JPS63271994A - セラミツク配線基板 - Google Patents
セラミツク配線基板Info
- Publication number
- JPS63271994A JPS63271994A JP62105960A JP10596087A JPS63271994A JP S63271994 A JPS63271994 A JP S63271994A JP 62105960 A JP62105960 A JP 62105960A JP 10596087 A JP10596087 A JP 10596087A JP S63271994 A JPS63271994 A JP S63271994A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- wiring
- wiring board
- conductor
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
工 発明の背景
技術分野
本発明はセラミック配線基板に関する。
先行技術とその問題点
従来、IC,LSI等の電子部品を実装するための基板
として、焼成に高温を要するアルミナ等のセラミック基
板上に導体を印刷した配線基板が知られている。
として、焼成に高温を要するアルミナ等のセラミック基
板上に導体を印刷した配線基板が知られている。
また、より高密度に電子部品を実装するために、セラミ
ック基板上に配線導体を多層印刷したり、セラミックス
のグリーンシートに導体を印刷して積層した多層配線基
板が知られている。
ック基板上に配線導体を多層印刷したり、セラミックス
のグリーンシートに導体を印刷して積層した多層配線基
板が知られている。
従来、セラミック配線基板の配線材料としては、種々の
金属が知られている。 例えばグリーンシート法の多層
配線基板の場合には基板として焼成に高温を要するアル
ミナを用いるときは、W、Moなどの高融点金属が用い
られている。 しかし、WやMoは配線抵抗が大きいと
いう問題を持っている。
金属が知られている。 例えばグリーンシート法の多層
配線基板の場合には基板として焼成に高温を要するアル
ミナを用いるときは、W、Moなどの高融点金属が用い
られている。 しかし、WやMoは配線抵抗が大きいと
いう問題を持っている。
これに対し、近年低い導体抵抗をもつ金属が使用でき、
しかも伝播速度の増大を可能とする低い誘電率をもつガ
ラスセラミック複合材料の低温焼成多層基板が現われて
いる。 そして、この低温焼成材料のグリーンシートを
用いるときには、Cu、Ni、Au、Ag、Ag−Pd
なとの金属が使用されている( )IYBRIDS v
ol。
しかも伝播速度の増大を可能とする低い誘電率をもつガ
ラスセラミック複合材料の低温焼成多層基板が現われて
いる。 そして、この低温焼成材料のグリーンシートを
用いるときには、Cu、Ni、Au、Ag、Ag−Pd
なとの金属が使用されている( )IYBRIDS v
ol。
2、No、4 p9等)。
しかし、これら金属を配線導体材とするセラミック材料
はもともと例えば抗折強度で1700〜2000 K
g / c m 2種度と強度が高くないことに加え、
セラミック基板材料と導体金属との濡れが悪く、導体と
の密着強度が小さいので、多層配線基板としたときの機
械的強度が1000Kg/cm2程度以下ときわめて小
さくなる。
はもともと例えば抗折強度で1700〜2000 K
g / c m 2種度と強度が高くないことに加え、
セラミック基板材料と導体金属との濡れが悪く、導体と
の密着強度が小さいので、多層配線基板としたときの機
械的強度が1000Kg/cm2程度以下ときわめて小
さくなる。
また、セラミックスと金属との熱膨張係数や縮率が大き
く異なるため、焼成プロセスなどのサーマルショックで
クラック等の構造欠陥が多発し、熱的耐久性に問題があ
る。 これらの点で特に多層セラミック配線基板では信
頼性が不十分である。
く異なるため、焼成プロセスなどのサーマルショックで
クラック等の構造欠陥が多発し、熱的耐久性に問題があ
る。 これらの点で特に多層セラミック配線基板では信
頼性が不十分である。
ところで、基板の多層化を行うのは、前記したように、
電子部品等の高密度実装が目的である。
電子部品等の高密度実装が目的である。
しかし、高密度実装を実現するには、さらに導体線11
】を可能な限り小さくし、配線密度を高めることが必要
である。
】を可能な限り小さくし、配線密度を高めることが必要
である。
しかしながら、従来の常電導金属で構成された配線導体
では、線巾を小さくすると電気抵抗が大きくなり、従っ
て伝送損失が大きくなるので、線riJの微細化および
高密度化には制限がある。
では、線巾を小さくすると電気抵抗が大きくなり、従っ
て伝送損失が大きくなるので、線riJの微細化および
高密度化には制限がある。
■ 発明の目的
本発明の目的は、機械的および熱的に耐久性が高く、信
頼性が高く、また超微細線巾による高密度配線の可能な
セラミック配線基板を得ることにある。
頼性が高く、また超微細線巾による高密度配線の可能な
セラミック配線基板を得ることにある。
■ 発明の開示
このような目的は下記の本発明によって達成される。
すなわち、本発明は超電導セラミック材料から形成され
る導体層を有することを特徴とするセラミック配線基板
