JPS63250560A - 弾性波による液体中物質検出センサ - Google Patents
弾性波による液体中物質検出センサInfo
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- JPS63250560A JPS63250560A JP8613687A JP8613687A JPS63250560A JP S63250560 A JPS63250560 A JP S63250560A JP 8613687 A JP8613687 A JP 8613687A JP 8613687 A JP8613687 A JP 8613687A JP S63250560 A JPS63250560 A JP S63250560A
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- substrate
- liquid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は漏れ弾性表面波を利用して液体中に椿花する物
質を検出するセンサに関する。
質を検出するセンサに関する。
従来、弾性波を利用した液体中物質検出センサは、例え
ば水晶振動子により励起され、固体中を伝搬するバルク
波（Ｂｕｌｋ ｗａｖｅ）を利用したセンサであった。
ば水晶振動子により励起され、固体中を伝搬するバルク
波（Ｂｕｌｋ ｗａｖｅ）を利用したセンサであった。
その−例を第４図により説明する。同図においてｌはＡ
Ｔカット水晶振動子、２は周波数カウンタ、３は特定の
物質を吸着する材料の薄膜であるレセプタ、４は発振回
路、５１と５２は水晶振動子ｌの表面と裏面の入力電極
（不図示）に夫々接続された入力リード、６！と６２は
同じ〈水晶振動子１の表面と裏面の出力電極（不図示）
に夫々接続された出力リードである。７は被検液体、８
はビー力である。この構成で発振回路４から入力リード
５１・５２を通じて水晶振動子１の厚み方向に交流が印
加されると水晶振動子１が振動する。
Ｔカット水晶振動子、２は周波数カウンタ、３は特定の
物質を吸着する材料の薄膜であるレセプタ、４は発振回
路、５１と５２は水晶振動子ｌの表面と裏面の入力電極
（不図示）に夫々接続された入力リード、６！と６２は
同じ〈水晶振動子１の表面と裏面の出力電極（不図示）
に夫々接続された出力リードである。７は被検液体、８
はビー力である。この構成で発振回路４から入力リード
５１・５２を通じて水晶振動子１の厚み方向に交流が印
加されると水晶振動子１が振動する。
そのバルク波が水晶振動子ｌを伝搬すると、水晶振動子
ｌの厚み方向に電位差が生じ、出カリードロ１・６２を
通じて交流が発振回路４に出力される。共振周波数によ
りこの閉ループが繰り返される。
ｌの厚み方向に電位差が生じ、出カリードロ１・６２を
通じて交流が発振回路４に出力される。共振周波数によ
りこの閉ループが繰り返される。
ここで、被検液体７中に含まれる特定物質が水晶振動子
ｌの表面上のレセプタ３により吸着されると、レセプタ
３の質量が増加する。そのため水晶振動子ｌの表面部分
の質量増加により共振同波数は下がる。もとの共振周波
数をｆｏ、賀１４に増加後の共振同波数低下量をΔｆ、
レセプタ３の質量増加量をΔＭ、その面積をＡ、単位面
積当りの質量増加量をΔｍとすると、 なる関係が成り立つ、ａは比例定数である。
ｌの表面上のレセプタ３により吸着されると、レセプタ
３の質量が増加する。そのため水晶振動子ｌの表面部分
の質量増加により共振同波数は下がる。もとの共振周波
数をｆｏ、賀１４に増加後の共振同波数低下量をΔｆ、
レセプタ３の質量増加量をΔＭ、その面積をＡ、単位面
積当りの質量増加量をΔｍとすると、 なる関係が成り立つ、ａは比例定数である。
したがって周波数カウンタ２に共振周波数の変化が現わ
れると、レセプタ３に特定物質が吸着されたことが分り
、被検液体７中にその特定物質が存在することを確認で
きる。また周波数カウンタ２にて共振周波数低下量Δｆ
