JPS63250131A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63250131A JPS63250131A JP8596887A JP8596887A JPS63250131A JP S63250131 A JPS63250131 A JP S63250131A JP 8596887 A JP8596887 A JP 8596887A JP 8596887 A JP8596887 A JP 8596887A JP S63250131 A JPS63250131 A JP S63250131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- liquid
- foreign matter
- semiconductor device
- highly viscous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 46
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装ヱの製造方法に関し、特に半導体ウェ
ーハ（以下単にウェーハという）上の異物を除去する工
程を有する半導体装置の製造方法に関する。
ーハ（以下単にウェーハという）上の異物を除去する工
程を有する半導体装置の製造方法に関する。
従来、この種のウェーハ上の異物を除去する工程は、第
４図のようにステージ２にウェーハ１を乗せ、回転軸３
を回転させる。一方、タンク９より配管６を通して流出
ロアより純水をアーム５により回転しているブラシ４に
滴下させる。このようにして回転しているウェーハ１に
純水を滴下させた回転するブラシ４を押しあてることに
よりウェーハ上の異物を除去していた。
４図のようにステージ２にウェーハ１を乗せ、回転軸３
を回転させる。一方、タンク９より配管６を通して流出
ロアより純水をアーム５により回転しているブラシ４に
滴下させる。このようにして回転しているウェーハ１に
純水を滴下させた回転するブラシ４を押しあてることに
よりウェーハ上の異物を除去していた。
上述した従来の半導体装置の製造方法ではウェーハに直
接ブラシを押し付ける為、ウェーハにダメージを与えて
しまう。またブラシに付着している異物、又はブラシの
自身からの発塵等により、ウェーハ上に異物が再付着す
る可能性がある。
接ブラシを押し付ける為、ウェーハにダメージを与えて
しまう。またブラシに付着している異物、又はブラシの
自身からの発塵等により、ウェーハ上に異物が再付着す
る可能性がある。
本発明の目的は、ウェーハに機械的ダメージを与えるこ
となく、洗浄治具等からの発塵による異物の再付着をな
くし、ウェーハの異物を除去できる半導体装置の製造方
法を提供することにある。
となく、洗浄治具等からの発塵による異物の再付着をな
くし、ウェーハの異物を除去できる半導体装置の製造方
法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、粘性の大きい液体で
ウェーハ上の異物を除去する工程を含むことを特徴とし
て構成される。
ウェーハ上の異物を除去する工程を含むことを特徴とし
て構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の一実施例を説明するための模式的断面図であ
る。
は本発明の一実施例を説明するための模式的断面図であ
る。
第１図において１はウェーハ、２はウェーハを載置する
ステージ、３はステージを回転させるための回転軸、６
は粘性の液体を通す配管、７は液体を流出させるための
流出口、８は液体の流量を調整するバルブ、８は液体を
蓄えるタンク、１゜はウェーハ上の異物、１１はウェー
ハ上に塗布した粘性の液体である。
ステージ、３はステージを回転させるための回転軸、６
は粘性の液体を通す配管、７は液体を流出させるための
流出口、８は液体の流量を調整するバルブ、８は液体を
蓄えるタンク、１゜はウェーハ上の異物、１１はウェー
ハ上に塗布した粘性の液体である。
本実施例では、液体として粘度３０〜５０ｃｐの液体を
用いた例について説明する。まず、ステージ２にウェー
ハ１を乗せ、回転軸３を３０００〜４０００回転で回転
させる。その後、バルブ８を開け、タンク９に蓄えられ
ていた液体１１が配管６を通して流出ロアよりウェーハ
１上へ滴下される。滴下された液体１１は回転するウェ
ーハ１の遠心力により、ウェーハ１の上に均一に塗布さ
れる。さらに回転軸３を４０００〜５０００回転で高速
回転させ、ウェーハ１上の液体１１を振り切る。それと
ともに液体の流力でウェーハ上の異物１０をもウェーハ
１上から除去するものである。
用いた例について説明する。まず、ステージ２にウェー
ハ１を乗せ、回転軸３を３０００〜４０００回転で回転
させる。その後、バルブ８を開け、タンク９に蓄えられ
ていた液体１１が配管６を通して流出ロアよりウェーハ
１上へ滴下される。滴下された液体１１は回転するウェ
ーハ１の遠心力により、ウェーハ１の上に均一に塗布さ
れる。さらに回転軸３を４０００〜５０００回転で高速
回転させ、ウェーハ１上の液体１１を振り切る。それと
ともに液体の流力でウェーハ上の異物１０をもウェーハ
１上から除去するものである。
すなわち粘度の高い液体の異物との付着力と流力を活用
して機械的ダメージを与えずにウェーハを洗浄化できる
。
して機械的ダメージを与えずにウェーハを洗浄化できる
。
なお、回転軸３の回転数を上げてウェーハ１上の液体１
１を振り切る替りに、液体１１に水溶性の液体を用い、
ウェーハ１に塗布後、水を加えることによって液体１１
を振り切る方法を用いてもよい。
１を振り切る替りに、液体１１に水溶性の液体を用い、
ウェーハ１に塗布後、水を加えることによって液体１１
を振り切る方法を用いてもよい。
第２図は本発明の他の実施例を説明するための模式的断
面図である。第２図において、１はウェエーハ、１０は
