JPS63269022A - 露光装置及び素子製造方法 - Google Patents

露光装置及び素子製造方法

Info

Publication number
JPS63269022A
JPS63269022A JP62103026A JP10302687A JPS63269022A JP S63269022 A JPS63269022 A JP S63269022A JP 62103026 A JP62103026 A JP 62103026A JP 10302687 A JP10302687 A JP 10302687A JP S63269022 A JPS63269022 A JP S63269022A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
illuminance unevenness
dimensional image
imaging element
image element
measuring device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP62103026A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2571054B2 (ja
Inventor
Chigusa Oouchi
千種 大内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP62103026A priority Critical patent/JP2571054B2/ja
Publication of JPS63269022A publication Critical patent/JPS63269022A/ja
Priority to US07/542,652 priority patent/US5067811A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2571054B2 publication Critical patent/JP2571054B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/4228Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors arrangements with two or more detectors, e.g. for sensitivity compensation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/4257Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to monitoring the characteristics of a beam, e.g. laser beam, headlamp beam
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体露光装置の照明光学系特にエキシマレ
ーザのようなパルス光源を有する照明光学系に用いて好
適な、被照射域の照度むらを瞬時かつ正確に測定するこ
とができる照度むら測定装置に関する。
[従来技術ゴ 従来この種の装置は、1個の小面積を有する光検出器で
測定領域(被照射域)をスキャンすることにより測定領
域の照度むらを測定する方式のものであった。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながらこのような従来方式によれば、光源がエキ
シマレーザのようなパルス発光型でパルス毎に光強度お
よび光強度分布が変化する場合には正確な照度むらを測
定することができないという欠点があった。
また5、−測定領域に渡って光検出器でスキャンしなけ
ればならないため瞬時に測定することができないという
欠点もあった。
本発明の目的は、上述従来例の欠点を除去し、パルス毎
に光源の強度や光強度分布が変化する場合でも簡単な構
成により正確にかつ瞬時に照度むらが測定できる照度む
ら測定装置を提供することにある。
[問題点を解決するための手段] 上記目的を達成するため本発明の照度むら測定装置は、
照度むら測定領域に設置された2次元画像素子と、該2
次元画像素子からの信号について所定の処理をする画像
処理手段とを具備している。
[作用] 上記2次元画像素子は、測定領域に照射される光の強度
分布を瞬時に各画素単位毎の電気的信号に変えて上記画
像処理手段に出力する。該画像処理手段は該信号に基づ
き所定の処理、例えばデータの記憶、演算、画素毎の積
算等を行なう。
したがって、光源がパルスレーザであっても、パルスレ
ーザの発光タイミングと2次元画像素子の検出タイミン
グとを同期させることにより1パルス毎に照度むらを測
定することができる。また、この検出値を所定パルス数
単位で積算することにより時間的に平均化された照度む
らを測定することもできる。さらにこのとき、パルス単
位に照射光の角度を変化させながら積算すれば、スペッ
クルパターンによる強度のばらつきを平均化させること
もでき、より正確な照度むらを測定することができる。
[実施例] 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例に係る照度むら測定装置を適
用したエキシマレーザを光源とする半導体露光装置の照
明系の構成を示す。同図において、1は光源であるエキ
シマレーザ、2は該レーザから発した光束、3は光束2
の角度を変化させる光束揺動器、4は光束揺動器3の駆
動装置、5は2次元光源を形成するハエノ目レンズ、6
はコンデンサレンズ、80は照射光を受光し検出するC
OD等の2次元画像素子8を有する2次元画像素子ユニ
ット、9は2次元画像素子8からコード8bを介して受
ける信号を記憶し演算処理する画像信号処理装置、10
は全系を制御するコントローラである。2次元画像素子
ユニット8aはコード8bで画像信号処理装置とつなが
っているが、ユニット全体は固定されておらずコード8
