JPS63258113A - 光電検出回路 - Google Patents
光電検出回路Info
- Publication number
- JPS63258113A JPS63258113A JP62092740A JP9274087A JPS63258113A JP S63258113 A JPS63258113 A JP S63258113A JP 62092740 A JP62092740 A JP 62092740A JP 9274087 A JP9274087 A JP 9274087A JP S63258113 A JPS63258113 A JP S63258113A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- circuit
- current
- emitting element
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/14—Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
- H03K17/941—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated using an optical detector
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/10—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void
- G01J1/16—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void using electric radiation detectors
- G01J1/18—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void using electric radiation detectors using comparison with a reference electric value
- G01J2001/182—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void using electric radiation detectors using comparison with a reference electric value with SH sample and hold circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J2001/4238—Pulsed light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J2001/444—Compensating; Calibrating, e.g. dark current, temperature drift, noise reduction or baseline correction; Adjusting
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/06—Illumination; Optics
- G01N2201/062—LED's
- G01N2201/0621—Supply
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、例えば、光電スイッチや光学式位置検出装置
等の様に検出のための空間を介して発光素子から放出さ
れる光を、受光素子で検出する光電検出回路に係り、特
に強い周囲の売上での誤動作を防止しつる光電検出回路
に関する。
等の様に検出のための空間を介して発光素子から放出さ
れる光を、受光素子で検出する光電検出回路に係り、特
に強い周囲の売上での誤動作を防止しつる光電検出回路
に関する。
（従来の技術）
光電スイッチや光学式位置検出装置は、発光素子と受光
素子を直接か又は、反射鏡や光ファイバー等を用いて間
接的に対向させて配置して、検出空間に光ビームを形成
する。この光ビームがさえぎられたことを検出し、遮断
信号や位置信号のように発光素子からの光ビームが受光
素子へ届がなかったことを表わす出力信号を得る様に構
成されている。
素子を直接か又は、反射鏡や光ファイバー等を用いて間
接的に対向させて配置して、検出空間に光ビームを形成
する。この光ビームがさえぎられたことを検出し、遮断
信号や位置信号のように発光素子からの光ビームが受光
素子へ届がなかったことを表わす出力信号を得る様に構
成されている。
このような装置は通常、光源の発光素子として可視及び
赤外発光ダイオードを用い、光線の検出には受光素子と
してフォトトランジスタやフォトダイオードを用いてい
る。
赤外発光ダイオードを用い、光線の検出には受光素子と
してフォトトランジスタやフォトダイオードを用いてい
る。
これらの装置の光電検出回路は、検出する開口空間を有
するため、光源から発する光だけではなく周囲の照明等
による光の影響を受ける。このような周囲光の影響を取
り除く方法は、従来より多くの提案がなされており、例
えば日本国特許公告公報昭６１−２５１６１号にはしき
い値制御型の光電検出回路が開示されている。
するため、光源から発する光だけではなく周囲の照明等
による光の影響を受ける。このような周囲光の影響を取
り除く方法は、従来より多くの提案がなされており、例
えば日本国特許公告公報昭６１−２５１６１号にはしき
い値制御型の光電検出回路が開示されている。
以下に上、記の従来例を図に基づいて説明する。
第３図は従来例を示す回路構成図、第４図は第３図の動
作を説明するための波形図である。
作を説明するための波形図である。
まず、構成を説明すると、第３図において、１は反転論
理回路、２はアナログコンパレータ回路（以下コンパレ
ータ回路とする）、ＯＬは同期信号線、Ｃ２はコンデン
サ、ＬＥＤは発光素子、ＰＴＲは受光素子、Ｑはトラン
ジスタ、Ｒ３ないしＲ８は抵抗、Ｓはスイッチング回路
