JPS63276062A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光（ここでは広義の光であって、紫外線、可視
光線、赤外線、Ｘ線、γ線などを意味する。）のような
電磁波に対して感受性めある光受容部材に関する。

〔従来技術〕

像形成分野において、光受容部材における光受答層を構
成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流
（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ））が高（、照射する電磁波の
スペクトル特性に適合した吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害であること、等の特
性が要求される。殊に、事務機としてオフィスで使用さ
れる電子写真装置内に組み込まれる電子写真用光受容部
材の場合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。

このような点に立脚して最近注目されている光導電材料
にアモルファスシリコン（以後Ａ−３ｉと表記す）があ
り、たとえば独国公開第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８号公報等には電子写真用光受容部材として
の応用が記載されている。

第２図は、従来の電子写真用光受容部材の層構成を模式
的に示す断面図であって、２０１はアルミニウム系支持
体、２０２はＡ−３ｉからなる感光層である。　こうし
た電子写真用光受容部材は、一般的には、アルミニウム
系支持体２０１を５０℃〜３５０℃に加熱し、該支持体
上に蒸着、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタリ
ング等の成膜法によりＡ−３ｉからなる感光層２０２を
作成する。

しかしながら、この電子写真月光受用部材は、アルミニ
ウムとＡ−８ｉの熱膨張係数が一桁程違うために、成膜
後冷却時に、Ａ−３ｉ悪感光２０２にクラックやはがれ
が発生する場合があり問題となっている。　これらの問
題を解決するために、特開昭５９−２８１６２号公報に
おいては、アルミニウム系支持体上に、少なくともアル
ミニウムを含む中間層、と、Ａ−８ｉ悪感光からなる電
子写真感光体が提案されており、少なくともアルミニウ
ムを含む中間層によって、アルミニウム系支持体とＡ−
３ｉ悪感光の熱膨張係数の違いにより発生する応力を緩
和し、Ａ−８ｉ悪感光のクラックやはがれを低減してい
る。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、従来のＡ−８ｉで構成された光受答層を
有する電子写真用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光
応答性などの電気的、光学的、光導電的特性および使用
環境特性の点、さらには経時的安定性および耐久性の点
において、各々個々には特性の向上が計られているが、
総合的な特性向上を計る上でさらに改良される余地が存
在するのが実情である。

たとえば、近年電子写真装置の画像特性向上のために電
子写真装置内の光学露光装置、現像装置、転写装置等の
改良がなされた結果、電子写真用光受容部材においても
従来以上の画像特性の向上が求められるようになった。

特に画像の解像力が向上した結果、俗に「ガサツキ」と
呼ばれる、画像濃度の微細な領域における不均一性の減
少や、俗に「ポチ」と呼ばれる、黒点状または白点状の
画像欠陥の減少、特には従来はあまり問題視されなかっ
た微小な大きさの「ポチ」の減少が求められるようにな
った。

さらには、電子写真装置内に混入した異物と電子写真用
光受容部材とが接触したり、電子写真装置のメンテナン
ス時に電子写真用光受容部材が電子写真装置本体やメン
テナンス用工具と接触した際に加わる比較的短時間な衝
撃性の機械的圧力による画像欠陥の発生やＡ−８ｉ膜の
はがれの発生により電子写真用光受容部材の耐久性が損
なわれる等の問題があった。

さらには、アルミニウム系支持体とＡ−８ｉ膜の熱膨張
率の違いにより発生する応力のために、Ａ−８ｉ膜にク
ラックやはがれが生じ、生産性における歩留まりが減少
する問題点があった。

従ってＡ−３ｔ材料そのものの特性改良が計られる一方
で、電子写真用光受容部材を設計する際に、上述した問
題のすべてが解決されるように、電子写真用光受容部材
の構成上の総合的な観点からの改良を計ることが必要と
されている。

〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明の電子
写真用光受容部材は、アルミニウム系支持体と該支持体
上に、少なくとも光導電性を有する多層構造の光受答層
を有する電子写真用光受容部材において、前記光受答層
が前記支持体側より、構成要素として少なくともアルミ
ニウム原子（ＡＩ）、シリコン原子（Ｓｉ）、水素原子
（■）、ハロゲン原子（Ｘ）を含む無機材料（以後ｒＡ
　Ｉ　Ｓ　ｉＨ」と略記する）で構成され且つ前記アル
ミニウム原子（Ａ１）とシリコン、原子（Ｓｉ）と水素
原子（１１）が、層厚方向に不均一な分布状態で含有す
る部分を有する下部層と、シリコン原子（Ｓｉ）を母体
とし、水素原子（１１）およびハロゲン原子（Ｘ）の中
の少なくともいずれか一方を含有する非単結晶質材料（
以後ｌＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）で構成
され、且つ前記下部層と接する層領域にゲルマニウム原
子（Ｇｅ）およびスズ原子（Ｓ　ｎ）の中の少なくとも
いずれか一方を含有する上部層からなることを特徴とし
ている。

上記したような層構成を取るようにして設計された本発
明の電子写真用光受容部材は、前記諸問題の全てを解決
し得、極めて優れた、電気的特性、光学的特性、光導電
特性、画像特性、耐久性および使用環境特性を示す。

さらに、下部層において、アルミニウム原子（Ａｌ）、
シリコン原子（Ｓｉ）、特には水素原子（Ｈ）を層厚方
向に不均一な分布状態で含有させることにより、アルミ
ニウム系支持体と上部層との間における電荷（フォトキ
ャリヤ）の注入性が改善され、さらには、アルミニウム
系支持体と上部層との構成元素の組織的構造的連続性が
改善されるために、ガサツキやポチ等の画像特性が改善
され、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像力の高い、
高品質の画像を安定して繰り返し得ることができる。

さらには、電子写真用光受容部材に加わる比較的短時間
な衝撃性の機械的圧力による画像欠陥の発生やＮｏｎ−
３ｉ（Ｉｆ、　Ｘ）膜のはがれの発生を防止し耐久性を
向上させ、さらには、アルミニウム系支持体とＮｏｎ−
５ｔ　（Ｉｔ、　Ｘ）膜の熱膨張率の違いにより発生す
る応力を緩和し、Ｎｏｎ−Ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）膜にクラッ
クやはがれが生じるのを防ぎ、生産性における歩留まり
を向上させることができる。

特に本発明においては、下部層中にハロゲン原子（Ｘ）
を含有させることによってシリコン原子（Ｓｉ）、アル
ミニウム原子（ＡＩ）等の未結合手を補償し組織的構造
的により安定な状態を得ることができるため、前記シリ
コン原子（Ｓｉ）、アルミニウム原子（ＡＩ）、及び水
素原子（Ｈ）の分布による効果と相まって、ガサツキや
ポチなどの画像特性において著しい改善が見られるとい
う特徴を有する。

さらに本発明においては、上部層において下部層と接す
る層領域にゲルマニウム原子（Ｇｅ）およびスズ原子（
Ｓ　ｎ）の中の少なくともいずれか一方を含有させるこ
とにより、上部層と下部層との間の密着性が更に改善さ
れ、画像欠陥の発生やＮｏｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）膜のは
がれの発生を防止し耐久性が向上する。さらには、電子
写真装置の画像露光の光源として半導体レーザー等の長
波長光を用いても、下部層の表面側から下部層側までの
間で吸収し切れない分の長波長光が高効率で、吸収され
るので、上部層と下部層の界面および／または支持体表
面での長波長光の反射による干渉現象の現出を顕著に防
止でき、画質が飛躍的に向上する。

なお、前記特開昭５９−２８１６２号公報には１．アル
ミニウム原子とシリコン原子を層厚方向に不均一に含有
し、さらには水素原子を含有することについては言及さ
れているものの、水素原子の含有のされ方には言及され
ておらず、本発明とは明確に区別されるものである。

〔発明の詳細な説明〕

以下、図面に従って本発明の電子写真用光受容部材につ
いて具体例を挙げて詳細に説明する。

第１図は、本発明の電子写真用光受容部材の好適な層構
成を説明するために模式的に示した構成図である。

第１図に示す電子写真用光受容部材１００は、電子写真
用光受容部材用としてのアルミニウム系支持体１０１の
上に、ＡＩＳ　ｉ　Ｈで構成され且つ前記アルミニウム
原子（ＡＩ）シリコン原子（Ｓ　ｉ）と水素原子（Ｈ）
が、層厚方向に不均一な分布状態で含有する部分を有す
る下部層１０３と、Ｎｏｎ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
、且つ前記下部層と接する層領域にゲルマニウム原子（
Ｇｅ）およびスズ原子（Ｓ　ｎ）の中の少なくともいず
れか一方を含有する上部層１０４とから成る層構成を有
する光受答層１０２とを有する。上部層１０４は自由表
面１０５を有する。

