JPS63271995A - セラミックス回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 棚二」更 本発明は、セラミックス回路基板の製造方法、特に銅導
体ペースト組成物を用いて、スルーホールの状態に悪影
響を及ぼすことなく、改良された印刷性及び接着性を有
する、ガラス−セラミックス複合系多層回路基板を製造
するに際して、洞導体とガラス−セラミックス系基板と
の密着強度が不足し、かつパターン配線厚膜印刷時のパ
ターン幅精度とレベリング性が低いという従来技術の欠
点を解決するため、銅粉末同士のぬれ性を高め、焼成に
よりルチル型構造の二酸化チタンなどの無機チタン化合
物や無機アルミニウム化合物などの無機化合物に転化す
るチタネート系有機カンプリング剤、例えばイソプロピ
ルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネートや有機ア
ルミネートカップリング剤などの有機金属化合物を導電
性ペースト中に添加することにより、ガラス−セラミッ
クス複合系基板の印刷性を高くし、かつ基板と導体との
密着性を増大させたものである。また２種類のチタン系
カップリング剤を適当量添加することにより、焼成後の
基板との密着性を改良し、かつ基板に設けられているス
ルーホールへの穴埋め性を高めたものである。

庄栗上皇■貝公国 本発明はセラミックス回路基板、特に銅導体ペースト組
成物を用いてスルーホールの状態に悪影古を及ぼすこと
な（、改良された印刷性と接着性を有するガラス−セラ
ミックス複合系多層回路基板を製造する方法に関する。

ガラス−セラミックス複合系多層回路基板は基板として
の電気特性が優れるうえに、低温度（例えば１０００°
Ｃ以下）で焼成できるため、基板用導体としての特性に
優れる銅を用いることが可能である。

しかしながら、導体を形成する銅ペーストは、現在、ア
ルミナ基板用に開発されているものがほとんどであるた
め、ガラス−セラミックス基板にはそのまま適用するこ
とはできないのが現状である。一方、ガラス−セラミッ
クス系基板については電気特性の良好な基板が開発され
ており、したかって、印刷性が良好で、密着性の優れ、
かつ焼成前のグリーンシートの状態で基板のスルーホー
ルをきれいにかつ完全に穴埋め可能な、導電性銅ペース
トをガラス−セラミックス複合系基板に使用することが
必要とされている。

従来Ω及街 従来、有機ビヒクル中に金、銅、パラジウムなどの貴金
属を導体成分として分散させたペースト、タングステン
、モリブデンなどの高融点金属を導体成分として分散さ
せたペースト、又は銅を導体成分として分散させたペー
ストなどが導電性ペーストとして使用されている。

これらのうち、従来の低温焼成可能な銅ペーストは主と
して銅粉末とガラス粉末、そして有機ビヒクルの３つの
成分を含み、導体成分の銅粉末に対し１〜５重量％のガ
ラス粉末を焼結助剤および基板との密着強度を付与させ
るために添加し、こきれをペースト化するため有機ビヒ
クルを加え混練したものが用いられる。

が７ンしよ゛とする。　占 前記した従来の３タイプの導電性ペーストをガラス−セ
ラミックス複合系基板の配線材料として使用した場合に
は以下のような欠点がある。

■）貴金属を導体とするペーストは高価であり、実用上
あまり好ましくない。

２）高融点金属を導体とするペーストは低温での焼成が
できず、また導体そのものの抵抗値が高いため導体の品
質が低い。

３）銅を導体成分とするペーストは、現在開発が盛んに
行われているが、ガラス−セラミックス複合系のグリー
ンシートへの印刷性が悪く、また一体焼成後の密着強度
が低い。更に、密着性を改善するため低融点ガラスを少
量添加することも試みられているが、これもガラス−セ
ラミック複合系にはほとんど効果がなく、また低融点ガ
ラス粉末を少量添加することにより、銅粉末間の流動性
が阻害され、ガラス−セラミックス系グリーンシートに
設けたバイア用のスルーホール中に印刷時、容易に埋め
込むことが困難であるという問題も生じている。