、Ｖｃｃは電源ラインをそれぞれ示している。
理回路、２はアナログコンパレータ回路（以下コンパレ
ータ回路とする）、ＯＬは同期信号線、Ｃ２はコンデン
サ、ＬＥＤは発光素子、ＰＴＲは受光素子、Ｑはトラン
ジスタ、Ｒ３ないしＲ８は抵抗、Ｓはスイッチング回路
、Ｖｃｃは電源ラインをそれぞれ示している。
第３図は発光素子ＬＥＤと抵抗Ｒ３との直列回路の一方
が正極の電源ラインに、他方がＮＰＮ型バイポーラトラ
ンジスタＱのコレクタに接続されている。このトランジ
スタＱのベースには後述する反転論理回路１の出力側に
片方が接続されている抵抗Ｒ４のもう一方が接続され、
また、このベースは抵抗Ｒ５を介して接地されている。
が正極の電源ラインに、他方がＮＰＮ型バイポーラトラ
ンジスタＱのコレクタに接続されている。このトランジ
スタＱのベースには後述する反転論理回路１の出力側に
片方が接続されている抵抗Ｒ４のもう一方が接続され、
また、このベースは抵抗Ｒ５を介して接地されている。
このトランジスタＱのエミッタは接地されており、上記
までの構成された回路は反転論理回路１の出力がハイレ
ベルになると発光素子ＬＥＤを発光駆動するようになっ
ている。
までの構成された回路は反転論理回路１の出力がハイレ
ベルになると発光素子ＬＥＤを発光駆動するようになっ
ている。
次に受光回路の構成を説明する。受光素子ＰＴＲはＮＰ
Ｎ型バイポーラ・ホトトランジスタであり、このコレク
タが正極の電源ラインＶｃｃに接続され、光検出部であ
るベースは上述の発光素子ＬＥＤの発光光線を受光する
ように配置されている。
Ｎ型バイポーラ・ホトトランジスタであり、このコレク
タが正極の電源ラインＶｃｃに接続され、光検出部であ
るベースは上述の発光素子ＬＥＤの発光光線を受光する
ように配置されている。
この受光素子ＰＴＲのエミッタは抵抗Ｒ６を介して接地
されており、このエミッタと抵抗Ｒ６の接続点には抵抗
Ｒ７とスイッチング回路Ｓのそれぞれの一端が接続され
ている゛。この抵抗７のもう一端はコンパレータ回路２
の非反転入力（＋）に接続されており、この非反転入力
端子（→−）は抵抗Ｒ８を介して接地されている。この
非反転入力端子（＋）には発光索子ＰＴＲの受光量に応
じた値の信号が抵抗７と８で分圧されて供給される様に
なっている。
されており、このエミッタと抵抗Ｒ６の接続点には抵抗
Ｒ７とスイッチング回路Ｓのそれぞれの一端が接続され
ている゛。この抵抗７のもう一端はコンパレータ回路２
の非反転入力（＋）に接続されており、この非反転入力
端子（→−）は抵抗Ｒ８を介して接地されている。この
非反転入力端子（＋）には発光索子ＰＴＲの受光量に応
じた値の信号が抵抗７と８で分圧されて供給される様に
なっている。
一方、このコンパレータ回路２の反転入力（−）にはス
イッチング素子Ｓのもう一方とコンデンサＣ２の一方の
端子が接続されている。このスイッチング素子Ｓは、電
界効果トランジスタで構成されたアナログスイッチ等を
用いており、双方向に通電可能な第１．及び第２の端子
を有し、第３の端子にハイレベルの電圧が印加された状
態で第１と第２の端子間が最小インピーダンスとなるよ
うに構成されている。この第１の端子は前述の発光素子
ＰＴＲのエミッタに、第２の端子は上述のコンパレータ
回路２の反転入力（−）にそれぞれ接続されており、第
３の端子は前述の反転論理回路１の入力と共に同期信号
線Ｃしに接続されている。
イッチング素子Ｓのもう一方とコンデンサＣ２の一方の
端子が接続されている。このスイッチング素子Ｓは、電
界効果トランジスタで構成されたアナログスイッチ等を
用いており、双方向に通電可能な第１．及び第２の端子
を有し、第３の端子にハイレベルの電圧が印加された状
態で第１と第２の端子間が最小インピーダンスとなるよ
うに構成されている。この第１の端子は前述の発光素子
ＰＴＲのエミッタに、第２の端子は上述のコンパレータ
回路２の反転入力（−）にそれぞれ接続されており、第
３の端子は前述の反転論理回路１の入力と共に同期信号
線Ｃしに接続されている。
コンパレータ回路２の反転入力（−）は上述したコンデ
ンサＣ２を介して接地されているので、スイッチング素
子Ｓが閉成されている時の電圧を、スイッチング素子Ｓ
が閉成した時にコンデンサＣ２に保持するサンプル・ア
ンド・ホールド回路として働く様に構成されている。
ンサＣ２を介して接地されているので、スイッチング素
子Ｓが閉成されている時の電圧を、スイッチング素子Ｓ
が閉成した時にコンデンサＣ２に保持するサンプル・ア
ンド・ホールド回路として働く様に構成されている。
コンパレータ回路２は非反転入力（＋）とサンプル・ア
ンド・ホールド回路を介している反転入力（−）とを比
較して、反転入力（−）に対して非反転入力（＋）の電
圧が上まわる時ハイレベルを、下まわるときローレベル
の出力（ｆｔＱを出力する様になっている。
ンド・ホールド回路を介している反転入力（−）とを比
較して、反転入力（−）に対して非反転入力（＋）の電
圧が上まわる時ハイレベルを、下まわるときローレベル
の出力（ｆｔＱを出力する様になっている。
次に動作を第３図に従って説明すると、同期信号線ＣＬ
には同図ａ）を示すように、一定した周期で一定した波
高値の正の矩形波パルスがクロックパルスとして入力さ
れている。このクロックパルスａ）に基づいて、スイッ
チング回路Ｓと反転増幅器１は、同図ｔ）の８に破線波
形で示すように、受光素子ＰＴＲの検出した信号をコン
パレータ回路２の反転入力（−）に供給し、同図Ｃ）に
示すように、発光素子ＬＥＤを矩形波パルス状に点滅す
る。今、発光素子ＬＥＤが発光した光信号Ｃ）が受光素
子ＰＴＨに到達可能に検出空間の状態であってこの空間
に例えば太陽光や電灯等の光が受光素子ＰＴＲに同図ｂ
）に示す波形の周囲光強度ｂ）が入射されている時、受
光素子ＰＴＲの同図ｄ）に示す波形の強度の光を検出し
た検出信号（ｅ）は、抵抗Ｒ７とＲ８で分圧されて同図
ｆ）の八に実線波形で示すようにコンパレータ回路２の
非反転入力（＋）に供給される。
には同図ａ）を示すように、一定した周期で一定した波
高値の正の矩形波パルスがクロックパルスとして入力さ
れている。このクロックパルスａ）に基づいて、スイッ
