JPS63256845A - 支持体上に分与した材料の監視装置及び材料を支持体上に分与する分与装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般に支持体上に材料を分与する装置に関し、
特にこのように支持体上に分与された材料からの輻射エ
ネルギーを監視する装置におけるシステムに関する。

塗料や接着物などの被覆材料を支持体に塗布する場合、
この材料を監視し、適切な塗布がなされるようにするこ
とが重要である。この場合、被覆材料は可視的に、或い
は容量性センサ或いは磁気センサや反射光を監視するセ
ンサ、その他のセンサなど各種のセンサを用いて監視す
ることができる。

幾つかの応用例で見られるように、支持体に塗布した材
料からの輻射エネルギーを監視するセンサがよく用いら
れている。例えば、加熱接着ビードを支持体上に分与す
る場合、赤外線センサを用いて塗布接着物を監視するこ
とができる。このような赤外線センサは通常は、このセ
ンサが感度を有するエネルギー帯域内で感知される赤外
線の強度に依存する抵抗を有している。またこのセンサ
は通常、ブリッジ或いは分斥回路に接続され、ここでセ
ンサの抵抗変化を電圧変化に変換し、これ等の変化を増
幅して接着ビードからの赤外線のレベルを示す出力信号
を与えるように構成しである。この赤外線のレベルは接
着ビードの大きさとその温度の複合表示を与えるもので
ある。

加熱接着のビードを連続的に塗布する場合は、センサは
接着物分与装置すなわち接着ビード分与装置の近くでそ
れかられずかに下流に配置し、関連する回路の電気出力
信号を監視して接着ビードからの赤外線が許容範囲内に
あることを確実にしている。

しかしながら、このようなシステムにおいては、赤外セ
ンサの無視できない抵抗変化がセンサの周囲の温度変化
によりもたらされるという問題がある。即ち、このよう
な抵抗変化があると、接着ビードがセンサを通過した時
の赤外線の監視が不正確になる。

以上従来の装置の欠点に鑑み、本発明は支持体上に分与
した材料からの輻射エネルギーを監視し、周囲条件に対
するセンサ感度の上記の欠点を克服するシステムを提供
することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明による材料監視システ
ムは支持体上に分与した材料からの輻射エネルギーを感
知するように配置したセンサを備え、このセンサはこれ
が感知したエネルギー量に従って値が変化する電気特性
を有するように構成しである。

上記材料は分与ガンに対して移動する支持体上に分与さ
れてこの支持体上に１つ以上の材料ビードを形成する。

上記センサは分与ガンの近傍、ビード路の下流に物理的
に装着される。またこのセンサは増幅器の入力に容量結
合され、この増幅器はセンサの電気特性値に従って変化
する出力信号を出力端子に発生するように動作するもの
である。

上記支持体上に分与した材料は、例えば、若干の不連続
な材料ビードとして与えられ、これ等のビードの間は支
持体が露出するようになっている。

この場合、センサは材料ビードの間隔内で、材料ビード
がセンサを通過した時の材料からの、また支持体からの
輻射エネルギーを感知するようにしである。成る場合に
は、連続的な閉ループをなす材料が支持体上に塗布され
る。このような場合には、ビード材料の支持体上への塗
布の始めの時点で、センサが分与ガンより下流にあり、
またガンからセンサへの材料ビードの先頭の移動に遅れ
があるので、センサは露出支持体からの輻射を受けるよ
うに構成される。

センサの温度依存性についての上記の欠点を排除するた
めに、監視システムの増幅器の入力は、センサが支持体
から輻射エネルギーを受けている間は接地電位などの特
定の電圧レベルに強制されるようにしである。次にこの
増幅器の入力は材料のビードがセンサに達する直前に強
制が解除される。センサの電圧は増幅器の入力に容量結
合されるので、センサ電圧の変化だけが増幅器に印加さ
れる。従って、この増幅器は支持体からの輻射エネルギ
ーと支持体に塗布された材料のビードからの輻射エネル
ギーとの差によるセンサ電圧の変化を認識することにな
る。

