JPS6324585A - 誘電体を基盤とする高周波蓄電放電器 - Google Patents
誘電体を基盤とする高周波蓄電放電器Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 34
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 235000002017 Zea mays subsp mays Nutrition 0.000 description 13
- 241000482268 Zea mays subsp. mays Species 0.000 description 11
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 240000008042 Zea mays Species 0.000 description 2
- 235000005824 Zea mays ssp. parviglumis Nutrition 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 235000005822 corn Nutrition 0.000 description 2
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000010257 thawing Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 1
- 101100350468 Oryza sativa subsp. japonica RR32 gene Proteins 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000796 flavoring agent Substances 0.000 description 1
- 235000019634 flavors Nutrition 0.000 description 1
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 description 1
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003439 heavy metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002346 iodo group Chemical group I* 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N lead(ii) sulfide Chemical compound [Pb]=S XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 235000012054 meals Nutrition 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical group 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- FSJWWSXPIWGYKC-UHFFFAOYSA-M silver;silver;sulfanide Chemical compound [SH-].[Ag].[Ag+] FSJWWSXPIWGYKC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 235000013555 soy sauce Nutrition 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は高周波によって食品などを加熱する場合に、そ
の効果を増大する為に用いる誘電体を基盤とする高周波
蓄電放電蓋に関するものである。 高周波（周波数が２４５０ Ｍｌｌｚ帯の電磁波）によ
って食品などの加熱をする電子レンジは何れも前面のド
アにドアスクリーンを設けていて、この前面についての
み反射板がないので加熱の強弱ができ凹字形状の凹のく
ぼみ、ドアスクリーン側にどうしても弱い部分ができろ
。その対策としてターンテーブルを設けているが万全で
はない。或いは電熱装置若しくは蒸気発生装置又は電熱
装置と蒸気発生装置を内蔵した電子レンジが出回ってい