チング回路Ｓと反転増幅器１は、同図ｔ）の８に破線波
形で示すように、受光素子ＰＴＲの検出した信号をコン
パレータ回路２の反転入力（−）に供給し、同図Ｃ）に
示すように、発光素子ＬＥＤを矩形波パルス状に点滅す
る。今、発光素子ＬＥＤが発光した光信号Ｃ）が受光素
子ＰＴＨに到達可能に検出空間の状態であってこの空間
に例えば太陽光や電灯等の光が受光素子ＰＴＲに同図ｂ
）に示す波形の周囲光強度ｂ）が入射されている時、受
光素子ＰＴＲの同図ｄ）に示す波形の強度の光を検出し
た検出信号（ｅ）は、抵抗Ｒ７とＲ８で分圧されて同図
ｆ）の八に実線波形で示すようにコンパレータ回路２の
非反転入力（＋）に供給される。
このコンパレータ回路２の反転入力（−）にサンプル・
アンド・ホールド回路を介して入力される電圧は、発光
素子ＬＥＤが点灯していない時の受光素子ＰＴＲの一番
近い時点の周囲光にもとづく出力状態が、発光素子ＬＥ
Ｄが点灯している間だけ保持されて印加されている。
アンド・ホールド回路を介して入力される電圧は、発光
素子ＬＥＤが点灯していない時の受光素子ＰＴＲの一番
近い時点の周囲光にもとづく出力状態が、発光素子ＬＥ
Ｄが点灯している間だけ保持されて印加されている。
そして、非反転入力（＋）に印加される電圧信号Ａが反
転入力（−）に印加された電圧信号Ｂを上まわると非検
出状態を表わす同図Ｑ）に示すようなハイレベルの信号
Ｑ１を出力する。また、受光素子ＰＴＲへ発光索子ＬＥ
Ｄの光信号が到達出来ない状態の時は前述した抵抗Ｒ７
とＲ８とで分圧した電圧弁だけがコンパレータ回路２の
反転入力（−）に印加される電圧よりも非反転入力（＋
）に印加される値が下まわる為、外乱光が入射しても、
非検出状態を表わすハイレベルの出力信号は出力されな
い。
転入力（−）に印加された電圧信号Ｂを上まわると非検
出状態を表わす同図Ｑ）に示すようなハイレベルの信号
Ｑ１を出力する。また、受光素子ＰＴＲへ発光索子ＬＥ
Ｄの光信号が到達出来ない状態の時は前述した抵抗Ｒ７
とＲ８とで分圧した電圧弁だけがコンパレータ回路２の
反転入力（−）に印加される電圧よりも非反転入力（＋
）に印加される値が下まわる為、外乱光が入射しても、
非検出状態を表わすハイレベルの出力信号は出力されな
い。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上述した従来の光電変換回路においては
次の様な大きな問題点を有している。
次の様な大きな問題点を有している。
すなわち、第４図ｅ）のＣの範囲に示す様に強い外乱光
が受光素子ＰＴＲに入射されると、この素子のエミッタ
電流が電源電圧ｙｃｃと抵抗Ｒ６で規制された値近傍の
値で飽和し、発光素子ＬＥＤの光が受光素子ＰＴＲへ到
達−しているにもかかわらず、コンパレータ回路２では
反転入力（−）の電圧値（同図ｆ）の８参照）を非反転
入力（＋）の電圧値（同図ｆ）のＡ参照）が上まわるこ
とが出来ず検出状態を示すローレベルの出力信号Ｑ２゜
０３（同図Ｑ）参照）を出力する為、誤動作してしまう
ものであった。
が受光素子ＰＴＲに入射されると、この素子のエミッタ
電流が電源電圧ｙｃｃと抵抗Ｒ６で規制された値近傍の
値で飽和し、発光素子ＬＥＤの光が受光素子ＰＴＲへ到
達−しているにもかかわらず、コンパレータ回路２では
反転入力（−）の電圧値（同図ｆ）の８参照）を非反転
入力（＋）の電圧値（同図ｆ）のＡ参照）が上まわるこ
とが出来ず検出状態を示すローレベルの出力信号Ｑ２゜
０３（同図Ｑ）参照）を出力する為、誤動作してしまう
ものであった。
従って、本発明は、従来の様に検出状態において強度の
外乱光を受光することにより、非検出状態を表わす信号
を出力してしまうという誤動作を防止することはもとよ
り、非検出状態において強度の外乱光を受光しても検出
状態を表わす信号を出力する誤動作も防止することの出
来る光電検出回路を提供することを技術的課題とする。
外乱光を受光することにより、非検出状態を表わす信号
を出力してしまうという誤動作を防止することはもとよ
り、非検出状態において強度の外乱光を受光しても検出
状態を表わす信号を出力する誤動作も防止することの出
来る光電検出回路を提供することを技術的課題とする。
上記の技術的課題を解決する為に本発明の技術的手段は
、同期信号に同期して駆動される発光素子と、該発光素
子が発光した光を検出する受光素子と、前記発光素子か
らの光が前記受光素子へ到達の有無を表わす信号を出力
する光電検出回路において、前記受光素子が検出した電
流信号を電圧信号に変換する電流電圧変換回路と、該電
流電圧変換回路の出力信号を該電流電圧変換回路の入力
回路に負帰還する第１の帰還回路と、前記電流電圧変換
回路の出力信号を前記同期信号に基づいて前記発光素子
が発光しない時に検出保持するサンプルホールド回路を
介して前記電流電圧変換回路の入力回路に負帰還する第
２の帰還回路とを有することを特徴とする。
、同期信号に同期して駆動される発光素子と、該発光素
子が発光した光を検出する受光素子と、前記発光素子か
らの光が前記受光素子へ到達の有無を表わす信号を出力
する光電検出回路において、前記受光素子が検出した電
流信号を電圧信号に変換する電流電圧変換回路と、該電
流電圧変換回路の出力信号を該電流電圧変換回路の入力
回路に負帰還する第１の帰還回路と、前記電流電圧変換
回路の出力信号を前記同期信号に基づいて前記発光素子
が発光しない時に検出保持するサンプルホールド回路を
介して前記電流電圧変換回路の入力回路に負帰還する第
２の帰還回路とを有することを特徴とする。
上記の技術的手段は以下の様に作用する。すなわち、受
光素子ＰＴＲが発光素子ＬＥＤからの光と強い外乱光を
受ける状態において、発光素子ＬＥＤが発光している時
は、発光素子ＬＥＤが消灯している最も近時の周囲光′
ｒＲ流値に基づいて第２の負帰還回路４が外乱光成分を
打ち消すとともに、第１の負帰還回路Ｒ１により一定し
た定数値で負帰還されるので、発光素子ＬＥＤの光電流
は一定の電流電圧変換係数により電圧信号に変換される
ので、発光素″ＦＬＥＤの発光信号を安定に検出し出力
する。
光素子ＰＴＲが発光素子ＬＥＤからの光と強い外乱光を
受ける状態において、発光素子ＬＥＤが発光している時