ここに示した監視装置では、増幅器の入力は電界効果ト
ランジスタにより接地電位にされ、このトランジスタは
加熱接着材料の塗布ビードの間にゲートオンされる。接
着物分与装置を制御する制に達する直前にトランジスタ
をオフにし、これによりセンサは接着物ビードがセンサ
を通過する直前に、またその間に増幅器の入力に容量結
合される。一連の接着物ビードが単一支持体に塗布され
ると、増幅器の入力は接地電位へ強制され、更にセンサ
位置の接着物ビードの間の各期間中に強制を解除される
。単一の接着物ビードが支持体に塗布されると、増幅器
の入力は接地電位へ強制され、また接着物ビードの先頭
がセンサ位置に達する前に強制を解除される。センサの
温度が比較的安定している場合は、接着物ビード間の１
つ置きの期間中などのようにより少ない頻度で増幅器の
入力を強制接地し且つ強制を解除することが可能となる
。

赤外線センサは電圧を印加する抵抗線に直列に接続され
、またセンサの抵抗に比例し、従って感知される赤外線
の量に比例する上記抵抗分割線の電圧は増幅器に容量結
合して入力される。感知される赤外線エネルギーが増加
すると増幅器に入力された電圧も増加し、また通常の場
合は、上記センサは支持体からよりも加熱接着ビードか
らより多くの赤外線工ふルギーを受ける。

増幅器の入力が接地電位から強制を解除され、一方、セ
ンサが支持体からの赤外線を受けている時は、増幅器の
入力電圧はセンサ電圧と増幅器入力との間に介在された
コンデンサ（これは比較的大きな値の、低リークコンデ
ンサである。）により接地電位のままに保持される。加
熱接着ビードが赤外線センサの感知ゾーン内に移動する
と、通常の場合は感知される赤外線が増加し、従ってセ
ンサ電圧も増加する。容量結合なので、電圧の増加だけ
が増幅器に入力され、増幅される。

従って、接着物ビードを監視する各時点前の支持体から
の輻射に基づいてセンサに対する零基準カ喝′■立され
ることになる。センサ温度が監視接着ビードの長さ方向
にわたって変化しないと仮定すると、これは通常の接着
ビード長に対しては非常に正随であるが、接着ビードに
関する確実な赤外線情報が基阜赤外線レベルを与える１
９の支持体の精度に起因して得られることになる。

本発明の目的並びに利点、およびそれ等の実施方法は添
付図面による以下に与える説明から明らかになろう。

本発明に対して各種の変形および他の形態が可能である
が、ここではその特定の実施例を添付図面により詳しく
説明することにする。とは言え、本発明はここに説明す
る特定の形態に限定されるものではなく、添付した特許
請求の範囲に規定した本発明の精神と範囲から逸脱しな
い限りは全ての変形、等価代替したものを本発明が包含
することは明らかなことである。

ここで図面を参照すると、加熱接着物分与装置体１１は
カロ′熱された？容接自在のシーラントなどの加熱接着
物の分与装置１２を備えている。この分与装置１２はソ
レノイド１３により制御されて支持体Ｓ上に接着物を分
与する弁（図示せず）を備えている。この弁が開いてい
る時は接着物が分与され、また閉じている時は分与装置
Ｉ２から出ないようにしである。ガンパルス発生装置１
４は正のパルスを発生し、これ等のパルスはソレノイド
１３に印加されて接着物を分与するように弁を開放する
。

接着物ｎビード検出棒１６はビード検出棒回路１７を内
蔵し、分与装置１２かられずかに下流に配置され、基体
Ｓ上に分与される接着ビードＢから隔置しである。この
検出棒１６はビードＢに隣接するその端部に、赤外線を
接着ビードから赤外線センサ（センサ）１９　（第４図
）に向ける平フレネルレンズ１８を備えている。この図
示した例によると、センサ１９は、波長が１と４マイク
ロメーターの赤外線を感知するセレン化鉛センサである
。このセンサ１９の抵抗は、その感度帯域内で赤外線δ
レベルが増加するにつれて減少するものである。

上記のビード検出棒回路１７は適切な電線２１により比
較回路２２に結合される。この比較回路２２は、ビード
検出棒１６により検出された加熱接着ビードからの赤外
線が以下に説明するように許容範囲外にある場合は警報
器２３にて警報を発するように動作する。パルス調整回
路２４は分与装置のガンパルス発生装置１４が発生した
パルスを用いてビード検出棒回路１７にライン２６を通
して、また比較回路２２にキー信号或いは使用可能信号
を与える。