□　占　”ン　るための 本発明に係るセラミックス回路基板の製造方法は、セラ
ミックス回路板用のセラミックス基板上に導電性ペース
ト組成物を印刷することによってセラミックス回路基板
の導体部分を形成し、そしてこのセラミックス基板を導
電性ペースト組成物と一緒に焼成してセラミックス回路
基板を製造するに当り、該導電性ペースト組成物が銅粉
末を主成分として、これに不活性ガス雰囲気中で焼成す
ることにより無機化合物となり得る有機金属化合物、例
えば有機チタネート又はアルミネート化合物を、銅粉末
１００重量部に対し０．５〜５重量部配合して成ること
を特徴とするセラミックス回路基板の製造方法が提供さ
れる。

本発明に従えば、更に従来の技術のように穴埋め性を悪
くするガラスフリットを使用せず、穴埋め時の銅粉末の
流動を助ける役目の大きいイソプロピルトリイソステア
ロイルチタネート０．５〜３．５重量部と、基板との密
着性を増大させるのに効果のあるイソプロピルトリドデ
シルベンゼンスルホニルチタネート０．５〜３．５重量
部の２種類の有機チタン系カップリング剤をペースト中
に配合した導電性ペースト組成物を用いるセラミックス
回路基板の製造方法が提供される。

前述の如（、本発明に従えば、不活性雰囲気（例えば不
活性ガス又は窒素若しくは窒素を含んだ水蒸気）下にお
いて焼成した場合に、無機化合物、例えば無機チタン又
はアルミニウム化合物（例えばＴｉＯ２又はＡｌｚ（ｈ
　）を形成することができる有機化合物、例えば有機チ
タン又はアルミニウム化合物を銅粉末１００重量部当り
０．５〜５重量部含む銅ペースト組成物を用いる。

前記銅ペースト組成物に使用する銅粉末は銅ベースの導
電性ペースト組成物に一般に使用される任意の銅粉末、
例えば平均粒径０．１〜１０μｍの銅粉末とすることが
できる。

本発明において使用される有機金属化合物の代表例は、
有機チタネート化合物及び有機アルミネート化合物であ
る。そのような有機チタネート化合物としては、有機チ
タネート化合物としては、例えばイソプロピルトリドデ
シルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルトリ
イソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジ
オクチルピロホスフェート）オキシアセテートチタネー
ト、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチ
ル）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチル
ホスファイト）チタネート、ビス（ジオクチルピロホス
フェート）エチレンチタネート、テトラオクチルビス（
ジトリデシルホスファイト）チタネート及びイソプロピ
ルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネートをあげる
ことができ、好ましい化合物はイソプロピルトリドデシ
ルベンゼンスルホニルチタネート及びイソプロピルトリ
（ジオクチルピロホスフェート）チタネートである。

本発明において使用することができる有機アルミネート
化合物の典型例は下記式のアセトアルコキシアルミニウ
ムジイソプロピレートである。

前記チタネート又はアルミネート化合物の使用量は、銅
粉末１００重量部に対し０．５〜５重量部、好ましくは
０．５〜１重量部である。この使用量が０．５重量部未
満では、銅粉末の全表面が有機チタネート又はアルミネ
ート化合物で被覆されないためか、所望のペースト組成
物が得られない、逆に使用量が５重量部を超えると過剰
量の有機金属化合物がペースト組成物中に残存して、生
成導体中にボイドが生じ易しなるので好ましくない。