は、発光素子ＬＥＤが消灯している最も近時の周囲光′
ｒＲ流値に基づいて第２の負帰還回路４が外乱光成分を
打ち消すとともに、第１の負帰還回路Ｒ１により一定し
た定数値で負帰還されるので、発光素子ＬＥＤの光電流
は一定の電流電圧変換係数により電圧信号に変換される
ので、発光素″ＦＬＥＤの発光信号を安定に検出し出力
する。
以下に本発明の・一実施例を第１図に及び第２図に基づ
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
なお、従来例で説明した部分及び同一機能部分について
は同−並びに関連する符号を付して詳細な説明を省略す
る。
は同−並びに関連する符号を付して詳細な説明を省略す
る。
第１図は本発明の一実施例を示す回路構成図、第２図は
第１図の各部の動作を説明する為の波形図である。図に
おいて、３と５はオベーレーションアンプリフフイヤ（
以下ＯＰアンプと言う）、４は第２の負帰還回路、Ｃ１
はコンデンサ、ＬＣは同期信号線、Ｒ１は抵抗（第１の
負帰還回路用）、Ｒ２は抵抗（第２の負帰還回路用）、
Ｓはスイッチング回路、ＬＥＤは発光素子、ＰＴＲは受
光・素子、■は基準電圧回路をそれぞれ示している。
第１図の各部の動作を説明する為の波形図である。図に
おいて、３と５はオベーレーションアンプリフフイヤ（
以下ＯＰアンプと言う）、４は第２の負帰還回路、Ｃ１
はコンデンサ、ＬＣは同期信号線、Ｒ１は抵抗（第１の
負帰還回路用）、Ｒ２は抵抗（第２の負帰還回路用）、
Ｓはスイッチング回路、ＬＥＤは発光素子、ＰＴＲは受
光・素子、■は基準電圧回路をそれぞれ示している。
まず、構成を説明すると、発光素子ＬＥＤとその駆動回
路は従来例とまったく同一動作をする様に構成しており
、受光素子ＰＴＲもベース配置も同様である。この受光
素子ＰＴＲはエミッタ接地されており、コレクタはＯＰ
アンプ３の反転入力（−）に接続されている。このＯＰ
アンプ３の非反転入力（十）は基準電圧回路Ｖの正極が
接続されており、例えばツェナーダイオードに抵抗を介
して電源電圧を供給する（図示せず）等の定電圧発生回
路で構成されており、この負極は接地されている。この
オペアンプ３の出力には第１と第２の負帰還回路（抵抗
Ｒ１）、及び４の一端がそれぞれ接続されている。この
第１の負帰還回路（抵抗＞Ｒ１はＯＰアンプ３の出力電
圧に応じた第１の負帰還電流１１を発光素子ＰＴＲとこ
のＯＰアンプ３の反転入力（−）に接続点に常時一定の
定数でフィードバックする為に抵抗Ｒ１（７）モラ一端
カ接続されている。第２の負帰還回路４のスイッチング
回路Ｓの第１の端子はオペアンプ３の出力に、第２の端
子はＯＰアンプ５の非反転入力（＋）に、開閉制御用の
第３の端子は同期信号線ＣＬにそれぞれ接続されている
。そして、このスイッチング回路Ｓの第１と第２の端子
間は発光素子ＬＥＤの発光タイミングと逆転したタイミ
ングで開成される様になっている。ＯＰアンプ５の非反
転入力（＋）はコンデンサＣ１の正極が接続されており
、このコンデンサＣ１の負極が接地されている。
路は従来例とまったく同一動作をする様に構成しており
、受光素子ＰＴＲもベース配置も同様である。この受光
素子ＰＴＲはエミッタ接地されており、コレクタはＯＰ
アンプ３の反転入力（−）に接続されている。このＯＰ
アンプ３の非反転入力（十）は基準電圧回路Ｖの正極が
接続されており、例えばツェナーダイオードに抵抗を介
して電源電圧を供給する（図示せず）等の定電圧発生回
路で構成されており、この負極は接地されている。この
オペアンプ３の出力には第１と第２の負帰還回路（抵抗
Ｒ１）、及び４の一端がそれぞれ接続されている。この
第１の負帰還回路（抵抗＞Ｒ１はＯＰアンプ３の出力電
圧に応じた第１の負帰還電流１１を発光素子ＰＴＲとこ
のＯＰアンプ３の反転入力（−）に接続点に常時一定の
定数でフィードバックする為に抵抗Ｒ１（７）モラ一端
カ接続されている。第２の負帰還回路４のスイッチング
回路Ｓの第１の端子はオペアンプ３の出力に、第２の端
子はＯＰアンプ５の非反転入力（＋）に、開閉制御用の
第３の端子は同期信号線ＣＬにそれぞれ接続されている
。そして、このスイッチング回路Ｓの第１と第２の端子
間は発光素子ＬＥＤの発光タイミングと逆転したタイミ
ングで開成される様になっている。ＯＰアンプ５の非反
転入力（＋）はコンデンサＣ１の正極が接続されており
、このコンデンサＣ１の負極が接地されている。
そして、このＯＰアンプ５とスイッチング回路Ｓとコン
デンサＣ１とでサンプル・アンド・ホールド回路が形成
されている。このＯＰアンプ５の反転入力（−）と出力
内は、短絡接続されており、増幅率が１倍のバッファア
ンプになっている。このＯＰアンプ５の出力は抵抗Ｒ２
を介して第２の負帰還電流Ｉ２を受光素子ＰＴＲのコレ
クタと抵抗Ｒ１とＯＰアンプ３の反転入力（−）との接
続点に供給する様に接続されている。
デンサＣ１とでサンプル・アンド・ホールド回路が形成
されている。このＯＰアンプ５の反転入力（−）と出力
内は、短絡接続されており、増幅率が１倍のバッファア
ンプになっている。このＯＰアンプ５の出力は抵抗Ｒ２
を介して第２の負帰還電流Ｉ２を受光素子ＰＴＲのコレ
クタと抵抗Ｒ１とＯＰアンプ３の反転入力（−）との接
続点に供給する様に接続されている。
第１のＯＰアンプ３はその出力と反転入力（−）間を第
１と第２の負帰還回路Ｒ１及び４との並列インピーダン
ス値Ｚで接続されたＯＰアンプにより１流を電圧に変換
して出力する電流電圧変換回路として構成されており、
受光素子ＰＴＨに流れるＮ流■３は、第１と第２の負帰
還１！流値の和１１＋１２にほぼ等しい値が通電される
様になっている。
１と第２の負帰還回路Ｒ１及び４との並列インピーダン
ス値Ｚで接続されたＯＰアンプにより１流を電圧に変換
して出力する電流電圧変換回路として構成されており、
受光素子ＰＴＨに流れるＮ流■３は、第１と第２の負帰
還１！流値の和１１＋１２にほぼ等しい値が通電される
様になっている。
この電流電圧変換回路のＯＰアンプ３の電圧出力■。ｌ
ｊＴには受光素子ＰＴＲに流れるＷｔ流値１３と上述の
並列インピーダンス値Ｚの積に基準電圧Ｖを加輝した電