るが価格が従来の高周波発振装置のみの物と比べて非常
に高価となるなどの欠点があり高周波発振装置のみの低
価格の電子レンジで効果的な補助具がないものかと使用
者側から要望があった。本発明はその要望に答えること
を目的とするものである。 電気伝導率が金属のような良導体とガラスやセラミック
のような絶縁体の中間の程度の大きさを持つ固体物質を
半導体という。比電気抵抗が約１０−３〜ｔｏ−１２Ω
■程度のものをさす。導体はこれに比し、はるかに抵抗
が少なく ｔｏ−’〜１０−５Ω■の程度、絶縁体はは
るかに抵抗が太きく １０１４〜１０２２Ω■の程度で
ある。半導体に分類される物質のおもなものとじてはゲ
ルマニウム（Ｇｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、スズ（Ｓｎ）、
セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）などの単体元素の結晶
、酸化第一鉄（Ｃｕ２０）。 酸化亜鉛（Ｚｎ○）など重い金属の酸化物、或いは硫化
銀（Ａｇ２Ｓ）、硫化鉛（ｐｂｓ）、など重い金属の硫
化物、アンチモン化インジウム（■ｎ５ｂ）、ヒ化ガリ
ウム（Ｇ ａ Ａ ｓ ）など周期率表筒■族と第■族
の元素の化合物の結晶などをあげることができる。アン
トラセン、ナフタリンなど、やや抵抗は高いが有機物結
晶にもこれに属するものが存在する。 半導体の特徴はその電気抵抗に有る。前述したその大き
さだけでなく、いろいろの性質が金属や絶縁体（誘電体
）と異なる。まず電気抵抗の温度変化に注目すると、半
導体では電気抵抗が温度が低くなるにつれて増加する傾
向を示し、この点で多くの金属や半金族と逆の性質をも
っている。金属の常温での電気抵抗は不純物や格子欠陥
によってわずかに増加するが、半導体では不純物や格子
欠陥の種類や数が電気抵抗を決定する主要原因で有るこ
とか多く、電気抵抗は試料の純度や処理の方法に従って
大きく増加したり減少したりする。また、試料に光をあ
てると電気抵抗が大きく減少する性質（光伝導）も、は
とんど大きな変化を示さない金属の特徴と区別される点
である。以上に述べた点が金属と対比させたときの特徴
であるが、絶縁体（誘電体）のわずかな電流の性質とは
上述の諸点ではむしろ相似している。半導体または金属
に電流を流しこれに垂直に−様な静磁場をかけると、こ
の両者に垂直な方向に両者の大きさにほぼ比例した起電
力を示す。この現象を〈ホール効果〉とよんでいるが、
この起電力の大きさは半導体が一番大きく、金属がこれ
につぎ、絶縁体（誘電体）は潤れぬほどに小さい。起電
力がどちらの向きに起こるかによって、電流を運ぶもの
として正負いずれの電気を帯びた粒子がおもな役割を果
たしているかを知ることができる。多くの金属ではこれ
により負の電気を帯びた粒子すなわち電子が電流をつく
ることがしられるが、半導体では物質により、また同一
物質でも試料によって正負いずれの粒子の場合も存在す
ることが知られている。 金属と同様に負の電気をもつ粒子が電流の主役をなすと
きくｎ型半導体〉、正の電荷をもつ粒子が電流の主役を
なすときくｎ型半導体〉とよぶ。金属の電流を支配する
のはそのなかにある動きやすい電子であり、ｎ型半導体
も同様であるが、ｎ型半導体は動きにくい電子の集団の
なかにできた電子のくぬけ穴〉が電流の主役を演する。 このぬけ穴のことをく正孔〉（正のあな）ということが
ある。このように電子、正孔という２種の電流担体の存
在しうろことが半導体の一大特徴であって、多くの半導
体装置はこれを利用して設計されている。絶縁体（誘電
体）のわずかな電流に主役を演するのは、電子や正孔で
はなくイオンである。従って電流を流すと試料は電解を
うけるし、ホール効果も小さく、この２点で半導体と区
別ができる。 半４体の第２の特徴はこれを金属と接触させた場合に現
われる。二つの金属を接触させた部分を通して電流を流
すとき、電流と電圧の関係は電圧をどちらの向きにかけ
ても変わらず、正比例を示しオームの法則に従うが、半
導体と金属とを接触させた部分を通して電流を流すと、
一定の大きさの電圧でもどちらの向きかで電流の大きさ
に著しい差異が生ずる。すなわちＺ ’ｃｌ＋ｉのなが
れやすい方向と流れにくい方向とが決まっていて著しい
整流性がみられる。半導体から金属へ向かうほうが流れ
やすい方向となるか、或いはその逆であるかは。 半導体の試料および金属の種類によっていずれの場合も
存在する。この現象は接触によって半導体側から全屈側