本発明に従った銅ベースの導電性ペースト組成物は、先
ず有機金属化合物、例えば前記有機チタネート又はアル
ミネート化合物を溶媒、例えばテルピネオール、２−ブ
トキシェタノール、２−へキシルオキシエタノール、４
−メチルシクロヘキサノール、３−メチルシクロヘキサ
ノール又は２−へキシルオキシエタノールなどのアルコ
ール系高沸点溶剤に溶解し、次いで得られた有機ビヒク
ルを撹拌下に銅粉末と混合して所望の銅ベースの導電性
ペースト組成物を分散液（例えば粘度１０．０００〜２
００，０００　ｃｐ）として得ることができる。胴ペー
ストの典型的な製造プロセスは第１図に示した通りであ
る。

本発明に従った銅ベースの導電性ペースト組成物は、硼
硅酸ガラスと、アルミナ、ジルコニア又はマグネシアと
のセラミックス複合体などのガラス−セラミックス基板
に一般的な方法で適用することができる。このような典
型例は第２図に示す通りである。

本発明に従えば、銅ペースト組成物中の銅粉末の全表面
は、例えばモノアルコキシ基を有する有機チタネートで
被覆されているため、銅粉末同土間の流動性が良好であ
る。更に印刷されるガラス−セラミックス複合系のグリ
ーンシートは多量の溶媒を含み、従ってグリーンシート
への導電性ペースト組成物の濡れ性が上昇する。更にイ
ソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート
で代表される有機チタネートは、窒素などの不活性雰囲
気中で焼成した場合に、ルチル型二酸化チタン（ＴｉＯ
ｚ）に転化する。なお、有機アルミネートの場合には酸
化アルミニウム（Ａｌｚ（ｈ　）が生成する。

第３図は銅ペースト中のカップリング剤濃度と、銅導体
パターンのガラス−セラミック基体に対する接着強度及
び銅導体パターンのシート抵抗との関係を示す典型的な
グラフ図である。焼成は８７０℃で４時間予備焼成し、
次いで１０２０℃で４時間焼成することによって行なっ
た０ｗ４ペーストの組成は以下の通りである。

Ｃｕ粉末（１，２５Φ）　三井金属９１　　　　１００
１０００Ｐ　　　　　　　　三菱化成■　　　　　１．
５ヒマシ油　　　　　野田ワックス■　　　０．３テル
ピネオール　　和光純薬■　　　　　１０．５＊イソプ
ロピル　トリＦダシルベンゼン　スルネニルチタネート
本発明の第二の態様に従えば、２種類の有機チタネート
、例えば銅粉末１００重量部に対し、０．５〜３．５重
量部、好ましくは０．５〜１ｆｆｉ１部のイソプロピル
トリドデシルベンゼンスルホニルチタネート及び０．５
〜３．５重量部、好ましくは０．５〜１重量部のイソプ
ロピルトリイソステアロイルチタネートを、ホール充填
性能に悪影響を及ぼすガラスフリフトを使用することな
く、銅ペースト組成物中に含ませる。

組成物中に含まれるイソプロピルトリイソステアロイル
チタネートは孔充填の銅粉末流動性を改良し、そしてイ
ソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート
は、前述の如（、ガラス−セラミックス基板への接着性
を改良する。

即ち、銅粉末同士の流動性は上記２種類のチタネートカ
ップリング剤を含ませることによって改良され、従って
印刷に際して導電性ペースト組成物をグリーンシートの
スルーホール中に流し込む場合にペースト組成物の流動
性が改良され、更に有機ビヒクルのグリーンシートへの
浸透が妨げられるので、銅ベースのペースト組成物を、
ボイドを生ぜしめることなく、スルーホール中に容易に
流入させることができる。更に、接着強度は前記２種類
のチタネートカップリング剤の作用によって、チタネー
トカップリング剤を含まないペースト組成物に比較して
著しく改良される。

本発明に従えば、ペースト組成物中に、結合剤、チキソ
トロピー付与剤、溶媒及びその他の任意的添加剤などの
慣用添加剤を含むビヒクルを使用することができ、これ
らの添加剤は、例えば単独又は任意の混合物として使用
することができる。なお、これらのビヒクルは例えば組
成物中の銅粉末１００重量部に対し、好ましくは５〜３
０重量部配合することができる。