圧値が出りされる様になっている。
ｊＴには受光素子ＰＴＲに流れるＷｔ流値１３と上述の
並列インピーダンス値Ｚの積に基準電圧Ｖを加輝した電
圧値が出りされる様になっている。
次に動作を説明すると、まず、発光素子ＬＥＤは第２図
のｈ）に示すクロックパルスと同期して同図のｋ）に示
す様にりＯツクパルスが反転した状態の矩形パルス点滅
をしている。この光を受光する受光素子ＰＴＲは同図の
ｊ）に示す様な外乱光をも同時に受光しており、受光素
子ＰＴＲの受光強度は同図の１）に示す様な外乱光と発
光素子から到達した光とが合成されたものである。
のｈ）に示すクロックパルスと同期して同図のｋ）に示
す様にりＯツクパルスが反転した状態の矩形パルス点滅
をしている。この光を受光する受光素子ＰＴＲは同図の
ｊ）に示す様な外乱光をも同時に受光しており、受光素
子ＰＴＲの受光強度は同図の１）に示す様な外乱光と発
光素子から到達した光とが合成されたものである。
この状態において発光素子ＬＥＤが発光していないとき
、スイッチングＳは閉成されており、ＯＰアンプ３はＲ
１と４が並列に負帰還ループとなっている。従って出力
■ｏｕ■に現われる電圧は、■ Ｒ１ｘＲ２Ｘ Ｉ
３＋ｖ −（１）ｏｕｙ−■７ＴＩＴ 式（１）となる。ここでＲ１はＲ２に対して例えば１０
’倍高い値に設定されており、Ｒ２は例えば１００前後
に設定する。従ってＶ。８■の値はほぼ■の値に近くな
り周囲光による電流Ｉ３の影響は第２図ｎ）のｆｌとｆ
２に示す様に小さな出力電圧変化におさえられ、大きな
周囲光によっても出力は飽和しない。
、スイッチングＳは閉成されており、ＯＰアンプ３はＲ
１と４が並列に負帰還ループとなっている。従って出力
■ｏｕ■に現われる電圧は、■ Ｒ１ｘＲ２Ｘ Ｉ
３＋ｖ −（１）ｏｕｙ−■７ＴＩＴ 式（１）となる。ここでＲ１はＲ２に対して例えば１０
’倍高い値に設定されており、Ｒ２は例えば１００前後
に設定する。従ってＶ。８■の値はほぼ■の値に近くな
り周囲光による電流Ｉ３の影響は第２図ｎ）のｆｌとｆ
２に示す様に小さな出力電圧変化におさえられ、大きな
周囲光によっても出力は飽和しない。
このときＯＰアンプ５の出力にはＶ。ｏｌに等しい電圧
が出力されている。従ってＯＰアンプ５の出力に接続さ
れたＲ２の一端、鴨もＶ。Ｕ□に等しい電圧が印加され
る。一方Ｒ２の他の一端とＲ１の一端とＯＰアンプ３の
一端子とＰＴＲのコレクタは共に接続されているので同
電位となっている。
が出力されている。従ってＯＰアンプ５の出力に接続さ
れたＲ２の一端、鴨もＶ。Ｕ□に等しい電圧が印加され
る。一方Ｒ２の他の一端とＲ１の一端とＯＰアンプ３の
一端子とＰＴＲのコレクタは共に接続されているので同
電位となっている。
またＲ１の他の一端は■。、■に接続されているのでＲ
１とＲ２の両端の電位差は等しくなる。また、ＯＰアン
プ３の反転入力端子（−）と非反転入力端子（＋）の電
圧はＯＰファン回路の仮想接地特性により基準電圧回路
Ｖの電圧と等しくなっている。従って抵抗Ｒ１とＲ２を
流れる第１と第２の帰還電流は 式（２）及び式（３）となり、第１と第２の帰還電流の
比は 式（４）に示すようにそれぞれの抵抗−値し反比例する
電流値となる。ここで抵抗Ｒ１の値は抵抗Ｒ２の値に対
して１０４倍高く設定しであるので第１の帰還電流１１
１．を第２の帰還？ＩｌＩ流値に対して極めて小さい値
となる。そして受光素子ＰＴＲに流れる光ｌｌｌ３は第
１と第２の帰還電流の和であり、第１の帰還電流１１の
値が極めて小さな値であることから、受光素子ＰＴＲに
流れる光電ＩＩｓのほぼ第２の帰還ｍ流値■２となって
おり、第２図のｍ）に示す様にこのときの受光素子ＰＴ
Ｒに流れる光電流■３は大部分がＯＰアンプ５より供給
されている第２の帰還電流によるものである。
１とＲ２の両端の電位差は等しくなる。また、ＯＰアン
プ３の反転入力端子（−）と非反転入力端子（＋）の電
圧はＯＰファン回路の仮想接地特性により基準電圧回路
Ｖの電圧と等しくなっている。従って抵抗Ｒ１とＲ２を
流れる第１と第２の帰還電流は 式（２）及び式（３）となり、第１と第２の帰還電流の
比は 式（４）に示すようにそれぞれの抵抗−値し反比例する
電流値となる。ここで抵抗Ｒ１の値は抵抗Ｒ２の値に対
して１０４倍高く設定しであるので第１の帰還電流１１
１．を第２の帰還？ＩｌＩ流値に対して極めて小さい値
となる。そして受光素子ＰＴＲに流れる光ｌｌｌ３は第
１と第２の帰還電流の和であり、第１の帰還電流１１の
値が極めて小さな値であることから、受光素子ＰＴＲに
流れる光電ＩＩｓのほぼ第２の帰還ｍ流値■２となって
おり、第２図のｍ）に示す様にこのときの受光素子ＰＴ
Ｒに流れる光電流■３は大部分がＯＰアンプ５より供給
されている第２の帰還電流によるものである。
次にＬＥＤが発光しているときＳＷは開成されておりＯ
Ｐアンプ５の非反転入力端子（＋）にはＬＥＤが発光す
る直前の値が保持されている。従ってＯＰアンプ５の出
力電圧もしＥＤの発光直前の値を出力し続けており、電
流Ｉ２もＬＥＤが発光する直前の値を保っている。ＬＥ
Ｄの発光によりＰＴＲを流れる光電流Ｉ３は第２図のｍ
）に示すΔＩ３だけ増加する。この増加分Δ１３は第２
の帰還電流Ｉ２の値がホールドされていることにより、
同図ｍ）に示す第１の帰還電流１１の増加分Δ１１によ
って供給される。すなわち、光電流Ｉ３の変化分ΔＩ３
は第１の帰還１！！ｉ流■１の変化分Δ１１と極めて近
い値となっているので、出力ＶＯＵＴの変化分も第２図
のｎ）に示すΔｖｏＵ□の様に同様に変化した値となる
。そしてこの時の出力Ｖ の電圧変化分Δ■ｏＵ０は
、抵抗１（１の値ＵＴ と第１の帰還電流１１の変化分Δ１１の積の値で、 あ
る。この時のＶ。Ｕｏの変化分の電圧は抵抗Ｒ１の値が
抵抗Ｒ２の値に対して極めて大きく設定しであるのでわ
ずかな充電流増加Δ１１に対して大きな出力電圧Ｖ
の変化分ΔｖＯＵＴの値となる。
Ｐアンプ５の非反転入力端子（＋）にはＬＥＤが発光す
る直前の値が保持されている。従ってＯＰアンプ５の出
力電圧もしＥＤの発光直前の値を出力し続けており、電
流Ｉ２もＬＥＤが発光する直前の値を保っている。ＬＥ
Ｄの発光によりＰＴＲを流れる光電流Ｉ３は第２図のｍ
）に示すΔＩ３だけ増加する。この増加分Δ１３は第２