bの長さの範囲で持ち運び可能である。図では半導体露
光装置のウェハステージ11上に載置された状態が示し
である。12は投影レンズ、13はレチクルステージで
ある。2次元画像素子8は本照明系の被照射域とほぼ同
じ大きさを有する。
この構成において、エキシマレーザ1から発した光束2
はスペックル対策のため設けられている光振動器3を経
て、ハエノ目レンズ5、コンデンサレンズ6および投影
し゛ンズ12を透過した後、被照射域に達する。そして
、そこに設置されている2次元画像素子8により被照射
域上の光強度分布が電気信号として検出され、画像信号
処理装置9に送られて記憶され数値処理される。
次に、照射分布を積算して求める方法を説明する。
一般に、レーザを光源とする照明系に特有な現象として
、被照射面上にスペックルと呼ばれる細かな干渉パター
ンが発生する。これは干渉性の高い光束2がハエノ目レ
ンズ5を構成する各車レンズを透過した後被照射域で重
り合うため生じるものであり、例えば第2図に示すよう
な光強度分布を程する。同図のグラフの横軸は被照射域
上での直線的距離を示し、縦軸は照射光の相対強度を示
す。そして、このグラフに現われているピークの位置は
、ハエノ目レンズ5に入射する光束2の入射角を変える
ことにより変化する。したがって、多パルス露光におい
ては、パルス毎に光束揺動器3を使って光束2の方向を
変化させることにより、被照射面上の積算露光量を均一
化することができる。ところでこのような露光を行なう
ための露光装置で露光ムラを見るのに従来のスキャン型
小面積光検出器を使ったのでは各パルス毎の光検出器位
置での部分スペックルパターンしか検出できず、光束揺
動器を使った多パルス露光が終了した際の全体の積算露
光量のムラを検出する事はできなかった。そこで、この
積算露光量の空間分布つまり照度むらを測定するために
、本実施例では、各パルス毎に光束2の方向を変化させ
ながら2次元画像素子8の各画素の露光量を画像信号処
理装置9に記憶し、各画素毎に所定パルス数に渡って積
算するようにしている。そして測定に際しては、この目
的のため、コントローラエ0によりエキシマレーザ1と
振動器駆動装置4と画像信号処理装置9は同期がとられ
る。すなわち振動器駆動装置4により、光束揺動器3が
光束の角度を所定量変化させる毎に、エキシマレーザ1
が発光し、同時に画像信号処理装置9が信号をサンプリ
ングする。
[実施例の変形例] 上述実施例において、被照射域に拡大投影系を用いて結
像させるようにすれば、2次元画像素子8の画素より細
かな照度むら測定も可能である。
また、同様に縮小投影系を用いれば、2次元画像素子8
の有効面より大きな面積、例えば被照射域7の全面に渡
る照度むら測定も可能である。
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、被照射域に設置し
た2次元画像素子とその信号を処理する記憶演算装置と
を備えた簡単な構成により、瞬時にかつ正確に照度むら
を測定することができる。
また、特にエキシマレーザを光源とする半導体露光装置
の照明系に招ける1パルスでの照度むら測定も可能であ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例に係る照度むら測定装置を
適用した半導体露光装置の照明系の構成図、そして 第2図は、一般に被照射域で生ずるスペックル干渉によ
る照度むらを示すグラフである。 1:エキシマレーザ、 2:光束、 3:光束揺動器、 4:振動器駆動装置、 6:コンデンサレンズ、 8:2次元画像素子、 8a:2次元画像素子ユニット、 8b:コード、 9:画像信号処理装置、 lO:コントローラ、 11:クエハステージ、 12:投影レンズ、 13ニレチクルステージ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、照度むら測定領域に設置された2次元画像素子と、
    該2次元画像素子からの信号に基づき照度むらを検出す
    る画像信号処理手段とを備えたことを特徴とする照度む
    ら測定装置。 2、光源がパルスレーザである場合は前記画像信号処理
    装置による照度むら検出タイミングと該パルスレーザの
    発光タイミングとが同期し1パルス毎の照度むらが測定
    できることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の照
    度むら測定装置。 3、光束の角度を時間的に変化させることにより前記照
    度むら測定領域において時間的に積算した場合の光強度
    分布を均一にする手段を有する特許請求の範囲第1項記
    載の照度むら測定装置。 4、光源がパルスレーザである場合は、前記画像処理手
    段は前記2次元画像素子の画素毎に所定パルス数単位で
    検出値を積算して照度むらを求めることができるもので
    ある特許請求の範囲第3項記載の照度むら測定装置。
JP62103026A 1987-04-28 1987-04-28 露光装置及び素子製造方法 Expired - Lifetime JP2571054B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62103026A JP2571054B2 (ja) 1987-04-28 1987-04-28 露光装置及び素子製造方法
US07/542,652 US5067811A (en) 1987-04-28 1990-06-25 Illuminance distribution measuring system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62103026A JP2571054B2 (ja) 1987-04-28 1987-04-28 露光装置及び素子製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63269022A true JPS63269022A (ja) 1988-11-07
JP2571054B2 JP2571054B2 (ja) 1997-01-16