詐二１一 本発明において使用する銅ペースト組成物は、前述の如
く、銅粉末表面が、例えばモノアルコキシ基を有する有
機チタネートでおおわれているため、銅粉末同士の流動
性が良く、しかも印刷するガラス−セラミックス複合系
基板のグリーンシートが溶剤を多く含んでいるため、こ
のグリーンシートへの濡れ性も高まり、更に、イソプロ
ピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネートで代表
される前記有機チクネート又はアルミネート化合物は、
銅ペーストを窒素などの不活性雰囲気中で焼成する際に
ルチル型構造の二酸化チタン（ＴｉＯｚ）又は酸化アル
ミニウム（ＡｌｚＯ＋　）となり、銅導体−セラミック
ス基板界面の密着強度を著しく向上させることができる
。

本発明の第二の銅ペースト組成物は銅粉末同士の流動性
が二種類のチタンカップリング剤の作用によって改善さ
れ、印刷時にグリーンシートのバイア用スルーホール内
に流れ込んだ際、銅ペーストの流れが良く、さらにこの
時、グリーンシート中への有機ビヒクルへの浸透も抑え
ることが出来るため、スルーホール内にボイドを生せし
めることなく流し込むことが出来、密着強度も２種類の
カップリング剤の作用によって、これらを添加しないも
のに比べて著しく改善される。

１隻■ 以下、実施例に従って本発明を更に詳細に説明するが、
本発明の技術的範囲をこれらの実施例に限定するもので
ないことはいうまでもない。

実施±土 表１に本発明に従った典型的な銅ペーストの組成（重量
部）を示す。

粘度（ポイズ）４００〜６００４００〜６００４００〜
６００＊１：テルピネオール、ポリ（メチルメタクリレ
ート）樹脂及びヒマシ油の混合物 ＊２：イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチ
タネート これらの銅ペーストＮα１〜Ｎα３は、高沸点アルコー
ル系溶剤（即ちテルピネオール）にイソプロピルトリド
デシルベンゼンスルホニルチタネートを温度２５℃で溶
解し、これに適当なチキソトロピック性付与剤（即ち、
ひまし油）及び有機熱解重合性バインダー（ＰＭＭＡ　
）を添加して有機ビヒクルを作製し、これに銅粉末（粒
径１．５μｍ）を混入させ、湿式ボールミル方法で室温
で４８時間混合後、乾燥させ、三本ロールミルで混練す
ることにより製造した。

得られた銅ペーストＮ１１ｌ〜Ｎα３の特性について基
板として硼硅酸ガラスとアルミナの組合せによるガラス
−セラミックス基板を用いて行った実施例によって説明
する。

先ず、前記銅ベース）ｋｌ〜魔３の硼硅酸ガラス−アル
ミナ複合系セラミックスグリーンシート（厚さ３００μ
ｍ）への印刷性を試験した結果を表２に示す、なお表２
には比較例及び対照としてペーストに４〜６の試験結果
も示した。

銅ペーストは、スクリーンマスクのサイズ３００メツシ
ユ、パターン幅８０μｍ及びスキージ−硬度８０の条件
下に一般的な方法で厚さ３００μｍのガラス−セラミッ
クス基板上に適用した。

次に印刷されたペースト組成物を温度７０°Ｃの恒温槽
中で３０分間乾燥して溶媒を留去し、１０ＭＦａ　ｘ１
００℃×３０分の条件で型中で成型した。得られた３Ｏ
Ｎの積層体は室温から８０〜１００°Ｃ／ｈｒの加熱速
度で湿潤（含水蒸気）窒素雰囲気中にて加熱し、８５０
°Ｃの最高温度で５時間放置し、室温まで放冷した。