の帰還電流Ｉ２の値がホールドされていることにより、
同図ｍ）に示す第１の帰還電流１１の増加分Δ１１によ
って供給される。すなわち、光電流Ｉ３の変化分ΔＩ３
は第１の帰還１！！ｉ流■１の変化分Δ１１と極めて近
い値となっているので、出力ＶＯＵＴの変化分も第２図
のｎ）に示すΔｖｏＵ□の様に同様に変化した値となる
。そしてこの時の出力Ｖ の電圧変化分Δ■ｏＵ０は
、抵抗１（１の値ＵＴ と第１の帰還電流１１の変化分Δ１１の積の値で、 あ
る。この時のＶ。Ｕｏの変化分の電圧は抵抗Ｒ１の値が
抵抗Ｒ２の値に対して極めて大きく設定しであるのでわ
ずかな充電流増加Δ１１に対して大きな出力電圧Ｖ
の変化分ΔｖＯＵＴの値となる。
ｔｌＴ
従って出力電圧Ｖ。１、の変化分ΔｖｏＵ□は発光素子
ＬＥＤの発光強度ｋ）と比例した値で正しく出力される
。
ＬＥＤの発光強度ｋ）と比例した値で正しく出力される
。
なお、上述した実施例では発光動作とサンプルホールド
動作のタイミングが全く同一の時期であるものとして説
明したが、受光素子及び発光素子の応答速度に応じて発
光タイミングとサンプルホールドのタイミングをずらす
ことでも対応することが出来る。
動作のタイミングが全く同一の時期であるものとして説
明したが、受光素子及び発光素子の応答速度に応じて発
光タイミングとサンプルホールドのタイミングをずらす
ことでも対応することが出来る。
以上説明した様に、本発明によれば、発光素子が発光し
ている時には、発光素子が消灯している最も近時の周囲
光？を流値に基づいて、第２の負帰還回路４が外乱光成
分を打ち消すと共に、第１の負帰還回路Ｒ１により一定
した定数値で負帰還され、発光素子による光電流が・一
定の電流電圧変換係数により電圧信号に変換されるよう
に構成したため、受光素子が発光素子からの光信号と周
囲からの強い外乱光を共に受光する状態でも、光検出回
路の受光素子部が外乱光によって飽和することが無いの
で、発光素子による発光信号を安定に検出することが出
来ることはも−とより誤検出する動作も防止出来るとい
う優れた効果を奏する。
ている時には、発光素子が消灯している最も近時の周囲
光？を流値に基づいて、第２の負帰還回路４が外乱光成
分を打ち消すと共に、第１の負帰還回路Ｒ１により一定
した定数値で負帰還され、発光素子による光電流が・一
定の電流電圧変換係数により電圧信号に変換されるよう
に構成したため、受光素子が発光素子からの光信号と周
囲からの強い外乱光を共に受光する状態でも、光検出回
路の受光素子部が外乱光によって飽和することが無いの
で、発光素子による発光信号を安定に検出することが出
来ることはも−とより誤検出する動作も防止出来るとい
う優れた効果を奏する。
第１図は本発明の一実施例を示す回路構成図、第２図は
第１図の動作を説明する為の波形図、第３図ないし第４
図は従来例を示す図である。 図において、１は反転論理回路、２はアナログコンパレ
ータ、３と５はＯＰアンプ、４は第２の負帰還回路、Ｒ
１は抵抗（第１の負帰還回路）、Ｒ２ないしＲ８は抵抗
、Ｃ１と０２は抵抗、Ｓはスイッチング回路、■は基準
電圧回路、ＬＥＤは発光素子、ＰＴＲは受光素子をそれ
ぞれ示す。 特許出願人 アルプス電気株式会社 第２ＦＭ
第１図の動作を説明する為の波形図、第３図ないし第４
図は従来例を示す図である。 図において、１は反転論理回路、２はアナログコンパレ
ータ、３と５はＯＰアンプ、４は第２の負帰還回路、Ｒ
１は抵抗（第１の負帰還回路）、Ｒ２ないしＲ８は抵抗
、Ｃ１と０２は抵抗、Ｓはスイッチング回路、■は基準
電圧回路、ＬＥＤは発光素子、ＰＴＲは受光素子をそれ
ぞれ示す。 特許出願人 アルプス電気株式会社 第２ＦＭ
Claims (1)
- 同期信号に同期して駆動される発光素子と、該発光素子
が発光した光を検出する受光素子と、前記発光素子から
の光が前記受光素子へ到達の有無を表わす信号を出力す
る光電検出回路において、前記受光素子が検出した電流
信号を電圧信号に変換する電流電圧変換回路と、該電流
電圧変換回路の出力信号を該電流電圧変換回路の入力回
路に負帰還する第１の帰還回路と、前記電流電圧変換回
路の出力信号を前記同期信号に基づいて前記発光素子が
発光しない時に検出保持するサンプルホールド回路を介
して前記電流電圧変換回路の入力回路に負帰還する第２
の帰還回路とを有することを特徴とする光電検出回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9274087A JP2558459B2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 光電検出回路 |
| US07/137,414 US4851689A (en) | 1987-04-15 | 1987-12-23 | Photodetecting circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9274087A JP2558459B2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 光電検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63258113A true JPS63258113A (ja) | 1988-10-25 |
| JP2558459B2 JP2558459B2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=14062813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9274087A Expired - Fee Related JP2558459B2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 光電検出回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4851689A (ja) |
