施例〉
はじめに２光束干渉しまのパターン（以下、単にホログ
ラムという）を用いて歪みを除去するための原理を第２
図（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。（ａ）図において
１５はホログラム記録手段としてのホ０グラフム用写真
乾板（以下単に乾板という）であり、この乾板の表面に
平面波Ｒと。
ラムという）を用いて歪みを除去するための原理を第２
図（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。（ａ）図において
１５はホログラム記録手段としてのホ０グラフム用写真
乾板（以下単に乾板という）であり、この乾板の表面に
平面波Ｒと。
物体Ｂを通ることにより歪みＤを伴った光を所定の角度
から同時に照射する。このとき乾板に記録されるホログ
ラムは次式で表わすことが出来る。
から同時に照射する。このとき乾板に記録されるホログ
ラムは次式で表わすことが出来る。
ｌＢＤ＋Ｒ１２−ＩＢＩ’ ・ＩＤ１２＋ ｌ Ｒｌ
２＋Ｂ” Ｄ” Ｒ＋ＳＤＲ”・・・■傘は複素共役を
表わす。
２＋Ｂ” Ｄ” Ｒ＋ＳＤＲ”・・・■傘は複素共役を
表わす。
次に、上記により作成した乾板に対して第２図（ｂ）の
ように乾板の反対側から平面波Ｒのみを照ｒＪ４すると
、この時乾板で回折される光は０式の右辺の３項（下線
を付した部分）にＲを乗じたものとなる。
ように乾板の反対側から平面波Ｒのみを照ｒＪ４すると
、この時乾板で回折される光は０式の右辺の３項（下線
を付した部分）にＲを乗じたものとなる。
即も回折光Ａは
Ａ＝Ｂ申Ｄ＊Ｒ２となる。
この光が物体Ｂを通過すると
Ｂ”１Ｄ１２Ｒ２・・・■
となる。ここでＩＤ１２は光の強さに関する項なのでＩ
ＤＩ２−１と仮定してよい。また、Ｒ２は平面波なので
、■式は物体の位相共役な像Ｂ８を歪みなく再環してい
るということが出来る。ここでＢと８本は位相が異なる
が人の目や写真フィルム等は位相を検出出来ないので同
一の像と見なすことが出来る。
ＤＩ２−１と仮定してよい。また、Ｒ２は平面波なので
、■式は物体の位相共役な像Ｂ８を歪みなく再環してい
るということが出来る。ここでＢと８本は位相が異なる
が人の目や写真フィルム等は位相を検出出来ないので同
一の像と見なすことが出来る。
第３図（ａ）、（ｂ）は本発明に用いるホログラム乾板
にホログラムを記録する状態を示す図で。
にホログラムを記録する状態を示す図で。
乾板１５の片面に平面波Ｒおよびマスク２を通って歪み
をともなった平面波ＢＤを照射しホログラムを記録する
。
をともなった平面波ＢＤを照射しホログラムを記録する
。
次に第３図（ｂ）に示ずように乾板の裏面から平面波Ｒ
のみを照射すると、第２図で説明したようにマスク２を
通過した光は位相は異なるが歪みのない光となって基板
３側に出射する。
のみを照射すると、第２図で説明したようにマスク２を
通過した光は位相は異なるが歪みのない光となって基板
３側に出射する。
第１図は上記原理を用いた本発明の一実施例を示す要部
構成図である。図において、１は例えばエキシマレーザ
等からなる光源（例えば半導体レーザはそのままでは非
点収差を有するので好ましくない）で、この光源からの
光はシャッター２２を通って光束調節部２１に入射する
。この光束調節部は光軸上に配置された２枚の凸レンズ
２１ａ（出射側）、２１ｂ（入射側〉とこれら凸レンズ
の間に配置されたピンホールを有する板体２１ｃど、レ
ンズ移動用モータ２１ｄからなり、移動用〔−タで出射
側のレンズ２１ａを光軸に沿って移動させることにより
出射光束を平面波や球面波に調節する。
構成図である。図において、１は例えばエキシマレーザ
等からなる光源（例えば半導体レーザはそのままでは非
点収差を有するので好ましくない）で、この光源からの
光はシャッター２２を通って光束調節部２１に入射する
。この光束調節部は光軸上に配置された２枚の凸レンズ
２１ａ（出射側）、２１ｂ（入射側〉とこれら凸レンズ
の間に配置されたピンホールを有する板体２１ｃど、レ
ンズ移動用モータ２１ｄからなり、移動用〔−タで出射
側のレンズ２１ａを光軸に沿って移動させることにより
出射光束を平面波や球面波に調節する。
１５は乾板、２は乾板の後段に配置されたマスクである
。乾板１５には第３図に示す方法、即ち光束調節部２１
からの出射光と、平面波を発する別の光源（図示せず）
からマスク２を通って照射される二つの光によりホログ
ラムが予め記録されている。従って光束調節部２１から
の光が乾板１５で回折しマスク２を通過するとその光は
歪みが補正されたものとなる。
。乾板１５には第３図に示す方法、即ち光束調節部２１
からの出射光と、平面波を発する別の光源（図示せず）
からマスク２を通って照射される二つの光によりホログ
ラムが予め記録されている。従って光束調節部２１から
の光が乾板１５で回折しマスク２を通過するとその光は
