JPS6325851A - トラツキング案内溝を有する光デイスク - Google Patents
トラツキング案内溝を有する光デイスクInfo
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- JPS6325851A JPS6325851A JP16938686A JP16938686A JPS6325851A JP S6325851 A JPS6325851 A JP S6325851A JP 16938686 A JP16938686 A JP 16938686A JP 16938686 A JP16938686 A JP 16938686A JP S6325851 A JPS6325851 A JP S6325851A
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- optical
- recording layer
- disk
- recording
- tracking guide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【産業上の利用分野１
本発明はビデオディスク、コンパクトディスク、オフィ
ス用ファイルメモリディスクとして用いられ更にコンピ
ュータ用メモリディスクとして期待される光ディスクに
関し、追記型、特に消去再録型の光ディスクに関する。 【従来の技術】 情報記録の記録媒体として初期的に磁気記録媒体が実用
化され、情報記録の需要が急増する中で記録形態のコン
パクト化、高密度化が促進された。 即ち磁性粉を懸濁させた磁性塗料を塗布した離散型磁性
層の形式から高密度化の要請に添いうる気相堆積による
堆積型磁性層の形式が登場し、更に前記形式の水平記録
形態から飛躍的に記録高密度化が図られる磁性体を媒体
の厚み方向に磁化させる垂直記録の形態が実用化の段階
に到っている。 また磁気記録に遅れて、より一層の高密度化の要請に対
し記録の大容量、非接間記録、再生の利点に着目されて
光ディスクが開発されその進度を早めている。 光ディスクはコンパクトディスク（ＣＤ）のような再生
専用のもの、次いで使用者側に於て記録可能であるが記
録の消去はできないもの従って唯一回ノ記録が許される
追記型（ＩＩＯＲＭ型； Ｗｒｉｔｅ ０ｎｃｅＲｅａ
ｄ Ｍａｎｙ）と称される光ディスクが追加され、更に
記録の消去、再記録の可能な消去再録型の光ディスクに
まで種類を拡げている。 これらの光ディスクは、一般に透明基板に稠密な７字ま
たはＵ字螺旋溝または同心円溝及び記録層を設け、該記
録層素地に螺旋溝等に沿って物理的な小穴マイクロドツ
トを設けたビット型、或は磁化異方性の磁化マイクロド
ツトを設けた光磁気型、更に光反射率を異にする反射マ
イクロドツトを設ける相変化型等に区分されるが、情報
記録はいづれもピッチ１．０〜１．２μ醜範囲の前記溝
で形成される稠密なトラックに沿って設けられた前記各
種のマイクロドツト列として収録されている。 これらの形態を有する光ディスクに関しては、その基板
、記録層の素材、記録方式、手段、ディスク作成方法等
多岐に亘り相互に関聯した広汎な検討が進められている
。 情報の記録、再生及び消去には精密で確実、迅速なアク
セス及びトラッキングに耐えるサーボ制御系を有しレー
ザビームを１μ−程度の焦点に絞る光学ヘッドが用いら
れ、光学ヘッドのトラックオフに対しては、光ディスク
の形態に応じてブツシュ・プル法、３スポツト法、更に
つオプリング法、マーク検出法等のサーボ制御法が提案
されている。 前記のような精密なサーボ制御が行われる一方で、基板
の表面粗さ、表面うねり、偏心或は吸水、加熱による反
り、変形、寸度安定性、透明性、硬度などの物性及び加
工条件による複屈折、気泡異常將亦成形性、離型性、コ
