JPS6325986A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
- Publication number
- JPS6325986A JPS6325986A JP61167824A JP16782486A JPS6325986A JP S6325986 A JPS6325986 A JP S6325986A JP 61167824 A JP61167824 A JP 61167824A JP 16782486 A JP16782486 A JP 16782486A JP S6325986 A JPS6325986 A JP S6325986A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- inp
- gainasp
- sinx
- mesa
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/225—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
- H10F30/2255—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes in which the active layers form heterostructures, e.g. SAM structures
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔１既要〕
半導体埋込み構造ＩｎＰ／ ＧａＩｎＡｓＰアバランシ
ホトダイオードにおいて、ＩｎＰと格子整合し、かつ、
禁制帯幅が１．０５ ｅＶ以上のＧａＩｎＡｓＰ層によ
って増倍領域を埋め込むことにより、ガードリング効果
を高め、表面保護膜の安定化を実現するものである。
ホトダイオードにおいて、ＩｎＰと格子整合し、かつ、
禁制帯幅が１．０５ ｅＶ以上のＧａＩｎＡｓＰ層によ
って増倍領域を埋め込むことにより、ガードリング効果
を高め、表面保護膜の安定化を実現するものである。
１．３μｍ波長または１．５５μｍ波長を用いる長波長
帯光通信において、長距離、大容量なシステムの受光素
子として ＩｎＰ／ Ｇａ１ｎＡｓアバランシホトダイ
オードが用いられる。
帯光通信において、長距離、大容量なシステムの受光素
子として ＩｎＰ／ Ｇａ１ｎＡｓアバランシホトダイ
オードが用いられる。
ＩｎＰ／ Ｇａ１ｎＡｓアバランシホトダイオード（Ａ
ＰＤ）は高性能化のため、ガードリング効果が確実であ
ることが要求され、埋込み構造はこの点を満足させる最
も優れた構造であることが示されている。
ＰＤ）は高性能化のため、ガードリング効果が確実であ
ることが要求され、埋込み構造はこの点を満足させる最
も優れた構造であることが示されている。
一方、光通信デバイスとしては高い信頼性が要求される
が、ｒｎＰに対する表面保護膜であるＳｉＮｘまたは５
ｉ０２などでは界面を安定する最適な条件が得られに＜
＜、信頼性を確保するための技術が要求されている。
が、ｒｎＰに対する表面保護膜であるＳｉＮｘまたは５
ｉ０２などでは界面を安定する最適な条件が得られに＜
＜、信頼性を確保するための技術が要求されている。
第３図に従来の埋込み構造ｒｎＰ／ Ｇａ１ｎＡｓ −
ＡＰＤの構造を示す。図中、１１は（１１１） Ａ面の
ｎ型１ｎＰ基板、１２はｎ −１ｎＰバツフア層、１３
はｎ −Ｇａ１ｎＡｓ光吸収層、１４はｎ −ＩｎＰ層
で、この層まで第１回の結晶成長で形成し、次いでこの
層をメサ形にエツチングし、次に第２回の結晶成長でｎ
−−ＩｎＰ層１５を形成し、カドミウム（Ｃｄ）拡散で
ｐ“領域１６を作ってメサの内部のｐｎ接合を、またベ
リリウム（Ｂｅ）のイオン注入によってｐ型ガードリン
グ１７を形成して、ｐ＋領域１６の周辺部での局所的な
ブレークダウン（ｅｄｇｅ ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）を防
いで、−様な増倍を行わせる。なお第３図において、１
８はＳｉＮｘ膜、１９は＾ｕＧｅ電極、２０はＡｕ／