叉良差 本発明において使用されるアルミニウム系支持体１０１
としては、アルミニウム合金が用いられる。本発明のア
ルミニウム合金における、基質アルミニウムをはじめと
する合金成分については、特に制限はなく、成分の種類
、組成等については任意に選択することができる。従っ
て、本発明のアルミニウム合金には、日本工業規格（Ｊ
ＩＳ）　、ＡＡ規格、ＢＳ規格、ＤＩＮ規格、国際合金
登録等に展伸材、鋳物用、ダイカスト等とし規格化ある
いは登録されている、純アルミニウム系、Ａ１−Ｃｕ系
、Ａｌ−Ｍｎ系、Ａｔ−５ｉ系、Ａｌ−Ｍｇ系、Ａｌ−
Ｍｇ−３ｉ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ系、等の組成の合金、
Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｇ系（ジュラルミン、超ジュラルミン等
）、Ａ１−Ｃｏ−５ｉ系（ラウタル等）、Ａ１−Ｃｕ−
Ｎｉ−Ｍｇ系（Ｙ合金、ＲＲ金合金）、アルミニウム粉
末焼結体（ＳＡＰ）等が含有される。

因みに、本発明のアルミニウム合金の具体的組成を以下
に例示するが、これは本発明の一例にすぎず、下記の例
示により本発明が限定されるものではない。

純アルミニウム系としては、例えば月５Ｉ１００の、Ｓ
ｉ及びＦｅ　１．０重量％以下、Ｃｕ　　Ｏ，０５〜０
．２０重量％、Ｍｎ　　０．０５重量％以下、Ｚｎ　　
Ｏ，１０重量％以下、Ａ１９９．００重量％以上が挙げ
られる。

Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｇ系としては、例えば月５２０１７の、
ＳｉＯ，０５〜０．２０重量％、Ｆｅ０．７重量％以下
、Ｃｕ３．５〜４．５重量％、Ｍｎ　　０．４０〜１．
０重量％、Ｍｇ　　０．４０〜０．８重量％、Ｚｎ　　
０．２５重１％以下、Ｃｒ　　Ｏ，１０重量％以下、Ａ
Ｉ　　残部が挙げられる。

Ａｔ−Ｍｎ系としては、例えばＪＩＳ３００３の、Ｓｉ
０．６重量％以下、Ｆｅ０．７重量％以下、Ｃｕ　　Ｏ
，０５〜０．２０重量％、Ｉｎ　１．０〜１．５重量％
、Ｚｎ　　Ｏ，１０重量％以下、Ａ１　　残部が挙げら
れる。

Ａｌ−３ｉ系としては、例えばＪＩＳ４０３２のＳｉ　
１１．０〜１３．５重量％、Ｆｅ　１．０重量％以下、
Ｃｕ　Ｏ，５０〜１．３重量％、Ｍｇ　Ｏ，８〜１．３
重量％、Ｚｎ　　０．２５重量％以下、Ｃｒ　　Ｏ，１
０重量％以下、Ｎｉ　Ｏ，５〜１．３重量％、Ａｌ　　
残部が挙げられる。

Ａ１−Ｍｇ系としては、例えば封５５０８６の、Ｓｉ０
．４０重量％以下、Ｆｅ　　Ｏ，５０重量％以下、Ｃｕ
　　Ｏ，１０重量％以下、Ｍｎ　　０．２０〜０．７重
量％、Ｍｇ　３．５〜４．５重量％、Ｚｎ　　Ｏ，２５
重量％以下、Ｃｒ　　Ｏ，０５〜０．２５重量％、Ｔｉ
　　Ｏ，１５重量％以下、ＡＩ　　残部が挙げられる。

さらには、Ｓｉ　　０．５０重量％以下、Ｆｅ　　Ｏ，
２５重量％以下、Ｃｕ　　Ｏ，０４〜０．２０重量％、
Ｍｎ　　Ｏ，０１〜１．０重量％、Ｍｇ　Ｏ，５〜１０
重量％、Ｚｎ　　０．０３〜０．２５重量％以下、Ｃｒ
　　Ｏ，０５〜０．５０重量％、Ｔｉ又はＴｒ　　Ｏ，
０５〜０．２０重量％、Ｈ，Ａｌ　１００グラムに対し
て１．０ｃｃ以下、Ａ１　　残部が挙げられる。

また、さらには、Ｓｉ　　０．１２重量％以下、Ｆｅｎ
、　１５重量％以下、Ｍｎ　　Ｏ，３０重量％以下、Ｍ
ｇ　Ｏ，５〜５．５重量％、Ｚｎ　　Ｏ，０１〜１．０
重量％以下、Ｃｒ　　Ｏ，２０重量％以下、Ｚｒ　　Ｏ
，１〜０．２５重量％以下、Ａ１　残部が挙げられる。

Ａｌ−Ｍｇ−５ｉ系としては、例えばＪ　ｌ５６０６３
の、ＳｉＯ，２０〜０．６重量％、Ｆｅ　　Ｏ，３５重
量％以下、Ｃｕｂ、　１０重量％以下、Ｍｎ　　０．１
０重量％以下、ＭｇＯ，４５〜０．９重量％、Ｚｎ　　
Ｏ，１０重量％以下、Ｃｒ　　Ｏ，１０重量％以下、Ｔ
ｉ　　Ｏ，１０重量％以下、Ａ１　　残部が挙げられる
。

Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ系としては、例えばＪＩＳ７ＮＯ１の
、５ｊＯ１３０重量％以下、Ｆｅ　　Ｏ，３５重１％以
下、Ｃｕ　　Ｏ，２０重量％以下、Ｍｎ　　０．２０〜
０．７重量％、Ｍｇ　１．０〜２．０重量％、Ｚｎ　４
．（１〜５．０重量％、Ｃｒ　　Ｏ，３０重量％以下、
Ｔｉ　　０．２０重量％以下、Ｚｒ　　Ｏ，２５重１％
以下、ｖｏ、ｉｏ重量％以下、ＡＩ　　残部が挙げられ
る。

本発明においてアルミニウム合金の組成を選択するには
、使用目的に応じた特性として、例えば機械的強度、耐
食性、加工性、耐熱性、寸法制度等を考慮して適宜に選
択すれば良いが、例えば精密加工に際して、鏡面化切削
加工等を伴う場合には、アルミニウム合金中にマグネシ
ウム及び／又は銅を共存させることによって、アルミニ
ウム合金の快削性が向上する。

本発明においてアルミニウム系支持体１０１の形状は、
平滑表面あるいは凸凹表面の円筒状あるいは板状無端ベ
ルト状であることができ、その厚さは、所望通りの電子
写真用光受容部材を形成しつるように適宜決定するが、
電子写真用光受容部材としての可撓性が要求される場合
には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内で可
能な限り薄（することができる。しかしながら、支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度の点から、通常は１
０μｍ以上とされる。

レーザー光などの可干渉光を用いて像記録を行う場合に
は、可視画像において現われる、いわゆる干渉縞模様に
よる画像不良を解消するために、アルミニウム系支持体
表面に凹凸を設けてもよい。

支持体表面に設けられる凹凸は、特開昭６０−１６８１
５６号公報、特開昭６０−１７８４５７号公報、特開昭
６０−２２５８５４号公報等に記載された公知の方法に
より作成される。

また、レーザー光などの可干渉光を用いた場合の干渉縞
模様による画像不良を解消する別の方法として、支持体
表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けてもよ
い。

すなわち支持体の表面が電子写真用光受容部材に要求さ
れる解像力よりも微小な凹凸を有し、しかも該凹凸は、
複数の球状痕跡窪みによるものである。

支持体表面に設けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸
は、特開昭６１−２３１５６１号公報に記載された公知
の方法により作成される。

工」Ｌ層 本発明における下部層は、構成要素として少な（ともア
ルミニウム原子（Ａ１）、シリコン原子（Ｓｉ）、水素
原子（Ｉ＋）　、ハロゲン原子（Ｘ）を含む無機材料で
構成され、必要に応じて耐久性を調整する原子（ＣＮＯ
，）　、画質を調整する原子（Ｍｃ）を含有してもよい
。