スト等、光ディスクの円滑な作動の前提となる精度のよ
い基板に関る問題は依然として多い。 例えば現在実用に供されている情報用の追記型光ディス
クや光磁気型ディスクでは、幅が０．４−１．６μ輪の
トラッキング用の案内溝を設けている。 この溝の幅は、トラッキングの感度のみならず記録され
るビットの幅を制限し、直接的にＣ／Ｎに影響している
。 これらの光ディスクに対して高密度記録の要求されるの
に伴い用いられる基板にも高精度が要求されるようにな
っている。 ところが案内溝成形プロセスである放射線硬化樹脂の硬
化、あるいは射出成形では成形条件の僅かなバイアス、
ばらつきによってスタンパの転写性が変動し基板の精度
は低下する。 そのためトラッキング感度の低下、あるいは反射率の低
下を招き或はＣ／Ｎの低下を引き起す。
ス用ファイルメモリディスクとして用いられ更にコンピ
ュータ用メモリディスクとして期待される光ディスクに
関し、追記型、特に消去再録型の光ディスクに関する。 【従来の技術】 情報記録の記録媒体として初期的に磁気記録媒体が実用
化され、情報記録の需要が急増する中で記録形態のコン
パクト化、高密度化が促進された。 即ち磁性粉を懸濁させた磁性塗料を塗布した離散型磁性
層の形式から高密度化の要請に添いうる気相堆積による
堆積型磁性層の形式が登場し、更に前記形式の水平記録
形態から飛躍的に記録高密度化が図られる磁性体を媒体
の厚み方向に磁化させる垂直記録の形態が実用化の段階
に到っている。 また磁気記録に遅れて、より一層の高密度化の要請に対
し記録の大容量、非接間記録、再生の利点に着目されて
光ディスクが開発されその進度を早めている。 光ディスクはコンパクトディスク（ＣＤ）のような再生
専用のもの、次いで使用者側に於て記録可能であるが記
録の消去はできないもの従って唯一回ノ記録が許される
追記型（ＩＩＯＲＭ型； Ｗｒｉｔｅ ０ｎｃｅＲｅａ
ｄ Ｍａｎｙ）と称される光ディスクが追加され、更に
記録の消去、再記録の可能な消去再録型の光ディスクに
まで種類を拡げている。 これらの光ディスクは、一般に透明基板に稠密な７字ま
たはＵ字螺旋溝または同心円溝及び記録層を設け、該記
録層素地に螺旋溝等に沿って物理的な小穴マイクロドツ
トを設けたビット型、或は磁化異方性の磁化マイクロド
ツトを設けた光磁気型、更に光反射率を異にする反射マ
イクロドツトを設ける相変化型等に区分されるが、情報
記録はいづれもピッチ１．０〜１．２μ醜範囲の前記溝
で形成される稠密なトラックに沿って設けられた前記各
種のマイクロドツト列として収録されている。 これらの形態を有する光ディスクに関しては、その基板
、記録層の素材、記録方式、手段、ディスク作成方法等
多岐に亘り相互に関聯した広汎な検討が進められている
。 情報の記録、再生及び消去には精密で確実、迅速なアク
セス及びトラッキングに耐えるサーボ制御系を有しレー
ザビームを１μ−程度の焦点に絞る光学ヘッドが用いら
れ、光学ヘッドのトラックオフに対しては、光ディスク
の形態に応じてブツシュ・プル法、３スポツト法、更に
つオプリング法、マーク検出法等のサーボ制御法が提案
されている。 前記のような精密なサーボ制御が行われる一方で、基板
の表面粗さ、表面うねり、偏心或は吸水、加熱による反
り、変形、寸度安定性、透明性、硬度などの物性及び加
工条件による複屈折、気泡異常將亦成形性、離型性、コ
スト等、光ディスクの円滑な作動の前提となる精度のよ
い基板に関る問題は依然として多い。 例えば現在実用に供されている情報用の追記型光ディス
クや光磁気型ディスクでは、幅が０．４−１．６μ輪の
トラッキング用の案内溝を設けている。 この溝の幅は、トラッキングの感度のみならず記録され
るビットの幅を制限し、直接的にＣ／Ｎに影響している
。 これらの光ディスクに対して高密度記録の要求されるの
に伴い用いられる基板にも高精度が要求されるようにな
