JPS63250125A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63250125A JPS63250125A JP62085066A JP8506687A JPS63250125A JP S63250125 A JPS63250125 A JP S63250125A JP 62085066 A JP62085066 A JP 62085066A JP 8506687 A JP8506687 A JP 8506687A JP S63250125 A JPS63250125 A JP S63250125A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- device substrate
- photosensitive resin
- substrate
- aqueous solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造における写Ｊｃ帥刻技術に
関し、特に半導体装置基板表面の感光性樹脂を、有機あ
るいは無機薬品を用いて選択的に溶解あるいは分解し、
感光性樹脂のパターンを形成する半導体装置の製造方法
〈関する。
関し、特に半導体装置基板表面の感光性樹脂を、有機あ
るいは無機薬品を用いて選択的に溶解あるいは分解し、
感光性樹脂のパターンを形成する半導体装置の製造方法
〈関する。
従来、この種の半導体装置の製造方法は、第２図に示し
た様な装置を用いまず表面に感光性樹脂のついた半導体
装置基板３を、回転可能なチェック４上に保持する。次
に半導体装置基板、中央に設けられたノズル１より有機
あるいは無機薬品を吐出し、半導体装置基板表面に表面
張力を利用して盛り上げ、半導体装置基板表面の感光性
樹脂を選択的に溶解あるいは分解する。ついで、ノズル
２より洗浄液となる有機あるいは無機薬品または純水を
吐出し、同時に、半導体装置基板を保持したままチャッ
ク３を低速で回転させ、半導体装置基板表面の有機ある
いは無機薬品を洗い流す。次に、半導体装置基板を保持
したままチャック３を高速で回転させ、半導体装置基板
を乾燥させ、半導体装置基板表面に感光性樹脂のパター
ンを形成する。となっていた。
た様な装置を用いまず表面に感光性樹脂のついた半導体
装置基板３を、回転可能なチェック４上に保持する。次
に半導体装置基板、中央に設けられたノズル１より有機
あるいは無機薬品を吐出し、半導体装置基板表面に表面
張力を利用して盛り上げ、半導体装置基板表面の感光性
樹脂を選択的に溶解あるいは分解する。ついで、ノズル
２より洗浄液となる有機あるいは無機薬品または純水を
吐出し、同時に、半導体装置基板を保持したままチャッ
ク３を低速で回転させ、半導体装置基板表面の有機ある
いは無機薬品を洗い流す。次に、半導体装置基板を保持
したままチャック３を高速で回転させ、半導体装置基板
を乾燥させ、半導体装置基板表面に感光性樹脂のパター
ンを形成する。となっていた。
上述した従来の半導体装置の製造方法では、半導体装置
基板−中央に設けたノズルから有機あるいは無機薬品を
半導体装置基板表面に滴下し、表面張力を利用して盛り
上げるとなっている為、半導体装置基板表面だ十分に有
機あるいは無機薬品を盛り上げるのにある程度の時間が
かかる。その為、最初に有機あるいは無機薬品が感光性
樹脂と接触した所（この場合、半導体装置基板中央）と
、盛り土げが完了した時点で最後に有機あるいは無機薬
品が感光性樹脂と接触した所（この場合、半導体装１ｕ
基板外Ｉ′ＮＪ）とで、感光性樹脂の選択的な溶解ある
いは分解反応の開始点に時間差が生じる事になる。又、
有機あるいは無機薬品が最初に感光性樹脂と接触し要所
（半導体装置基板中央）では、劣下のしてない新しい有
機あるいは無機薬品が次々と供給され、感光性樹脂の溶
解あるいは分解反応が促進されることになり、形成され
た感光性樹脂のパターンに横方向（線巾）および縦方向
（残膜厚）の寸法差が半導体装置基板表面内（この場合
、中央と外周）で生じるという欠点がある。
基板−中央に設けたノズルから有機あるいは無機薬品を
半導体装置基板表面に滴下し、表面張力を利用して盛り
上げるとなっている為、半導体装置基板表面だ十分に有
機あるいは無機薬品を盛り上げるのにある程度の時間が
かかる。その為、最初に有機あるいは無機薬品が感光性
樹脂と接触した所（この場合、半導体装置基板中央）と
、盛り土げが完了した時点で最後に有機あるいは無機薬