該下部層に含有されるアルミニウム原子（ＡＩ）、シリ
コン原子（Ｓ　ｉ）　、水素原子（Ｈ）は、該下部層の
全層領域に万偏無（含有されてはいるが、層厚方向にお
いてその分布濃度が不均一である部分を有する。しかし
ながら、支持体の表面と平行な面内方向においては、均
一な分布で万偏無く含有されることが、面内方向におけ
る特性の均一化を図る点からも必要である。

該下部層に含有されるハロゲン原子（Ｘ）、必要に応じ
て含有される耐久性を調整する原子（ＣＮＯＣ）および
画質を調整する原子（Ｍｃ）は、該下部層の全層領域に
万偏無く均一な分布状態で含有されても良いし、あるい
は該下部層の全層領域に万偏無く含有されてはいるが、
層厚方向に対し不均一に分布する状態で含有している部
分があっても良い。しかしながら、いずれの場合にも支
持体の表面と平行な面内方向においては、均一な分布で
万偏無（含有されることが、面内方向における特性の均
一化を図る点からも必要である。

また、好ましい実施態様例の１つにおいては、下部層中
におけるアルミニウム原子（Ａ１）、シリコン原子（Ｓ
　ｉ）　、水素原子（Ｈ）の分布状態は全層領域にアル
ミニウム原子（Ａｌ）、シリコン原子（Ｓｉ）、水素原
子（Ｈ）が連続的に万偏無く分布し、アルミニウム原子
（Ａ１）の層厚方向の分布濃度が支持体側より上部層に
向かって減少する変化が与えられ、シリコン原子（Ｓ　
ｉ）　、水素原子（Ｈ）の層厚方向の分布濃度が支持体
側より上部層に向かって増加する変化が与えられている
ので、アルミニウム系支持体と下部層及び下部層と上部
層との親和性に優れている。

本発明の電子写真用光受容部材においては、前記したよ
うに下部層中に含有されるアルミニウム原子（Ａｌ）、
シリコン原子（Ｓ　ｉ）、、水素原子（Ｈ）の分布状態
は、層厚方向においては前記の様な分布状態を取り、支
持体の表面と平行な面内方向には均一な分布状態とされ
るのが望ましい。

第３図乃至第８図には、本発明における電子写真用光受
容部材の下部層中に含有されるアルミニウム原子（ＡＩ
）　、ハロゲン原子（Ｘ）、必要に応じて含有される耐
久性を調整する原子（ＣＮＯＣ）および画質を調整する
原子（Ｍｃ’）の層厚方向の分布状態の典型的例が示さ
れる。

第３図乃至第８図において、横軸はアルミニウム原子（
Ａｌ）　　（以後「原子（Ａｌ）　Ｊと略記する）１ハ
ロゲン原子（Ｘ）（以後「原子（Ｘ）」と略記する）、
耐久性を調整する原子（ＣＮＯ，）（以後［原子（ＣＮ
ＯＣ）Ｊと略記する）、画質を調整する原子（ＭＣ）（
以後［原子（Ｍ、）Ｊと略記し、原子（ＡＩ）と原子（
Ｘ）と原子（ＣＮＯｃ）と原子（Ｍｃ）を総称して「原
子（ＡＸ）Ｊと略記する。但し原子（ＡＩ）と原子（Ｘ
）と原子（ＣＮＯｃ）と原子（Ｍｃ）の層厚方向の分布
状態は同一であってもよいし異なってもよい）の分布濃
度Ｃを、縦軸は下部層の層厚を示し、ｔｏは支持体側の
下部層の端面の位置を、ｔＴは上部層側の下部層の端面
の位置を示す。すなわち、原子（ＡＸ）の含有される下
部層はｔＩＩ側よりｔ７側に向かって層形成される。

第３図には、下部層中に含有される原子（ＡＸ）の層厚
方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第３図に示される例では、含有される原子（ＡＸ）の分
布濃度Ｃは、位置１．より位置ｔ３１までは濃度Ｃ３１
なる一定の値を取り、位置ｔ３１より位置ｔ□に至るま
で濃度Ｃｊｌから一次関数的に減少して、位置ｔ７にお
いて濃度Ｃ３２となる様な分布状態を形成している。

第４図に示される例では、含有される原子（ＡＸ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔａより位置ｔアに至るまで濃度Ｃ４
１から一次関数的に減少して、位置ｔアにおいて濃度Ｃ
４２となる様な分布状態を形成している。

第５図に示される例では、含有される原子（ＡＸ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、より位置１１に至るまで濃度Ｃａ
ｌから徐々に連続的に減少して、位ＩｔＴにおいて濃度
Ｃ６２となる様な分布状態を形成している。

第６図に示される例では、含有される原子（ＡＸ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ８より位置ｔｇ＋までは濃度Ｃ６１
なる一定の値を取り、位ｆｉｔ　ｔ　ｅ　＋より位Ｍ　
ｔ　ｔまでは濃度Ｃ６２から一次関数的に減少して、位
置ｔｙにおいて濃度Ｃｓｓとなる様な分布状態を形成し
ている。

第７図に示される例では含有される原子（ＡＸ）の分布
濃度Ｃは、位置ｔｌｌより位置ｔｅｌまでは濃度ｃｙ＋
なる一定の値を取り、位ａ　ｔ　ｔ　＋より位置ｔ１に
至るまで濃度。Ｃｔｚから徐々に連続的に減少して、位
置ｔ７において濃度Ｃｔｓとなる様な分布状態を形成し
ている。

第８図に示される例では含有される原子（ＡＸ）の分布
濃度Ｃは、位置ｔ、より位置ｊｔに至るまで濃度Ｃ１ｌ
から徐々に連続的に減少して、位置ｔ工において濃度Ｃ
８□となる様な分布状態を形成している。

以上、第３図乃至第８図により下部層中に含有される原
子（ＡＩ）の層厚方向の分布状態の典型例の幾つかを説
明したように、本発明においては、支持体側において、
シリコン原子（Ｓｉ）、水素原子（Ｈ）を含み、且つ原
子（Ａｌ）の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面ｔ。に
おいて、前記分布濃度Ｃが支持体側に比べてかなり低く
された部分を有する場合には、好適な例か形成される。

この場合、原子（Ａ１）の分布濃度の最大値ＣｍａＸは
、好ましくは１０原子％以上、より好適には３０原子％
以上、最適には５０原子％以上とされる様な分布状態と
なり得るように層形成されるのが望ましい。

本発明において、下部層中に含有される原子（Ａ１）の
含有量としては、本発明の目的が効果的に達成されるよ
うに所望に従って適宜法められるが、好ましくは５原子
％を越え９５原子％以下、より好、ましくは１０〜９０
原子％、最適には２０〜８０原子％とされるのが望まし
い。

第９図乃至第１６図には、本発明における電子写真用光
受容部材の下部層中に含有されるシリコン原子（Ｓｉ）
、水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子（Ｘ）、必要に応じて
含有される原子（ＣＮＯｃ）、原子（Ｍｃ）の層厚方向
の分布状態の典型的例が示される。

第９図乃至第１６図において、横軸はシリコン原子（Ｓ
ｉ）、水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子（Ｘ）、原子（Ｃ
ＮＯｃ）、原子（Ｍｃ）（以後これらを総称して「原子
（ＳＨＸ）Ｊと略記する。

但しシリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と原子（Ｘ
）と原子（ＣＮＯｃ）と原子（Ｍ、）の層厚方向の分布
状態は同一であってもよいし異なってもよい）の分布濃
度Ｃを、縦軸は下部層の層厚を示し、Ｉ８は支持体側の
下部層の端面の位置を、ｔ、は上部層側の下部層の端面
の位置を示す。すなわち、原子（ＳＨＸ）の含有される
下部層はｔ。

側よりｔＴ側に向かって層形成される。

第９図には、下部層中に含有される原子（ＳＨＸ）の層
厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第９図に示される例では、含有される原子（ＳＨＸ）の
分布濃度Ｃは、位置ｔ。より位置ｔ９１に至るまで濃度
ＣＧ＋から一時間数的に増加して、位置１　＊　＋より
位置ｔ７までは濃度Ｃ’＋２なる一定の値を取る様な分
布状態を形成している。

第１０図に示される例では、含有される原子（Ｓ　ＨＸ
　）の分布濃度Ｃは、位置ｔ８より位置ｔ’ｔまでは濃
度Ｃ＋ｏ＋から一次関数的に増加して、位置１１におい
て濃度Ｃ１゜２となる様な分布状態を形成している。

第１１図に示される例では、含有される原子（ＳＨＸ）
の分布濃度Ｃは、位置ｔＢより位置１１に至るまで濃度
ＣＩ　Ｉ　＋から徐々に連続的に増加して位置ｔＴにお
いて濃度Ｃ１１２となる様な分布状態を形成している。