っている。 ところが案内溝成形プロセスである放射線硬化樹脂の硬
化、あるいは射出成形では成形条件の僅かなバイアス、
ばらつきによってスタンパの転写性が変動し基板の精度
は低下する。 そのためトラッキング感度の低下、あるいは反射率の低
下を招き或はＣ／Ｎの低下を引き起す。
本発明は溝幅の均一な基板を用いてディスクを作成する
ことによりＣ／Ｎの良好な情報用ディスクを得ることを
目的とする。
ことによりＣ／Ｎの良好な情報用ディスクを得ることを
目的とする。
前記した本発明の目的は、透明基板に設けたトラッキン
グ案内溝と記録層を有する光でディスクに於て、前記ト
ラッキング案内溝の溝幅変動が平均溝幅の±１０％以内
であるトラッキング案内溝を有することを特徴とする光
ディスクによって叶えることができる。 尚本発明の態様は、光ディスクの記録層が光磁気記録層
であるときに好都合であり、また該光磁気記録層が希土
類遷移金属合金からなる垂直磁化磁性層であることが好
ましい。 更に本発明に係る記録層は該記録層に接する少なくとも
一層の誘電体層を設けた形態であることが好ましい、該
誘電体は同じでも異っていても、更に両面に接して設け
て且つ両面に於て層数が異っていてもよい。 また透明基板は樹脂であることが好ましい。 次に本発明の詳細な説明する。 本発明の光ディスクの透明基板に設けるトラッキング案
内溝は７字溝でもＵ字溝でもよいが好ましくはＵ字溝で
ある。該トラッキング案内溝の形成には射出成形法によ
ってもよいし、フォトボリマ法によってもよい。 前記二つの成形方法にはともに超精密成形に適用しろる
スタンバが用いられる。 成形する際にはまづ上記精度のよいスタンバを選ぶこと
が必須条件であり、更に成形環境を清浄に保ち塵、埃を
排除することが必要である。 また基板用基材の物性及び該物性と使用スタンバ面とに
関る転写性、離型性を考慮、調整し、また成形条件に於
て内部歪の発生を防止し更に複屈折異常、気泡発生を排
除する等の条件を選定することによって、所定の光デイ
スク基板が得られるが、現技術レベルに於て本発明に特
定する溝幅変動許容範囲（±１０％）に収めるには試行
錯誤を重ねて実験的に好ましい条件を設定する方法が採
られる。 具体的には基材に樹脂を用いる場合、射出成形法に於て
は、樹脂量、樹脂温度、樹脂流動性、スタンバ温度、型
締力等の基準値及び該基準値への到達速度及び環境条件
への復帰速度であり、またフォトポリマ法に於ては、樹
脂量、樹脂粘度、基板圧着圧、電磁波照射強度等の基準
値及び該基準値と環境条件間との移行条件であって、こ
の試行による好ましい条件の組合せとしてトラーツキン
グ案内溝幅の変動が±１０％に収められる。 他の基板用基材を用いる場合にも同様の手続がとられる
。 本発明に於て光ディスクの基板に用いる素材としては、
スタンバによる型取時には少なくとも可塑性となりうろ
ことが必要であり、ガラス、酸化アルミニウム等のセラ
ミック無機質素材及びＰＭＭＡ等のアクリル系樹脂、ポ
リカーボネイト系樹脂、エポキシ系樹脂、オレフィン系
樹脂或はポリカーボネイト−ポリスチレン共重合体系樹
脂等の有機質素材が用いられる。 前記無機質、有機質素材のうち本発明に於ては成形条件
の調整の便及び得られる光ディスクの特性の面から透明
樹脂素材が好しい０例えば特性としてガラスの代りに透
明樹脂基板を用いれば、作動させるレーザ光の出力を大
幅に減少（約１／４）させることができる。 尚前記樹脂には必要に応じ重合開始剤、粘度調整剤、樹
脂安定剤、帯電防止剤或は潤滑剤等の添加剤を加えても
よい。 前記のようにして作成した光デイスク基板に対して、記
録層及びその他の構成層が、構成層素材の特性に合せて
スパッタ法、真空蒸着法等の気相堆積法、メッキ法或は
塗布法、ラミネート法によって形成され、更に該構成基
板を貼合せ両面光ディスクを作成することができる。 本発明に係る記録層の記録素材としては、前記ピット型