品が感光性樹脂と接触した所（この場合、半導体装１ｕ
基板外Ｉ′ＮＪ）とで、感光性樹脂の選択的な溶解ある
いは分解反応の開始点に時間差が生じる事になる。又、
有機あるいは無機薬品が最初に感光性樹脂と接触し要所
（半導体装置基板中央）では、劣下のしてない新しい有
機あるいは無機薬品が次々と供給され、感光性樹脂の溶
解あるいは分解反応が促進されることになり、形成され
た感光性樹脂のパターンに横方向（線巾）および縦方向
（残膜厚）の寸法差が半導体装置基板表面内（この場合
、中央と外周）で生じるという欠点がある。
このことは、近年の傾向といえる半導体装置基板の大口
径（〜８インチφ）にものなって顕著にあられれてくる
。
径（〜８インチφ）にものなって顕著にあられれてくる
。
本発明の半導体装置の製造方法は、表面に感光性樹脂の
ついた半導体装置基板の上方向、全面から均一に、有機
あるいは無機薬品の蒸気圧を一定にしたガスを、半導体
装置基板表面の感光性樹脂に低速で吹き付け、感光性樹
脂の溶解あるいは分解を半導体装置基板表面内で、中央
と外周および全面で同時に開始させる。
ついた半導体装置基板の上方向、全面から均一に、有機
あるいは無機薬品の蒸気圧を一定にしたガスを、半導体
装置基板表面の感光性樹脂に低速で吹き付け、感光性樹
脂の溶解あるいは分解を半導体装置基板表面内で、中央
と外周および全面で同時に開始させる。
有機あるいは無機薬品のガスの蒸気圧を一定にすること
により、有機あるいは無機薬品のガス中の、感光性樹脂
の選択的な溶解あるいは分解反応に寄与する物質の濃度
が一定になり、感光性樹脂の選択的な溶解あるいは分解
反応の速度が均一になる。
により、有機あるいは無機薬品のガス中の、感光性樹脂
の選択的な溶解あるいは分解反応に寄与する物質の濃度
が一定になり、感光性樹脂の選択的な溶解あるいは分解
反応の速度が均一になる。
次に本発明について、図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例の断面図である。
１ではアルカリ水溶液の蒸気圧が一定なガスをつくり出
し、２では半導体装置基板上のポジ型フォトレジストの
薬品処理、および半導体装置基板を回転させて乾燥する
。
し、２では半導体装置基板上のポジ型フォトレジストの
薬品処理、および半導体装置基板を回転させて乾燥する
。
まず、Ｉにおいて、三方パルプ１０１を閉じ、アルカリ
水溶液１０４にヒータ１０５で熱を超音波発振機１０７
で波動を加えることにより、ガス化させる。次にガスを
熱交換器１０２に導びき、ガスの熱交換を行ないアルカ
リ水溶液を結露させ蒸気圧を一定にする。バブラー１０
６ではＮ２等のガスによ抄圧力を加え、三方パルプ１０
１を開いた時、ガスを半導体装置基板表面に吹き付ける
。
水溶液１０４にヒータ１０５で熱を超音波発振機１０７
で波動を加えることにより、ガス化させる。次にガスを
熱交換器１０２に導びき、ガスの熱交換を行ないアルカ
リ水溶液を結露させ蒸気圧を一定にする。バブラー１０
６ではＮ２等のガスによ抄圧力を加え、三方パルプ１０
１を開いた時、ガスを半導体装置基板表面に吹き付ける
。
又、バブラー１０６でＮ２等のガスによりバブリングす
る事は、アルカリ水溶液のガス化をうながす働きもある
。配管１０９は熱交換器１０２で結露したアルカリ水溶
液を貯液タンク１０３に戻す。
る事は、アルカリ水溶液のガス化をうながす働きもある
。配管１０９は熱交換器１０２で結露したアルカリ水溶
液を貯液タンク１０３に戻す。
配管１０８は三方パルプ１０１が閉じた時のバブラー１
０６による圧力を貯液槽に戻す。
０６による圧力を貯液槽に戻す。
次に、２において表面にポジ型フォトレジストのついた
半導体装置基板２０３を、恒温装置２０８によって一定
の温度に保たれたチャック２０４上に保持し、排気パル
プ２０５および排液パルプ２０６を閉じ、ついて三方パ
ルプ１０１をひらいて、カップ２０１内のメッ７２０２
を通して均一にしたアルカリ水溶液のガスを半導体装置
基板２０３全面に吹きつけ、半導体装置基板表面のポジ
型７オトレジストを選択的に分解させる。その後、三方
パルプ１０１を閉じ、排気パルプ２０５を開き、アルカ
リ水溶液のガスを排気する。ついで、排液パルプ２０６
を開け、カップ２０２の上部を開き、純水を滴下するノ
ズル２１０を半導体装置基板上に動かし、パルプ２０９
を開け、純水をノズル２１０から滴下させる。同時に、
チャック２０４の一部が半導体装置基板２０３を保持し
たまま、上方向に動きモーター２０７により低速で回転