異物、１１は液体、１２はウェーハ１を入れるキャリア
、１３は液体を入れる処理槽、５はキャリアを支えるア
ームである。液体１１が入った処理槽１３に、ウェーハ
１が入ったキャリア１２を浸し、アーム５を上下に動か
してキャリア、１２を振動させた後、キャリア１２を引
き上けることにより、ウェーハ１に付着している異物を
除去することができる。この処理槽をウェーハ１上の感
光剤を除去する剥離工程及びウェーハ１上のイオン性の
不純物等を除去する洗浄工程において感光剤の除去及び
イオン性不純物の除去と並用して用いることにより、よ
り効率的に半導体装置の製造方法を行うことが可能であ
る。
面図である。第２図において、１はウェエーハ、１０は
異物、１１は液体、１２はウェーハ１を入れるキャリア
、１３は液体を入れる処理槽、５はキャリアを支えるア
ームである。液体１１が入った処理槽１３に、ウェーハ
１が入ったキャリア１２を浸し、アーム５を上下に動か
してキャリア、１２を振動させた後、キャリア１２を引
き上けることにより、ウェーハ１に付着している異物を
除去することができる。この処理槽をウェーハ１上の感
光剤を除去する剥離工程及びウェーハ１上のイオン性の
不純物等を除去する洗浄工程において感光剤の除去及び
イオン性不純物の除去と並用して用いることにより、よ
り効率的に半導体装置の製造方法を行うことが可能であ
る。
第３図は本発明の第３の実施例を説明するための装置の
投影図である。第３図において、１はウェーハ、１０は
異物、１６はウェーハを乗せる為の台、１５は流れた液
体を集める為の液受け。
投影図である。第３図において、１はウェーハ、１０は
異物、１６はウェーハを乗せる為の台、１５は流れた液
体を集める為の液受け。
１４は液体をフィルタリングする為のフィルタ。
８は流量を調整するバルブ、６は液体が通る配管、７は
液体を流す流出口である０図のようにウェーハ１を台１
６に乗せ、配管６を通して流出ロアより液体を流出させ
る。流出された液体の流力によりウェーハ１上の異物１
０を除去することができる。除去された異物１０と使用
された液体は液受け１５で集められる。使用された液体
はフィルター１４によりフィルタリングされる為、第２
図のように除去した異物１０が再度ウェーハ１に付着す
る心配がない。
液体を流す流出口である０図のようにウェーハ１を台１
６に乗せ、配管６を通して流出ロアより液体を流出させ
る。流出された液体の流力によりウェーハ１上の異物１
０を除去することができる。除去された異物１０と使用
された液体は液受け１５で集められる。使用された液体
はフィルター１４によりフィルタリングされる為、第２
図のように除去した異物１０が再度ウェーハ１に付着す
る心配がない。
また、従来純水を高圧でウェーハ表面に噴出させてその
水圧でウェーハ上の異物を除去する方法で純水のかわり
に本発明の様に粘度の大きい液体を用いれば、さらに除
去効果が大きくなると思われる。
水圧でウェーハ上の異物を除去する方法で純水のかわり
に本発明の様に粘度の大きい液体を用いれば、さらに除
去効果が大きくなると思われる。
以上実施例で粘度の大きい液体の例として粘度を３０〜
５０ｃｐとしたが、これは３０〜５゜ｃｐ位の粘度があ
ると純水等一般的にウェーハ上の異物を除去する時に用
いる液体に比べ、大きな効果がある一つの目安であり、
また３０・〜５゜Ｃｐであると例えば液体をノズルやパ
イプ等を流すさい設備的対応も比較的容易であるがらで
ある。従って、５０ｃｐ以上の粘度の液体も設備的に対
応が可能であればより効果が上りうるということは言う
までもない。
５０ｃｐとしたが、これは３０〜５゜ｃｐ位の粘度があ
ると純水等一般的にウェーハ上の異物を除去する時に用
いる液体に比べ、大きな効果がある一つの目安であり、
また３０・〜５゜Ｃｐであると例えば液体をノズルやパ
イプ等を流すさい設備的対応も比較的容易であるがらで
ある。従って、５０ｃｐ以上の粘度の液体も設備的に対
応が可能であればより効果が上りうるということは言う
までもない。
以上説明したように、本発明は、ウェーハに粘性の大き
い液体を塗布又はウェーハを粘性の太きい液体中に浸し
、また、ウェーハ上に液体を流出させるなどにより、ウ
ェーハ上の異物を除去することにより、ウェーハに機械
的ダメージを与えずに異物を除去することができる効果
がある。
い液体を塗布又はウェーハを粘性の太きい液体中に浸し
、また、ウェーハ上に液体を流出させるなどにより、ウ
ェーハ上の異物を除去することにより、ウェーハに機械
的ダメージを与えずに異物を除去することができる効果
がある。
第１図は本発明の一実施例を説明するための装置の模式
的断面図、第２図は本発明の他の実施例を説明するため
の装置の模式的断面図、第３図は本発明の第３の実施例
を説明するための装置の投影図、第４図は従来技術を説
明するための装置の投影図である。 １・・・ウェーハ、２・・・ステージ、３・・・回転軸
、４・・・ブラシ、５・・・アーム、６・・・配管、７
・・・流出口、８・・・バルブ、９・・・タンク、１０
・・・異物、１１・・・液体、１２・・・キャリア、１
３・・・処理層、１４・・・フィルター、１５・・・液
受け５．１６・・・台。 代理人 弁理士 内 原 音と ハ゛ルグ 第３図 第１図 ′肴２図 万４図
的断面図、第２図は本発明の他の実施例を説明するため
の装置の模式的断面図、第３図は本発明の第３の実施例
を説明するための装置の投影図、第４図は従来技術を説
明するための装置の投影図である。 １・・・ウェーハ、２・・・ステージ、３・・・回転軸
、４・・・ブラシ、５・・・アーム、６・・・配管、７
・・・流出口、８・・・バルブ、９・・・タンク、１０
・・・異物、１１・・・液体、１２・・・キャリア、１
３・・・処理層、１４・・・フィルター、１５・・・液
受け５．１６・・・台。 代理人 弁理士 内 原 音と ハ゛ルグ 第３図 第１図 ′肴２図 万４図
Claims (1)
- 半導体ウェーハ上の異物を除去する工程において、ウェ