室温から１０００℃の最高温度まで８０−１００℃／ｈ
の速度で窒素雰囲気中にて加熱し、最高温度で４時間放
置し、室温まで放冷した。

得られた結果を表２に示す。

＊１：印刷後、印刷された導体の上部から軟Ｘ線を照射
し、その軟Ｘ線の透過状態を写真にとり、拡大して導体
表面の凹凸状態を評価した（軟Ｘ線の透過状態が導体の
厚さにより相違することを利用した評価方法）。

＊２：Ｎα２と同一成分でイソプロビルトリドデシルベ
ンゼンスルホニルチタネートヲ添加シていないペースト
。

＊３：Ｎα４のペーストにガラスフリット（軟化点７０
０°Ｃの硼硅酸ガラス）を１０重量部加えたもの。

＊４：代表的な市販銅ペーストＥＳＬ−＃２３１０　（
エレクトロサイエンスラボラトリーズ）。

次に銅ペースト阻１〜３の導体特性を試験した結果を表
３に示す。なお、表３には比較例及び対照としてペース
）Ｎα４〜６試験結果も示した。

＊１：パターン幅ｗｌｏＯ＃ｍ、長さｌ　ｌ０ＣＩの導
体の抵抗値を厚さ２５．４μｍに換算 ＊２：引張引張強度（引張速度：　５　ｍＩｌ／ｎ＋ｉ
ｎ　）＊３ニガラスーセラミックス基板が破損＊４：表
２脚注参照 さらに表４に示す種々のカップリング剤を用いて、実施
例１のサンプルＮα２と同じようにして種々の銅ペース
ト組成物を調製し、評価した。

結果は表４に示す。

＊１：イソプロビルトリドデシルベンゼンスルホニルチ
タネートＫＲ−９５（味の素■製、以下同じ） （Ｃ）１３）　ｚｃＨＯＴｉ　（Ｏ３ＯＺＣ６８４ＣＩ
　ｚＨｚｓ）　！＊２：イソプロビルトリイソステアロ
イルチタネートＫＲ−ＴＴＳ （ＣＴｏ）ｚｃＨＯＴｉ　（ＯＣＯＣ＋）Ｈｆｆｓ）ｙ
＊３：イソプロピルトリス（ジオクチルピロホスフェー
ト）チタネートＫＲ−３８３ （ＣＨ３）２　Ｃｌｌ０Ｔｉ　（ＯＰＯＯＨ０ＰＯＯＰ
Ｏ（ＯＣａＨ＋、）ｚ　　）　ｘ＊４：ビス（ジオクチ
ルピロホスフェート）オキシアセテートチタネートＫＲ
−１３８５ＣＨ ＊５：イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエ
チル）チタネートＫＲ−４４ （ＣＨｚ）ｚ　ＣＨＯＴｉ　（ＯＣＪＪＨ４・’ＣＪＪ
Ｈｚ　）　ｓ＊６：テトライソプロピルビス（ジオクチ
ルピロホスファイト）チタネートＫＲ−４１Ｂ（（ＣＨ
：＋）ｚ　ＣＨＯ）　ａＴｉ　　（Ｐ−ＯＣｓＨ＋ｔ）
ｚＯＨ）　ｚ＊７：ビス（ジオクチルピロホスフェート
）エチレンチタネートＫＲ−２３８Ｓ ｌｌ ＊８：チタネートの代りにガラス（軟化点７００″Ｃの
硼硅酸ガラス）５ｐｈｒを添加 ＊９：チタネートカップリング剤（イソプロピルトリド
デシルベンゼンスルホニルチタネートＫＲ−９Ｓ　）及
びガラス（軟化点７００″Ｃの硼硅酸ガラス）１０ρｈ
ｒ ＊１０：チタンカップリング剤及びガラスのいずれも含
まない ＊１に市販の銅ペーストＥＳＬ２３１０　　（Ｅｌｅｃ
ｔｒｏ−Ｓｃｉｅｎｃｅ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ　
Ｉｎｃ、　）前記銅ペースト組成物試料において、これ
らを焼成した場合に以下の無機化合物が生成することが
確認された。