第１２図に示される例では、含有される原子（ＳＨＸ）
の分布濃度Ｃは位置ｔ。より位置ｔ１２．に至るまで濃
度ＣＩ２１から一時間数的に増加して位置ｔ、２．にお
いて濃度Ｃ１２２となり、位置ｔ２゜、より位置ｔ１ま
では濃度ＣＩ２３なる一定の値を取る様な分布状態を形
成している。

第１３図に示される例では、含有される原子（ＳＨＸ）
の分布濃度Ｃは位置ｔｌＩより位置ｔ、３１に至るまで
濃度Ｃ１，１から徐々に連続的に増領して位置ｔ　１３
１において濃度Ｃ１，２となり、位置ｔ１３、より位置
１１までは濃度Ｃ３３，なる一定の値を取る様な分布状
態を形成している。

第１４図に示される例では、含有される原子（ＳＨＸ）
の分布濃度Ｃは、位置ｔｏより位置ｔ７に至るまで濃度
Ｃ８４１から徐々に連続的に増加して位置１１において
濃度ＣＩ４□となる様な分布状態を形成している。

第１５図に示される例では、含有される原子（ＳＨＸ）
の分布濃度Ｃは位置ｔｎより位置ｔ　１５１に至るまで
実質的に零（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場
合である、以後の「実質的に零」の意味も同様である）
から徐々に増加して位置ｔ１，１において濃度Ｃ１，１
となり、位置ｔ　１５１より位置１１に至るまで濃度Ｃ
１，２なる一定の値を取る様な分布状態を形成している
。

第１６図に示される例では、含有される原子（Ｓ　ＨＸ
　）の分布濃度Ｃは、位置ｔＩｌより位置１１に至るま
で実質的に零から徐々に増加して位、置１１において濃
度Ｃ４６１となる様な分布状態を形成している。

以上、第９図乃至第１６図により下部層中に含有される
シリコン原子（Ｓ　ｉ）　、水素原子（Ｈ）の層厚方向
の分布状態の典型例の幾つかを説明したように、本発明
においては、支持体側において、アルミニウム原子（Ａ
１）を含み、且つシリコン原子（Ｓｉ）、水素原子（Ｈ
）の分布濃度Ｃの低い部分を有し、界面ｔＴにおいては
、前記分布濃度Ｃは支持体側に比べてかなり高くされた
部分を有するシリコン原子（Ｓ　ｉ）　、水素原子（旧
の分布状態が下部層に設けられている場合において、好
適な例が形成される。この場合、シリコン原子（Ｓｉ）
、水素原子（Ｈ）の和の分布濃度の最大値Ｃｍａｘは、
好ましくは工０原子％以上、より好適には３０原子％以
上、最適には５０原子％以上とされる様な分布状態とな
り得るように層形成されるのが望ましい。

本発明において、下部層中に含有されるシリコン原子（
Ｓ　ｉ）の含有量としては、本発明の目的が効果的に達
成されるように所望に従って適宜決められるが、好まし
くは５〜９５原子％、より好ましくは１０〜９０原子％
、最適には２０〜８０原子％とされるのが望ましい。

本発明において、下部層中に含有される水素原子（Ｈ）
の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成される
ように所望に従って適宜決められるが、好ましくは０．
０１〜７０原子％、より好ましくは０．１〜５０原子％
、最適には１〜４０原子％とされるのが望ましい。

前記のハロゲン原子（Ｘ）としては、フッ素原子（Ｆ）
、塩素原子（Ｃ１）、臭素原子（Ｂｒ）、ヨウ素原子（
１）を用いる。本発明においては、下部層にハロゲン原
子（Ｘ）としてフッ素原子（Ｆ）および／または塩素原
子（ＣＩ）および／または臭素原子（Ｂｒ）および／ま
たはヨウ素原子（１）を含有させることによって、主と
して下部中に含有されるシリコン原子（Ｓ　ｉ）　、ア
ルミニウム原子（ＡＩ）等の未結合手を補償し組織的構
造的に安定となって層品質を向上させることができる。

下部層中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）の含有量とし
ては、本発明の目的が効果的に達成されるように所望に
従って適宜決められるが、好ましくは１〜４Ｘ１０’原
子ｐｐｍ、より好ましくは１０〜３ｘ１０５原子ｐｐｍ
、最適にはｌＸｌ０”　〜２Ｘ１０’原子ｐｐｍとされ
るのが望ましい。

前記の必要に応じて含有される耐久性を調整する原子（
ＣＮＯｃ）としては、炭素原子（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）
、酸素原子（０）を用いる。本発明においては、下部層
に耐久性を調整する原子（ＣＮＯｃ）として炭素原子（
Ｃ）および／または窒素原子（Ｎ）および／または酸素
原子（０）を含有させることによって、主としてアルミ
ニウム系支持体と上部層との間における電荷の注入性を
向上させる効果および／または下部層中での電荷の走行
性を改善する効果および／またはアルミニウム系支持体
と上部層の密着性を改善する効果を得ることができる。

さらに、下部層においてアルミニウム原子（ＡＩ）の含
有量の少ない層領域では禁性帯幅を制御する効果も得る
ことができる。下部層に含有される耐久性を調整する原
子（ＣＮ　Ｏｃ　）の含有量としては好ましくは１×１
０′〜５Ｘ１０’原子ｐｐｍ、より好ましくは５Ｘ１０
’〜４Ｘ１０’原子１）１）ｍ％最適にはｌＸｌ０’〜
３Ｘ１０”原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

前記の必要に応じて含有される画質を調整する原子（Ｍ
ｃ）としては、周期律表第■族に属する原、子（以後「
第■族原子」と略記する）、窒素原子（Ｎ）を除く周期
律表第Ｖ族に属する原子（以後「第Ｖ族原子」と略記す
る）、酸素原子（０）を除く周期律表第■族に属する原
子（以後「第■族原子」と略記する）を用いる。第■族
原子としては、具体的には、Ｂ（硼素）、Ａｊ（アルミ
ニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔ
Ｉ（タリウム）等があり、特にＢ。

ＡＩ、Ｇａが好適である。第Ｖ族原子としては、具体的
には、Ｐ（燐）、Ａｓ、（砒素）、ｓｂ（アンチモン）
、　　Ｂｉ　（ビスマス）等があり、特にＰ、Ａｓが好
適である。第■族原子としては、具体的にはＳ（硫黄）
、Ｓｅ（セレン）、Ｔｅ（テルル）、Ｐｏ（ボロニウム
）等があり、特にＳ。

Ｓｅが好適である。本発明においては、下部層に画質を
調整する原子ＣＭ、’）として第■族原子または第Ｖ族
原子または第■族原子を含有させることによって、主と
してアルミニウム系支持体と上部層との間における電荷
の注入性を向上させる効果および／または下部層中での
電荷の走行性を改善する効果を得ることができる。さら
に、下部層においてアルミニウム原子（ＡＩ）の含有量
の少ない層領域では伝導型および／または伝導率を制御
する効果も得ることができる。下部層に含有される画質
を調整する原子（Ｍｅ　）の含有量としては好ま°しく
はｌＸｌ０−３〜５Ｘ１０’原子ｐｐｍｌよりこのまし
くはｌＸｌ０−”〜Ｉ　Ｘ　１０ｉ原子ｐｐｍ、最適に
は１ｘｌＯ−’　〜５ｘｌＯ”原子ｐｐｍとされるのが
望ましい。