Ｐ Ｌ／ Ｔ ｉ１掻である。かかるメサを結晶成長で
埋め込んでρｎ接合を形成する埋込み構造は三元ＡＰＤ
またはＧａＴｎＡｓ ＡＰＤと呼称される。
ＡＰＤの構造を示す。図中、１１は（１１１） Ａ面の
ｎ型１ｎＰ基板、１２はｎ −１ｎＰバツフア層、１３
はｎ −Ｇａ１ｎＡｓ光吸収層、１４はｎ −ＩｎＰ層
で、この層まで第１回の結晶成長で形成し、次いでこの
層をメサ形にエツチングし、次に第２回の結晶成長でｎ
−−ＩｎＰ層１５を形成し、カドミウム（Ｃｄ）拡散で
ｐ“領域１６を作ってメサの内部のｐｎ接合を、またベ
リリウム（Ｂｅ）のイオン注入によってｐ型ガードリン
グ１７を形成して、ｐ＋領域１６の周辺部での局所的な
ブレークダウン（ｅｄｇｅ ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）を防
いで、−様な増倍を行わせる。なお第３図において、１
８はＳｉＮｘ膜、１９は＾ｕＧｅ電極、２０はＡｕ／
Ｐ Ｌ／ Ｔ ｉ１掻である。かかるメサを結晶成長で
埋め込んでρｎ接合を形成する埋込み構造は三元ＡＰＤ
またはＧａＴｎＡｓ ＡＰＤと呼称される。
上記したデバイスにおいては、メサの内部のｐｎ接合だ
けでなだれ増倍が発生し、光吸収層１３中で発生したキ
ャリアが増倍領域に入ってなだれ増倍を起し、電流が増
幅されるのである。２回目のｎ−ＩｎＰの成長の技術は
確定されており、構成的には特に問題点はない。
けでなだれ増倍が発生し、光吸収層１３中で発生したキ
ャリアが増倍領域に入ってなだれ増倍を起し、電流が増
幅されるのである。２回目のｎ−ＩｎＰの成長の技術は
確定されており、構成的には特に問題点はない。
増倍領域は低濃度ＩｎＰ層により埋め込まれており、表
面はＩｎＰとなっていて、ここにＳｉＮ４’Ａによって
表面保護膜が形成されている。
面はＩｎＰとなっていて、ここにＳｉＮ４’Ａによって
表面保護膜が形成されている。
従来例ではＳｉＮｘ表面保護膜はｎ −ＩｎＰ上に形成
されているため、界面が安定となる条件が得られ難いと
いう問題があった。ＩｎＰの表面は不安定であり、Ｓｉ
ＮｘとＩｎＰとの界面準位密度が大になり、界面が不安
定になるのである。
されているため、界面が安定となる条件が得られ難いと
いう問題があった。ＩｎＰの表面は不安定であり、Ｓｉ
ＮｘとＩｎＰとの界面準位密度が大になり、界面が不安
定になるのである。
また、増倍領域はＩｎＰ層により埋め込まれているため
、ガードリング効果をもたせるためには、埋込み層のｎ
−１ｎＰの濃度は倍増領域ｎ −ＩｎＰ濃度の１／２
以下という制約が生じ、１０１１０１５ｃ１オーダーの
不純物濃度の制御が必要とされた。
、ガードリング効果をもたせるためには、埋込み層のｎ
−１ｎＰの濃度は倍増領域ｎ −ＩｎＰ濃度の１／２
以下という制約が生じ、１０１１０１５ｃ１オーダーの
不純物濃度の制御が必要とされた。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、従来
の三元ＡＰＤにおいて、ＳｉＮｘの表面保護膜との界面
に安定した埋込み層が設けられた受光素子を提供するこ
とを目的とする。
の三元ＡＰＤにおいて、ＳｉＮｘの表面保護膜との界面
に安定した埋込み層が設けられた受光素子を提供するこ
とを目的とする。
第１図は本発明による埋込み構造１ ｎＰ／ Ｇａ Ｉ
ｎＡｓ−ＡＰＤの第１実施例の断面図であり、図中、従
来例のｎ−−１ｎＰ層１５はｎ −−ＧａＩｎＡｓＰ層
２１で代えられている。
ｎＡｓ−ＡＰＤの第１実施例の断面図であり、図中、従
来例のｎ−−１ｎＰ層１５はｎ −−ＧａＩｎＡｓＰ層
２１で代えられている。
本発明においては、従来のｎ−−ｒｎＰ層１５に替り、
Ｅｇ＞ １．０５ ｅＶのｎ−ＧａＩｎＡｓＰ層２１に
より増倍領域を埋め込まれた構造となっている。
Ｅｇ＞ １．０５ ｅＶのｎ−ＧａＩｎＡｓＰ層２１に
より増倍領域を埋め込まれた構造となっている。
本発明は埋込み層にＥｇ＞ １．０５ ｅＶなるＧａＩ
ｎＡｓＰ層を用いることによりＳｉＮｘ表面保２Ｉ １
１Ｗによるバンシベーションが安定となる条件が得易く
、かつ、Ｅｇ＝１．１ｅＶのＧａ１ｎＡｓＰは同じ濃度
のＩｎＰよりもブレークダウン電圧が大きくなるために