Family

ID=14343134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62103026A Expired - Lifetime JP2571054B2 (ja) 1987-04-28 1987-04-28 露光装置及び素子製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5067811A (ja)
JP (1) JP2571054B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011118463A1 (ja) * 2010-03-23 2011-09-29 株式会社日本製鋼所 レーザアニール装置
JP2016188953A (ja) * 2015-03-30 2016-11-04 株式会社ニコン 照明光学系、照明方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03221848A (ja) * 1990-01-26 1991-09-30 Canon Inc 異物検査装置
GB9107013D0 (en) * 1991-04-04 1991-05-22 Power Lasers Inc Solid state artificial cornea for uv laser sculpting
JPH0536586A (ja) * 1991-08-02 1993-02-12 Canon Inc 像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法
US5420417A (en) * 1991-10-08 1995-05-30 Nikon Corporation Projection exposure apparatus with light distribution adjustment
JP2715895B2 (ja) * 1994-01-31 1998-02-18 日本電気株式会社 光強度分布シミュレーション方法
US20010046088A1 (en) 1994-02-14 2001-11-29 Naoto Sano Exposure apparatus and device manufacturing method using the same
US5609780A (en) * 1994-11-14 1997-03-11 International Business Machines, Corporation Laser system
JPH08179237A (ja) * 1994-12-26 1996-07-12 Nikon Corp 照明光学装置
US5978053A (en) * 1995-07-07 1999-11-02 New Mexico State University Technology Transfer Corporation Characterization of collimation and beam alignment
US5818597A (en) * 1996-10-22 1998-10-06 Ultra Stereo Labs, Inc. Projection system visual characteristics analyzer
US6771417B1 (en) * 1997-08-01 2004-08-03 Carl Zeiss Jena Gmbh Applications of adaptive optics in microscopy
US6013911A (en) * 1998-03-02 2000-01-11 Ultra Stereo Labs Inc. Lamp illumination control system and method
US6118113A (en) * 1998-03-02 2000-09-12 Hibbard; Earl Roger Focusing mirror control system and method for adjusting same
US7136159B2 (en) * 2000-09-12 2006-11-14 Kla-Tencor Technologies Corporation Excimer laser inspection system
JP4230676B2 (ja) * 2001-04-27 2009-02-25 株式会社東芝 露光装置の照度むらの測定方法、照度むらの補正方法、半導体デバイスの製造方法及び露光装置
JP2005156403A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Canon Inc シアリング干渉を利用した測定方法及び装置、それを利用した露光方法及び装置、並びに、デバイス製造方法
US7738692B2 (en) * 2006-07-20 2010-06-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Methods of determining quality of a light source
DE102006038580A1 (de) * 2006-08-17 2008-02-21 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zum Ermitteln der Lichtintensität von spektralen Anteilen von Licht
TWI413801B (zh) * 2008-01-04 2013-11-01 Ind Tech Res Inst 微位相差板之製造系統及製造方法
CN101498804B (zh) * 2008-01-29 2011-04-20 财团法人工业技术研究院 微位相差板的制造系统及制造方法
JP5759232B2 (ja) * 2011-04-04 2015-08-05 キヤノン株式会社 測定装置
TW201416166A (zh) * 2012-10-18 2014-05-01 Max See Industry Co Ltd 加工機之工件檢測方法及其裝置
CN115598937B (zh) * 2022-12-13 2023-04-07 华芯程(杭州)科技有限公司 一种光刻掩膜形状预测方法及装置、电子设备