にはＴｅ、 Ｂｉ或はＴＥ−５ｅ系合金（Ｓｅ、＾Ｓ、
Ｓｂ。 Ｉｎ、 Ｓｎ、 Ｐｂ、 Ｂｉ等）、（ＴｅＳｅ）Ｐｂ
、Ｔｅ（ＴｉＡｇ） Ｓｅ、高分子染料等の均質素材、
更にＴｅ／Ｃ，Ｔｅ／ＣＳ２．染料／＾１． Ｔｅ合金
／＾ｒ、＾ｕ−Ｐｔ／ジーＰｔ合物等の複合素材が用い
られ、相変化型には＾５ＴｅＧｅ、 ５ｅＴｅＳｎ。 ５ｅｌｎＳｎ等の合金、Ｔｅ０ｘ（ｘ＃ １．２）等の
酸化物等のアモルファス、更にＢｉ丁ｅ／５ｂＳｅ、
Ｓｉ／Ｒｈ９等の複合素材が用いられる。 更に光磁気型に於ては、カー効果及び／またはファラデ
ィ効果の大きい光磁気記録素材かえらばれ、ＢｉＳｍＥ
ｒｆ；ａ鉄ガーネット等の単結晶膜、ＭｎＡｌ！Ｇｅ。 Ｅｕ０Ｆｅ、 ＣｏＣｒ等の多結晶膜、ＧｄＣｏ、 Ｇ
ｄＦｅＢ１． ＴｂＦｅＣ。 等のアモルファス膜が用いられるが、本発明に於て好ま
しく選ぶ光磁気型光ディスクに於ける好しい光磁気記録
素材は、下記一般式に示される希土類遷移金属合金であ
る。 式中ＲＥは希土類遷移金属（セリウム族及びイツトリウ
ム族）を表わし、ＴＭはＦｅ、Ｃｏ及びＮ１の三ツ組元
素を表わす８Ｍは不活性元素（Ｈｅ等）、ハロゲン元素
（ＣＩ等）、ランタニド、アクチノイド及び水素を除く
殆どの元素が含まれ、更にそれら元素の酸化物、炭化物
、硼化物、弗化物、硫化物或は燐化物であってもよい。 また×＋Ｙについては０．１≦×≦０．４、Ｏ≦ｙ≦０
．４の。 範囲の数値を取りうる６ 更にＲＥ、ＴＭ及びＭは夫々２種以上であってもよく二
元合金よりも多元合金の方が好ましい。 前記合金の磁気光学特性は組成元素及びその組酸比によ
って変るので光ディスクの設計仕様によって最適に選ぶ
ことができる。 また組成Ｍは多元スパッタ法等を用いて記録層厚み方向
に含有濃度を変えて特性の調節を行ってもよい。 次に前記一般式に於る組成元素ＲＥ、ＴＭ、Ｍの組合せ
の具体例を挙げるが、×＋ Ｆ等の組成比は最適に選ば
れる。尚組成Ｍは、ＲＥ、ＴＭ元素の後の十符号に続い
て印した。 ＤｙＣｏＦｅ、 ＤｙＧｄＣｏＦｅ、 ＤｙＧｄＴｂＦ
ｅ、 ＤｙＧｄＴｂＣｏＦｅ。 ＤｙＧｄＴｂＣｏＦｅ＋Ｔｉ、 ＤｙＴｂＣｏ、 Ｄｙ
ＴｂＦｅ、 ＤｙＴｂＣｏＦｅ。 ＥｕＴｂＦｅ、 ＧｄＮｄＦｅ、 ＧｄＳｍＴｂＦｅ、
ＧｄＳｍＴｂＣｏＦｅ、 ＧｄＴｂＦｅ、 ＧｄＴ
ｂＦｅ＋ ８． ＧｄＴｂＦｅ＋ Ｃｒ、 Ｇｄ丁
ｂＦｅ＋ Ｃ，ＧｄＴｂＦｅ十Ｓｉ、 ＧｄＴｂＣｏ
Ｆｅ、 ＧｄＳｂＣｏＦｅ＋Ｃｒ、 ＧｄＴｂＦｅ
Ｆｅ＋（Ｎｉ＋Ｃｒ）、 ＧｄＳｂＣｏＦｅ＋Ｓｉ、
ＧｄＴｂＣｏＦｅＮｉ、 ＳｍＴｂＣ。 Ｆｅ、 ＴｂＣｏＦｅ、 ＴｂＣｏＦｅ＋Ｂｉ、 Ｔｂ
ＣｏＦｅ＋Ｃ，ＴｂＣｏＮｉ。 ＴｂＦｅＮｉｕ、 ＴｂＦｅＮｉ、 ＴｂＣｏＦｅ旧等
。 尚本発明はこれらに限定されるものではない。 前記光磁気記録素材で構成された記録層に印加される磁
化ドツトは溝で形成されるトラックの凹部に設けてもよ
いし凸部であってもよい。 前記したように光磁気記録素材の組成要素数を増すこと
によって光ディスクの性能向上を訃ることができるが、
更に記録層の機能を分割し夫々専用に機能分担する記録
書込層及び記録再生層等から成る多層構造としてもよい
。 また反射層を設けて記録層を透過した光を反射させて再
利用する方法を講じてもよい。 更に本発明に於ては、記録層に接して少なくとも一層の
誘電体層を設は記録層の反射率が最小になるよう層厚を
規定しエンハンスメントを起させカー効果を増大させる
ことが好ましい。 記録層の反射率をＲ、カー回転角をθにとすると、Ｃ／
Ｎは Ｃ／ ＮＣＣθに４ の関係によって少なくとも２倍の程度に向上させること
ができる。 前記誘電体としては八ＩＮ、 ５ｉＪ４等の窒化物、５
ｉｎ２． Ｓｉｎ、 Ｔｉ０ｚ等の酸化物、ＭｇＦｚ、
ＬａＦ、、 ＣａＦ２等の弗化物及びＺｎＳ等の硫化
