JPS63244849A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPS63244849A
JPS63244849A JP62078707A JP7870787A JPS63244849A JP S63244849 A JPS63244849 A JP S63244849A JP 62078707 A JP62078707 A JP 62078707A JP 7870787 A JP7870787 A JP 7870787A JP S63244849 A JPS63244849 A JP S63244849A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
pads
chip
power supply
integrated circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP62078707A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshio Okada
芳夫 岡田
Noriaki Oba
大庭 憲明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Microelectronics Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS63244849A publication Critical patent/JPS63244849A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10W72/50Bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W72/5473Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to a common bond pad
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    • H10W72/931Shapes of bond pads
    • H10W72/932Plan-view shape, i.e. in top view
    • HELECTRICITY
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    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的J (産業上の利用分野) この発明は集積回路チップ上に設けられたボンディング
パッドと外部ピンとの接続をボンディングワイヤを用い
て行なうようにした半導体集積回路に関する。
(従来の技術) 半導体集積回路(以下、ICと称する)は、ウニハエ程
において半導体ウェハ上に同一回路機能を有するチップ
を多数形成し、次にこれらのチップを個々に分割した後
、チップ上に設けられている例えばアルミニュームなど
で構成されたボンディングパッドと外部ビンとをボンデ
ィングワイヤを用いて電気的に接続し、その後、バラケ
ージング工程を経て完成される。なお、ウニハエ程の途
中もしくはこれが終了した時点、さらにはパフケージン
グが完了した後にそれぞれ所定のテストが実行される。
ところで、従来のICでは第2図の平面図に示すように
、ウニハエ程が終了し、個々に分割されたチップ20上
には各種信号、電源電圧(■cc)、接地電圧(GND
)毎にそれぞれ独立したボンディングパッド21が設け
られる。そして、これらのボンディングパッド21はこ
の後、対応する外部ビン22に対しボンディングワイヤ
23によって電気的に接続される。
ところで、最近のIC,特にメモリICでは高jI積化
が進んでいる。しかし、チップサイズは極端に大きくす
ることはできず、例えばメモリICの場合にはH,H憶
容量が4倍になってもチップサイズは1.5倍程度に押
さえる必要がある。従って、チップ内の配線パターンの
幅は集積度の増加に伴って縮小していかなければならな
い。すると、配線抵抗が増大し、動作速度の低下、信号
遅延、ノイズによる誤動作の発生、等の問題が出てきて
いる。従って第2図に示すように、1個のボンディング
パッド21からチップ内部に電源電圧を供給する方式の
従来のICでは、パッド21に近い部分の回路は正常に
動作するが、遠い部分の回路が誤動作する可能性がある
このため、さらに従来のICでは第3図の平面図に示す
ように、電源電圧(あるいは電源電圧と接地電圧の両方
)については2つ以上のボンディングパッド21を設け
、それぞれ独立したボンディングワイヤ23により、そ
れぞれ独立した外部ビン22に電気的に接続するように
している。このようにすれば外部電源からみた配線の抵
抗が減少し、チップの内部回路の誤動作が防止できる。
ところが、この場合には外部ビン22の数が増加してパ
ッケージが大形化するという問題がある。
さらにパッケージの外部で電源電圧用の外部ビン22を
接続する必要があり、このICを実装するボードの配線
パターン設計が複雑になる。
(発明が解決しようとする問題点) このように従来の半導体fJ+?4回路では、信号の遅
延あるいは内部回路の誤動作を防止しようとすると、パ
ッケージが大形化すると共にボードの配線パターン設計