をカウントすれば、上記（１）式により特定物質の量を
算出できる。
れると、レセプタ３に特定物質が吸着されたことが分り
、被検液体７中にその特定物質が存在することを確認で
きる。また周波数カウンタ２にて共振周波数低下量Δｆ
をカウントすれば、上記（１）式により特定物質の量を
算出できる。
例えば被検液体７中の検出すべき物質が有機物の場合、
該有機物と特異的に結合する物質を薄膜状に固定化して
レセプタ３とする０例えば免疫センサとして抗原を検出
するためには抗体を固定化し、抗体を検出する場合は抗
原を固定化する。一般にレセプタ３はタンパク質を使う
場合が多い。
該有機物と特異的に結合する物質を薄膜状に固定化して
レセプタ３とする０例えば免疫センサとして抗原を検出
するためには抗体を固定化し、抗体を検出する場合は抗
原を固定化する。一般にレセプタ３はタンパク質を使う
場合が多い。
上記した従来のバルク波を利用した液体中物質検出セン
サでは、検出感度を高める方法として、（１）式から以
下の方法が考えられる。その方法は、ａの値が大きな振
動子材料を選択する、共振周波数Δｆを高くする。単位
面積当りの質量増加量Δｍを高くする、の３通りである
。
サでは、検出感度を高める方法として、（１）式から以
下の方法が考えられる。その方法は、ａの値が大きな振
動子材料を選択する、共振周波数Δｆを高くする。単位
面積当りの質量増加量Δｍを高くする、の３通りである
。
しかし、温度安定性をはじめとする諸々の要素を考える
と、ａの値が大きな振動子材料は選択し難く、比較的小
ざな値の材料が採用されているのが実状である６次に共
振周波数Δｆは、振動子の圧電材料である水晶の機械的
な加工により決るため、あまり高くできず１通常１００
ＭＨ２以下である。
と、ａの値が大きな振動子材料は選択し難く、比較的小
ざな値の材料が採用されているのが実状である６次に共
振周波数Δｆは、振動子の圧電材料である水晶の機械的
な加工により決るため、あまり高くできず１通常１００
ＭＨ２以下である。
また単位面積当りの質量増加量Δｍを高くしようとして
も、特定物質を吸着する材料の種類はあまり多くなく、
レセプタとして選択できる材料は限られているため、単
位面積当りの質量増加量６口を高くすることは困難であ
る。これらの条件により、従来のバルク波を利用した液
体中物質検出センサは、検出感度に限界があり、実用上
十分とは言えないという欠点があった。
も、特定物質を吸着する材料の種類はあまり多くなく、
レセプタとして選択できる材料は限られているため、単
位面積当りの質量増加量６口を高くすることは困難であ
る。これらの条件により、従来のバルク波を利用した液
体中物質検出センサは、検出感度に限界があり、実用上
十分とは言えないという欠点があった。
本発明は、上記欠点を除去するためになされたもので、
弾性波を利用し液体中の特定物質を極めて感度良く検出
するセンサを提供するものである。
弾性波を利用し液体中の特定物質を極めて感度良く検出
するセンサを提供するものである。
上記問題点を解決するためになされた本発明の弾性波に
よる液体中物質検出センサを、実施例に対応する第１図
により説明する。同図に示すように本発明の弾性波によ
る液体中物質検出センサは、漏れ弾性表面波が発生する
圧電体材料およびカット面からなる基板１０の同一表面
上に、交流電圧を印加する対電極１１１ ・１１２ と
交流電圧を発生する対電極１２１４１２２ とを設けで
ある。そして、その両方の対電極Ｉｌｌ ・１１２
と対電極１２． ・１２２ との中間部分に特定物質
を吸着する層３を設けである。
よる液体中物質検出センサを、実施例に対応する第１図
により説明する。同図に示すように本発明の弾性波によ
る液体中物質検出センサは、漏れ弾性表面波が発生する
圧電体材料およびカット面からなる基板１０の同一表面
上に、交流電圧を印加する対電極１１１ ・１１２ と
交流電圧を発生する対電極１２１４１２２ とを設けで
ある。そして、その両方の対電極Ｉｌｌ ・１１２
と対電極１２． ・１２２ との中間部分に特定物質