本発明において、Ａｌ５ｉ）Ｉで構成される下部層は、
たとえば、後述される上部層と同様の真空堆積膜形成法
によって、所望特性が得られるように適宜成膜パラメー
タの数値条件が設定されて作成される。具体的には、た
とえばグロー放電法（低周波ＣＶＤ、高周波ＣＶＤまた
はマイクロ波ＣＶＤ等の交流放電ＣＶＤ、あるいは直流
放電ＣＶＤ等）　、ＥＣＲ−ＣＶＤ法、スパッタリング
法、真空蒸着法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法
、材料の原料ガスを分解することにより生成される活性
種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学的相互作用をする成
膜用の化学物質より生成される活性種（Ｂ）とを、各々
別々に堆積膜を形成するための成膜空間内に導入し、こ
れらを化学反応させることによって材料を形成する方法
（以後ｒＨＲＣＶＤ法」と略記する）、材料の原料ガス
と、該原料ガスに酸化作用をする性質を有するハロゲン
系の酸化ガスを各々別々に堆゛積膜を形成するための成
膜区間内に導入し、これらを化学反応させることによっ
て材料を形成する方法（以後ｒＦＯｃＶＤ法」と略記す
る）などの数々の薄膜堆積法によって形成することがで
きる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資
下の負荷程度、製造規模、作成される電子写真用光受容
部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望の特性を有する電子写真用光受容部
材を製造するに当っての条件の制御が比較的容易であり
、アルミニウム原子、シリコン原子と共に、水素原子の
導入を容易に行い得る等のことからして、グロー放電法
、スパッタリング法、イオンブレーティング法、ＨＲＣ
Ｖ　Ｄ法、ＦＯＣＶＤ法が好適である。そして、これら
の方法を同一装置系内で併用して形成してもよい。たと
えば、グロー放電法に゛よって、Ａ　Ｉ　Ｓ　ｉ　ＩＩ
で構成される下部層を形成するには、基本的にはアルミ
ニウム原子（Ａ１）を供給し得るＡ１供給用の原料ガス
と、シリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｉ供給用ガ
スと、水素原子（Ｉ４）を供給し得るＨ供給用ガスと、
ハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用ガスと、必要
に応じて耐久性を調整する原子（ＣＮＯｃ）を供給し得
るＣＮ０ｃ供給用ガスと、必要に応じて画質を調整する
原子（Ｍｃ）を供給し得るＭｅ供給用ガスを、内部が減
圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該
堆積室内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位
置に設置されである所定の支持体表面上にＡ　Ｉ　Ｓ　
ｉ　ＩＩからなる層を形成すればよい。

ＨＲＣＶＤ法によって、Ａ　Ｉ　Ｓ　ｉ　Ｈで構成され
る下部層を形成するには、基本的にはアルミニウム原子
（ＡＩ）を供給し得るＡ１供給用の原料ガスと、シリコ
ン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用ガスと、ハロゲ
ン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用ガスと、必要に応じ
て耐久性を調整する原子（ＣＮＯ，Ｃ）を供給し得るＣ
ＮＯ，、供給用ガスと、必要に応じて画質を調整する原
子（Ｍｃ）を供給し得るＭｃ供給用ガスを、必要に応じ
て別々に、あるいは−緒に、内部が減圧にし得る堆積室
内の前段に設けた活性化空間に所望のガス圧状態で導入
して、該活性化空間内にグロー放電を生起させ、または
加熱したりすることにより活性種（Ａ）を生成し水素原
子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスを同様に別の
活性化空間に導入して活性種（Ｂ）を生成し、活性種（
Ａ）と活性種（Ｂ）を各々別々に前記堆積室内に導入し
て、為らかしめ所定の位置に設置されである所定の支持
体裏面上にＡｌ５ｉＨからなる層を形成すればよい。

ＦＯＣＶＤ法によって、Ａｌ　Ｓ　ｉ　Ｈで構成される
下部層を形成するには、基本的にはアルミニウム原子（
Ａ１）を供給し得るＡ１供給用の原料ガスと、シリコン
原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用ガスと、水素原子
（Ｈ）を供給し得るＨ供給用ガスと、ハロゲン原子（Ｘ
）を供給し得るＸ供給用ガスと、必要に応じて耐久性を
調整する原子（ＣＮＯｃ）を供給し得るＣＮ０ｃ供給用
ガスと、必要に応じて画質を調整する原子（Ｍｃ）を供
給し得るＭ、供給用ガスを、必要に応じて別々に、ある
いは−緒、に、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガ
ス圧状態で導入し、さらにハロゲン（Ｘ）ガスを前記原
料ガスとは別に前記堆積室内に所望のガス圧状態で導入
し、堆積室内でこれらのガスを化学反応させて、あらか
じめ所定の位置に設置されである所定、の支持体表面上
にＡ　Ｉ　Ｓ　ｉ　Ｉｔからなる層を形成すればよい。

スパッタリング法で形成する場合には、たとえばＡｒ、
　Ｈｅ等の不活性ガスまたはこれ等のガスをベースとし
た混合ガスの雰囲気中でＡ１で構成されたターゲット、
Ｓｉで構成されたターゲットを使用して、またはＡＩと
Ｓｉの混合されたターゲットを使用して、水素原子（Ｈ
）を供給し得るＨ供給用の原料ガスと、ハロゲン原子（
Ｘ）を供給し得るＸ供給用ガスと、必要に応じて耐久性
を調整する原子（ＣＮＯｃ）を供給し得るＣＮ０ｅ供給
用ガスと、必要に応じて画質を調整する原子（Ｍｅ　）
を供給し得るＭｃ供給用ガスをスパッタリング用の堆積
室に導入し、さらに必要に応じて、アルミニウム原子（
Ａ１）を供給し得るＡ１供給用の原料ガスおよび／また
はシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用ガスを
、スパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガスのプ
ラズマ雰囲気を形成することによって成される。

イオンブレーティング法の場合には、たとえばアルミニ
ウムと多結晶シリコンまたは単結晶シリコンとを、それ
ぞれ蒸発源として蒸着ボードに収容し、この蒸発源を抵
抗加熱法、あるいはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）等
によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズ
マ雰囲気中を通過させる以外は、スパッタリング法の場
合と同様にする事で行うことができる。

本発明において、下部層の形成の際に、該層に含有され
るアルミニウム原子（Ａｌ）　、シリコン原子（Ｓ　ｉ
）　、水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子（父）、必要に応
じて含有される耐久性を調整する原子（ＣＮＯｃ）、お
よび画質を調整する原子（ＭＣ）（以後これらを総称し
て「原子（ＡＳＨ）Ｊと略記する）の分布濃度Ｃを層厚
方向に変化させて、所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐ
ｔｈｐｒｏｆｉｌｅ　）を有する層を形成するには、グ
ロー放電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法の場合には、
分布濃度を変化させるべき原子（Ａ　Ｓ　Ｈ）供給用の
原料ガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線にしたが
って適宜変化させ、堆積室内に導入することによって成
される。

たとえば、手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いら
れている何らかの方法により、ガス流路系の途中に設け
られた所定のニードルバルブの開口を適宜変化させる。

スパッタリング法によって形成する場合、原子（Ａ　Ｓ
　Ｈ）の分布濃度Ｃを層厚方向に変化させて、所望の層
厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を有
する層を形成するには、第一には、グロー放電法による
場合と同様に、原子（Ａ　Ｓ　Ｈ）供給用の原料をガス
状態で使用し、そのガス流量を所望の変化率曲線にした
がって適宜変化させ、堆積室内に導入することによって
成される。

第二は、スパッタリング用０ターゲツトを、例えばＡｌ
とＳｉとの混合されたターゲットを使用するのであれば
、Ａ１とＳｉの混合比を、ターゲットの層厚方向におい
て、あらかじめ変化させておくことによって成される。

本発明において使用されるＡ１供給用の原料ガスと成り
得る物質としてはＡｌＣ１ｍ、ＡｌＢｒ３゜ＡＩ　１．
、ＡＩ　（ＣＨ，）、ＣＩ、ＡＩ　（ＣＨ３）、。

ＡＩ（ＯＣＨ３）、、ＡＩ　（Ｃ，Ｈ，）３．ＡＩ（Ｑ
Ｃｓ　Ｈａ　）　ｓ　、　ＡＩ　（ｉ　−Ｃ４Ｈ９）３
　、　ＡＩ（ｉ−Ｃ３Ｈ７）１．ＡＩ（Ｃ８Ｈｆｆ）３
．ＡＩ（ＯＣ４Ｈｅ　）ｓなどが有効に使用されるもの
として挙げられる。また、これらのＡｌ供給用の原料ガ
スを必要に応じてＨ２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスによ
り希釈して使用してもよい。

本発明において使用されるＳｉ供給用ガスと成り得る物
質としては、Ｓ　ｉ　Ｈ４，Ｓ　ｉ　２　Ｈａ、Ｓ　ｉ
　ａＨｓ　、　　Ｓ　１４Ｈ１＋１等のガス状態の、ま
たはガス化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用
されるものとして挙げられ、更に層作成作業時の取扱い
易さ、Ｓｔ供給効率の良さ等の点でＳ　Ｉ　Ｈ４゜Ｓ　
１２　Ｈｓが好ましいものとして挙げられる。また、こ
れらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＩ（２、Ｈ
ｅ、Ａ　ｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよ
い。

本発明において使用されるハロゲン供給用ガスとして有
効なのは、多（のハロゲン化合物が挙げられ、例えばハ
ロゲンガス、ハロゲン化物、７１０ゲン間化合物、ハロ
ゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態のまたはガ
ス化し得る／’％ロゲン化合物が好ましく挙げられる。

また、さらには、シリコン原子と〕１０ゲン原子とを構
成要素とするガス状態のまたはガス化し得る、ハロゲン
原子を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明
においては挙げることができる。

本発明において好適に使用し得るノ１０ゲン化合物とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロ
ゲンガス、ＢｒＦ、ＣＩＦ、ＣｌＦ３．ＢｒＦａ、Ｂｒ
Ｆ５＋　　ＨＦ３．ＩＦ？＋ＩＣＩ、ＩＢｒ等のハロゲ
ン間化合物を挙げることができる。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、いわゆる７１０ケン原
子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例え
ばＳｉＦ４，５ｉ２Ｆ、、５ｉＣ１４，５ｘＢｒ＜等の
ハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることができ
る。

このようなハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグ
ロー放電法、ＨＲＣＶＤ法によって本発明の特徴的な電
子写真用光受容部材を形成する場合には、Ｓｉ供給用ガ
スとしての水素化硅素ガスを使用しなくても、所望の支
持体上にノ１０ゲン原子を含むＡ　Ｉ　Ｓ　ｉ　Ｈから
成る下部層を形成することができる。

グロー放電法、ＨＲＣＶ　Ｄ法にしたがって、ノ＼ロゲ
ン原子を含む下部層を形成する場合には、基本的には、
たとえばＳｉ供給用ガスとなるノ＼ロゲン化硅素を用い
ることによって、所望の支持体上に下部層を形成し得る
ものであるが、水素原子の導入割合を一層容易になるよ
うに図るために、これ等のガスにさらに水素ガスまたは
水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形
成してもよい。

また、各ガスは単独種のみでなく所定の混−白化で複数
種混合して使用しても差支えないものである。

本発明においては、ハロゲン原子供給用ガスとして上記
されたハロゲン化合物、あるいはノ１０ゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、ＨＣＩ。

ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ，Ｆ。

５ｉ）１２　Ｆ２＋　５ｉＨＦｉ、５ｉＨｚ　　Ｉ２，
５ｉＨ２Ｃ１２、Ｓ　ｉＨｃ］３＋　　Ｓ　１Ｈ２Ｂｒ
２＋５ｉＨＢｒ、等のハロゲン置換水素化硅素、等々の
ガス状態のあるいはガス化し得る物質も有効な下部層形
成用の原料物質として挙げることができる。これ等の物
質の中、水素原子を含むノ１０ゲン化物は、下部層形成
の際に層中にノ１０ゲン原子の導入と同時に電気的ある
いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入さ
れるので、本発明においては好適なハロゲン供給用ガス
として使用される。

水素原子を下部層中に構造的に導入するには、上記の他
にＦＩ２、あるいはＳ　ｒ　Ｈａ　、　Ｓ　１２Ｈａ、
Ｓｉｓ　Ｈａ、５ｉ４Ｈ＋。等の水素化硅素とＳｉを供
給するためのシリコンまたはシリコン化合物とを堆積室
中に共存させて放電を生起させる事でも行うことができ
る。

上部層中に含有され得る水素原子（Ｈ）および／または
ハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持体
温度および／または水氷原子（Ｈ）、あるいはハロゲン
原子（Ｘ）を含有させるために使用される原料物質の堆
積装置系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば
良い。

下部層中に、耐久性を調整する原子（ＣＮＯＣ）、例え
ば炭素原子（Ｃ）あるいは窒素原子（Ｎ）あるいは酸素
原子（０）を構造的に導入するには、層形成の際に、炭
素原子（Ｃ）導入用の原料物質あるいは窒素原子（Ｎ）
の導入用の原料物質あるいは酸素原子（０）導入用の原
料物質をガス状態で堆積室中に下部層を形成するための
他の原料物質と共に導入してやれば良い。炭素原子（Ｃ
）導入用の原料物質あるいは窒素原子（Ｎ）の導入用の
原料物質あるいは酸素原子（０）の導入用の原料物質と
成り得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少
なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用
されるのが望ましい。

炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
は有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを構成原子と
する、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜
４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系
炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４，
エタン（Ｃ，Ｈ，）、プロパン（Ｃ。

Ｈ＠）、ｎ−ブタン（ｎｃ４ＨＩＯ）ｌペンタン（Ｃ，
Ｈ，、）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ
，Ｈ４）、プロピレン（Ｃ，Ｈ，）。

ブ７／　　１　（Ｃ４Ｈｓ　）　＋　ブテン２　（ＣＢ
Ｆ６）、イソブチレン（Ｃ４Ｈ，’）、ペンテン（Ｃ，
Ｈ，。）、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン
（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ，Ｈ４）、ブチン
（Ｃ，Ｈ，）等が挙げられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、５
ｉ（ＣＨ３）４１　Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）４等のケイ化アル
キルを挙げることができる。

この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加えて、ハロゲン原
子（Ｘ）の導入も行えるという点からＣＦ、、ＣＣＩ４
．ＣＨ３ＣＦ、等のハロゲン化炭素ガスを挙げることが
できる。

窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される原料物質は、Ｎを構成原子とする、あ
るいはＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２＞、
アンモニア（ＮＨ，）。

ヒドラジン（Ｈ，ＮＮＨ，）、アジ化水素（ＨＮ、）、
アジ化アンモニウム（ＮＨ，Ｎ、）等のガス状のまたは
ガス化し得る窒素、窒化物およびアジ化物等の窒素化合
物を挙げることができる。

この他に、窒素原子（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原
子（Ｘ）の導入も行えるという点から三弗化窒素（Ｆ、
Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合
物を挙げることができる。

酸素原子（０）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効にとようされる出発物質は、例えば酸素（０，）、
オゾン（０，）、−酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（Ｎ
ｏ、）、−二酸化窒素（Ｎａ　Ｏ）、三二酸化窒素（Ｎ
２０．）、四三酸化窒素（Ｎ、Ｏ，）ｒ三二酸化窒素（
Ｎ、０．）。

二酸化窒素（ＮＯ２）、シリコン原子（Ｓ　ｉ）と酸素
原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする例えば
、ジシロキサン（Ｈ，５ｉＯ８ｉＨ，）、）ジシロキサ
ン（Ｈｓ　Ｓ　ｉＯ８ｔ　Ｈ２０ＳｉＨｓ）等の低級シ
ロキサン等を挙□げることができる。

下部層中に、画質を調整する原子（Ｍｅ）、例えば、第
■族原子あるいは第■族原子あるいは第■族原子を構造
的に導入するには、層形成の際に第■族原子導入用の原
料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質あるいは第
■族原子導入用の原料物質をガス状態で堆積室中に、下
部層を形成するための他の原料物質と共に導入してやれ
ば良い。第■族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖ族原
子導入用の原料物質あるいは第■族原子導入用の原料物
質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは
、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが
採用されるのが望ましい。そのような第■族原子導入用
の原料物質として具体的には硼素原子導入用としては、
Ｂ２Ｈ，、Ｂ４Ｈ，。、Ｂ、Ｈつ＋　　Ｂ　５　Ｈｌ　
ｌ＋　　Ｂ　６Ｈ、。、Ｂ、Ｈ，□、Ｂ６Ｈ１４等の水
素化硼素、ＢＦ３．ＢＣｌ３．ＢＢｒｓ等のハロゲン化
硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ３．ＧａＣ］ｓ
、Ｇａ　（ＣＨ３）、、ＩｎＣＨ８，ＴｌＣ１１等も挙
げることができる。

第Ｖ族原子導入用の原料物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、Ｐ　Ｈｓ
　、　　Ｐ　２８４等の水素比隣、ＰＨ４１、ＰＦ、、
ＰＦ、、Ｐｃｔ、、ＰＣｌ、、ＰＢｒ、、ＰＢｒｓ、Ｐ
Ｉ３等のハロゲン比隣が挙げられる。この他、Ａ　ｓ　
Ｈ３、Ａ　ｓ　Ｆ　ｓ　＋　Ａ　５Ｃ１ａ　、ＡｓＢｒ
ａ　、ＡｓＦ５　、ＳｂＨ３，ＳｂＦ３　　、　５ｂＦ
ｓ　　＋　　５ｂＣＩ　　３　、　５ｂＣ１ｓ　　、　
　ＢｉＨ３，Ｂ１Ｃ１，、Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導
入用の出発物質の有効なものとして挙げることができる
。