| JP (1) | JP2558459B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010141526A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 受光回路 |
| JP2011216951A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Tdk Corp | 電流制御回路 |
| CN107332548A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-11-07 | 江门市江海区凯辉光电器材厂有限公司 | 一种光电开关 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01257227A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-13 | Chinon Ind Inc | 光検知装置 |
| JPH081363B2 (ja) * | 1989-05-08 | 1996-01-10 | 同和鉱業株式会社 | 光学的入力検出装置 |
| DE3923281A1 (de) * | 1989-07-14 | 1991-01-24 | Bosch Gmbh Robert | Schmutzsensor fuer kraftfahrzeug-scheiben |
| DE3934229A1 (de) * | 1989-10-13 | 1991-04-18 | Thomson Brandt Gmbh | Verfahren zum positionieren eines lichtstrahls auf einer bildflaeche |
| US5173750A (en) * | 1990-02-06 | 1992-12-22 | Eastman Kodak Company | Reflection densitometer |
| FI88828C (fi) * | 1991-02-06 | 1993-07-12 | Valmet Paper Machinery Inc | Foerfarande och anordning vid fotoelektrisk identifiering av en materialbana |
| US5442168A (en) * | 1991-10-15 | 1995-08-15 | Interactive Light, Inc. | Dynamically-activated optical instrument for producing control signals having a self-calibration means |
| JP2866236B2 (ja) * | 1991-10-29 | 1999-03-08 | 沖電気工業株式会社 | 印字用紙検出回路 |
| US5260563A (en) * | 1992-02-13 | 1993-11-09 | Tracor, Inc. | Compact laser warning receiver |
| US5955854A (en) * | 1992-09-29 | 1999-09-21 | Prospects Corporation | Power driven venting of a vehicle |
| US5508511A (en) * | 1994-05-24 | 1996-04-16 | Interactive Light, Inc. | Arrangement for and method of detecting an object in an area subject to environmental variations |
| FR2723448B1 (fr) * | 1994-08-02 | 1996-10-31 | Valeo Electronique | Dispositif de detection d'eau ou analogue sur une glace de vehicule automobile |
| DE19537615B4 (de) * | 1995-10-09 | 2005-02-17 | Sick Ag | Verfahren zum Betrieb eines optischen Lichttasters |
| FR2756682B1 (fr) * | 1996-12-03 | 1999-05-14 | Schneider Electric Sa | Cellule photoelectrique a amplification stabilisee |
| DE59811662D1 (de) * | 1997-04-30 | 2004-08-19 | Sick Ag | Opto-elektronische Sensoranordnung mit mehreren in einer Zeile oder einem Array angeordneten photoempfindlichen Elementen |
| US7315324B2 (en) * | 2002-08-15 | 2008-01-01 | Dixon Cleveland | Motion clutter suppression for image-subtracting cameras |
| US8006905B2 (en) * | 2008-04-18 | 2011-08-30 | Intermec Ip Corp. | Method of reducing noise in an optically read image using an optical collection device |
| KR101548696B1 (ko) * | 2008-08-07 | 2015-09-01 | 랩트 아이피 리미티드 | 피드백 제어 광학적 제어시스템 |
| GB0816592D0 (en) * | 2008-09-11 | 2008-10-15 | Sgs Thomson Microelectronics | Optical Sensor and Sensing Method |
