JPS63250146A - 位置決め装置 - Google Patents

位置決め装置

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JPS63250146A
JPS63250146A JP62085065A JP8506587A JPS63250146A JP S63250146 A JPS63250146 A JP S63250146A JP 62085065 A JP62085065 A JP 62085065A JP 8506587 A JP8506587 A JP 8506587A JP S63250146 A JPS63250146 A JP S63250146A
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JP
Japan
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circuit
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Yukihiro Muraoka
村岡 幸弘
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NEC Yamagata Ltd
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NEC Yamagata Ltd
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Control Of Position Or Direction (AREA)
  • Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェーハ、マスク、レチクル等の上のパ
ターン位置・寸法測定装置及び露光装置に関するもので
、特にパターン°寸法測定機、ノくターン位置測定機、
ウエーノ・及びマスク露光装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の装置は第2図に示すように資料(ウェー
ハ、レチクル、マスク等)の上からレーザ光等を照射し
、資料又はレーザ光を横方向に定速で動かし、パターン
のエツジ部から散乱(又は回折)した光をディテクタで
検出することによりパターンの位置や寸法を決定してい
た。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前述した従来の位置決定方法では、第3図に示す球に、
半導体製造時のレジスト塗布、CVD法やスパッタ法等
による膜付等の工程を通ることによって生じるパターン
の非対称があると、第4図の16と17に示した様に左
側のエツジ部と右側のエツジ部での散乱(又は回折)光
の強度が異なる。このため、特に2つのエツジの散乱(
又は回折)光の中心−をパターン中心として検出する場
合は、16と17の合成した波形が18のように左右非
対称になることから第4図のようにスレシヨルドを決め
た場合からCの位置からCIの位置へ△Xだけずれてし
まうといったような欠点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の偶数次高調波除去型高精度位置決め装置はディ
テクタにより検出されたパターン信号から偶数次高調波
を除去するために、電気的偶数次高調波除去回路又は数
学的偶数次高調波除去演算プログラムのいずれか又は両
方を有している。
〔実施例〕
次例、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は電気的フィルターを使って第2高調波を除去す
る場合のブロックダイヤグラム例である。
この場合パターンエツジからの散乱(又は回折)光はレ
ーザが同じところを何度もスキャンすることにより繰り
返し何回も得られることを前提としている。ディテクタ
5に入った散乱(又は回折)光は6のAGC付プリアン
プで一定レベルまで増幅される。増幅された信号から、
80基本波げ)抽出回路で、通常一番振幅の大きな基本
波(f)を取り出し、9のデジタル化回路で基本波(f
)をデジタル化する。これを10の2倍周波数発生回路
を通して2倍の周波数(2f)を発生させ、11のF/
Vコンバータで周波数に対応した直流電圧に変換する。
すると70B、E、Fは2倍の周波数だけα汀する動作
となり、12の同期検波回路で検出した出力が13のコ
ンパレータで設定した以下の電圧になると14のアナグ
ロSWがONL、15の信号処理回路に第2高調波のな
い信号が送りこまれる訳である。
次になぜ第2高調波が除去されると波形が左右対称にな
るかを図を使って説明する。まず19の基本波力4Vp
−p 120 (Dm 2 高調波力2V p−p21
の第3高調波がIVp−p混在し第5図の様になってい
たとする。この場合の横軸は時間(座標)であるが、オ
ッシロスコープ等で波形を見るとこれらを合成した形と
なり、第6図の22の様に見える。これは去りもなおさ
ず第4図の8で示した合成波形の右山がさらに下がった
状態に相当する。
そこでこの信号をスペクトラムアナライザ等で周波数ド
メインに7−リエ変換して得られる結果を示したのが第
7図である。第7図から第2高調波を第8図の特性を持
つB、 E、 F (バンド・エリミネーション・フィ
ルタ)でカットすると、第9図に示すように基本波の他
には第3高調波のみ存在することになる。これを第5図
の様に示すと第10図とな抄、オッシロスコープ等で波
形を見れば第11図23の太実線のようになり、左右対
称になっていることが確認できる。
信号波形が左右対称になれば第4図で示した△Xのシフ
トがなくなり、位置決め等が正確にできる様になる訳で
ある。