である。
る導体層を有することを特徴とするセラミック配線基板
である。
■ 発明の具体的構成
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明のセラミック配線基板は、導体層を形成する材質
として超電導セラミック材料を用いる。
として超電導セラミック材料を用いる。
この超電導セラミック材料としては、特に酸化物セラミ
ックス、例えば、希土類金属元素、アルカリ土類金属元
素(M)および銅の複合酸化物が好ましい。 このよう
な場合、希土類金属元素(R)としては、Sc、Y、ラ
ンタノイド元素およびアクチノイド元素の1種または2
N!以−ヒであり、これらのうちYおよびランクノイド
元J (L a ”= L u )から選ばれる1種ま
たは2種以上、特にY、La、Nd、Eu、Er、Ho
、Dyおよびybから選ばれる1種または2種以上であ
ることが好ましいが、これらは他のランタノイド元素(
Ce、Pr、Pm、Sm%Gd、Tb、Tm、Lu)の
うちの1種以上で置換されていてもよい。
ックス、例えば、希土類金属元素、アルカリ土類金属元
素(M)および銅の複合酸化物が好ましい。 このよう
な場合、希土類金属元素(R)としては、Sc、Y、ラ
ンタノイド元素およびアクチノイド元素の1種または2
N!以−ヒであり、これらのうちYおよびランクノイド
元J (L a ”= L u )から選ばれる1種ま
たは2種以上、特にY、La、Nd、Eu、Er、Ho
、Dyおよびybから選ばれる1種または2種以上であ
ることが好ましいが、これらは他のランタノイド元素(
Ce、Pr、Pm、Sm%Gd、Tb、Tm、Lu)の
うちの1種以上で置換されていてもよい。
また、アルカリ土類金属(M)としては特にCa、Sr
、Baの1種または2種以上が好ましい。
、Baの1種または2種以上が好ましい。
これらのうち、例えば
(L a r−x Mx ) 2 Cu 04−6(Y
+−x Mx ) 3Cu307−.5等、RM:Cu
が例えば0.7:1〜3:1程度のものが好適である。
+−x Mx ) 3Cu307−.5等、RM:Cu
が例えば0.7:1〜3:1程度のものが好適である。
このとき、30に〜100K程度以上の高い臨界温度が
得られるからである。
得られるからである。
このような超電導セラミックスを配線導体材として用い
ることにより導体層の基板を構成するセラミックスとの
密着性が向上し、特に多層セラミック配線基板としたと
きには、その構造体としての機械的強度が向上する。
また、本発明では配線導体材料と基板材料はともにセラ
ミックスなので両者の熱膨張係数の差は小さい。 従っ
て、熱衝撃時の熱応力は小さくなり、基板の熱的耐久性
が向上する。
ることにより導体層の基板を構成するセラミックスとの
密着性が向上し、特に多層セラミック配線基板としたと
きには、その構造体としての機械的強度が向上する。
また、本発明では配線導体材料と基板材料はともにセラ
ミックスなので両者の熱膨張係数の差は小さい。 従っ
て、熱衝撃時の熱応力は小さくなり、基板の熱的耐久性
が向上する。
以上のように、配線導体材として超電導セラミックスを
用いることにより、基板の機械的および熱的耐久性が向
上し、従って信頼性が向上する。
用いることにより、基板の機械的および熱的耐久性が向
上し、従って信頼性が向上する。
また、Tc以下の超電導状態では電気抵抗が零となるの
で、導体層での電気信号の伝送損失はなくなる。 従っ
て、極めて細い線巾で配線することができ、極めて高い
配線密度の基板が実現する。
で、導体層での電気信号の伝送損失はなくなる。 従っ
て、極めて細い線巾で配線することができ、極めて高い
配線密度の基板が実現する。
本発明のセラミック配線基板は、セラミック基板上にこ
のような導体層を有するものであればよく、その構造と
しては、インサージョンマウント用、サーフェスマウン
ト用、チップマウント川等いずれのものであってもよい
。
のような導体層を有するものであればよく、その構造と
しては、インサージョンマウント用、サーフェスマウン
ト用、チップマウント川等いずれのものであってもよい
。
また、セラミック基板上に絶縁層を介して導体層を積層
した多層配線基板であってもよく、また、いわゆるバイ
アホールを介して導体層を印刷したセラミック材料のグ
リーンシートを積層焼結した多層配線基板であってもよ
い。
した多層配線基板であってもよく、また、いわゆるバイ
アホールを介して導体層を印刷したセラミック材料のグ
リーンシートを積層焼結した多層配線基板であってもよ
い。
多層配線基板を用いるときには、より高密度の配線およ
び実装−が可能になる他、機械的強度や熱的耐久性の向
上効果がより一層すぐれたものとなる。
び実装−が可能になる他、機械的強度や熱的耐久性の向
上効果がより一層すぐれたものとなる。
本発明の導体層は、その厚さを2−程度まで薄くするこ
とができ、一般に2〜30層程度にて設層される。 ま
た、その線巾も50戸程度まで小さくすることができる
。
とができ、一般に2〜30層程度にて設層される。 ま
た、その線巾も50戸程度まで小さくすることができる
。
導体層の配線パターンについては制限はなく、公知の配
線形態はいずれも採用可能である。
線形態はいずれも採用可能である。
用いる基板についてもセラミック材料であれば特に制限