物が挙げられる。 尚誘電体層は複数層であってもよく各層の誘電体は異っ
ていてもよい、また記録層両側の誘電体層は同じ誘電体
であってもよいし異っていてもよい。 一方希土類遷移金属及び該金属合金は酸化され易いので
記録層形成後早期に保護層を設けてもよい。 保護層の素材としてはＳｉＮ、 ＳｉＯ或は樹脂例えば
紫外線硬化性樹脂の５ＤＩ７（大日本インキ製）、非粘
着性ホットメルト剤のＰに４４１（＾ＣＩジャパン製）
等が用いられる。尚保護層は前記エンハンスメントに寄
与するように規制してもよい。 前記のようにして構成した本発明の光ディスクを第１図
に示す。 同図（ａ）は光ディスクの一部を切出した一部破断斜視
図である。１は透明基板、２は記録層、３は保護層であ
る。更に同図（ｂ）はトラッキング案内溝部分の拡大断
面図である。２１は記録担持層、２２は誘電体層である
。尚溝幅変動は±１０％に収っている。 また第２図には本発明光ディスクに於て溝幅０．７μ論
のときの値を１としたときの相対反射信号強度と相対ト
ラッキング信号感度を示す、この図より溝幅の変動が±
１０％以内にあるとき両信号とも変動幅が２０％以内に
抑えられるのでこれらに起因するＣ／Ｈの低下も少なく
することができる。 τ実施例】 次に実施例によって本発明を具体的に説明する。 実施例−１ 直径１３０ｍ−のポリカーボネート基板を射出成形によ
り作製した。用いたスタンパの形状はである。 このスタンパを住友重機械工業（株）製射出成形機５Ｙ
ＣＡＰＳ １６５１７５ ＤＩＳＫに取り付は型締力６
０％で第１表の２稲の条件で基板を作成した。 こうして得られた２種の基板の溝幅を測定したところ以
下のようであった。 第２表 さらにこの２種の基板に第１図（ｂ）のように層形成し
、下記条件で光磁気ディスクを作成した。 有機保護層 ： ５Ｄ１７（大日本インキ製）、５μ−
磁 性 層 ： ＴｂＦｅＣｏ、厚さ １
，０００人誘電体層 ：八ｌＮ、 厚さ ８００人基
板 ：ポリカーボネート、１．２ｍｍこの２種の
光磁気ディスクを線速２ ｍ ／ ｓ、記録周波数Ｉ
Ｍ Ｈｚ、４ Ｍ Ｈｚでノイズレベル、Ｃ／Ｈの測定
を行なったところ第３表の結果が得られた。 第３表 この結果より溝幅の変動幅が１０％の基板を用いたディ
スク（Ａ）に比べ変動幅が１０％より大きいディスク（
Ｂ）はノイズが極めて多くなってしまい、またＣ／Ｎで
はそれ以上に著しく低下してしまった。 従って溝幅の変動幅が１０％を越えてしまうとディスク
の性能が大きく低下し、高密度記録に応えうる高精度の
ディスクは得られないことを示している。
グ案内溝と記録層を有する光でディスクに於て、前記ト
ラッキング案内溝の溝幅変動が平均溝幅の±１０％以内
であるトラッキング案内溝を有することを特徴とする光
ディスクによって叶えることができる。 尚本発明の態様は、光ディスクの記録層が光磁気記録層
であるときに好都合であり、また該光磁気記録層が希土
類遷移金属合金からなる垂直磁化磁性層であることが好
ましい。 更に本発明に係る記録層は該記録層に接する少なくとも
一層の誘電体層を設けた形態であることが好ましい、該
誘電体は同じでも異っていても、更に両面に接して設け
て且つ両面に於て層数が異っていてもよい。 また透明基板は樹脂であることが好ましい。 次に本発明の詳細な説明する。 本発明の光ディスクの透明基板に設けるトラッキング案
内溝は７字溝でもＵ字溝でもよいが好ましくはＵ字溝で
ある。該トラッキング案内溝の形成には射出成形法によ
ってもよいし、フォトボリマ法によってもよい。 前記二つの成形方法にはともに超精密成形に適用しろる
スタンバが用いられる。 成形する際にはまづ上記精度のよいスタンバを選ぶこと
が必須条件であり、更に成形環境を清浄に保ち塵、埃を
排除することが必要である。 また基板用基材の物性及び該物性と使用スタンバ面とに
関る転写性、離型性を考慮、調整し、また成形条件に於