第■族原子導入用の原料物質としては、硫化水素（Ｈ２
Ｓ）、ＳＦ４．ＳＦ、、Ｓｏ、。

５ｏ２Ｆ、、ＣＯ８，Ｃ３，、ＣＨ，ＳＨＣ。

Ｈ，３１（、Ｃ，Ｈ４Ｓ、（ＣＨ３）２５　（Ｃ。

Ｈ，）２８等のガス状態のまたはガス化し得る物質が挙
げられる。この他、ＳｅＨ２，ＳｅＦ、ｌ、（ＣＨ３）
２　Ｓｅ、（Ｃ２Ｈｓ　）２　Ｓｅ。

ＴｅＨ，、ＴｅＦｓ　、（ＣＨ３）２　Ｔｅ、（Ｃ２Ｈ
ｓ　）　２　Ｔ　ｅ等のガス状態のまたはガス化し得る
物質が挙げられる。

また、これらの画質を制御する原子（Ｍｃ）導入用の原
料物質を必要に応じてＨ＝、Ｈｅ。

Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。

本発明における下部層の層厚は、所望の電子写真特性が
得られること、および経済的効果等の点から０．００３
〜５μｍ１好ましくは０．０１〜１μｍ１最適には０．
０５〜０．５μｍとするのが望ましい。

なお、本発明において、下部層におけるアルミニウム系
支持体との端面は、下部層のアルミニウム原子（Ａ１）
の含有量がアルミニウム系支持体におけるアルミニウム
原子（ＡＩ）の含有量の９５％以下となる領域である。

これは、アルミニウム原子（ＡＩ）の含有量がアルミニ
ウム系支持体におけるアルミニウム原子（Ａｌ）の含有
量の９５％を越える組成の領域では、その機能はほとん
ど支持体としての機能しか有しないからである。さらに
、下部層における上部層との端面は、下部層のアルミニ
ウム原子（ＡＩ）の含有量が５％を越える領域である。

これは、アルミニウム原子（ＡＩ）の含有量が５％以下
となる組成の領域では、その機能はほとんど上部層とし
ての機能しか有しないからである。

本発明の目的を達成しつる特性を有するＡｌ５ｉＨから
なる下部層を形成するには、堆積室内のガス圧、支持体
の温度を所望に従って適宜設定する必要がある。

堆積室内のガス圧は、層設計に従って適宜最適範囲が選
択されるが、通常の場合ｌＸｌ０−’〜１０Ｔｏｒｒ１
好ましくはｌＸｌ０−’〜３Ｔｏ　ｒ　ｒ、最適にはＩ
　Ｘ　１０−’〜ＩＴｏ　ｒ　ｒとするのが好ましい。

支持体温度（Ｔ　ｓ、　）は、層設計に従って適宜最適
範囲が選択されるが、通常の場合、５０〜６００℃、好
適には１００〜４００℃とするのが望ましい。

本発明において、Ａｌ５ｉＨからなる下部層をグロー放
電法によって作成する場合には、堆積室内に供給する放
電電力は、層設計に従って適宜最適範囲が選択されるが
通常の場合５Ｘ１０−’〜ＩＯＷ／ｃｄ、好ましくは５
Ｘ１０−’〜５Ｗ／　ｃ　ｒｔ？、最適にはＩ　Ｘ　１
０−”　〜２　Ｘ　１０−’Ｗ／　ｃ　ｒｄとするのが
望ましい。

本発明においては、下部層を作成するための堆積室内の
ガス圧、支持体温度、堆積室内に供給する放電電力の望
ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、こ
れらの層作成ファクターは、通常は独立的に別々に決め
られるものではなく、所望の特性を有する下部層を形成
すべく、相互的且つ有機的関連性に基づいて、下部層作
成ファクターめ最適値を決めるのが望ましい。

−Ｌ部製 本発明における上部層は、Ｎｏｎ−３ｉ（Ｈ。

Ｘ）で構成され所望の光導電特性を有する。

本発明における上部層の少なくとも下部層と接する層領
域中には、ゲルマニウム原子および／またはスズ原子を
含有し、必要に応じて伝導性を制御する原子（Ｍ）およ
び／または炭素原子（Ｃ）および／または窒素原子（Ｎ
）および／または酸素原子（０）も含有してもよい。ま
た、上部層のその他の層領域中には、伝導性を制御する
原子（Ｍ）、炭素原子（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）、酸素原
子（０）くゲルマニウム原子（Ｇｅ）、スズ原子（Ｓ　
ｎ）のうちの少なくとも一種を含有してもよい。特に上
部層の自由表面側近傍の層領域においては、炭素原子（
Ｃ）、窒素原子（Ｎ）、酸素原子（０）のうちの少なく
とも一種を含有するのが好ましい。

上部層の少なくとも下部層と接する層領域中に含有され
るゲルマニウム原子（Ｇｅ）および／またはスズ原子（
Ｓ　ｎ）および／または必要に応じて含有される伝導性
を制御する原子（Ｍ　）および／または炭素原子（Ｃ）
および／または窒素原子（Ｎ）および／または酸素原子
（０）は該層領域中に万偏無く均一に分布されてもよい
し、あるいは該層領域中に万偏無く含有されてはいるが
、層厚方向に対し不均一に分布する状態で含有している
部分があってもよい。しかしながら、いずれの場合にも
支持体の表面と平行な面内方向においては、均一な分布
で万偏無く含有されていることが、面内方向における特
性の均一化を図る点からも必要である。

上部層の少なくとも下部層と接する層領域以外の層領域
に伝導性を制御する原子（Ｍ）、炭素原子（Ｃ）、窒素
原子’（Ｎ）　、酸素原子（Ｏ）、ゲルマニウム原子（
Ｇｅ）、スズ原子（Ｓ　ｎ）の少なくとも一種を含有さ
せる場合には、前記伝導性を制御する原子（Ｍ）、炭素
原子（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）、酸素原子°（ｏ）、ゲル
マニウム原子（Ｇｅ）、スズ原子（Ｓｎ）は該層領域中
に万偏無（均一に分布されてもよいし、あるいは該層領
域中に万偏無く含有されてはいるが、層厚方向に対し不
均一に分布する状態で含有している部分がありてもよい
。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表面と平行
な面内方向においては、均一な分布で万偏無く含有され
ていることが、面内方向における特性の均一化を図る点
からも必要である。

また、伝導性を制御する原子（Ｍ）（以後「原子（Ｍ）
」と略記する）を含有する属領゛域（以後「層領域（Ｍ
）」と略記する）と、炭素原子（Ｃ）および／または窒
素原子（Ｎ）および／または酸素原子（Ｏ）（以後「原
子（ＣＮＯ）Ｊと略記する）を含有する層領域（以後「
層領域（ＣＮＯ）」と略記する）と、ゲルマニウム原子
（Ｇｅ）および／またはスズ原子（Ｓｎ）（以後「原子
（ＧＳ）Ｊと略記する）を含有する上部層の少なくとも
下部層と接する層領域（以後「層領域（ＧＳ、）Ｊと略
記する）は、実質的に同一な層領域であってもよいし、
少なくとも層領域（ＧＳＩｌ）の表面側の一部を共有し
ていても良い。

また、層領域（ＧＳ、）以外の原子（ＧＳ）を含有する
層領域（以後「層領域（ＧＳ、）Ｊと略記し、また層領
域（ＧＳ、）と層領域（ＧＳ、）を総称して「層領域（
ＧＳ）Ｊと略記する）と、層領域（Ｍ）と、層領域（Ｃ
ＮＯ）は、実質的に同一な層領域であってもよいし、少
なくとも各々の層領域の一部を共有していてもよいし、
各々の層領域を実質的に共有していなくとも良い。

第１７図乃至第３６図には、本発明における電子写真用
光受容部材の上部層において、層領域（Ｍ）に含有され
る原子（Ｍ）の層厚方向の分布状態の典型的例、層領域
（ＣＮＯ）に含有される原子（ＣＮＯ）の層厚方向の分
布状態の典型的例、層領域（ＧＳ）に含有される原子（
ＧＳ）の層厚方向の分布状態の典型的例を示したもので
ある。（以後、層領域（Ｍ）、層領域（ＣＮｏ’）、層
領域（ＧＳ）を代表して「層領域（Ｙ）」と記し、原子
（Ｍ）、原子（ＣＮＯ）　、原子（ＧＳ）を代表して「
原子（Ｙ）」と記す。したがって、第１７図乃至第３６
図には、層領域（Ｙ）に含有される原子（Ｙ）の層厚方
向の分布状態の典型的例が示されているが、前述した様
に、層領域（Ｍ）、層領域（ＣＮＯ）　、層領域（ＧＳ
）が実質的に同一な層領域である場合には層領域（Ｙ）
は上部層内に単数台まれ、実質的に同一な層領域で無い
場合には層領域（Ｙ）は上部層内に複数台まれている）
。