はなく、アルミナ系、ベリリア系、マグネシア系、窒化
アルミ系等の他、ガラス−アルミナなどの低温焼成用材
料はいずれも使用可能である。
はなく、アルミナ系、ベリリア系、マグネシア系、窒化
アルミ系等の他、ガラス−アルミナなどの低温焼成用材
料はいずれも使用可能である。
基板厚さ、多層化の形態、絶縁層等については、公知の
ものの中から適宜選定すればよい。
ものの中から適宜選定すればよい。
本発明のセラミック配線基板は、従来公知のように厚膜
法や、グリーンシート法等で製造することができる。
法や、グリーンシート法等で製造することができる。
特に、グリーンシート法による多層配線基板の製造につ
いて説明するならば、この方法では、まず、厚さ200
〜3001mのグリーンシートと呼ばれる薄いセラミッ
クスのシートを用意する。 このグリーンシートにあら
かじめ、バイアならびに導体回路となる超電導セラミッ
ク導体ペーストを印刷し、このグリーンシートを何枚も
積み重ねて、目的の回路を形成する。 最後に、これを
焼成して完成させる。
いて説明するならば、この方法では、まず、厚さ200
〜3001mのグリーンシートと呼ばれる薄いセラミッ
クスのシートを用意する。 このグリーンシートにあら
かじめ、バイアならびに導体回路となる超電導セラミッ
ク導体ペーストを印刷し、このグリーンシートを何枚も
積み重ねて、目的の回路を形成する。 最後に、これを
焼成して完成させる。
この場合、超電導セラミック材料のペーストは、バイン
ダーおよび樹脂ならびに必要に応じ11r 塑剤や分散
剤等を含有する。 バインダーとしては例えばエチルセ
ルロース等公知のものはいずれも使用可能である。 ま
た、溶剤としては、例えばチルビオネール、ブチルカル
ピトール等、用いる基板材料シートとのヌレ性等がら公
知のものを適宜選択使用すればよい。
ダーおよび樹脂ならびに必要に応じ11r 塑剤や分散
剤等を含有する。 バインダーとしては例えばエチルセ
ルロース等公知のものはいずれも使用可能である。 ま
た、溶剤としては、例えばチルビオネール、ブチルカル
ピトール等、用いる基板材料シートとのヌレ性等がら公
知のものを適宜選択使用すればよい。
なお、焼結温度は一般に700”C以上、固相温度以下
とすればよく、特に希土類−アルカリ土類金属−銅酸化
物系の場合には、700〜1100℃とすればよい。
また焼結時間は10分以上とし、雰囲気は通常酸素を含
む雰囲気とする。
とすればよく、特に希土類−アルカリ土類金属−銅酸化
物系の場合には、700〜1100℃とすればよい。
また焼結時間は10分以上とし、雰囲気は通常酸素を含
む雰囲気とする。
このようにして作製される本発明の配線基板は、IC,
LSI等の各種電子部品を公知の方法にて実装して用い
られる。
LSI等の各種電子部品を公知の方法にて実装して用い
られる。
なお、導体層のTcが使用温度より低い場合には、公知
の方法で冷却して用いればよい。
の方法で冷却して用いればよい。
■ 発明の具体的作用効果
本発明では配線導体材として超電導セラミックスを用い
るので、セラミック基板との密着性が高く両者の熱膨張
率も近似し、従来のものに比べより高い機械的および熱
的耐久性をもち、またより高い信頼性をもったセラミッ
ク基板が実現する。 また、超電導状態では電気抵抗は
零となるので、配線導体中での伝送損失はなく、導体を
極めて細くすることができるので、極めて高密度配線の
多層セラミック配線基板が実現する。
るので、セラミック基板との密着性が高く両者の熱膨張
率も近似し、従来のものに比べより高い機械的および熱
的耐久性をもち、またより高い信頼性をもったセラミッ
ク基板が実現する。 また、超電導状態では電気抵抗は
零となるので、配線導体中での伝送損失はなく、導体を
極めて細くすることができるので、極めて高密度配線の
多層セラミック配線基板が実現する。
本発明者は、本発明の効果を確認するために種々実験を
行なった。 次にその1例を示す。
行なった。 次にその1例を示す。
実験例
内部導体として
Y、Ba2Cu、、o、 基板材料としてグーδゝ
リーンシートを用い、グリーンシート法によって、積層
数8層、導体層厚5−、サイズ55mmX62mmX1
.6mmの多層セラミック配線基板を10枚作製した。
数8層、導体層厚5−、サイズ55mmX62mmX1
.6mmの多層セラミック配線基板を10枚作製した。
導体ペーストはY−Ba−CuOにチルビオネールおよ
びエチルセルロースを加えたものである。 また焼結は
950℃、3時間とした。
びエチルセルロースを加えたものである。 また焼結は
950℃、3時間とした。
なお、導体層の線巾は80−とした。 また、導体層は
超電導状態を示し、Tcは85にであった。
超電導状態を示し、Tcは85にであった。
10枚の多層セラミック配線基板の抗折強度を測定し、
平均を求めたところ、1700K g / c m 2
であった。
平均を求めたところ、1700K g / c m 2
であった。
これは、従来技術のように配線導体を金属とした場合の
強度、1000Kg/cm2と比べ、はるかに高い値で
ある。
強度、1000Kg/cm2と比べ、はるかに高い値で
ある。
また、配線導体を本発明のように、超電導セラミックス
で構成すると線巾を30#m、厚さを2−まで、細くし
ても80にでの使用では、導体長6mにて信号伝送損失