し半導体装！基板２０３表面を洗浄する。
半導体装置基板２０３を、恒温装置２０８によって一定
の温度に保たれたチャック２０４上に保持し、排気パル
プ２０５および排液パルプ２０６を閉じ、ついて三方パ
ルプ１０１をひらいて、カップ２０１内のメッ７２０２
を通して均一にしたアルカリ水溶液のガスを半導体装置
基板２０３全面に吹きつけ、半導体装置基板表面のポジ
型７オトレジストを選択的に分解させる。その後、三方
パルプ１０１を閉じ、排気パルプ２０５を開き、アルカ
リ水溶液のガスを排気する。ついで、排液パルプ２０６
を開け、カップ２０２の上部を開き、純水を滴下するノ
ズル２１０を半導体装置基板上に動かし、パルプ２０９
を開け、純水をノズル２１０から滴下させる。同時に、
チャック２０４の一部が半導体装置基板２０３を保持し
たまま、上方向に動きモーター２０７により低速で回転
し半導体装！基板２０３表面を洗浄する。
次に半導体装置基板２０３を保持したままチャック２０
４の一部を高速で回転させて、半導体装置基板２０３を
乾燥させ、半導体装置基板２０３表面に感光性樹脂のパ
ターンを形成する。
４の一部を高速で回転させて、半導体装置基板２０３を
乾燥させ、半導体装置基板２０３表面に感光性樹脂のパ
ターンを形成する。
以上説明したように、本発明は半導体装置基板表面の感
光性樹脂の選択的な溶解りるいは分解を、有機るるいは
無機薬品の蒸気圧が一定なガスを半導体装置基板の上方
向、全面から均一に低速で吹き付け、溶解あるいは分解
反応の開始を半導体装置基板表面内で差がなく行なわせ
る茶により、横方向および縦方向の寸法の差が半導体装
置基板表面内にでないＩハ光性樹脂のパターンを形成す
ることができる。
光性樹脂の選択的な溶解りるいは分解を、有機るるいは
無機薬品の蒸気圧が一定なガスを半導体装置基板の上方
向、全面から均一に低速で吹き付け、溶解あるいは分解
反応の開始を半導体装置基板表面内で差がなく行なわせ
る茶により、横方向および縦方向の寸法の差が半導体装
置基板表面内にでないＩハ光性樹脂のパターンを形成す
ることができる。
このことは、半導体装置基板の大口帛化（〜８インチφ
）にともなって、犬さな効果がある。
）にともなって、犬さな効果がある。
又、有機あるいは無機薬品のガスの蒸気圧を一定にする
ことにより、有機あるいは無機薬品のガス中の、感光性
樹脂の選択的な溶解および分解反応に寄与する物質の濃
度を一定にする事ができ、感光性樹脂の選択的な溶解あ
るいは分解反応の再現性を確保する壜ができる。
ことにより、有機あるいは無機薬品のガス中の、感光性
樹脂の選択的な溶解および分解反応に寄与する物質の濃
度を一定にする事ができ、感光性樹脂の選択的な溶解あ
るいは分解反応の再現性を確保する壜ができる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来技術
の一事例の断面図である。 １０１・−・・・・三方パルプ、１０２・・・・・・熱
交換器、１０３・・・・・・貯液タンク、１０４・・・
・・・有機あるいは無機薬品、１０５・・・・・・ヒー
ター、１０６・・・・・−バブラー、１０７・・・・・
・超音波発振器、１０８・・・・−・配管、１０９・・
・・・・配管、２０１・・・・・・カップ、２０２・・
・・・・メツシュ、２０３・・−・・・半導体装置基板
、２０４・・・・・・チャック、２０５・・・・・・排
気パルプ、２０６・・・・・・排液パルプ、２０７・・
・・・・モーター、２０８・・・・・・恒温装置、２０
９・・町・・・パルプ、２１０・・・・・・ノズル、１
・・・・・・ノズル、２・・・・・・ノズル、３・・−
・・・半導体装置基板、４・・・・・・チャック、５・
・・・・・モーター、６・・・・・・排気管、７・・・
・・・排液管。
の一事例の断面図である。 １０１・−・・・・三方パルプ、１０２・・・・・・熱
交換器、１０３・・・・・・貯液タンク、１０４・・・
・・・有機あるいは無機薬品、１０５・・・・・・ヒー
ター、１０６・・・・・−バブラー、１０７・・・・・
・超音波発振器、１０８・・・・−・配管、１０９・・
・・・・配管、２０１・・・・・・カップ、２０２・・
・・・・メツシュ、２０３・・−・・・半導体装置基板
、２０４・・・・・・チャック、２０５・・・・・・排
気パルプ、２０６・・・・・・排液パルプ、２０７・・
・・・・モーター、２０８・・・・・・恒温装置、２０
９・・町・・・パルプ、２１０・・・・・・ノズル、１
・・・・・・ノズル、２・・・・・・ノズル、３・・−