ここで第２図を特に参照すると、ビード検出棒回路１７
は赤外線センサ１９が受けた赤外線のレベルを示す電気
出力信号を比較回路２２に印加するようにその出力端子
２７に与えられる。比較回路２２においては、回路１７
からの出力信号は直流増幅器２８により増幅され、その
出力は比較回路２９と比較回路３１に印加される。

上記比較回路２９は増幅器２８の出力を高レベルの設定
値と比較し、また比較回路３１は増幅器２８の出力を低
レベル設定値と比較する。もし増幅器２８の出力が、こ
の高しベル設定値以上ニナった場合、或いは接着ビート
に対して赤外線が範囲外であるという読み取り指示を与
える上記低レベル設定１１η以下の場合は、適切な本比
較回路はＯＲゲート３２を通して警報器２３に対して出
力信号を発生し、警報を発する。

ビード検出棒回路１７と比較回路２９．３１は共同して
赤外線を監視し、接着物のビードがビード検出棒１６を
通過した時だけ適切な状況で警報を発する。このため、
分与装置のソレノイド１３を駆動するガンパルス発生装
置１４からのパルス信号を適切に調整してビード検出棒
回路１７と比較回路を調節し或いは使用可能にする。

分与装置のガンパルス発生回路１４からの出力パルスは
パルス調整回路２４のスケーリング・遅延回路３３に印
加される。この回路３３はソレノイドパルスの振幅を適
切にし、必要ならパルスを遅延させるように動作する。

以下更に詳細に説明するように、通常、ビード検出棒回
路１７はビード検出棒１６の赤外線感知ゾーンに接着物
のビードが到達する直前にキー信号を入力される。この
キー信号は接着ビードの端部に或いはその近傍に達する
まで持続するキー信号パルスにより与えろれる。ビード
検出棒回路１７に対する−１−−（３号パルスはガンパ
ルス発生装置１４が発生する分与装置ガンパルスから得
られ、またスケーリンク電遅延回路３３は、必要に応じ
て、キー信号パルスの形成時にガンパルスの開始或いは
終了を遅延させるように動作する。

該センサ１９は分与ガンから下流に位置づけられるので
、ガンが接着物を支持体上に分与し始める時点と接着物
ビートの始めの部分が分与装置に達する時点との間には
遅延がある。更に、ガンパルスの立上りがソレノイドに
達する時点と接着物が実際にガンから支持体上に流れ始
める時点との間にはガン１２からの接着物の分与に際し
て遅延が生じる。多くの場合に、分与装置は、センサ用
のキー信号パルスがガンパルスの立上りと同じ時点に生
じる立上りを持つように接着物から下流の適切な距離に
配置されている。次にセンサは、接着物ビードが実際に
センサに達する直前にキー信号入力されるが、これは以
下に詳細に説明するようにビード検出棒回路１７にとっ
て望ましいものである。

接着物ビードの支持体上への分与の終了時に、分与ガン
１２のソレノイド１３へのガンパルスが終了し、該パル
スの立下りが発生する。キー信号パルスの立下りはガン
パルスの立下りと一致し、この場合にはビードの端部の
比較的短かい部分は監視されないことになる。

上記スケ−リンク電遅延回路３３は、必要に応じてガン
パルスの立下りの発生より、わずかに遅れてキー信号パ
ルスの立下りを遅延させる回路を備えてもよい。キー信
号パルスの立下りを遅延させる必要性はセンサが分与ガ
ンからかなり下流に置かれた状況で生じるのが通常であ
る。このような場合には、ガンパルスの立上りに関して
キー信号パルスの立上りに対する遅延を与え、ビード検
出棒回路が次のキー信号パルスの立上りを受ける前に、
前の接着ビードの端部が既に通過していることを確実に
する必要もある。

遅延回路３２からのスケールされ、遅延されたパルスは
、ビード検出棒回路から分与装置パルス発生回路を分離
する光子イソレータ３４に印加される。この光アイソレ
ータ３４の出力パルス整形回路３６に印加され、この回
路はビード検出棒回路１７に供するキー信号パルスを発
生する。