へ電子が移ったり、或いはこの逆の現象が起こって並行
平衡が出来上がり、その際半導体側にごく薄い空間電荷
の層が接触面に生ずることから理解されている。このよ
うな整流性の特徴はｎ型半導体とｐ型半導体の接触部分
にも顕著に現われる。例えばゲルマニウムの結晶の一方
の側を第■族の元素の原子を不純物としてｐ型にし、他
方の側に第■族の原子を不純物としていれてｎ型とした
場合、両者の界面がこれに相当する。このような場合（
ｐ−ｎ接合（ｐ −ｎ型接合）〉とよぶ。 これら半導体の特徴はいろいろと実用面に応用されてい
る。その一つにガラスやセラミックなどの絶縁物基板上
に回路素子や相互配線を真空蒸着法などを用いて付着さ
せて、一つの回路機能をもたせたものである。なお、各
素子の精度はよく、薄膜抵抗の許容の許容誤差は±１〜
５％で、温度係数もちいさく、経時変化も少ない。薄膜
コンデンサーはシリコン酸化膜などを誘電体材料として
用い、許容誤差は±１〜５％である。長所としては設計
の自由度が大きい。少量品種の生産に適している。 第１の実施例を図面に従って説明すれば、ガラス１など
の誘電体Ａに、平面状で間隙が網目状の前後左右断続模
様状２に方形状の酸化ジルコニウム３の半導体Ｂを縦横
を基盤目状に並へて、シルクスクリーン印刷などの印刷
法を用いて付着させる方法で設けて成るものである。（
第１図）第２の実施例を図面に従って説明すれば、セラ
ミック４などの誘電体Ａに、平面状で間隙が網目状の前
後左右断続模様状２に長方形状の酸化アルミニウム５の
半導体Ｂを縦横を基盤目状に並へて溶射法を用いて付着
させる方法で設けてなるものである。 （第２図） 第３の実施例を図面に従って説明すれば、紙６に各種の
接着剤を塗布して、その上にガラス繊維シートを重合し
てなどの誘電体Ａに、平面状で間隙が網目状の前後左右
断続模様状２に丸型状の酸化アルミニウム８の半導体Ｂ
を、縦横基盤目状に並へて、溶射法を用いて付着させる
方法で設けてなるものでたる。 （第３図） 第４の実施例を図面に従って説明すれば、プラスチック
フィルム９など誘電体Ａに、平面状で間隙が網目状の前
後左右断続模様状２に三角および逆三角を横に交互に並
べ縦に適数設けた酸化ジルコニウム１０の半導体Ｂを縦
横基盤目状に並べて、溶射法を用いて付着させる方法で
設けて成るものである。（第４図） 第５の実施例を図面に従って説明すれば、ガラス９繊維
シート７などの誘電体Ａの片面１１に、平面状で間隙が
網目状の前後左右断続模様状２に丸型状の酸化アルミニ
ウム８の半導体Ｂを片面１１に網目状に並べて、各種の
印刷などで加工するなど適宜方法で設けるとともにこの
加工されたガラス繊維シート１２を渦巻状の筒１３とし
立体状で間隙が網目状として上下前後左右断続模様状１
４として成るものである。必要に応じて、複数枚を重ね
て渦巻状の筒１３としても同効である。 （第５図） 以上の通り構成したので、次ぎに紙袋に収容されたポッ
プココーンの種実を、電子レンジ内のターンテーブルに
解凍ネットを載置してその上にのせて実験を行った。 ポツプコーン電子レンジ爆ぜ実験（１）−一実験内容−
− （１）本発明品第１の実施例品、第２の実施例品、第３
の実施例品、第４の実施例品。 第５の実施例酷使用。 （２）ポツプコーン味付けなし。 （３）１回の個数１個５回の平均。 上記条件での爆ぜ率比較 使用電子レンジー−ＲＲ３２（ＲＱ７２００）解凍ネッ
ト使用、加熱時間２分、コーンの量但し形■ は第１の
実施例 ■ は第２の実施例 ・ は第３の実施例 ムマは第４の実施例 ・・は第５の実施例である。 爆率：装いりポツプコーンの種実が電子レンジ加熱で効
果的に爆ぜた率。 開始：電子レンジの加熱を開始してから最初にポツプコ
ーンが爆ぜるまでの時間（秒）。 不発：電子レンジ加熱後とりだしたポツプコーンの爆ぜ
ない数。 以上の実験結果が示すように本発明品は不使用のものと
比較して非常な高成績を示している。 味についても爆ぜ方が大きいのでふんわりしていて食へ
やすく、おいしいとの評判であった。中には少しだけ、
こげを発見したが味を悪くするようなことはなかった。 実施例の各種のものは、加熱する食品によって、使用す
る者の好みによって種々な本発明品から自由に選択する
余地を残すのである。又、この発明品は構成が簡単であ
るので安価に、食品に直接触れても安全であるなどの効
果を奏し、加熱時間も短縮でき経費を節約できるのであ
る。 第６の実施例を図面に従って説明すれば、耐熱ガラス１