、ガードリング効果が得られ易くなる。
ｎＡｓＰ層を用いることによりＳｉＮｘ表面保２Ｉ １
１Ｗによるバンシベーションが安定となる条件が得易く
、かつ、Ｅｇ＝１．１ｅＶのＧａ１ｎＡｓＰは同じ濃度
のＩｎＰよりもブレークダウン電圧が大きくなるために
、ガードリング効果が得られ易くなる。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
再び第１図の第１実施例を参照すると、図示のデバイス
は、従来のｎ−−１ｎＰ層１５がｎ−−ＧａＩｎＡｓＰ
層２１で替えられている。以下には、第１図のデバイス
を作るプロセスを説明する。
は、従来のｎ−−１ｎＰ層１５がｎ−−ＧａＩｎＡｓＰ
層２１で替えられている。以下には、第１図のデバイス
を作るプロセスを説明する。
（１１１） Ａ面ｎ”−ＩｎＰ基板１１（キャリア濃度
Ｉ ＸＩＯｃｍ−３）上に第１回目の液相結晶成長によ
って約５μｍの厚さのｎ −１ｎＰバツフア層１２（キ
ャリア濃度５Ｘ１０ ” ｃｍ−３） 、２〜３μｍの
厚さでキャリア濃度５ ＸＩＯ”’ ｃｍ−３のｎ −
ＧａＩｎＡｓ光吸収層１３、キャリアの高速転送のため
に挿入されるｎ −Ｇａ１ｎＡｓＰ中間層２２ （Ｅｇ
＝１．１ｅＶ ） 、キャリア濃度１．５〜２．ＯＸ
１０１６ｃｍ−’のｎ −１ｎＰ増倍層１４が順次形成
される。増倍層１４は化学工。
Ｉ ＸＩＯｃｍ−３）上に第１回目の液相結晶成長によ
って約５μｍの厚さのｎ −１ｎＰバツフア層１２（キ
ャリア濃度５Ｘ１０ ” ｃｍ−３） 、２〜３μｍの
厚さでキャリア濃度５ ＸＩＯ”’ ｃｍ−３のｎ −
ＧａＩｎＡｓ光吸収層１３、キャリアの高速転送のため
に挿入されるｎ −Ｇａ１ｎＡｓＰ中間層２２ （Ｅｇ
＝１．１ｅＶ ） 、キャリア濃度１．５〜２．ＯＸ
１０１６ｃｍ−’のｎ −１ｎＰ増倍層１４が順次形成
される。増倍層１４は化学工。
チングによって図示のメサ部１４ｃｌが残された形状に
加工され、メサ内部の厚さＬｌは約１．５μｍ、メサの
すそ野に当る部分の厚さｔ２は０．３〜０．５μｍにさ
れる。
加工され、メサ内部の厚さＬｌは約１．５μｍ、メサの
すそ野に当る部分の厚さｔ２は０．３〜０．５μｍにさ
れる。
次に、第２回目の液相結晶成長によってメサ部１４ａは
ｎ −−ＧａＩｎＡｓＰ層２１（キャリア濃度１．２〜
１．５ ｘ １０１６ｃｍ−’１．Ｅｇ二１．１ｅＶ
）によって埋め込まれる。
ｎ −−ＧａＩｎＡｓＰ層２１（キャリア濃度１．２〜
１．５ ｘ １０１６ｃｍ−’１．Ｅｇ二１．１ｅＶ
）によって埋め込まれる。
表面からＣｄを用いる拡散法によってＧａＩｎＡｓＰ層
Ｉ″？−３ ２１にキャリア濃度１〜２Ｘ１０ｃｍ、深さ２μｍのｐ
＋形領領域１６作られてｐｎ接合が形成され、またＢｅ
のイオン注入によってｐ型のガードリング１７が形成さ
れる。
Ｉ″？−３ ２１にキャリア濃度１〜２Ｘ１０ｃｍ、深さ２μｍのｐ
＋形領領域１６作られてｐｎ接合が形成され、またＢｅ
のイオン注入によってｐ型のガードリング１７が形成さ
れる。
さらに、Ｐ−ＣＶＤ法によってＳｉＮｘ表面保護膜１８
が形成され、最後にＡｕＧｅ電極１９、Ａｕ／ Ｐｔ／
Ｔｉ電極２０が形成される。オーミックコンタクトは
Ｔｉでとる。
が形成され、最後にＡｕＧｅ電極１９、Ａｕ／ Ｐｔ／
Ｔｉ電極２０が形成される。オーミックコンタクトは
Ｔｉでとる。
従来は・バンドギャップの小さいほどなだれ増倍を起し
易いので、メサのＩｎＰよりまわりのＧａ１ｎＡｓＰが
なだれ増倍を起し、素子の役割を果さないのではないか
と解されていたが、Ｇａ１ｎＡｓのなだれ増倍の起し易
さはＴｎＰの場合とほとんど変らないことが確認され、
ＩｎＰの代りにＧａ１ｎＡｓＰは素子の特性（ガードリ
ング効果）に対する関係でＩｎＰと交換可能であること
が明らかになった。
易いので、メサのＩｎＰよりまわりのＧａ１ｎＡｓＰが
なだれ増倍を起し、素子の役割を果さないのではないか
と解されていたが、Ｇａ１ｎＡｓのなだれ増倍の起し易
さはＴｎＰの場合とほとんど変らないことが確認され、
ＩｎＰの代りにＧａ１ｎＡｓＰは素子の特性（ガードリ
ング効果）に対する関係でＩｎＰと交換可能であること
が明らかになった。