| KR101623960B1 (ko) * | 2009-06-04 | 2016-05-25 | 삼성전자주식회사 | 광전자 셔터, 이의 동작 방법 및 광전자 셔터를 채용한 광학 장치 |
| CA2775985C (en) * | 2009-09-29 | 2016-05-31 | NagraID Security SA | Portable electronic device, particularly an electronic card, provided with an optical switch |
| CN116208135A (zh) * | 2023-02-28 | 2023-06-02 | 深圳市爱德泰科技有限公司 | 一种灵敏度可调的光电式触发电路和触发方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4061925A (en) * | 1976-02-20 | 1977-12-06 | Versatile Integrated Modules | Method and apparatus for measuring radiation from a plurality of light sources |
| JPS55112585A (en) * | 1979-02-22 | 1980-08-30 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photo detection unit of moving object |
| US4713534A (en) * | 1986-02-18 | 1987-12-15 | Carroll Touch Inc. | Phototransistor apparatus with current injection ambient compensation |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP9274087A patent/JP2558459B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1987-12-23 US US07/137,414 patent/US4851689A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010141526A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 受光回路 |
| JP2011216951A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Tdk Corp | 電流制御回路 |
| CN107332548A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-11-07 | 江门市江海区凯辉光电器材厂有限公司 | 一种光电开关 |
| CN107332548B (zh) * | 2017-07-27 | 2023-09-12 | 江门市江海区凯辉光电器材厂有限公司 | 一种光电开关 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4851689A (en) | 1989-07-25 |
| JP2558459B2 (ja) | 1996-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4851689A (en) | Photodetecting circuit | |
| KR900001583B1 (ko) | 광학적 물체검지장치 | |
| JPS5816456B2 (ja) | 光監視装置 | |
| TW201738534A (zh) | 光電感測器、光電檢測方法以及應用其的心率檢測設備 | |
| GB1587280A (en) | Photo responsive devices | |
| JPS5944809B2 (ja) | 光電スイッチ | |
| EP1418445A2 (en) | Photoelectric sensor | |
| JPH0317384B2 (ja) | ||
| KR920010366A (ko) | 물체검출장치 | |
| JPH0424476Y2 (ja) | ||
| CN119556291B (zh) | 背景抑制型光电传感器系统 | |
| CN100356195C (zh) | 光调制型光斩波器 | |
| JPH058888B2 (ja) | ||
| RU2017064C1 (ru) | Оптико-электронное устройство для измерения размеров нагретых изделий | |
| JPS5518906A (en) | Photoelectric position locator | |
| CN107332548B (zh) | 一种光电开关 | |
| SU552630A1 (ru) | Устройство дл охранно-пожарной сигнализации | |
| JP3063588B2 (ja) | 光電式煙感知器 | |
| JPS63254820A (ja) | 光電スイツチ | |
| SU715944A1 (ru) | Фотоэлектронное устройство | |
| JP2609924B2 (ja) | 光センサ回路 | |
| JPH05167413A (ja) | 反射形光電スイッチ | |
| SU1282325A1 (ru) | Фотоэлектрический датчик положени | |
| SU1509618A1 (ru) | Оптический датчик | |
| SU645169A1 (ru) | Оптоэлектронный операционный усилитель |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |