JPS63254736A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS63254736A JPS63254736A JP62089540A JP8954087A JPS63254736A JP S63254736 A JPS63254736 A JP S63254736A JP 62089540 A JP62089540 A JP 62089540A JP 8954087 A JP8954087 A JP 8954087A JP S63254736 A JPS63254736 A JP S63254736A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- thin film
- pigment
- film
- peripheral circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、受光動作に関与する機能部を備えた光半導体
装置に関する。
装置に関する。
従来の技術
単一チップ上に受光領域とその受光信号を処理するため
の周辺回路部とを有する光半導体装置に光が照射された
場合、受光領域だけでなく、その周辺回路部にも光が照
射される場合がある。周辺回路部に光が照射されると、
回路部のリーク電流が増加したり、誤動作をすることが
ある。この対策として、周辺回路部上に表面保護膜を介
して遮光用の金属膜を積層することが提案されている。
の周辺回路部とを有する光半導体装置に光が照射された
場合、受光領域だけでなく、その周辺回路部にも光が照
射される場合がある。周辺回路部に光が照射されると、
回路部のリーク電流が増加したり、誤動作をすることが
ある。この対策として、周辺回路部上に表面保護膜を介
して遮光用の金属膜を積層することが提案されている。
第３図にその断面図の一例を示す。受光領域１と周辺回
路部２からなる光半導体装置３において、金属配線１３
の上に表面保護膜１２を介して遮光用金属膜１６を積層
している。
路部２からなる光半導体装置３において、金属配線１３
の上に表面保護膜１２を介して遮光用金属膜１６を積層
している。
発明が解決しようとする問題点
このように、金属配線の上に遮光用金属膜を形成すると
、製造工程が複雑化すると共に、浮遊容量が生じて微小
電流の増幅が高速応答を必要とする回路部などに影響を
もたらし、回路の動作特性が低下することがあった。
、製造工程が複雑化すると共に、浮遊容量が生じて微小
電流の増幅が高速応答を必要とする回路部などに影響を
もたらし、回路の動作特性が低下することがあった。
本発明は、集積化受光素子の製造工程を複雑化すること
な（、また浮遊容量が発生しないように周辺回路部の遮
光を行なうことを目的とする。
な（、また浮遊容量が発生しないように周辺回路部の遮
光を行なうことを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記の問題点を解決するために、顔料を含ん
だインクを印刷方式により周辺回路部上に薄膜を形成す
るもので、薄膜として光に対して不透過な特性を有する
顔料を用いることで遮光を容易に行なうことができる。
だインクを印刷方式により周辺回路部上に薄膜を形成す
るもので、薄膜として光に対して不透過な特性を有する
顔料を用いることで遮光を容易に行なうことができる。
作用
本発明によれば、光半導体装置の周辺回路素子上に簡単
な方法で遮光用薄膜を形成することができ、受光素子に
光を照射させても、この光が周辺回路に影響を及ぼすこ
とがなくなる。したがって、周辺回路部が光の照射によ
り誤動作を起こすおそれがなくなる。
な方法で遮光用薄膜を形成することができ、受光素子に
光を照射させても、この光が周辺回路に影響を及ぼすこ
とがなくなる。したがって、周辺回路部が光の照射によ
り誤動作を起こすおそれがなくなる。
しかも、従来のように遮光用金属膜を利用するものでは
、遮光用金属膜が金属配線上に積層されて浮遊容量が生
じるが、本発明による遮光用薄膜は、非導電性のインク
を印刷方式により形成されているから、浮遊容量が発生
せず、浮遊容量に伴なう動作特性の低下も起こらない。
、遮光用金属膜が金属配線上に積層されて浮遊容量が生
じるが、本発明による遮光用薄膜は、非導電性のインク
を印刷方式により形成されているから、浮遊容量が発生
せず、浮遊容量に伴なう動作特性の低下も起こらない。
さらに、本発明によって形成される遮光用薄膜は、非導
電性であるから、従来のように遮光用金属膜を介して金
属配線が短絡することもなく、高歩留りで安価な遮光用
薄膜を得ることができる。
電性であるから、従来のように遮光用金属膜を介して金
属配線が短絡することもなく、高歩留りで安価な遮光用
薄膜を得ることができる。
実施例
第１図は、本発明の一実施例断面図である。周辺回路の
うち、光の影響を受は易い回路素子の代表としてトラン
ジスタを図示する。図において、４はＰ形シリコン基板
、５はｎ形の埋込層、６はｎ形のエピタキシャル層（受
光素子ではカソード領域、トランジスタではコレクタ領
域）、７はＰ水拡散による分離領域、８はｎ水拡散によ
るカソード（コレクタ）コンタクト領域、９はＰ水拡散
による受光素子のアノード（トランジスタではベース）
ｇＩ域、１０はｎ水拡散によるエミッタ領域、１１．１
２は酸化膜、１３はアルミニウム蒸着配線である。なお
、４〜１３の各構成は第２図、第３図の例の場合も共通
である。
うち、光の影響を受は易い回路素子の代表としてトラン
ジスタを図示する。図において、４はＰ形シリコン基板
、５はｎ形の埋込層、６はｎ形のエピタキシャル層（受
光素子ではカソード領域、トランジスタではコレクタ領
域）、７はＰ水拡散による分離領域、８はｎ水拡散によ
るカソード（コレクタ）コンタクト領域、９はＰ水拡散
による受光素子のアノード（トランジスタではベース）
ｇＩ域、１０はｎ水拡散によるエミッタ領域、１１．１
２は酸化膜、１３はアルミニウム蒸着配線である。なお
、４〜１３の各構成は第２図、第３図の例の場合も共通
である。
１４は遮光用薄膜である。この遮光用薄膜１４は、光の
不透過な特性を有する顔料を含むインクを印刷方式によ
り薄膜に形成されている。