５などの誘電体Ａを用いて、中央部裏面に扇形状の下部
を切除せる台形状の三個の突起部を有する回転装置接続
部１６を設けた適宜の厚さを有する円盤状のターンテー
ブル１７の裏面に中央部から放射状１８に間隙が網目状
の前後左右断続模様状２に大小の丸型１９など適宜形状
の酸化アルミニウムなどの半導体Ｂを溶射などの方法で
接着させるなど適宜の方法で設けて成るものである。（
第６図） 必要に応じて、第１の実施例乃至第６の実施
例の誘導体Ａの上に適宜の方法で耐熱樹脂膜を形成して
被覆し、或いは耐熱フィルムおよび紙１合成紙、混抄紙
（水酸化アルミニウム。 セラミックなど）などを重合したるものち同効である。 以上の通り構成したので、つぎに紙袋に収容されたポツ
プコーン種実を電子レンジ内に載置して実験を行った。 ポツプコーン電子レンジ爆ぜ実験（２）−一実験内容一
一 （１）本発明品の第６の実施例品使用 （２）ポツプコーンしょうゆ味 （３）１回の個数１個 ５回の平均値 上記の条件での爆ぜ率比較 使用電子レンジ ＮＡＴＩＯＮＡＬＰｒｏｆｆｅｓ
ｉｏｎａｌ ＮＥＩＯＩＩ使用加熱時間 ２分。 コーンの量３５ｇ （２２５粒） 但し 形、大小・は第６の実施例である。 爆率：装いりポツプコーンの種実が電子レンジ加熱で効
果的に爆ぜた率。 開始：電子レンジの加熱を開始してから最初にポツプコ
ーンが爆ぜるまでの時間（秒）。 不発：電子レンジ加熱後とりだしたポツプコーンの爆ぜ
ない数。 不使用：加工していない円盤状のターンテーブルを使用
。 以上の実験結果が示すように本発明品は不使用のものと
比較して非常な高成績を示した。 味についても爆ぜ方が大きく、ふんわりして１食へやす
く、大変うまい、おいしいとの評判であった。 上記の通り本発明品は、電子レンジ器具として実験の結
果に示す通り非常に優秀な成績を納めている。なお、そ
の他の食品についても同様な効果を奏するなどきわめて
有用なことは勿論、その製造も容易で安価に提供できる
などの効果を奏する。
の効果を増大する為に用いる誘電体を基盤とする高周波
蓄電放電蓋に関するものである。 高周波（周波数が２４５０ Ｍｌｌｚ帯の電磁波）によ
って食品などの加熱をする電子レンジは何れも前面のド
アにドアスクリーンを設けていて、この前面についての
み反射板がないので加熱の強弱ができ凹字形状の凹のく
ぼみ、ドアスクリーン側にどうしても弱い部分ができろ
。その対策としてターンテーブルを設けているが万全で
はない。或いは電熱装置若しくは蒸気発生装置又は電熱
装置と蒸気発生装置を内蔵した電子レンジが出回ってい
るが価格が従来の高周波発振装置のみの物と比べて非常
に高価となるなどの欠点があり高周波発振装置のみの低
価格の電子レンジで効果的な補助具がないものかと使用
者側から要望があった。本発明はその要望に答えること
を目的とするものである。 電気伝導率が金属のような良導体とガラスやセラミック
のような絶縁体の中間の程度の大きさを持つ固体物質を
半導体という。比電気抵抗が約１０−３〜ｔｏ−１２Ω
■程度のものをさす。導体はこれに比し、はるかに抵抗
が少なく ｔｏ−’〜１０−５Ω■の程度、絶縁体はは
るかに抵抗が太きく １０１４〜１０２２Ω■の程度で
ある。半導体に分類される物質のおもなものとじてはゲ
ルマニウム（Ｇｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、スズ（Ｓｎ）、
セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）などの単体元素の結晶
、酸化第一鉄（Ｃｕ２０）。 酸化亜鉛（Ｚｎ○）など重い金属の酸化物、或いは硫化
銀（Ａｇ２Ｓ）、硫化鉛（ｐｂｓ）、など重い金属の硫
化物、アンチモン化インジウム（■ｎ５ｂ）、ヒ化ガリ
ウム（Ｇ ａ Ａ ｓ ）など周期率表筒■族と第■族
の元素の化合物の結晶などをあげることができる。アン
トラセン、ナフタリンなど、やや抵抗は高いが有機物結
晶にもこれに属するものが存在する。 半導体の特徴はその電気抵抗に有る。前述したその大き
さだけでなく、いろいろの性質が金属や絶縁体（誘電体
）と異なる。まず電気抵抗の温度変化に注目すると、半
導体では電気抵抗が温度が低くなるにつれて増加する傾
向を示し、この点で多くの金属や半金族と逆の性質をも
っている。金属の常温での電気抵抗は不純物や格子欠陥
によってわずかに増加するが、半導体では不純物や格子
欠陥の種類や数が電気抵抗を決定する主要原因で有るこ
とか多く、電気抵抗は試料の純度や処理の方法に従って
大きく増加したり減少したりする。また、試料に光をあ
てると電気抵抗が大きく減少する性質（光伝導）も、は
とんど大きな変化を示さない金属の特徴と区別される点
である。以上に述べた点が金属と対比させたときの特徴
であるが、絶縁体（誘電体）のわずかな電流の性質とは
上述の諸点ではむしろ相似している。半導体または金属
に電流を流しこれに垂直に−様な静磁場をかけると、こ
の両者に垂直な方向に両者の大きさにほぼ比例した起電
力を示す。この現象を〈ホール効果〉とよんでいるが、
この起電力の大きさは半導体が一番大きく、金属がこれ
につぎ、絶縁体（誘電体）は潤れぬほどに小さい。起電
力がどちらの向きに起こるかによって、電流を運ぶもの
として正負いずれの電気を帯びた粒子がおもな役割を果
たしているかを知ることができる。多くの金属ではこれ
により負の電気を帯びた粒子すなわち電子が電流をつく
ることがしられるが、半導体では物質により、また同一
物質でも試料によって正負いずれの粒子の場合も存在す
ることが知られている。 金属と同様に負の電気をもつ粒子が電流の主役をなすと
きくｎ型半導体〉、正の電荷をもつ粒子が電流の主役を
なすときくｎ型半導体〉とよぶ。金属の電流を支配する
のはそのなかにある動きやすい電子であり、ｎ型半導体
も同様であるが、ｎ型半導体は動きにくい電子の集団の
なかにできた電子のくぬけ穴〉が電流の主役を演する。 このぬけ穴のことをく正孔〉（正のあな）ということが
ある。このように電子、正孔という２種の電流担体の存
在しうろことが半導体の一大特徴であって、多くの半導
体装置はこれを利用して設計されている。絶縁体（誘電
体）のわずかな電流に主役を演するのは、電子や正孔で
はなくイオンである。従って電流を流すと試料は電解を
うけるし、ホール効果も小さく、この２点で半導体と区
別ができる。 半４体の第２の特徴はこれを金属と接触させた場合に現
われる。二つの金属を接触させた部分を通して電流を流
すとき、電流と電圧の関係は電圧をどちらの向きにかけ
ても変わらず、正比例を示しオームの法則に従うが、半
導体と金属とを接触させた部分を通して電流を流すと、
一定の大きさの電圧でもどちらの向きかで電流の大きさ
に著しい差異が生ずる。すなわちＺ ’ｃｌ＋ｉのなが
れやすい方向と流れにくい方向とが決まっていて著しい
整流性がみられる。半導体から金属へ向かうほうが流れ
やすい方向となるか、或いはその逆であるかは。 半導体の試料および金属の種類によっていずれの場合も
存在する。この現象は接触によって半導体側から全屈側
へ電子が移ったり、或いはこの逆の現象が起こって並行
平衡が出来上がり、その際半導体側にごく薄い空間電荷
の層が接触面に生ずることから理解されている。このよ
うな整流性の特徴はｎ型半導体とｐ型半導体の接触部分
にも顕著に現われる。例えばゲルマニウムの結晶の一方
の側を第■族の元素の原子を不純物としてｐ型にし、他
方の側に第■族の原子を不純物としていれてｎ型とした
場合、両者の界面がこれに相当する。このような場合（
ｐ−ｎ接合（ｐ −ｎ型接合）〉とよぶ。 これら半導体の特徴はいろいろと実用面に応用されてい
る。その一つにガラスやセラミックなどの絶縁物基板上
に回路素子や相互配線を真空蒸着法などを用いて付着さ
せて、一つの回路機能をもたせたものである。なお、各
素子の精度はよく、薄膜抵抗の許容の許容誤差は±１〜
５％で、温度係数もちいさく、経時変化も少ない。薄膜
コンデンサーはシリコン酸化膜などを誘電体材料として
用い、許容誤差は±１〜５％である。長所としては設計
の自由度が大きい。少量品種の生産に適している。 第１の実施例を図面に従って説明すれば、ガラス１など
の誘電体Ａに、平面状で間隙が網目状の前後左右断続模
様状２に方形状の酸化ジルコニウム３の半導体Ｂを縦横
を基盤目状に並へて、シルクスクリーン印刷などの印刷
法を用いて付着させる方法で設けて成るものである。（
第１図）第２の実施例を図面に従って説明すれば、セラ
ミック４などの誘電体Ａに、平面状で間隙が網目状の前
後左右断続模様状２に長方形状の酸化アルミニウム５の
半導体Ｂを縦横を基盤目状に並へて溶射法を用いて付着
させる方法で設けてなるものである。 （第２図） 第３の実施例を図面に従って説明すれば、紙６に各種の
接着剤を塗布して、その上にガラス繊維シートを重合し
てなどの誘電体Ａに、平面状で間隙が網目状の前後左右
断続模様状２に丸型状の酸化アルミニウム８の半導体Ｂ