を吸着する層３を設けである。
対電極１１１６１１２は基板１０同一表面に形成される
もので、例えばくし型電極である。対電極１２． ・
１２２も同一表面に形成され、対電極１１、 ・１１
２ と同一形状であることが好ましい、基板ｌＯは、対
電極１１． ・１１２により交流電圧が印加されて漏
れ弾性表面波が励振され、かつ、少ない伝搬ロスで伝搬
される圧電体材料およびカット面が選ばれる。このよう
な圧電体材料として、例えばＬ １Ｎｂ０３基板、Ｌｉ
ＴａＯ３基板、水晶が好ましい、カット面角度は１例え
ば３６°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ３基板でＸ方向伝搬するよ
うにする。
もので、例えばくし型電極である。対電極１２． ・
１２２も同一表面に形成され、対電極１１、 ・１１
２ と同一形状であることが好ましい、基板ｌＯは、対
電極１１． ・１１２により交流電圧が印加されて漏
れ弾性表面波が励振され、かつ、少ない伝搬ロスで伝搬
される圧電体材料およびカット面が選ばれる。このよう
な圧電体材料として、例えばＬ １Ｎｂ０３基板、Ｌｉ
ＴａＯ３基板、水晶が好ましい、カット面角度は１例え
ば３６°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ３基板でＸ方向伝搬するよ
うにする。
本発明の検出センサは、対電極１１１ ・１１２から基
板１０に交流電圧を印加すると、基板１０により伝搬損
失の少ない漏れ弾性表面波が励振され、基板ｌＯの表面
を伝搬する。
板１０に交流電圧を印加すると、基板１０により伝搬損
失の少ない漏れ弾性表面波が励振され、基板ｌＯの表面
を伝搬する。
漏れ弾性表面波は、圧電体材料中にそのエネルギのいく
らかを放射しながら伝搬する波である。
らかを放射しながら伝搬する波である。
しかし、その圧電体中へのエネルギー放射量が著しく少
ない場谷が存在する０例えば気体もしくは真空に接する
３８°回転Ｙ板ＬｉＴａ０：＋基板のＸ方向伝搬では、
１波長当りり、Ｓ Ｘ １Ｏ−４ｄＢ （電気的に短絡
時） 、３．８ Ｘ １Ｏ−５ｄＢ （電気的に開放時
）である。
ない場谷が存在する０例えば気体もしくは真空に接する
３８°回転Ｙ板ＬｉＴａ０：＋基板のＸ方向伝搬では、
１波長当りり、Ｓ Ｘ １Ｏ−４ｄＢ （電気的に短絡
時） 、３．８ Ｘ １Ｏ−５ｄＢ （電気的に開放時
）である。
このように漏れ弾性表面波は、基板表面垂直方向の振動
変位が充分小さい、上記３６°回転Ｙ板Ｌ １Ｔａ０３
基板の場合、基板表面垂直方向の振動変位は、水平方向
に比べ１１１０以下である。基板表面垂直方向の振動は
、その基板を液体に接した場合液体中へのエネルギ放射
に寄与するため、少ない方が好ましい、上記により励振
され伝搬する漏れ弾性表面波は、基板表面垂直方向の振
動変位が小さいため、液体中へのエネルギ放射が少なく
、液体中での伝搬ロスが少ない。
変位が充分小さい、上記３６°回転Ｙ板Ｌ １Ｔａ０３
基板の場合、基板表面垂直方向の振動変位は、水平方向
に比べ１１１０以下である。基板表面垂直方向の振動は
、その基板を液体に接した場合液体中へのエネルギ放射
に寄与するため、少ない方が好ましい、上記により励振
され伝搬する漏れ弾性表面波は、基板表面垂直方向の振
動変位が小さいため、液体中へのエネルギ放射が少なく
、液体中での伝搬ロスが少ない。
Ｌ １Ｎｂ０３基板、 ＬｉＴａＯ３基板、水晶等の圧
電体材料に、くシ型電極等により交流電圧が印加される
弾性表面波には、上記の漏れ弾性表面波の他に、レイリ
イ波モードの表面波が存在する。レイリイ波モードの表
面波とは、伝搬方向の変位と表面直交方向の変位との合
成波であり１弾性表面波フィルタや弾性表面波共振子と
して広く一般的に利用されている。レイリイ波モードの
表面波は、気体中もしくは真空中で利用され、液体中で
は伝搬に伴ないそのエネルギの大部分を液体中に放射し
、著しい伝搬ロスがある０例えば弾性表面波フィルタや
弾性表面波共振子としてよく利用される １２８゜回転