上記パルス整形回路３６では、光アイソレータ３４の出
力パルスは反転器３７により反転され、抵抗器３８を通
してトランジスタ３９のエミッタに印加される。反転器
３７の出力における反転パルスはパルス期間中は低い論
理状態、即ち零ポテンシャルにあり、上記光子イソレー
タ３４から受けた正パルスから反転器３７により反転さ
れたものである。

反転器３７からのパルスの立上りおよび立下りはビード
検出棒回路１７に供給されるキー信号パルスの立上りお
よび立下りと同じである。図示したビード検出棒回路１
７においては、負の電圧レベルを持つキー信号パルスが
以下に詳述するように必要になる。このような負のキー
信号パルスを得るために、反転器３７からのパルスは抵
抗器３８、トランジスタ３９、および抵抗器４１とコン
デンサ４０によりレベル変換される。

反転器３７からのパルスは低い論理状態、即ち零ポテン
シャルにあり、パルスの間では正の電源電圧十Ｖにある
。レベル変換回路においては、負の電源電圧＝■が抵抗
器４１を通してトランジスタ３９のコレクタに印加され
ている。反転器３７からのパルスは抵抗器３８を通して
トランジスタ３９のエミッタに印加される。

パルス間では、反転器３７の出力が正の時は、トランジ
スタ３９が導通する。上記抵抗器４１は抵抗器３８より
大きくなるように選択され、また従ってトランジスタ３
９が導通している時、パルス間でトランジスタ３９のコ
レクタに接続されたライン４２上に正電圧が与えられる
ことになる。

このパルス電圧はレベル変換回路により反転器３７の出
力における零ポテンシャルから負の電源電圧−■にほぼ
等しいレベルまでレベル変換される。パルス期間中は、
トランジスタ３９のエミッタに印加された電圧は零に降
下し、トランジスタは非導通になり、更に、負の電源電
圧−■が抵抗器４１を通してライン４２に印加される。

これにより、ビード検出棒回路１７に供する所望の負に
変化するキー信号パルスが発生される。

ここで第４図を参照すると、ビード検出棒回路１７は抵
抗器４３．４４および４６と直列に接続されて正、負の
電源電圧十■と一■の間で分圧器を形成するセンサ１９
を備えている。抵抗器４３と４６は比較的低い抵抗を有
し、また抵抗器４４は、センサの感度のある周波数帯域
でセンサが感知した赤外線の量とセンサの温度に依存し
てセンサ１９の抵抗と同じ一般的な大きさの範囲の抵抗
を有している。上記ビード検出棒回路１７は更に演算増
幅器４８を備えた非反転演算増幅器回路を具備している
。

センサ１９と抵抗器４４の直列接続部にかかる電圧は２
つのツェナーダイオード４９．５１により調整され、こ
れ等のダイオードの各々はこれと並列の雑音抑圧コンデ
ンサ５２．５３を備えている。上記検出棒回路の一形態
によると、例えば、＋１０ボルトの調整電圧が接点５４
に印加され、また−１０ボルトの調整電圧が接点５６に
印加され、そのため２０ボルトが抵抗器４４と直列のセ
ンサ１９の接続点を横切って印加されることになる。ビ
ード検出棒回路１７の上記の形態の場合、抵抗器４４は
３３０キロオームであり、またセンサ１９は、特定のセ
ンサ装置に依存して１５０と３００キロオームの間の室
温抵抗を有している。

上記演算増幅器４８の非反転増幅器においては、帰還抵
抗器５７が演算増幅器４８の出力端子５８と、その反転
入力端子間に接続される。更に、抵抗器５９が上記増幅
器４８０反転入力と接地アースの間に接続される。電圧
＋Ｖと一■にフィルター動作を付加するために、電源電
圧＋Ｖと接地アースの間にコンデンサ６１を接続し、電
源電圧−■と接地アースの間にコンデンサ６２を接続す
る。

