JPS63244880A - 超高速半導体装置 - Google Patents
超高速半導体装置Info
- Publication number
- JPS63244880A JPS63244880A JP62080024A JP8002487A JPS63244880A JP S63244880 A JPS63244880 A JP S63244880A JP 62080024 A JP62080024 A JP 62080024A JP 8002487 A JP8002487 A JP 8002487A JP S63244880 A JPS63244880 A JP S63244880A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- speed semiconductor
- oxide superconductor
- high speed
- ultra high
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、情報、通信技術に必要な超高速半導体装置
に関、するものである。
に関、するものである。
従来の半導体装置においては、電極および配線層材料と
してアルミニウムなどの有限の電気抵抗値を有する物質
を用いていたので、その電極および配線層の抵抗に起因
する時定数τ−ＲＣ（Ｒ：電極または配線層の抵抗、Ｃ
：電極または配線層の容Ｉｔ）が大きく、このため信号
の伝搬に遅延が生じ、装置の動作の動作速度が遅くなる
という欠点があった。
してアルミニウムなどの有限の電気抵抗値を有する物質
を用いていたので、その電極および配線層の抵抗に起因
する時定数τ−ＲＣ（Ｒ：電極または配線層の抵抗、Ｃ
：電極または配線層の容Ｉｔ）が大きく、このため信号
の伝搬に遅延が生じ、装置の動作の動作速度が遅くなる
という欠点があった。
また、半導体装置を高速で動作させるためには、そこに
形成された、例えば電界効果トランジスタのゲート長を
短くするのが有効であることはよく知られているが、こ
の場合ゲート長を短くすると、トランジスタがチャネル
の長さ方向に対して横方向に細長くなり、電極・配線層
も細長くなるため、その電気抵抗が増大し、それに応じ
てその時定数も大きくなって、信号伝搬時間が大きくな
るという問題点があった。
形成された、例えば電界効果トランジスタのゲート長を
短くするのが有効であることはよく知られているが、こ
の場合ゲート長を短くすると、トランジスタがチャネル
の長さ方向に対して横方向に細長くなり、電極・配線層
も細長くなるため、その電気抵抗が増大し、それに応じ
てその時定数も大きくなって、信号伝搬時間が大きくな
るという問題点があった。
上記の問題点を解決するため、この発明に係る超高速半
導体装置は、半導体基板上に形成された各素子間を電気
的に結合するための電極又は配線層を酸化物超電導体材
料で形成したものである。
導体装置は、半導体基板上に形成された各素子間を電気
的に結合するための電極又は配線層を酸化物超電導体材
料で形成したものである。
上記の酸化物超電導体材料としては、例えば、Ｌａ−Ｓ
ｒ−Ｃｕ−０等の酸化物超電導体を使用する。
ｒ−Ｃｕ−０等の酸化物超電導体を使用する。
また、これらの単結晶酸化物超電導体を使用する場合も
ある。
ある。
この発明における超高速半導体装置は、電極および配線
層を酸化物超電導体材料又は単結晶酸化物超電導体材料
を用いているため、その電気抵抗は実質的に零となり、
遅延時間（時定数）が零となる。そのため信号伝搬にお
ける遅延時間がなくなり、応答速度および動作速度が速
くなる。また、臨界温度が比較的高く、わずかな冷却ま
たは冷却をすることなく超電導状態を実現することがで
きる。
層を酸化物超電導体材料又は単結晶酸化物超電導体材料
を用いているため、その電気抵抗は実質的に零となり、
遅延時間（時定数）が零となる。そのため信号伝搬にお
ける遅延時間がなくなり、応答速度および動作速度が速
くなる。また、臨界温度が比較的高く、わずかな冷却ま
たは冷却をすることなく超電導状態を実現することがで
きる。
なお、単結晶酸化物超電導体を用いると、電流密度を制
限する結晶粒界のジョセフソン接合効果が防げるので、
微細パターン形成においても均一な特性が得られ、また
電流密度を太き（とることができる。
限する結晶粒界のジョセフソン接合効果が防げるので、
微細パターン形成においても均一な特性が得られ、また
電流密度を太き（とることができる。
Claims (5)
- （１）酸化物超電導体の電極および結線を半導体動作層
の上に形成することにより、半導体デバイスを構成する
ことを特徴とする超高速半導体装置。 - （２）上記の酸化物超電導体が単結晶であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の超高速半導体装置
。 - （３）上記の半導体デバイスを受動素子と組合せて集積
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
に記載の超高速半導体装置。 - （４）上記の酸化物超電導体として、Ｌａ−Ｓｒ−Ｃｕ
−Ｏ系のセラミックスを用いたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の超高速半導体装置。 - （５）上記の単結晶酸化物超電導体として、Ｌａ−Ｓｒ
−Ｃｕ−Ｏ等のセラミックスの単結晶を用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第２項に記載の超高速半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62080024A JPS63244880A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 超高速半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62080024A JPS63244880A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 超高速半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63244880A true JPS63244880A (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=13706715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62080024A Pending JPS63244880A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 超高速半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63244880A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60154613A (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-14 | Hitachi Ltd | 極低温用半導体装置 |
| JPS63220544A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超伝導半導体装置 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62080024A patent/JPS63244880A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60154613A (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-14 | Hitachi Ltd | 極低温用半導体装置 |
| JPS63220544A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超伝導半導体装置 |
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