Ｙ板ＬｉＮｂＯ３基板のＸ方向伝搬では、１波長当り０
．９９ｄＢ （表面を電気的に短絡した場合） 、 ０
．８４ｄＢ（表面を電気的に開放した場合）という大き
な値となる。
電体材料に、くシ型電極等により交流電圧が印加される
弾性表面波には、上記の漏れ弾性表面波の他に、レイリ
イ波モードの表面波が存在する。レイリイ波モードの表
面波とは、伝搬方向の変位と表面直交方向の変位との合
成波であり１弾性表面波フィルタや弾性表面波共振子と
して広く一般的に利用されている。レイリイ波モードの
表面波は、気体中もしくは真空中で利用され、液体中で
は伝搬に伴ないそのエネルギの大部分を液体中に放射し
、著しい伝搬ロスがある０例えば弾性表面波フィルタや
弾性表面波共振子としてよく利用される １２８゜回転
Ｙ板ＬｉＮｂＯ３基板のＸ方向伝搬では、１波長当り０
．９９ｄＢ （表面を電気的に短絡した場合） 、 ０
．８４ｄＢ（表面を電気的に開放した場合）という大き
な値となる。
上記の比較により液体中では、漏れ弾性表面波の方がレ
イリイ波モードの表面波より伝搬損失の面で優れている
ことが分る。
イリイ波モードの表面波より伝搬損失の面で優れている
ことが分る。
対電極ｆｉｚ ・１１２の入力交流により励振された
漏れ弾性表面波は、特定物質が吸着される層３上を伝搬
し、対電極１２１ ・１２２により出力交流になる。入
力交流と出力交流の位相差は、基板ｌＯの表面を漏れ弾
性表面波が伝搬することによる遅延である。したがって
伝搬時間が変化すれば、位相差も変化する０層３上に特
定物質が吸着されると、２Ｓ；板ｌＯの表面部の質量が
変化し、漏れ弾性表面波の伝搬速度が変化する。この位
相変化量を測定することにより、特定物質の検出が可能
となる。
漏れ弾性表面波は、特定物質が吸着される層３上を伝搬
し、対電極１２１ ・１２２により出力交流になる。入
力交流と出力交流の位相差は、基板ｌＯの表面を漏れ弾
性表面波が伝搬することによる遅延である。したがって
伝搬時間が変化すれば、位相差も変化する０層３上に特
定物質が吸着されると、２Ｓ；板ｌＯの表面部の質量が
変化し、漏れ弾性表面波の伝搬速度が変化する。この位
相変化量を測定することにより、特定物質の検出が可能
となる。
位相変化量をΔφ、入力交流の周波数をｆｌ、漏れ弾性
表面波の伝搬速度をＶ、伝搬速度の変化量をΔＶとする
と、 （ｂは定数） の関係が成立つ、また、伝搬速度の変化量ΔＶは、漏れ
弾性表面波伝搬速度に関する摂動法による計算により、 ΔＶ 。
表面波の伝搬速度をＶ、伝搬速度の変化量をΔＶとする
と、 （ｂは定数） の関係が成立つ、また、伝搬速度の変化量ΔＶは、漏れ
弾性表面波伝搬速度に関する摂動法による計算により、 ΔＶ 。
□〒ｃｆビΔｍ・・・・・ （４）
（Ｃは定数）
の関係が成り立つ、ゆえに、
Δφ＝ｂｃｆ＋２＊Δｍ＝−−− （２）となる。
この（２）式は、従来の構成による場合の算出式（１）
と比較し、同型の式となっている。ａとｂｃの値は、基
板１０を構成する圧電材料の種類によって特有の値とな
るが、はぼ同程度である。
と比較し、同型の式となっている。ａとｂｃの値は、基
板１０を構成する圧電材料の種類によって特有の値とな
るが、はぼ同程度である。
入力交流の周波数ｆ１は、対電極１１１１ｅｌ１２と１
２＋ ・１２２の形状により適宜決定される。
２＋ ・１２２の形状により適宜決定される。
対電極１１１ ・１１２ と１２１＠１２２の形状が
、例えばくし型電極の場合、現在、周波数ｆ１が数ＧＨ
Ｉ まで実施可能である。この周波数ｆ１は従来の構成
の場合の共振周波数をｆＯと比べ、十分高く出来る。
、例えばくし型電極の場合、現在、周波数ｆ１が数ＧＨ
Ｉ まで実施可能である。この周波数ｆ１は従来の構成
の場合の共振周波数をｆＯと比べ、十分高く出来る。
以下、本発明の実施例を図面により詳細に説明する。
第１図は本発明を適用する弾性波による液体中物質検出
センサを使用した検出装置の実施例である。
センサを使用した検出装置の実施例である。
同図の構成中１０は圧電基板、１１１６１１２は交流電
圧入力用くし型電極、１２１０１２２は交流電圧出力用
くし型電極、３は特定物質を吸着する材料薄膜からなる
レセプタで、以上により本発明の検出ヤンサが構成され
る。１５は発振器。
圧入力用くし型電極、１２１０１２２は交流電圧出力用
くし型電極、３は特定物質を吸着する材料薄膜からなる
レセプタで、以上により本発明の検出ヤンサが構成され
る。１５は発振器。
１６は位相比較、器である。
発振器１５で作られた入力信号は、入力用くし型電極１
１１ ＠１１２により圧電基板１０上に漏れ弾性表面
波を励振する。漏れ弾性表面波は、基板ｌＯ、レセプタ
３を伝搬し、出力用くし型電極１２１ ・１２２によ
り電気信号に変換される。この出力信号は、位相比較器
１６にて発振器１５で作られた入力信号と比較される。
１１ ＠１１２により圧電基板１０上に漏れ弾性表面
波を励振する。漏れ弾性表面波は、基板ｌＯ、レセプタ
３を伝搬し、出力用くし型電極１２１ ・１２２によ
り電気信号に変換される。この出力信号は、位相比較器
１６にて発振器１５で作られた入力信号と比較される。
これら２信号の位相差は、入力用くし型電極１１１”ｌ
１２ と出力用くし型電極１２１６１２２の間の漏れ弾
性表面波の伝搬遅延時間である。被検液体７中の特定物
質がレセプタ３に吸着されると、漏れ弾性表面波の伝搬
速度が変化し、位相比較器１６で位相変化量が測定でき
、特定物質の検出が可能となる。
１２ と出力用くし型電極１２１６１２２の間の漏れ弾
性表面波の伝搬遅延時間である。被検液体７中の特定物
質がレセプタ３に吸着されると、漏れ弾性表面波の伝搬
速度が変化し、位相比較器１６で位相変化量が測定でき
、特定物質の検出が可能となる。
第２図は本発明を適用する弾性波による液体中物質検出
センサを使用した検出装置の別な実施例である。
センサを使用した検出装置の別な実施例である。
レセプタ３、圧電基板１０、交流電圧入力用くし型電極
１１＋”ｌ１２．交流電圧出力用くし型電極１２１ ・
１２２からなる本発明の検出センサは第１図に示す実施
例と同一であり、検出のための回路部分が相違する０回
路部分は１９が増幅器、２０が移相器、２１が周波数カ
ウンタである。入力用くし型電極１１１ ・１１２ に
加えられる電気信号は、漏れ弾性表面波に変換され、レ
セプタ３上を伝搬し、出力用くし型電極１２１ ・１
２２にて再び電気信号に変換される。この電気信号は、
移相器２０を経て増幅器１９にて増幅され、入力用くし
型電極Ｉｌｌ ・１１２ に加えられる。このループ
で一周分の位相差φａ１１ と増幅器１９の増幅率Ｇお
よびループ内における他の損失Ｉとの間に次の関係が成
り立つ時、漏れ弾性表面波発振として発振する。
１１＋”ｌ１２．交流電圧出力用くし型電極１２１ ・
１２２からなる本発明の検出センサは第１図に示す実施
例と同一であり、検出のための回路部分が相違する０回
路部分は１９が増幅器、２０が移相器、２１が周波数カ
ウンタである。入力用くし型電極１１１ ・１１２ に
加えられる電気信号は、漏れ弾性表面波に変換され、レ
セプタ３上を伝搬し、出力用くし型電極１２１ ・１
２２にて再び電気信号に変換される。この電気信号は、
移相器２０を経て増幅器１９にて増幅され、入力用くし
型電極Ｉｌｌ ・１１２ に加えられる。このループ
で一周分の位相差φａ１１ と増幅器１９の増幅率Ｇお
よびループ内における他の損失Ｉとの間に次の関係が成
り立つ時、漏れ弾性表面波発振として発振する。
φａ＋＋＝２ｎπ （ｎは整数）
Ｇ＞Ｉ
この発振周波数は、周波数カウンタ２１によりカウント
される。被検液体７中の特定物質がレセプタ３に吸着さ
れると質量が増加し、漏れ弾性表面波の伝搬速度が変化
する。この位相差Δφは、第１図の実施例の場合と同様
、 Δ Ｖ Δφ＝ｂ’ｆ２− ■ となり、ΔＶ／Ｖは次式により表現される。
される。被検液体７中の特定物質がレセプタ３に吸着さ
れると質量が増加し、漏れ弾性表面波の伝搬速度が変化
する。この位相差Δφは、第１図の実施例の場合と同様