試料　　ｋ２及び阻５　　　Ｔｉ及びＴｉｅ。

試料　　阻３及びＮα６　　　ＴｉＮ及びＴｉ１ｔ試料
　　Ｎｎ４　　　　　　　Ｔｉ及びＰ−化合物試料　　
ＮαＩ　　　　　　　Ｔｉ０ｚ上記実施例の結果から明
らかなように、本発明に従った銅ペースト組成物は、少
量の低融点ガラスを含む市販ペースト組成物に比較して
、ガラス−セラミックス複合体基板への接着性が著しく
高（、また市販のペースト組成物中ガラス含有ペースト
組成物と比較して印刷性が著しく改良される。

これらの実施例から、本発明に従った銅ペースト組成物
は、低融点ガラスを少量添加した市販ペーストでは不可
能であったガラス−セラミックス複合系基板への密着性
を著しく増大でき、さらに印刷性も市販ペースト又はガ
ラス添加のペーストに比べて優れていることが明らかで
ある。

実施±ユ 表５に本発明に従って典型的な銅ペーストの組成物（重
量部）を示す。

５　　ペースト これらの銅ペーストは、有機溶剤（２−へルシルオキシ
エタノール及びテルピネオール）、有機チキソトロピッ
ク性付与剤（ひまし油）及びバインダー（エチルセルロ
ース及びポリメチルメタクリル樹脂）を含む有機ビヒク
ルに表５に示した２種類のＴｉカップリング剤を添加し
、温度２５°Ｃで撹拌後、これに１．５μｍの銅粉末を
混入し、これを湿式のボールミル混合で混合後乾燥、三
木ロールミル混練を行って、ペースト状にすることによ
って製造した。なお、粘度はＢ型粘度計にて測定したも
のである。

次に、得られた銅ペーストの硼珪酸ガラス−アルミナ複
合系セラミック基板に適用した際のシート抵抗、基板と
の密着強度及び孔埋め性を試験した結果を表６及び表７
に示す。

６　　ペースト　　の ＊１：表５の組成で２種類のカップリング剤を添加しな
いもの。

＊２：表５の組成の銅ペーストにガラスフリット軟化点
７００　’Ｃの硼珪酸ガラスを１０Ｐｈｒ添加したもの
。

＊３：市販アルミナ用銅ペースト　ＥＳＬ　２３１０＊
４：市販アルミナ用銅ペースト　Ｒｅｍｅｘ　５３ｘ　
３（Ｒｅｍｅｘ　Ｃｏ、　） ＊１：表６の脚注参照 ＊２ニスクリーン印刷方法でスルーホールにペーストを
封入後、スルーホール上部及び下部を目視により評価 ＊３：ペーストをグリーンシートのスルーホールに１０
０％封入後、これらのグリーンシートを積層し、焼成し
た後スルーホール部分を縦断面方向に切断し、研磨して
顕微鏡にてスルーホールの充填状態を観察評価した。

一方、Ｔｉカップリング剤の最適添加量を試験した結果
、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネ
ートは０．５重量部以上で密着強度に効果を示し、イソ
プロピルトリイソステアロイルチタネートも０．５重量
部以上の添加で流動性が改善されることを確認した。一
方上限は両者合わせて１．５重量部であるのが好ましく
、これをこえるとペースト中の有機分が多くなり、多層
基板焼成後バイア周辺部にボイドが発生しやすくなる。