第２図は本発明の第２実施例の断面図で、この実施例に
おいては、ｎ −ＩｎＰ層１４にはメサ部１４ａを囲む
溝１４ｂが形成され、この溝１４ｂがＧａ１ｎＡｓＰで
埋め込まれる。この実施例の利点は、第２回目の液相成
長では従来例のすそ野の部分をすべて埋め込む代りに溝
１４ｂだけを埋めれば足りるので、液相成長が第１実施
例よりより容易に制御性よくなしうろことである。
おいては、ｎ −ＩｎＰ層１４にはメサ部１４ａを囲む
溝１４ｂが形成され、この溝１４ｂがＧａ１ｎＡｓＰで
埋め込まれる。この実施例の利点は、第２回目の液相成
長では従来例のすそ野の部分をすべて埋め込む代りに溝
１４ｂだけを埋めれば足りるので、液相成長が第１実施
例よりより容易に制御性よくなしうろことである。
以上述べてきたように本発明による埋込み構造ＩｎＰ／
Ｇａ１ｎＡｓ −ＡＰＤによれば、ＧａＩｎＡｓＰと
ＳｉＮｘの界面準位密度はＩｎＰの場合よりも小である
ので、Ｇａ１ｎＡｓＰとＳｉＮｘの界面が安定化し、素
子の信頼性特に表面保護膜とＩｎＰとの界面の不安定に
よる暗電流の経時変化が極力抑えられる。本発明の実験
によると、電極２０の部分のＭＩＳ構造に関するデータ
は、ＩｎＰの場合に比べて優れていることも確認された
。
Ｇａ１ｎＡｓ −ＡＰＤによれば、ＧａＩｎＡｓＰと
ＳｉＮｘの界面準位密度はＩｎＰの場合よりも小である
ので、Ｇａ１ｎＡｓＰとＳｉＮｘの界面が安定化し、素
子の信頼性特に表面保護膜とＩｎＰとの界面の不安定に
よる暗電流の経時変化が極力抑えられる。本発明の実験
によると、電極２０の部分のＭＩＳ構造に関するデータ
は、ＩｎＰの場合に比べて優れていることも確認された
。
第１図は本発明第１実施例断面図、
第２図は本発明第２実施例断面図、
第３図は従来例断面図である。
第１図ないし第３図において、
１１は（１１１） Ａ面［ｎＰ基板、
１２はｎ −ＩｎＰ層（バッファ層）、１３はｎ −Ｇ
ａＩｎＡｓ１ｉ （光吸収層）、１４はｎ−ＴｎＰ（増
倍層）、 １４ａはメサ部、 １４ｂは溝、 １５はｎ−ＩｎＰ層（埋込み層）、 １６はｐ＋領領域 １７はｐ型のガードリング、 １８は５ｉＮｘｌｐＱ、 １９はＡｕＧｅ電極、 ２０はＡｕ／ Ｐ Ｌ／ Ｔｉ電極、 ２１はｎ −−ＧａＩｎＡｓＰ層（埋込み層）、２２は
中間層である。 代理人 弁理士 久木元 彰 復代理人 弁理士 大 菅 義 之 ／ｊ″−ン印≦５ハ」季し２ｊζ塙１ヒイ多１１ 以Ｙ
「ｄｂＩＩｌ箪２Ａ 疑ＬＪ’Ｊ駿相凪 １．３図
ａＩｎＡｓ１ｉ （光吸収層）、１４はｎ−ＴｎＰ（増
倍層）、 １４ａはメサ部、 １４ｂは溝、 １５はｎ−ＩｎＰ層（埋込み層）、 １６はｐ＋領領域 １７はｐ型のガードリング、 １８は５ｉＮｘｌｐＱ、 １９はＡｕＧｅ電極、 ２０はＡｕ／ Ｐ Ｌ／ Ｔｉ電極、 ２１はｎ −−ＧａＩｎＡｓＰ層（埋込み層）、２２は
中間層である。 代理人 弁理士 久木元 彰 復代理人 弁理士 大 菅 義 之 ／ｊ″−ン印≦５ハ」季し２ｊζ塙１ヒイ多１１ 以Ｙ
「ｄｂＩＩｌ箪２Ａ 疑ＬＪ’Ｊ駿相凪 １．３図
Claims (2)
- （１）ｎ＾＋−ＩｎＰ基板（１１）上に、ｎ−ＩｎＰバ
ッファ層（１２）、ｎ−ＧａＩｎＡｓ光吸収層（１３）
、ｎ−ＩｎＰ増倍層（１４）が積層され、ｎ−ＩｎＰ増
倍層（１４）はメサ型に加工され、低濃度ｎ型層により
埋め込まれ、表面よりｐ型不純物がドーピングされ、メ
サ部（１４ａ）を横切る形でｐｎ接合面が形成されて成
る埋込み構造アバランシホトダイオードにおいて、 メサ形加工されたｎ−ＩｎＰ増倍層（１４）がＩｎＰと
格子整合し、かつ、禁制帯幅が１．０５ｅＶ以上のＧａ
ＩｎＡｓＰ層（２１）により埋め込まれた構造を有する
半導体受光素子。 - （２）メサ部（１４ａ）を囲む溝（１４ｂ）がＧａＩｎ
ＡｓＰ層（２１）によって埋め込まれてなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61167824A JPS6325986A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61167824A JPS6325986A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 半導体受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6325986A true JPS6325986A (ja) | 1988-02-03 |