、 Δ Ｖ Δφ＝ｂ’ｆ２− ■ となり、ΔＶ／Ｖは次式により表現される。
Δ Ｖ
−＝ ｃ ’ ｆ ２Δｍ
ｂ“およびＣｏは定数、ｆ２は発振周波数、である、ま
た、入力用くし型電極１１１６１１２ と出力用くし型
電極１２１ ・１２２との間の位相は。
た、入力用くし型電極１１１６１１２ と出力用くし型
電極１２１ ・１２２との間の位相は。
周波数に対してほぼ直線位相となるため、Δｆ、Δφ
ｆ２ °φ
Δｆ：ｂ’ｃ’ｆ２Δｍ、、、、、（５）と表現出来る
６発振周波数ｆ２は数ＧＨ２まで発振可能であり、液体
中の特定物質を高感度で検出できる。
６発振周波数ｆ２は数ＧＨ２まで発振可能であり、液体
中の特定物質を高感度で検出できる。
第３図は本発明を適用する弾性波による液体中物質検出
センサを使用した検出装置の別な実施例である。同図の
２２１・２２２は入力用くし型電極、２３１・２３２は
出力用くし型電極、２４は増幅器、２５は移相器である
。入力用電極２２１・２２２、出力用電極２３１・２３
２、増幅器２４、移相器２５により閉ループを構成し、
発振器とする。
センサを使用した検出装置の別な実施例である。同図の
２２１・２２２は入力用くし型電極、２３１・２３２は
出力用くし型電極、２４は増幅器、２５は移相器である
。入力用電極２２１・２２２、出力用電極２３１・２３
２、増幅器２４、移相器２５により閉ループを構成し、
発振器とする。
この信号を参照信号として周波数カウンタ２１に入力す
る。入力用電極１１＋・１１２、出力用電極１２＋・１
２２、増幅器１９、移相器２０により構成される閉ルー
プ差は、レセプタ３の有無のみとなる。したがって基板
１０の温度変化等による周波数変化は、参照信号の周波
数も変化させ、特定物質のレセプタ３への吸着のみを検
出できる。
る。入力用電極１１＋・１１２、出力用電極１２＋・１
２２、増幅器１９、移相器２０により構成される閉ルー
プ差は、レセプタ３の有無のみとなる。したがって基板
１０の温度変化等による周波数変化は、参照信号の周波
数も変化させ、特定物質のレセプタ３への吸着のみを検
出できる。
以上説明したように、本発明の弾性波による液体中物質
検出センサは、漏れ弾性表面波を利用したもので、被検
液体中の特定物質を検出する感度を著しく向上させると
いう利点がある。
検出センサは、漏れ弾性表面波を利用したもので、被検
液体中の特定物質を検出する感度を著しく向上させると
いう利点がある。
第１図は本発明を適用する検出センサを使用した装置の
実施例のブロック回路図、第２図は同じく本発明を適用
する検出センサを使用した装置の別な実施例のブロック
回路図、第３図は同じく別な実施例のブロック回路図、
第４図は従来の検出センサを使用した装置の実施例のブ
ロック回路図である。 １３６．水晶振動子
実施例のブロック回路図、第２図は同じく本発明を適用
する検出センサを使用した装置の別な実施例のブロック
回路図、第３図は同じく別な実施例のブロック回路図、
第４図は従来の検出センサを使用した装置の実施例のブ
ロック回路図である。 １３６．水晶振動子
Claims (1)
- １、漏れ弾性表面波が発生する圧電体材料およびカット
面からなる基板の同一表面上に、交流電圧を印加する対
電極と交流電圧を発生する対電極とを設け、その両方の
対電極の中間部分に特定物質を吸着する層を設けたこと
を特徴とする弾性波による液体中物質検出センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8613687A JPS63250560A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 弾性波による液体中物質検出センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8613687A JPS63250560A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 弾性波による液体中物質検出センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63250560A true JPS63250560A (ja) | 1988-10-18 |
Family
ID=13878301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8613687A Pending JPS63250560A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 弾性波による液体中物質検出センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63250560A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7389673B2 (en) | 2004-09-10 | 2008-06-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Sensor for detecting analyte in liquid and device for detecting analyte in liquid using the same |
| US7437907B2 (en) | 2004-09-10 | 2008-10-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Sensor for detecting substance in liquid and apparatus for detecting substance in liquid using the same |
| US7656070B2 (en) | 2005-04-06 | 2010-02-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface wave sensor apparatus |
| JP2010114880A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 表面弾性波素子、表面弾性波装置、及びこれらの製造方法 |
-
1987
- 1987-04-08 JP JP8613687A patent/JPS63250560A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7389673B2 (en) | 2004-09-10 | 2008-06-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Sensor for detecting analyte in liquid and device for detecting analyte in liquid using the same |
| US7437907B2 (en) | 2004-09-10 | 2008-10-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Sensor for detecting substance in liquid and apparatus for detecting substance in liquid using the same |
| US7656070B2 (en) | 2005-04-06 | 2010-02-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface wave sensor apparatus |
| JP2010114880A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 表面弾性波素子、表面弾性波装置、及びこれらの製造方法 |
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