歪みが補正されたものとなる。
なお、光源１．光束調節部２１．乾板１５．マスク２は
光照射部２０として一体に固定したほうが望ましく、ま
た、フォト・リソグラフィ加工に際しては複数のマスク
を用いるので乾板とマスクはケース２０ａ等に一体とし
て収納し簡単に交換出来るようにされている。
光照射部２０として一体に固定したほうが望ましく、ま
た、フォト・リソグラフィ加工に際しては複数のマスク
を用いるので乾板とマスクはケース２０ａ等に一体とし
て収納し簡単に交換出来るようにされている。
３０は駆動部でｘ、ｙ、ｚ方向に移動可能なステージと
、このステージの駆動要素であるＸ軸モータ、Ｙ軸モー
タ、２軸モータおよび２方向の位置を正確に測定するレ
ーザ干渉計等から構成されている。
、このステージの駆動要素であるＸ軸モータ、Ｙ軸モー
タ、２軸モータおよび２方向の位置を正確に測定するレ
ーザ干渉計等から構成されている。
４０は制御部でシャッタ２２の開閉やレンズ移動用モー
タを介してレンズ２１の位置を制御したり、レーザ干渉
畠の信号に基づいてＺ軸モータの回転を制御するととも
に前記Ｘ、Ｙ軸モータへ駆動信号を送出する。上記駆動
部、３０および制御部４０は公知の技術を用いることが
出来る。
タを介してレンズ２１の位置を制御したり、レーザ干渉
畠の信号に基づいてＺ軸モータの回転を制御するととも
に前記Ｘ、Ｙ軸モータへ駆動信号を送出する。上記駆動
部、３０および制御部４０は公知の技術を用いることが
出来る。
なお２本実滴例において光源１は例えばエキシマレーザ
として説明したが、エキシマレーザは高価であるととも
に装置自体も大きくなるので、第２図に示す原理を用い
て半導体レーザなどの非点収差を有する光源から非点収
差を除くことが出来る。即ち第２図（ａ）において、（
イ）側から非点収差を有する半導体レーザからの光束を
、（Ｏ）側から例えばエキシマレーザからの平行光束を
照射して乾板上にホログラムを記録する。次に（ｂ）図
に示すように（ハ）側から半導体レーザの光を照射する
と（イ）側に平行光束を持った光を得ることが出来る。
として説明したが、エキシマレーザは高価であるととも
に装置自体も大きくなるので、第２図に示す原理を用い
て半導体レーザなどの非点収差を有する光源から非点収
差を除くことが出来る。即ち第２図（ａ）において、（
イ）側から非点収差を有する半導体レーザからの光束を
、（Ｏ）側から例えばエキシマレーザからの平行光束を
照射して乾板上にホログラムを記録する。次に（ｂ）図
に示すように（ハ）側から半導体レーザの光を照射する
と（イ）側に平行光束を持った光を得ることが出来る。
上記のようなホログラムが記録された乾板を用いること
により平行光源を得る手段として安価な半導体レーザを
使用することが出来る。
により平行光源を得る手段として安価な半導体レーザを
使用することが出来る。
また、ホログラツムの記録手段としてはホログラフィ用
写真乾板やＢａＴｉ０＋単結晶、８８０（Ｂｉｔ□８１
０２゜）単結品等の光学結晶を用いることが出来る。
写真乾板やＢａＴｉ０＋単結晶、８８０（Ｂｉｔ□８１
０２゜）単結品等の光学結晶を用いることが出来る。
〈発明の効果〉
以上、実施例とともに具体的に説明したように本発明に
よれば、ポンプ光が不要なので構成が簡単になり、光の
減衰のない安価なフォト・リソグラフィ装置を実現する
ことが出来る。
よれば、ポンプ光が不要なので構成が簡単になり、光の
減衰のない安価なフォト・リソグラフィ装置を実現する
ことが出来る。
第１図は本発明のフォト・リソグラフィ装置の一実施例
を示す構成説明図、第２図はホログラム乾板を用いて物
体を通って歪んだ光の歪みを除去するための原理説明図
、第３図はホログラム乾板にホログラムを記録する状態
を示す説明図、第４図、第５図はフォト・リソグラフィ
装置の従来例を示す要部説明図である。 １・・・光源、２・・・マスク、３・・・基板、１５・
・・ホログラツム乾板、２１・・・光束調節部、３０・
・・駆動部。 ４０・・・制御部。 第１図 ３０１勺り灼ＩＰ 弔 Ｚ 図 （（１） （ｂ
）第ｊ 図 （（Ｌ） （
ｂ）Ｉ＜
を示す構成説明図、第２図はホログラム乾板を用いて物
体を通って歪んだ光の歪みを除去するための原理説明図
、第３図はホログラム乾板にホログラムを記録する状態
を示す説明図、第４図、第５図はフォト・リソグラフィ
装置の従来例を示す要部説明図である。 １・・・光源、２・・・マスク、３・・・基板、１５・
・・ホログラツム乾板、２１・・・光束調節部、３０・
・・駆動部。 ４０・・・制御部。 第１図 ３０１勺り灼ＩＰ 弔 Ｚ 図 （（１） （ｂ
）第ｊ 図 （（Ｌ） （
ｂ）Ｉ＜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）光源と、前記光源からの光を平行波または球面波と
し、所定の光束に広げる光束調節部と、前記光束調節部
からの出射光を受光するホログラムが記録されたた記録