Family
ID=15856773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61167824A Pending JPS6325986A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6325986A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006019632A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置および不純物原子の拡散方法 |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP61167824A patent/JPS6325986A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006019632A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置および不純物原子の拡散方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9640703B2 (en) | Avalanche photodiode | |
| JP4220688B2 (ja) | アバランシェホトダイオード | |
| CN101312221B (zh) | 半导体受光元件及其制造方法 | |
| EP0156156A1 (en) | Avalanche photodiodes | |
| US4857982A (en) | Avalanche photodiode with floating guard ring | |
| US4656494A (en) | Avalanche multiplication photodiode having a buried structure | |
| US5107319A (en) | Monolithically integrated photodiode-fet combination | |
| CA2873841C (en) | Planar avalanche photodiode | |
| JPS582077A (ja) | 半導体デバイス | |
| JP4861388B2 (ja) | アバランシェホトダイオード | |
| JP2008028421A (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
| JPS6244709B2 (ja) | ||
| JPS6244431B2 (ja) | ||
| JPS63955B2 (ja) | ||
| JPH0513798A (ja) | 半導体受光装置 | |
| JPS6325986A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP2633912B2 (ja) | 半導体受光装置 | |
| JP2763352B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP3055030B2 (ja) | アバランシェ・フォトダイオードの製造方法 | |
| JPS61128578A (ja) | ＩｎＰ系受光素子 | |
| JPS6222545B2 (ja) | ||
| JPH02228080A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH041740Y2 (ja) | ||
| JPS639986A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPS6112087A (ja) | アバランシフオトダイオ−ド |