て内部歪の発生を防止し更に複屈折異常、気泡発生を排
除する等の条件を選定することによって、所定の光デイ
スク基板が得られるが、現技術レベルに於て本発明に特
定する溝幅変動許容範囲（±１０％）に収めるには試行
錯誤を重ねて実験的に好ましい条件を設定する方法が採
られる。 具体的には基材に樹脂を用いる場合、射出成形法に於て
は、樹脂量、樹脂温度、樹脂流動性、スタンバ温度、型
締力等の基準値及び該基準値への到達速度及び環境条件
への復帰速度であり、またフォトポリマ法に於ては、樹
脂量、樹脂粘度、基板圧着圧、電磁波照射強度等の基準
値及び該基準値と環境条件間との移行条件であって、こ
の試行による好ましい条件の組合せとしてトラーツキン
グ案内溝幅の変動が±１０％に収められる。 他の基板用基材を用いる場合にも同様の手続がとられる
。 本発明に於て光ディスクの基板に用いる素材としては、
スタンバによる型取時には少なくとも可塑性となりうろ
ことが必要であり、ガラス、酸化アルミニウム等のセラ
ミック無機質素材及びＰＭＭＡ等のアクリル系樹脂、ポ
リカーボネイト系樹脂、エポキシ系樹脂、オレフィン系
樹脂或はポリカーボネイト−ポリスチレン共重合体系樹
脂等の有機質素材が用いられる。 前記無機質、有機質素材のうち本発明に於ては成形条件
の調整の便及び得られる光ディスクの特性の面から透明
樹脂素材が好しい０例えば特性としてガラスの代りに透
明樹脂基板を用いれば、作動させるレーザ光の出力を大
幅に減少（約１／４）させることができる。 尚前記樹脂には必要に応じ重合開始剤、粘度調整剤、樹
脂安定剤、帯電防止剤或は潤滑剤等の添加剤を加えても
よい。 前記のようにして作成した光デイスク基板に対して、記
録層及びその他の構成層が、構成層素材の特性に合せて
スパッタ法、真空蒸着法等の気相堆積法、メッキ法或は
塗布法、ラミネート法によって形成され、更に該構成基
板を貼合せ両面光ディスクを作成することができる。 本発明に係る記録層の記録素材としては、前記ピット型
にはＴｅ、 Ｂｉ或はＴＥ−５ｅ系合金（Ｓｅ、＾Ｓ、
Ｓｂ。 Ｉｎ、 Ｓｎ、 Ｐｂ、 Ｂｉ等）、（ＴｅＳｅ）Ｐｂ
、Ｔｅ（ＴｉＡｇ） Ｓｅ、高分子染料等の均質素材、
更にＴｅ／Ｃ，Ｔｅ／ＣＳ２．染料／＾１． Ｔｅ合金
／＾ｒ、＾ｕ−Ｐｔ／ジーＰｔ合物等の複合素材が用い
られ、相変化型には＾５ＴｅＧｅ、 ５ｅＴｅＳｎ。 ５ｅｌｎＳｎ等の合金、Ｔｅ０ｘ（ｘ＃ １．２）等の
酸化物等のアモルファス、更にＢｉ丁ｅ／５ｂＳｅ、
Ｓｉ／Ｒｈ９等の複合素材が用いられる。 更に光磁気型に於ては、カー効果及び／またはファラデ
ィ効果の大きい光磁気記録素材かえらばれ、ＢｉＳｍＥ
ｒｆ；ａ鉄ガーネット等の単結晶膜、ＭｎＡｌ！Ｇｅ。 Ｅｕ０Ｆｅ、 ＣｏＣｒ等の多結晶膜、ＧｄＣｏ、 Ｇ
ｄＦｅＢ１． ＴｂＦｅＣ。 等のアモルファス膜が用いられるが、本発明に於て好ま
しく選ぶ光磁気型光ディスクに於ける好しい光磁気記録
素材は、下記一般式に示される希土類遷移金属合金であ
る。 式中ＲＥは希土類遷移金属（セリウム族及びイツトリウ
ム族）を表わし、ＴＭはＦｅ、Ｃｏ及びＮ１の三ツ組元
素を表わす８Ｍは不活性元素（Ｈｅ等）、ハロゲン元素
（ＣＩ等）、ランタニド、アクチノイド及び水素を除く
殆どの元素が含まれ、更にそれら元素の酸化物、炭化物
、硼化物、弗化物、硫化物或は燐化物であってもよい。 また×＋Ｙについては０．１≦×≦０．４、Ｏ≦ｙ≦０
．４の。 範囲の数値を取りうる６ 更にＲＥ、ＴＭ及びＭは夫々２種以上であってもよく二
元合金よりも多元合金の方が好ましい。 前記合金の磁気光学特性は組成元素及びその組酸比によ
って変るので光ディスクの設計仕様によって最適に選ぶ
ことができる。 また組成Ｍは多元スパッタ法等を用いて記録層厚み方向
に含有濃度を変えて特性の調節を行ってもよい。 次に前記一般式に於る組成元素ＲＥ、ＴＭ、Ｍの組合せ