・・・半導体装置基板、４・・・・・・チャック、５・
・・・・・モーター、６・・・・・・排気管、７・・・
・・・排液管。
Claims (1)
- 半導体装置の製造での写真蝕刻工程において、有機ある
いは無機薬品を気化したガスを半導体装置基板の上方向
から、半導体装置基板表面の感光性樹脂に吹き付け、感
光性樹脂を選択的に溶解あるいは分解することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62085066A JPS63250125A (ja) | 1987-04-06 | 1987-04-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62085066A JPS63250125A (ja) | 1987-04-06 | 1987-04-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63250125A true JPS63250125A (ja) | 1988-10-18 |
Family
ID=13848253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62085066A Pending JPS63250125A (ja) | 1987-04-06 | 1987-04-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63250125A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0395559A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-19 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法 |
| JPH1055073A (ja) * | 1997-04-24 | 1998-02-24 | Tokyo Electron Ltd | ドライ現像装置 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5220766A (en) * | 1975-08-04 | 1977-02-16 | Texas Instruments Inc | Method of removing phtoresist layer and processing apparatus thereof |
| JPS5735323A (en) * | 1980-08-13 | 1982-02-25 | Fujitsu Ltd | Removal of photoresist film |
| JPS57191639A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-25 | Hitachi Ltd | Dry developing method and device |
| JPS57196229A (en) * | 1981-05-26 | 1982-12-02 | Horizons Research Inc | Plasma developable photosensitive composition and formation and development of image |
| JPS57202532A (en) * | 1981-06-09 | 1982-12-11 | Fujitsu Ltd | Formation of pattern |
| JPS5817443A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Hitachi Ltd | フオトレジスト現像方法および装置 |
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| JPS6236826A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-17 | Tokyo Electron Ltd | アツシング方法 |
-
1987
- 1987-04-06 JP JP62085066A patent/JPS63250125A/ja active Pending
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