又、第1図は第2高調波の周波数がパターンの幅が変っ
てもある程度追従するようになっているが、単純な位置
決めで第2高調波の周波数が一定している場合は、一点
鎖線の範囲を省略することもできる。
〔実施例2〕 本発明を実施する第2の方法は数学的に偶数次高調波を
除去する方法である。コンピュータやシグナルプロセッ
サを使えば三角関数の周期性を利用して高速フーリエ変
換(FFT)が可能であるが、これを使えば一度入力波
形を短かいサンプリング時間で取り込んで高速フーリエ
変換し、偶数次の信号をカットした後、再度逆変換して
波形を合成すれば、第11図に示した様な波形を得るこ
とができる。この実施例では、このため信号のデジタル
サンプリング回路をコンビエータやシングルプロセッサ
に付加するだけでよく、ハードウェアが簡単というメリ
ットがある。
〔発明の幼果〕
以上説明したように本発明は検出信号から偶数次高調波
を除去することにより、検出信号波形を対称にしている
ため第12図に示すように、どのようなスライスレベル
(スレショルドレベル)で処理しても検出位置が変らず
、第4図で示した△Xも発生しないという効果がある。
又、第12図に示した様π高スライスレベルでも検出位
置がずれないため中スライスレベル程度のノイズ分が存
在してもよく、耐ノイズ性があるという効果もあわせて
持っている。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施回路のブロックダイア、第2図は
第1図のレーザ照射及び検出部、第3図は第2図の2の
パターンエツジ部拡大図(非対称)、第4図は第4図の
パターンをスキャンして得られる信号波形、第5図は基
本波及び第2.第3高調波混在図、第6図は第5図の合
成波形と基本波、第7図は第5図(第6図)の信号波形
のスペクトル分解図、第8図は第2(偶数次)高調波除
去フィルターの周波数特性、第9図は第2高調波除去後
のスペクトル図、第10図は第9図のスペクトル図の波
の混在図、第11図は第10図の合成波形と基本波、第
12図は第11図の合成波形に対するスライスレベルの
影響を表わしたものである。 1・・・・・・レーザービーム、I+・・・・・・散乱
又は回折光、2・・・・・・被測定パターン又は位置め
パターン、3・・・・・・資料、4・・・・・−スキャ
ン式レーザービーム発生器、5・・・・・・散乱又は回
折光検出用ディテクタ、6・・・・・・AGC(Aut
o Ga1n Control)付プリアンプ、7・・
・・・・電圧同調型B、 B、 F (Band 、g
limination、Filter)、8・・・・・
・基本波抽出回路、9・・・・・・波形整形(ディジタ
ル化)回路、10・・・・・−第2高調波発生回路、1
1・・・・・・周波数、/電圧(F/V )変換器、1
2・・・・・・同期検波器、13・・・・・・コンパレ
ータ、14・・・・・・アナログスイッチ、15・・・
・・・従来からあった信号処理回路、16・・・・・・
左側エツジからの散乱(又は回折)光の信号出力、17
・・・・・・右側エツジからの散乱(又は回折)光の信
号出力、18・・・・・・2つの散乱(又は回折)光の
合成信号波形、19・・・・・・基本波、(4VP−P
)、20・・・・・・第2高調波(2VP−P)、21
− =[E 3 高調波(I V p−p )、22・
・・−・・第5図の3つの波の合成波形、23・・・・
・・第10図の2つの波の合成波形。 く   め 第2図 第3図 男4図 〒7図 第8図 第7図 来10図 +’+ 第11図 電 圧 (V C′ 第12図 手続補正書(自発)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体製造用ウェーハ、マスク、レチクル等の上に刻ま
    れたパターンの位置・寸法測定及び位置決めにおいて、
    検出信号の高周波を取りのぞくことにより信号波を線対
    称化して測定及び位置決めすることを特徴とする位置決
    め装置。
JP62085065A 1987-04-06 1987-04-06 位置決め装置 Expired - Fee Related JPH07120697B2 (ja)

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JP62085065A JPH07120697B2 (ja) 1987-04-06 1987-04-06 位置決め装置

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JPS63250146A true JPS63250146A (ja) 1988-10-18
JPH07120697B2 JPH07120697B2 (ja) 1995-12-20

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02302056A (ja) * 1989-05-17 1990-12-14 Hitachi Ltd 薄膜パターンのアライメント方法
JP2012049171A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Canon Inc マーク位置の計測方法及び算出方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02302056A (ja) * 1989-05-17 1990-12-14 Hitachi Ltd 薄膜パターンのアライメント方法
JP2012049171A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Canon Inc マーク位置の計測方法及び算出方法

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