を、縦横基盤目状に並へて、溶射法を用いて付着させる
方法で設けてなるものでたる。 （第３図） 第４の実施例を図面に従って説明すれば、プラスチック
フィルム９など誘電体Ａに、平面状で間隙が網目状の前
後左右断続模様状２に三角および逆三角を横に交互に並
べ縦に適数設けた酸化ジルコニウム１０の半導体Ｂを縦
横基盤目状に並べて、溶射法を用いて付着させる方法で
設けて成るものである。（第４図） 第５の実施例を図面に従って説明すれば、ガラス９繊維
シート７などの誘電体Ａの片面１１に、平面状で間隙が
網目状の前後左右断続模様状２に丸型状の酸化アルミニ
ウム８の半導体Ｂを片面１１に網目状に並べて、各種の
印刷などで加工するなど適宜方法で設けるとともにこの
加工されたガラス繊維シート１２を渦巻状の筒１３とし
立体状で間隙が網目状として上下前後左右断続模様状１
４として成るものである。必要に応じて、複数枚を重ね
て渦巻状の筒１３としても同効である。 （第５図） 以上の通り構成したので、次ぎに紙袋に収容されたポッ
プココーンの種実を、電子レンジ内のターンテーブルに
解凍ネットを載置してその上にのせて実験を行った。 ポツプコーン電子レンジ爆ぜ実験（１）−一実験内容−
− （１）本発明品第１の実施例品、第２の実施例品、第３
の実施例品、第４の実施例品。 第５の実施例酷使用。 （２）ポツプコーン味付けなし。 （３）１回の個数１個５回の平均。 上記条件での爆ぜ率比較 使用電子レンジー−ＲＲ３２（ＲＱ７２００）解凍ネッ
ト使用、加熱時間２分、コーンの量但し形■ は第１の
実施例 ■ は第２の実施例 ・ は第３の実施例 ムマは第４の実施例 ・・は第５の実施例である。 爆率：装いりポツプコーンの種実が電子レンジ加熱で効
果的に爆ぜた率。 開始：電子レンジの加熱を開始してから最初にポツプコ
ーンが爆ぜるまでの時間（秒）。 不発：電子レンジ加熱後とりだしたポツプコーンの爆ぜ
ない数。 以上の実験結果が示すように本発明品は不使用のものと
比較して非常な高成績を示している。 味についても爆ぜ方が大きいのでふんわりしていて食へ
やすく、おいしいとの評判であった。中には少しだけ、
こげを発見したが味を悪くするようなことはなかった。 実施例の各種のものは、加熱する食品によって、使用す
る者の好みによって種々な本発明品から自由に選択する
余地を残すのである。又、この発明品は構成が簡単であ
るので安価に、食品に直接触れても安全であるなどの効
果を奏し、加熱時間も短縮でき経費を節約できるのであ
る。 第６の実施例を図面に従って説明すれば、耐熱ガラス１
５などの誘電体Ａを用いて、中央部裏面に扇形状の下部
を切除せる台形状の三個の突起部を有する回転装置接続
部１６を設けた適宜の厚さを有する円盤状のターンテー
ブル１７の裏面に中央部から放射状１８に間隙が網目状
の前後左右断続模様状２に大小の丸型１９など適宜形状
の酸化アルミニウムなどの半導体Ｂを溶射などの方法で
接着させるなど適宜の方法で設けて成るものである。（
第６図） 必要に応じて、第１の実施例乃至第６の実施
例の誘導体Ａの上に適宜の方法で耐熱樹脂膜を形成して
被覆し、或いは耐熱フィルムおよび紙１合成紙、混抄紙
（水酸化アルミニウム。 セラミックなど）などを重合したるものち同効である。 以上の通り構成したので、つぎに紙袋に収容されたポツ
プコーン種実を電子レンジ内に載置して実験を行った。 ポツプコーン電子レンジ爆ぜ実験（２）−一実験内容一
一 （１）本発明品の第６の実施例品使用 （２）ポツプコーンしょうゆ味 （３）１回の個数１個 ５回の平均値 上記の条件での爆ぜ率比較 使用電子レンジ ＮＡＴＩＯＮＡＬＰｒｏｆｆｅｓ
ｉｏｎａｌ ＮＥＩＯＩＩ使用加熱時間 ２分。 コーンの量３５ｇ （２２５粒） 但し 形、大小・は第６の実施例である。 爆率：装いりポツプコーンの種実が電子レンジ加熱で効
果的に爆ぜた率。 開始：電子レンジの加熱を開始してから最初にポツプコ
ーンが爆ぜるまでの時間（秒）。 不発：電子レンジ加熱後とりだしたポツプコーンの爆ぜ
ない数。 不使用：加工していない円盤状のターンテーブルを使用
。 以上の実験結果が示すように本発明品は不使用のものと
比較して非常な高成績を示した。 味についても爆ぜ方が大きく、ふんわりして１食へやす
く、大変うまい、おいしいとの評判であった。 上記の通り本発明品は、電子レンジ器具として実験の結
果に示す通り非常に優秀な成績を納めている。なお、そ
の他の食品についても同様な効果を奏するなどきわめて
有用なことは勿論、その製造も容易で安価に提供できる