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57101839A (en) * 1980-12-18 1982-06-24 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposure device for wafer or photomask
JPS57117238A (en) * 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS60168026A (ja) * 1984-02-13 1985-08-31 Canon Inc 投影露光装置
JPS61154128A (ja) * 1984-12-27 1986-07-12 Canon Inc 露光装置
JPS61177723A (ja) * 1985-02-01 1986-08-09 Canon Inc 露光監視装置
JPS61212816A (ja) * 1985-03-18 1986-09-20 Canon Inc 照明装置
JPS61502507A (ja) * 1984-06-21 1986-10-30 アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− ディ−プ紫外線リソグラフィ−
JPS6252929A (ja) * 1985-09-02 1987-03-07 Canon Inc 照明光学装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4320462A (en) * 1980-03-31 1982-03-16 Hughes Aircraft Company High speed laser pulse analyzer
US4799791A (en) * 1984-02-13 1989-01-24 Canon Kabushiki Kaisha Illuminance distribution measuring system
US4619508A (en) * 1984-04-28 1986-10-28 Nippon Kogaku K. K. Illumination optical arrangement

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57101839A (en) * 1980-12-18 1982-06-24 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposure device for wafer or photomask
JPS57117238A (en) * 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS60168026A (ja) * 1984-02-13 1985-08-31 Canon Inc 投影露光装置
JPS61502507A (ja) * 1984-06-21 1986-10-30 アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− ディ−プ紫外線リソグラフィ−
JPS61154128A (ja) * 1984-12-27 1986-07-12 Canon Inc 露光装置
JPS61177723A (ja) * 1985-02-01 1986-08-09 Canon Inc 露光監視装置
JPS61212816A (ja) * 1985-03-18 1986-09-20 Canon Inc 照明装置
JPS6252929A (ja) * 1985-09-02 1987-03-07 Canon Inc 照明光学装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011118463A1 (ja) * 2010-03-23 2011-09-29 株式会社日本製鋼所 レーザアニール装置
JP2016188953A (ja) * 2015-03-30 2016-11-04 株式会社ニコン 照明光学系、照明方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5067811A (en) 1991-11-26
JP2571054B2 (ja) 1997-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS63269022A (ja) 露光装置及び素子製造方法
JP4515638B2 (ja) 対象物を検査する方法と装置
KR100300621B1 (ko) 노광장치,노광방법,노광제어장치,노광제어방법,레이저장치,및디바이스제조방법
JP2006514739A5 (ja)
JP2006514739A (ja) 歯科用レーザデジタイザシステム
JPH04105341A (ja) 半導体装置のリード曲がり、浮き検出方法及び検出装置
CN102073217A (zh) 一种波像差实时测量装置和方法
JP3360760B2 (ja) 露光量むらの計測方法、並びに露光方法及び露光装置
JPH032546A (ja) 異物検査装置
JP2004012301A (ja) パターン欠陥検出方法およびその装置
JPH07220989A (ja) 露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法
JP4174307B2 (ja) 露光装置
JP2004186234A (ja) 露光装置
JP3168480B2 (ja) 異物検査方法、および異物検査装置
JPH04130207A (ja) ホットコイル巻取形状の検出装置
JPH05272932A (ja) 位置情報のコード化方法およびそのコードを用いた3次元計測方法
JPH1097988A (ja) 露光装置
JP2001015420A5 (ja)
JPH08304040A (ja) 3次元形状測定装置
JPH02147925A (ja) 光量分布測定方法
JPH0560602A (ja) 光強度分布測定装置
JPS62298705A (ja) リニアセンサ光源制御方式
JP2024139014A (ja) 撮像装置、外観検査システム、ノイズ除去方法及び撮像システム
JPH0227606B2 (ja) Ichisokuteisochi
JPH05340883A (ja) 異物検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071024

Year of fee payment: 11