センサ１９と抵抗器４４との接点４７はコンデンサ６３
を通して演算増幅器４８の非反転入力に容量結合される
。

接着物のビードＢがビード検出棒１６を通過する前にビ
ード検出棒回路１７を使用可能にするために、パルス整
形回路３６からのキー信号比カキ２がライン６４上で電
界効果トランジスタ６６のゲー’１−ＩＣ結合され、こ
のゲートは上記増幅器４８の非反転入力と接地アースの
間に結合される。該トランジスタ６６のドレーンは増幅
器４８の非反転入力に接続され、該トランジスタ　６６
のソースは接地される。上記電界効果トランジスタ（Ｆ
ＥＴ）６６はｎチャネルＦＥＴであり、またライン６４
に負のキー信号パルスがない場合はＦＥＴ６６はこのＦ
ＥＴ６６のゲートに接続されたキー信号パルスライン６
４上の正電圧によりゲートオンされる。このＦＥＴが導
通すると、増幅器４８への非反転入力は接地電位に強制
され、また増幅ゝシ 器の出力５８は零になる。

接着ビードの先頭がビード検出棒１６に達する前に、負
のキー信号パルスの立上りがＦＥＴ６６のゲートに到達
する。これによりＦＥＴはオフにされ、増幅２￥；４８
の非反転入力が接地電位から強制を解除される。増幅器
４８の非反転入力と接点７Ｉ７　（センサＩ９に接続さ
れた）の間に介在するコンデンサ６３は比較的大きな容
量のく１．０マイクロフ７ラソド）、低リークコンデン
サであり、また増幅器４８の非反転入力の電氏は接地電
位解除移香のままであり、一方、センサ１９は次の接着
ビードの先頭が到達する前に、支持体Ｓからほぼ一定レ
ベルの赤外線を感知する。

次の接着ビードがビード検出棒１６に達すると、加熱接
着物からセンサ１９に輻射された赤外線が増加し、また
センサ１９の抵抗が減少する。このセンサ１９の抵抗の
減少の結果、接点４７の電圧が増加し、この電圧の増加
はコンデンサ６３を通して増幅器４８の非反転入力に印
加される。この入力端子の増加により出力ライン５８に
増幅された出力信号が発生し、これは増幅器の非反転入
力に印加された電圧に依存する値を有している。この入
力電圧は加熱接着物のビードが出す赤外線と支持体から
の赤外線との差を表わしている。通常の接着ビードの時
間幅は数秒程度なので、センナの温度は（ａ）支持体か
らの赤外線が感知された時、また（ｂ）次の接着物のビ
ードが監視される時間の間はほぼ同しである。従って、
出力５８における電圧は、全ての実際の目的に対して、
センサ温度により影啓されることのない接着ビードの赤
外線を表わしている。

キー信号パルスの立上りがキー信号ライン６４に達する
と、ＦＥＴ６６は再びオンにされ、増幅器４８の非反転
入力が接地電位に強制される。

出力◇：１；子５８における出力は、既に記載したよう
に、ビード検出棒回路１７がキー信号パルスを受けてい
る間の、支持体に学布した加２．１％接着ビードの温度
と大きさを表わすアナログ電圧信号である。キー信号パ
ルスの間では出力端子５８上の増幅器４８の出力は零レ
ベルにある。出力端子５８は比較回路２２およびこれに
内蔵された個々の比較回路２９と３１に結合されるので
、警報器作動条件が存在するか否かを決定するために、
比較回路２９と３１はビード検出棒回路１７がキーオン
された時間の間だけ動作可能であるべきである。

このため、光重イソレータ３４の出力における非反転、
およびレベル変換のないキー信号パルスが比較回路２９
と３１の各々に結合されて使用可能パルスとして作用す
る。低レベル比較回路３１に関しては、ビード検出棒回
路１７が接着ビードの先頭が到着する前にキーオンされ
る時間を補償するために、各接着ビードに対するレベル
比較を行う前に小さな付加的な遅延時間をもたせるべき
こととなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による監視システムを備えた接着ビード
分与装置の構成図であり； 第２図は第１図のパルス調整回路および比較回路の更に
詳細な構成図であり； 第３図は第２図のパルス調整回路のパルス整形部の回路
図であり、更に、 第４図は第２図のビード感知棒回路の概略図である。 図面参照番号 １１−加熱接着物分与装置体 １２−分与装置 １３−　ソレノイド １４　゛−ガンパルス発生装置 １６−ビード検出棒 １７−ビード検出棒回路 １Ｂ−レンズ １９−赤外線センサ ２２．２９．３１−比較回路 ２３−一一警幸り器 ２４−パルス調整回路 ２６．４２−　ライン ２８−直流増幅器 ３２−＝ＯＲゲート ３３−スケーリング・遅延回路 ３４−光フイソレータ ３６−パルス整形回路 ３７−反転器 ３８．４１．４３．４４．４６．５９−抵抗器３９．６
６−）ランジスタ ４０．６１．６３−　コンデンサ ４８−演算増幅器 ４９．５１−ツェナーダイオード ５２．５３−雑音抑圧コンデンサ ４７．５４．５６−・接点 ５７−帰還抵抗器 出願人　二　ノードソン　コーポレーションＦＩＧ、４