などの効果を奏する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す平面図、第２図は
同第２の実施例を示す平面図、第３図は同第３の実施例
を示す平面図、第４図は同第４の実施例を示す平面図、
第５図は同第５の実施例を示す斜面図、第６図は同第６
の実施例を示す底面図である。 簡単な図面の説明 Ａ：誘 電 体 Ｂ：半 導 体 １ニガ ラ ス ２：間隙が網目状の前後左右断続模様状３：方形状の酸
化ジルコニウム ４：セラミック ５：長方形状の酸化アルミニウム ６：紙 ７：ガラス繊維シート ８：丸型状の酸化アルミニウム ９ニブラスチツクフイルム １０：三角および逆三角を交互に並へ縦に適数設けた酸
化ジルコニウム １１：片 面 １２：加工されたガラス繊維シート １３：渦巻状の筒 １４：上下前後左右断続模様状 １５：耐熱ガラス １６：扇形状の下部を切除せる台形の三個の突起部を有
する回転装置接続部 １７：円盤状のターンテーブル １８：放射状 １９：大小の丸型 特許出願人 株式会社システムクリエイツ特許出願人
タ テ ホ 化学工業株式会社第１図 第２図 第３図 第５図 ￥；℃図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区西神田１−３−７ｉ原ビル名称
株式会社システムクリエイツ 代表者 小 杉 傅 俊 （ほか２名）４代理人 住所 〒５４０ 大阪府大阪市東区域見２丁目１番６１
号６ 補正の対象 （１）明細書の「図面の簡単な説明」の欄７、補正の内
容 （１）明細書第１５頁６行目「４．簡単な図面の説明」
とあるを次の通り訂正する。
同第２の実施例を示す平面図、第３図は同第３の実施例
を示す平面図、第４図は同第４の実施例を示す平面図、
第５図は同第５の実施例を示す斜面図、第６図は同第６
の実施例を示す底面図である。 簡単な図面の説明 Ａ：誘 電 体 Ｂ：半 導 体 １ニガ ラ ス ２：間隙が網目状の前後左右断続模様状３：方形状の酸
化ジルコニウム ４：セラミック ５：長方形状の酸化アルミニウム ６：紙 ７：ガラス繊維シート ８：丸型状の酸化アルミニウム ９ニブラスチツクフイルム １０：三角および逆三角を交互に並へ縦に適数設けた酸
化ジルコニウム １１：片 面 １２：加工されたガラス繊維シート １３：渦巻状の筒 １４：上下前後左右断続模様状 １５：耐熱ガラス １６：扇形状の下部を切除せる台形の三個の突起部を有
する回転装置接続部 １７：円盤状のターンテーブル １８：放射状 １９：大小の丸型 特許出願人 株式会社システムクリエイツ特許出願人
タ テ ホ 化学工業株式会社第１図 第２図 第３図 第５図 ￥；℃図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区西神田１−３−７ｉ原ビル名称
株式会社システムクリエイツ 代表者 小 杉 傅 俊 （ほか２名）４代理人 住所 〒５４０ 大阪府大阪市東区域見２丁目１番６１
号６ 補正の対象 （１）明細書の「図面の簡単な説明」の欄７、補正の内
容 （１）明細書第１５頁６行目「４．簡単な図面の説明」
とあるを次の通り訂正する。
（２）同頁１３行目「４．簡単な図面の説明」とあるを
削除する。
削除する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガラス並びにセラミックなどの誘電体Ａに平面並び
に立体状で間隙が網目状の前後左右並びに上下前後左右
断続模様状の適宜形状の半導体Ｂを各種印刷法を用いて
付着させるなどの適宜の方法で設けることを特徴とする
誘電体を基盤とする高周波蓄電放電器。 ２ 紙並びにプラスチックフィルムなどの誘電体Ａに各
種の接着剤を塗布しその上にガラス繊維シートを重合し
たる誘電体Ａに間隙が網目状で前後左右断続模様状の適
宜形状の酸化アルミニウムなどの半導体Ｂを熔射などの
方法で接着させるなど適宜の方法で設けることを特徴と
する誘電体を基盤とする高周波蓄電放電蓋。 ３ 紙並びにガラス繊維シートなどの誘電体Ａの片面に
間隙が網目状の前後左右断続模様状に適宜形状の酸化ア
ルミニウムなどの半導体Ｂを片面に網目状に並べて各種
の印刷等で加工するなど適宜方法で設けると共にこの加
工されたガラス繊維シートなどを渦巻状の筒とし立体状
で間隙が網目状の上下前後左右断続模様状として成るこ
とを特徴とする誘電体を基盤とする高周波蓄電放電器。 ４ 耐熱ガラスなどの誘電体Ａを用いて中央部表裏面部