手段と、前記ホログラムが記録された記録手段で回折し
た光をマスクを介して受光する基板と、前記光源からの
光を遮断する手段と、前記基板の位置を変位させる駆動
部と前記駆動部への駆動信号を制御する制御装置からな
り、前記記録手段のホログラムは前記光束調節部からの
光と、前記マスクを通つた他の光源からの平行波のホロ
グラムであることを特徴とするフォト・リソグラフィ装
置。 ２）記録手段とマスクは一体に組付けられ、交換可能に
構成されたことを特徴とする特許請求の範囲１項記載の
フォト・リソグラフィ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62077810A JPH061755B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | フオト・リソグラフイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62077810A JPH061755B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | フオト・リソグラフイ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63244736A true JPS63244736A (ja) | 1988-10-12 |
| JPH061755B2 JPH061755B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=13644377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62077810A Expired - Lifetime JPH061755B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | フオト・リソグラフイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061755B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111492304A (zh) * | 2017-12-26 | 2020-08-04 | 三菱电机株式会社 | 光图案生成装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120615A (en) * | 1975-04-16 | 1976-10-22 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Manufacturing method for comb-type electrodes |
| JPS5280041A (en) * | 1975-12-26 | 1977-07-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method for selectively exposing photosensitive material |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62077810A patent/JPH061755B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120615A (en) * | 1975-04-16 | 1976-10-22 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Manufacturing method for comb-type electrodes |
| JPS5280041A (en) * | 1975-12-26 | 1977-07-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method for selectively exposing photosensitive material |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111492304A (zh) * | 2017-12-26 | 2020-08-04 | 三菱电机株式会社 | 光图案生成装置 |
| CN111492304B (zh) * | 2017-12-26 | 2022-02-25 | 三菱电机株式会社 | 光图案生成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH061755B2 (ja) | 1994-01-05 |
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