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、支持体上に分与した材料からの輻射エネルギーを監
   視する装置であって、 支持体からの輻射エネルギーおよび支持体上に分与した
   材料からの輻射エネルギーを受けるように位置づけられ
   たセンサであって、少なくともある所定のエネルギー帯
   域において該センサが受けたエネルギー量に依存して、
   部分的に値が変化する電気特性を有したセンサと； 該センサに電気的に接続されて前記センサの電気特性の
   値に依存して変化する出力信号を発生する増幅手段であ
   って、（ａ）前記センサに容量結合された入力を備え、
   且つ（ｂ）前記出力信号を出力端子に発生する増幅器を
   備えた増幅手段と；更に 前記センサが支持体からの輻射エネルギーを受けた時、
   前記増幅器の入力を特定の電圧レベルに強制し且つ前記
   センサが支持体上に分与された材料からの輻射エネルギ
   ーを受ける前に増幅器の入力の強制を解除する手段とに
   より構成した輻射エネルギー監視を行うことを特徴とす
   る支持体上に分与した材料の監視装置。 ２、前記増幅器の入力を強制する手段は増幅器の入力を
   電気的接地する手段により構成することを特徴とする特
   許請求の範囲第１項に記載の装置。 ３、前記増幅器はセンサに容量結合した非反転入力を有
   する非反転演算増幅器であることを特徴とする特許請求
   の範囲第２項に記載の装置。 ４、前記増幅器の入力を接地する手段は電界効果トラン
   ジスタにより構成することを特徴とする特許請求の範囲
   第３項に記載の装置。 ５、前記センサは赤外線センサであることを特徴とする
   特許請求の範囲第４項に記載の装置。 ６、材料を支持体上に分与する分与装置であって、 分与装置制御信号に応じて材料を支持体上に分与する分
   与手段と； 該分与手段に結合された出力端子に分与装置制御信号を
   発生する手段と； 前記分与手段近傍に配置されて支持体からの輻射エネル
   ギーおよび前記分与手段により支持体上に分与された材
   料からの輻射エネルギーを受けるセンサであって、該セ
   ンサが受ける少なくともある所定のエネルギー帯域にお
   けるエネルギー量に従って部分的に値を変える電気特性
   を有したセンサと； 該センサに電気的に結合されて前記センサの電気特性の
   値に従って変化する出力信号を発生する増幅手段であっ
   て、（ａ）前記センサに容量結合された入力を備え、且
   つ（ｂ）出力端子に前記出力信号を発生する増幅器を備
   えた増幅手段と；更に 前記分与装置制御信号を発生する手段に結合されて、前
   記センサが支持体から輻射エネルギーを受けた時前記増
   幅器を特定の電圧レベルに強制し、且つ前記センサが支
   持体上に分与された材料から輻射エネルギーを受ける前
   に増幅器の入力の強制を解除する手段とにより構成して
   いることを特徴とする材料を支持体上に分与する分与装
   置。 ７、前記センサは赤外線センサであることを特徴とする
   特許請求の範囲第６項に記載の装置。 ８、前記増幅器は前記センサに容量結合した非反転入力
   を備えた非反転演算増幅器であることを特徴とする特許
   請求の範囲第７項に記載の装置。 ９、前記増幅器の入力を特定の電圧レベルに強制する手
   段は電界効果トランジスタで構成していることを特徴と
   する特許請求の範囲第８項に記載の装置。 １０、前記増幅器の出力端子に結合されて、前記センサ
   が支持体上に分与した材料から輻射エネルギーを受けて
   いる時、前記出力信号を高、低設定値と比較し、且つ前
   記出力信号が前記設定点の間の値の範囲からはずれた場
   合に警報を発生する手段により更に構成していることを
   特徴とする特許請求の範囲第９項に記載の装置。