の具体例を挙げるが、×＋ Ｆ等の組成比は最適に選ば
れる。尚組成Ｍは、ＲＥ、ＴＭ元素の後の十符号に続い
て印した。 ＤｙＣｏＦｅ、 ＤｙＧｄＣｏＦｅ、 ＤｙＧｄＴｂＦ
ｅ、 ＤｙＧｄＴｂＣｏＦｅ。 ＤｙＧｄＴｂＣｏＦｅ＋Ｔｉ、 ＤｙＴｂＣｏ、 Ｄｙ
ＴｂＦｅ、 ＤｙＴｂＣｏＦｅ。 ＥｕＴｂＦｅ、 ＧｄＮｄＦｅ、 ＧｄＳｍＴｂＦｅ、
ＧｄＳｍＴｂＣｏＦｅ、 ＧｄＴｂＦｅ、 ＧｄＴ
ｂＦｅ＋ ８． ＧｄＴｂＦｅ＋ Ｃｒ、 Ｇｄ丁
ｂＦｅ＋ Ｃ，ＧｄＴｂＦｅ十Ｓｉ、 ＧｄＴｂＣｏ
Ｆｅ、 ＧｄＳｂＣｏＦｅ＋Ｃｒ、 ＧｄＴｂＦｅ
Ｆｅ＋（Ｎｉ＋Ｃｒ）、 ＧｄＳｂＣｏＦｅ＋Ｓｉ、
ＧｄＴｂＣｏＦｅＮｉ、 ＳｍＴｂＣ。 Ｆｅ、 ＴｂＣｏＦｅ、 ＴｂＣｏＦｅ＋Ｂｉ、 Ｔｂ
ＣｏＦｅ＋Ｃ，ＴｂＣｏＮｉ。 ＴｂＦｅＮｉｕ、 ＴｂＦｅＮｉ、 ＴｂＣｏＦｅ旧等
。 尚本発明はこれらに限定されるものではない。 前記光磁気記録素材で構成された記録層に印加される磁
化ドツトは溝で形成されるトラックの凹部に設けてもよ
いし凸部であってもよい。 前記したように光磁気記録素材の組成要素数を増すこと
によって光ディスクの性能向上を訃ることができるが、
更に記録層の機能を分割し夫々専用に機能分担する記録
書込層及び記録再生層等から成る多層構造としてもよい
。 また反射層を設けて記録層を透過した光を反射させて再
利用する方法を講じてもよい。 更に本発明に於ては、記録層に接して少なくとも一層の
誘電体層を設は記録層の反射率が最小になるよう層厚を
規定しエンハンスメントを起させカー効果を増大させる
ことが好ましい。 記録層の反射率をＲ、カー回転角をθにとすると、Ｃ／
Ｎは Ｃ／ ＮＣＣθに４ の関係によって少なくとも２倍の程度に向上させること
ができる。 前記誘電体としては八ＩＮ、 ５ｉＪ４等の窒化物、５
ｉｎ２． Ｓｉｎ、 Ｔｉ０ｚ等の酸化物、ＭｇＦｚ、
ＬａＦ、、 ＣａＦ２等の弗化物及びＺｎＳ等の硫化
物が挙げられる。 尚誘電体層は複数層であってもよく各層の誘電体は異っ
ていてもよい、また記録層両側の誘電体層は同じ誘電体
であってもよいし異っていてもよい。 一方希土類遷移金属及び該金属合金は酸化され易いので
記録層形成後早期に保護層を設けてもよい。 保護層の素材としてはＳｉＮ、 ＳｉＯ或は樹脂例えば
紫外線硬化性樹脂の５ＤＩ７（大日本インキ製）、非粘
着性ホットメルト剤のＰに４４１（＾ＣＩジャパン製）
等が用いられる。尚保護層は前記エンハンスメントに寄
与するように規制してもよい。 前記のようにして構成した本発明の光ディスクを第１図
に示す。 同図（ａ）は光ディスクの一部を切出した一部破断斜視
図である。１は透明基板、２は記録層、３は保護層であ
る。更に同図（ｂ）はトラッキング案内溝部分の拡大断
面図である。２１は記録担持層、２２は誘電体層である
。尚溝幅変動は±１０％に収っている。 また第２図には本発明光ディスクに於て溝幅０．７μ論
のときの値を１としたときの相対反射信号強度と相対ト
ラッキング信号感度を示す、この図より溝幅の変動が±
１０％以内にあるとき両信号とも変動幅が２０％以内に
抑えられるのでこれらに起因するＣ／Ｈの低下も少なく
することができる。 τ実施例】 次に実施例によって本発明を具体的に説明する。 実施例−１ 直径１３０ｍ−のポリカーボネート基板を射出成形によ
り作製した。用いたスタンパの形状はである。 このスタンパを住友重機械工業（株）製射出成形機５Ｙ
ＣＡＰＳ １６５１７５ ＤＩＳＫに取り付は型締力６
０％で第１表の２稲の条件で基板を作成した。 こうして得られた２種の基板の溝幅を測定したところ以
下のようであった。 第２表 さらにこの２種の基板に第１図（ｂ）のように層形成し
、下記条件で光磁気ディスクを作成した。 有機保護層 ： ５Ｄ１７（大日本インキ製）、５μ−