が複雑になるという欠点がある。
そこでこの発明は、パッケージの大形化やボードの配線
パターン設計の複雑さを伴わずに信号の遅延あるいは内
部回路の誤動作を防止することができる半導体集積回路
を提供することを目的とする。
[発明の構成1 (問題点を解決するための手段) この発明の半導体集積回路は、集積回路チップと、上記
チップ上に設けられた複数のボンデイン統するボンディ
ングワイヤとから構成されている。
(作用) この発明の半導体集積回路では、集積回路チップ上に同
一信号もしくは同一電源電圧が供給される複数のボンデ
ィングパッドを設け、これらパッドどうしをボンディン
グワイヤによって電気的に接続し、しかもこれらボンデ
ィングパッドは1つの外部ビンとボンディングワイヤに
よって接続するようにしている。
(実施例) 以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第1図はこの発明のICの平面図である。
図示するように、ウニハエ程が終了し、個々に分割され
たチップ10上には各種信号、電源電圧(Vco)、接
地電圧(GND)毎にそれぞれ独立したボンディングパ
ッドが設けられるものであるが、この実施例のものでは
電源電圧用のボンディングパッド11が21!l設けら
れている。なお、図示する他のボンディングパッド12
は接地電圧用のものであり、さらにこれらパッドの他に
各種信号用のものが設けられているるかここでは省略し
た。
上記電源電圧用の2個のボンディングパッド11はボン
ディンググワイヤ13によって相互に接続され、さらに
このうち一方のボンディングパッド11のみがボンディ
ンググワイヤ13によって電源電圧用の外部ビン14に
接続されている。また、接地電圧用のボンディングパッ
ド12を始めとするパッドは、それぞれ対応する外部ビ
ン14に対してボンディングワイヤ13によって電気的
に接続されている。
すなわち、上記実施例のICは電源電圧用のボンディン
グパッドを2個設け、両パッドをチップ上でボンディン
グワイヤを用いて相互に接続し、さらに1個の外部ビン
に接続するように4f4成したものである。
ところで、従来技術ではチップ上の配線は全てアルミニ
ューム等のパターンによって構成されており、高集積化
が進んでこれらの配線幅が縮小されていったときに抵抗
の増大が問題になっていた。
これに対して上記実施例のICのように、ウェハ上のボ
ンディングパッドをワイヤにより直接に接続すれば、ボ
ンディングワイヤの断面が直径25μmの円であるとす
ると、その断面の面積は約490μm2となる。このよ
うな面積を持つ配線は厚みが1μmのチップ上の配線パ
ターンに換算すると490μmの幅のものと等価になる
。従って、配線幅が縮小化されることによる抵抗の増大
は問題にならなくなる。その上、チップ上の配線の数を
削減することもでき、チップサイズ縮小に伴うコストダ
ウンも実現できる。しかも、電源電圧用の外部ビンは1
個のみであるため、従来のようなパッケージの大形化、
ボードの配線パターン設計の複雑さ、等の問題は全て解
消される。
なお、この発明は上記実施例に限定されるものではなく
神々の変形が可能であることはいうまでもない。例えば
上記実施例では電源電圧用のボンディングパッドを2個
設け、これを相互に接続する場合について説明したがこ
れは2個以上のパッドを設けて相互に接続するようにし
てもよく、さちには接Ml雪圧用のパッドを2個もしく
は2111以上設けてこれらを相互に接続したり、又は
特定の信号パッドについても同様に実施することができ
る。
[発明の効果1 以上説明したようにこの発明によれば、パッケージの大
形化やボードの配線パターン設計の複雑さを伴わずに信
号の遅延あるいは内部回路の誤動作を防止することがで
きる半導体集積回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例装置の構成を示す平面図、
第2図及び第3図はそれぞれ従来装置の平面図である。 10・・・チップ、11・・・電源電圧用のボンディン
グパッド、12・・・接地電圧用のホンディングパッド
、13・・・ボンディングワイヤ、14・・・外部ビン
。 第1図 第2図 第3図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)集積回路チップと、上記チップ上に設けられた複
    数のボンディングパッドと、上記複数のボンディングパ
    ッドのうち任意のボンディングパッドどうしを電気的に
    接続するボンディングワイヤとを具備したことを特徴と
    する半導体集積回路。
  2. (2)前記電気的に接続されるボンディングパッドには
    同一信号もしくは同一電源電圧が供給されるように共通
    の外部ピンに接続されている特許請求の範囲第1項に記
    載の半導体集積回路。
JP62078707A 1987-03-31 1987-03-31 半導体集積回路 Pending JPS63244849A (ja)

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JP62078707A JPS63244849A (ja) 1987-03-31 1987-03-31 半導体集積回路

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