裏施■土 チタネートの代わりにアセトアルコキシアルミニウムジ
イソプロピレートを用いた以外は実施例１と同様にして
銅ペースト組成物を調製した。

これから得られた導体のシート抵抗は、１．２ｍΩ／口
であり、密着強度は３．２　ｋｇ／ａｓ”以上であり、
その印刷性はチタネートの場合よりも良好であった。ま
たレベリング性も良好で最小パターン幅は８０μｍであ
った。なお、焼成により上記アセトアルコキシアルミニ
ウムジイソプロピレートはＡ１□０．に転化した。

光皿皇訪来 以上、説明したように、本発明によれば、基板の印刷性
を高め、かつ基板と導体との密着性に優れ、更に孔埋め
時の溶剤のしみ込み、又はガラスの存在が銅粉末の流動
性を悪くして起こるボイドの発生を抑えた導体が得られ
る。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明において使用する銅ペーストの典型的な
製造プロセスを示すブロック図であり、第２図は本発明
に従って銅導体を有する多層セラミック回路基板を製造
する基本工程を示す典型的なプロセスブロック図であり
、そして第３図は洞ペースト中のカップリング剤濃度と
銅導体パターンがガラス−セラミック基体に対する接着
強度及びｗ４導体パターンのシート抵抗との関係を示す
典型的なグラフ図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、セラミックス回路板用のセラミックス基板上に導電
   性ペースト組成物を印刷することによってセラミックス
   回路基板の導体部分を形成し、そしてこのセラミックス
   基板を導電性ペースト組成物と一緒に焼成してセラミッ
   クス回路基板を製造するに当り、該導電性ペースト組成
   物が銅粉末を主成分として、これに不活性ガス雰囲気中
   で焼成することにより無機化合物となり得る有機金属化
   合物を、銅粉末１００重量部に対し０．５〜５重量部配
   合して成ることを特徴とするセラミックス回路基板の製
   造方法。 ２、前記有機金属化合物が有機チタネート又は有機アル
   ミネート化合物である特許請求の範囲第１項記載の製造
   方法。 ３、前記有機チタネートがイソプロピルトリドデシルベ
   ンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルトリイソス
   テアロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチ
   ルピロホスフェート）チタネート、ビス（ジオクチルピ
   ロホスフェート）オキシアセテートチタネート、イソプ
   ロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネ
   ート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイ
   ト）チタネート、ビス（ジオクチルピロホスフェート）
   エチレンチタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシ
   ルホスファイト）チタネート又はイソプロピルトリ（ジ
   オクチルホスフェート）チタネートである特許請求の範
   囲第２項記載の製造方法。 ４、前記有機アルミネートがアセトアルコキシアルミニ
   ウムジイソプロピレートである特許請求の範囲第２項記
   載の製造方法。 ５、前記基板がセラミックスグリーンシートである特許
   請求の範囲第１項記載。 ６、前記導電性ペースト組成物を印刷した複数枚のセラ
   ミックス基板を焼成前に積層する特許請求の範囲第１項
   記載の製造方法。 ７、セラミックス回路板用のセラミックス基板上に導電
   性ペースト組成物を印刷することによってセラミックス
   回路基板の導体部分を形成し、そしてこのセラミックス
   基板を導電性ペースト組成物と一緒に焼成してセラミッ
   クス回路基板を製造するに当り、該導電性ペースト組成
   物が銅粉末；結合剤、チキソトロピックス性付与剤及び
   アルコール系有機溶剤を含むビヒクル；並びに、銅粉末
   １００重量部に対しイソプロピルトリドデシルベンゼン
   スルホニルチタネート０．５〜３．５重量部及びイソプ
   ロピルトリイソステアロイルチタネート０．５〜３．５
   重量部を配合して成る導電性ペースト組成物であるセラ
   ミックス回路基板の製造方法。 ８、前記基板がセラミックスグリーンシートである特許
   請求の範囲第７項記載の製造方法。 ９、前記導電性ペースト組成物を印刷した複数枚のセラ
   ミックス基板を焼成前に積層する特許請求の範囲第７項
   記載の製造方法。