に適宜形状の回転装置接続部などを設けた適宜の厚さを
有する円盤状のターンテーブルの裏面に間隙が網目状の
前後左右断続模様状に大小の丸型など適宜形状の酸化ア
ルミニウムなどの半導体Ｂを熔射などの方法で接着させ
るなど適宜の方法で設けて成ることを特徴とする誘電体
を基盤とする高周波蓄電放電器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4553986A JPS6324585A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 誘電体を基盤とする高周波蓄電放電器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4553986A JPS6324585A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 誘電体を基盤とする高周波蓄電放電器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6324585A true JPS6324585A (ja) | 1988-02-01 |
Family
ID=12722177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4553986A Pending JPS6324585A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 誘電体を基盤とする高周波蓄電放電器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6324585A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5217160U (ja) * | 1975-07-22 | 1977-02-07 | ||
| JPS546154A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-18 | Teruaki Oohayashi | Heating element for absorbing microwave in electronic oven |
| US4230924A (en) * | 1978-10-12 | 1980-10-28 | General Mills, Inc. | Method and material for prepackaging food to achieve microwave browning |
| JPS6078225A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-02 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | 電子レンジを使つた高温加熱用調理具 |
-
1986
- 1986-03-03 JP JP4553986A patent/JPS6324585A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5217160U (ja) * | 1975-07-22 | 1977-02-07 | ||
| JPS546154A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-18 | Teruaki Oohayashi | Heating element for absorbing microwave in electronic oven |
| US4230924A (en) * | 1978-10-12 | 1980-10-28 | General Mills, Inc. | Method and material for prepackaging food to achieve microwave browning |
| JPS6078225A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-02 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | 電子レンジを使つた高温加熱用調理具 |
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