不透過な特性を有する顔料を含むインクを印刷方式によ
り薄膜に形成されている。
第２図は、本発明の別の実施例である。周辺回路部２は
、上記の方法により遮光用薄膜１４が形成されている。
、上記の方法により遮光用薄膜１４が形成されている。
この例では、受光領域１に単色の可視光が透過する顔料
を含むインクを、遮光用薄膜１４と同様に印刷方式によ
り、薄膜に形成した光学フィルター１５を有するもので
ある。
を含むインクを、遮光用薄膜１４と同様に印刷方式によ
り、薄膜に形成した光学フィルター１５を有するもので
ある。
複数の受光領域を有する場合や面積が異なる場合でもイ
ンクに含まれる顔料の光学的特性を換えることにより高
歩留りで安価な光学フィルターが得られることはいうま
でもない。
ンクに含まれる顔料の光学的特性を換えることにより高
歩留りで安価な光学フィルターが得られることはいうま
でもない。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、光の不透過な特性を有
する顔料を含むインクを印刷方式により薄膜に形成する
ことで周辺回路部の遮光用薄膜が、また、波長を選択的
に透過させる顔料を含むインクを用いることにより受光
素子の光学フィルターが、安価で高歩留りに得ることが
できる。
する顔料を含むインクを印刷方式により薄膜に形成する
ことで周辺回路部の遮光用薄膜が、また、波長を選択的
に透過させる顔料を含むインクを用いることにより受光
素子の光学フィルターが、安価で高歩留りに得ることが
できる。
第１図、第２図は本発明の各実施例の断面図、第３図は
従来例の断面図である。 １・・・・・・受光領域、２・・・・・・周辺回路部、
３・旧・・光半導体装置、４・・・・・・Ｐ形゛シリコ
ン基板、５・” ”’ ｎ形埋込層、６・・・・・・ｎ
形エピタキシャル層、７・・・・・・Ｐ形分離領域、８
・・・・・・カソード（コレクタ）領域、９・・・・・
・アノード（ベース）Ｒ域、１０・・・・・・エミッタ
領域、１１．１２・・・・・・酸化膜、１３・・・・・
・アルミニウム蒸着配線、１４・・・・・・遮光用薄膜
、１５・・・・・・光学フィルタ。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほかＩ名第１図 β ｇ Ｊ／ 第２図 ノ 〆 １ 、）７ 第３図 榛 Ｊ
従来例の断面図である。 １・・・・・・受光領域、２・・・・・・周辺回路部、
３・旧・・光半導体装置、４・・・・・・Ｐ形゛シリコ
ン基板、５・” ”’ ｎ形埋込層、６・・・・・・ｎ
形エピタキシャル層、７・・・・・・Ｐ形分離領域、８
・・・・・・カソード（コレクタ）領域、９・・・・・
・アノード（ベース）Ｒ域、１０・・・・・・エミッタ
領域、１１．１２・・・・・・酸化膜、１３・・・・・
・アルミニウム蒸着配線、１４・・・・・・遮光用薄膜
、１５・・・・・・光学フィルタ。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほかＩ名第１図 β ｇ Ｊ／ 第２図 ノ 〆 １ 、）７ 第３図 榛 Ｊ
Claims (1)
- 受光領域と受光動作に関与する周辺回路素子とを備え、
前記周辺回路素子の領域上に光の不透過な特性を有する
顔料を含むインク塗膜を形成したことを特徴とする光半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62089540A JPS63254736A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62089540A JPS63254736A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63254736A true JPS63254736A (ja) | 1988-10-21 |
Family
ID=13973648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62089540A Pending JPS63254736A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63254736A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05167412A (ja) * | 1991-12-12 | 1993-07-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体リレー回路 |
| JPH08335712A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-12-17 | Matsushita Electron Corp | 光検出装置及びその製造方法 |
| JP2007235028A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Seiko Instruments Inc | 光電変換装置およびイメージセンサ |
-
1987
- 1987-04-10 JP JP62089540A patent/JPS63254736A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05167412A (ja) * | 1991-12-12 | 1993-07-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体リレー回路 |
| JPH08335712A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-12-17 | Matsushita Electron Corp | 光検出装置及びその製造方法 |
| JP2007235028A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Seiko Instruments Inc | 光電変換装置およびイメージセンサ |
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