の点において何ら支障はなかった。
で構成すると線巾を30#m、厚さを2−まで、細くし
ても80にでの使用では、導体長6mにて信号伝送損失
の点において何ら支障はなかった。
一方、従来技術のように、導体を金属とした場合、伝送
損失の点で通常線巾は80#a、厚さは5−が限界であ
った。
損失の点で通常線巾は80#a、厚さは5−が限界であ
った。
これらの結果より本発明の効果が明らかである。
Claims (1)
- (1)超電導セラミック材料から形成される導体層を有
することを特徴とするセラミック配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62105960A JPS63271994A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | セラミツク配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62105960A JPS63271994A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | セラミツク配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63271994A true JPS63271994A (ja) | 1988-11-09 |
Family
ID=14421370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62105960A Pending JPS63271994A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | セラミツク配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63271994A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63278397A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Fujitsu Ltd | 超伝導セラミックス−ガラス−セラミックス複合体回路基板 |
| JPS63292519A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-29 | Hitachi Cable Ltd | 電流ブス |
| JPS63300594A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Nec Corp | 多層セラミック配線基板およびその製造方法 |
| JPS644097A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Hitachi Ltd | Ceramic multilayered circuit board and manufacture thereof |
| JPS6435990A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-07 | Nec Corp | Multilayered ceramic wiring board |
| JPH0196988A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導性配線の形成方法 |
-
1987
- 1987-04-28 JP JP62105960A patent/JPS63271994A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63278397A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Fujitsu Ltd | 超伝導セラミックス−ガラス−セラミックス複合体回路基板 |
| JPS63292519A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-29 | Hitachi Cable Ltd | 電流ブス |
| JPS63300594A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Nec Corp | 多層セラミック配線基板およびその製造方法 |
| JPS644097A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Hitachi Ltd | Ceramic multilayered circuit board and manufacture thereof |
| JPS6435990A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-07 | Nec Corp | Multilayered ceramic wiring board |
| JPH0196988A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導性配線の形成方法 |
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