ーハ上の異物を粘性の大きい液体で除去する工程を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62085968A JPH071760B2 (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62085968A JPH071760B2 (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63250131A true JPS63250131A (ja) | 1988-10-18 |
| JPH071760B2 JPH071760B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=13873527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62085968A Expired - Lifetime JPH071760B2 (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071760B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536661A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Fujitsu Ltd | 洗浄方法 |
| JP2016219471A (ja) * | 2015-05-15 | 2016-12-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 液充填方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62177000A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-08-03 | Toshiba Corp | 砒化ガリウム結晶体の洗浄液 |
-
1987
- 1987-04-07 JP JP62085968A patent/JPH071760B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62177000A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-08-03 | Toshiba Corp | 砒化ガリウム結晶体の洗浄液 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536661A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Fujitsu Ltd | 洗浄方法 |
| JP2016219471A (ja) * | 2015-05-15 | 2016-12-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 液充填方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH071760B2 (ja) | 1995-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3972065B2 (ja) | シリコンダスト除去用ウェーハのグラインディング研磨装置 | |
| CN101437630B (zh) | 隔离的斜角边缘的清洗设备及方法 | |
| JP2581478B2 (ja) | 平面研磨装置 | |
| GB1591742A (en) | Method and apparatus for cleaning workpieces by ultrasonic energy | |
| JPS63250131A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0774137A (ja) | 基板表面のパーティクル除去方法及びその装置 | |
| JPH0248137B2 (ja) | ||
| JP2005310941A (ja) | スピンコータのカップ洗浄方法及びスピンコータ、並びに、カップ洗浄用のブラシ治具 | |
| JPH0577932U (ja) | レジスト液供給装置 | |
| JPH04283075A (ja) | サンドブラスト装置 | |
| JPH05226242A (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
| JP2004105849A (ja) | 塗布用ダイの清掃装置及び塗布装置 | |
| JPH021862A (ja) | 塗布方法 | |
| JPH0547728A (ja) | ウエーハ起立方法及び装置 | |
| JPH06120136A (ja) | 基板エッジ洗浄方法 | |
| JPS63110639A (ja) | 集積回路装置の製造方法 | |
| JPH04206725A (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法及び装置 | |
| JPH0847857A (ja) | ワーク回転式処理装置における廃液分離方法 | |
| JPS63307741A (ja) | 基板面の異物除去装置 | |
| JPS58130532A (ja) | スピンコ−ト法 | |
| JPH11162922A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04281884A (ja) | 洗浄ブラシの洗浄方法 | |
| KR19980056129A (ko) | 기판 에지 폴리싱 장치 | |
| JPS61121335A (ja) | ウエハの研削面の処理方法 | |
| JPH02271622A (ja) | 異物除去装置 |