磁 性 層 ： ＴｂＦｅＣｏ、厚さ １
，０００人誘電体層 ：八ｌＮ、 厚さ ８００人基
板 ：ポリカーボネート、１．２ｍｍこの２種の
光磁気ディスクを線速２ ｍ ／ ｓ、記録周波数Ｉ
Ｍ Ｈｚ、４ Ｍ Ｈｚでノイズレベル、Ｃ／Ｈの測定
を行なったところ第３表の結果が得られた。 第３表 この結果より溝幅の変動幅が１０％の基板を用いたディ
スク（Ａ）に比べ変動幅が１０％より大きいディスク（
Ｂ）はノイズが極めて多くなってしまい、またＣ／Ｎで
はそれ以上に著しく低下してしまった。 従って溝幅の変動幅が１０％を越えてしまうとディスク
の性能が大きく低下し、高密度記録に応えうる高精度の
ディスクは得られないことを示している。
第１図は本発明の光ディスクの一部破断斜視図及び断面
図である。第２図は溝幅変動と特性値の関係を示す図で
ある。 出願人 小西六写真工業株式会社 第２図 ０．５ ０．７ ０．９嘴福欠
−）
図である。第２図は溝幅変動と特性値の関係を示す図で
ある。 出願人 小西六写真工業株式会社 第２図 ０．５ ０．７ ０．９嘴福欠
−）
Claims (5)
- （１）透明基板に設けたトラッキング案内溝と記録層を
有する光ディスクに於て、前記トラッキング案内溝の溝
幅変動が平均溝幅の±１０％以内であるトラッキング案
内溝を有することを特徴とする光ディスク。 - （２）前記光ディスクの記録層が光磁気記録層であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ディスク
。 - （３）前記光磁気記録層が希土類遷移金属合金からなる
垂直磁化磁性層であることを特徴とする特許請求の範囲
第２項記載の光ディスク。 - （４）前記光ディスクの記録層に接して少くとも一層の
誘電体層を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項、第２項もしくは第３項記載の光ディスク。 - （５）前記透明基板が樹脂基板であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項乃至第４項のいずれかに記載の光
ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16938686A JPS6325851A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | トラツキング案内溝を有する光デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16938686A JPS6325851A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | トラツキング案内溝を有する光デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6325851A true JPS6325851A (ja) | 1988-02-03 |
Family
ID=15885631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16938686A Pending JPS6325851A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | トラツキング案内溝を有する光デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6325851A (ja) |
-
1986
- 1986-07-17 JP JP16938686A patent/JPS6325851A/ja active Pending
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