第１７図乃至第３６図において、横軸は原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃを、縦軸は層領域（Ｙ）の層厚を示し、ｔ、は
下部層側の層領域（Ｙ）の端面の位置を、ｔアは自由表
面側の層領域（Ｙ）の端面の位置を示す。すなわち、原
子（Ｙ）の含有される層領域（Ｙ）はｔ、側よりｔア側
に向かって層形成される。

第１７図には、層領域（Ｙ）中に含有される原子（Ｙ）
の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第１７図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、より位置１１に至るまで濃度Ｃ１
７，から徐々に連続的に増加して位置１１において濃度
Ｃ１７，となる様な分布状態を形成している。

第１８図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔｏより位置ｔ１８゜に至るまで濃度
Ｃ３，、から一時間数的に増加して位１ｆｆｔ、＋にお
いて濃度Ｃ，２となり、位置ｔ３，１より位置ｔ７まで
は濃度Ｃ＋ａａなる一定の値を取る様な分布状態を形成
している。

第１９図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔｅより位置ｔ３，１に至るまで濃度
Ｃ１９１なる一定の値となり、位置ｔ１．１より位１１
ｆｔ＋＊ｚに至るまで濃度Ｃ１，１から徐々に連続的に
増加して位置ｔ　１１１２において濃度Ｃ１１１２とな
り、位（ｉｆｔ＋ｏｚより位置１１までは濃度ＣＩ９１
なる一定の値を取る様な分布状態を形成している。

第２０図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃ’Ｉｔ、位置ｔ、より位置ｔ　２０１に至るま
で濃度Ｃ２゜、なる一定の値となり、位置ｔ２゜１より
位置ｔ２゜、に至るまで濃度Ｃ２゜２なる一定の値とな
り、位置ｔ２゜、より位置ｔ７までは濃度Ｃ２゜８なる
一定の値を取る様な分布状態を形成している。

第２１図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ６より位置１１までは濃度Ｃ２□な
る一定の値となる様な分布状態を形成している。

第２２図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、より位置ｔ２１１までは濃度Ｃ２
２１なる一定の値を取り、位置ｔ、２．より位置１１に
至るまで濃度Ｃ２２２から徐々に連続的に減少して、位
ｆ＆ｔｔにおいて濃度Ｃ２□３となる様な分布状態を形
成している。

第２３図に示される例では、°含有される原子（Ｙ）の
分布濃度Ｃは、位置ｔ８より位置ｔ７に至るまで濃度Ｃ
２＄１から徐々に連続的に減少して、位置１１において
濃度Ｃ２，２となる様な分布状態を形成している。

第２４図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔａより位置ｔ２４１までは濃度Ｃ２
４１なる一定の値を取り、位置ｔ２４．より位置ｔｒに
至るまで濃度Ｃ２４□から徐々に連続的に減少して、位
置１１において分布濃度Ｃは実質的に零（ここで実質的
に零とは検出限界量未満の場合である、以後の「実質的
に零」の意味も同様である）となる様な分布状態を形成
している。

第２５図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ８より位置１１に至るまで濃度Ｃ２
Ｂ＋から徐々に連続的に減少して、位置１１において分
布濃度Ｃは実質的に零となる様な分布状態を形成してい
る。

第２６図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、より位置ｔ２６１までは濃度Ｃ２
６１なる一定の値を取り、位置ｔ２６．より位置１１に
至るまで濃度Ｃ３，１がら一次関数的に減少して、位［
１，において濃度Ｃ２６，となる様な分布状態を形成し
ている。

第２７図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ８より位置ｔアに至るまで濃度Ｃ２
，１から一次関数的に減少して、位置１１において分布
濃度Ｃは実質的に零となる様な分布状態を形成している
。

第２８図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ８より位置ｔ　２８１までは濃度Ｃ
２ｍ！なる一定の値を取り、位置ｔ２８．より位置ｔＴ
に至るまで濃度Ｃ２５ｌから一次関数的に減少して、位
置ｔ１において濃度Ｃ２８□となる様な分布状態を形成
している。

第２９図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔｎより位置ｔＴに至るまで濃度Ｃ２
，１から徐々に連続的に減少して、位置ｔ７において濃
度Ｃ２，２となる様な分布状態を形成している。

第３０図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔｅより位置ｔ、。１までは濃度Ｃ３
゜、なる一定の値を取り、位置ｊ　３０１より位置ｔＴ
までは濃度Ｃ３０２から一次関数的に減少して、位置１
１において濃度Ｃ３゜、となる様な分布状態を形成して
いる。

第３１図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔｎより位置ｔ、１゜に至るまで濃度
Ｃ３□から徐々に連続的に増加して位置ｔ３□において
濃度Ｃ３１２となり、位置ｔ、１１より位置ｔ７までは
濃度Ｃ８１，なる一定の値を取る様な分布状態を形成し
ている。

第３２図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔｎより位置ｔ　’ｒに至るまで濃度
Ｃ３２１から徐々に連続的に増加して位置１１において
濃度Ｃ３２□となる様な分布状態を形成している。

第３３図に示される例では、含有される原・子（Ｙ）の
分布濃度Ｃは、位置ｔ。より位置ｔ３３゜に至るまで実
質的に零（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である、以後の「実質的に零」の意味も同様である）か
ら徐々に増加して位置ｔ３３．において濃度Ｃ３，１と
なり、位置ｔ８，１より位置１１に至るまでは濃度Ｃ３
３２なる一定の値を取る様な分布状態を形成している。

第３４図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔｌｌより位１ｔ□に至るまで実質的
に零から徐々に増加して位置１１において濃度Ｃ８４，
となる様な分布状態を形成している。

第３５図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔｌｌより位置ｔ８．。

に至るまで濃度Ｃ３，１から一次関数的に増加して、位
置ｔ　３８１より位置ｔＴまでは濃度Ｃ３，２なる一定
の値を取る様な分布状態を形成している。

第３６図に示される例では、含有される原子（Ｙ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、より位置１Ｔまでは濃度Ｃ３６，
から−次間数的に増加して、位置ｔ７において濃度Ｃ３
６２となる様な分布状態を形成している。

前記の伝導性を制御する原子（Ｍ）としては、半導体分
野における、いわゆる不純物を挙げることができ、本発
明においては、ｎ型伝導特性を与える周期律表第■族に
属する原子（以後「第■族原子」と略記する）またはｎ
型伝導特性を与える窒素原子（Ｎ）を除く周期律表第Ｖ
族に属する原子（以後「第Ｖ族原子」と略記する）およ
び酸素原子（０）を除く周期律表第■族に属する原子（
以後「第■族原子」と略記する）を用いる。

第■族原子としては、具体的には、Ｂ（硼素）。

ＡＩ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、　　Ｉｎ（
インジウム）、ＴＩ（タリウム）等があり、特にＢ、Ａ
Ｉ、Ｇａが好適である。第Ｖ族原子としては、具体的に
は、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）。

Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があ。

す、特にＰ、Ａｓが好適である。第■族原子としては、
具体的には、Ｓ（硫黄）、Ｓｅ（セレン）、Ｔｅ（テル
ル）、Ｐｏ（ボロニウム）等があり、特にＳ、Ｓｅが好
適である。本発明においては、層領域（Ｍ）に伝導性を
制御する原子（Ｍ）として第■族原子または第Ｖ族原子
または第■族原子を含有させることによって、主として
伝導型および／または伝導率を制御する効果および／ま
たは層領域（Ｍ）と上部層の層領域（Ｍ）以外の層領域
との間の電荷注入性を向上させる効果を得ることができ
る。層領域（Ｍ）に含有される伝導性を制御する原子（
Ｍ）の含有量としては好ましくはｌＸｌ０−’〜５Ｘ１
０’原子ｐｐｍ。

より好ましくはｌＸｌ０−”〜ｌＸ１０４原子ｐｐｍ１
最適には１ｘｌＯ−’　〜５ｘｌＯ３原子ｐｐｍとされ
るのが望ましい。特に層領域（Ｍ）において後述する炭
素原子（Ｃ）および／または窒素原子（Ｎ）および／ま
たは酸素原子（０）の含有量が１×１０３原子ｐｐｍ以
下の場合は、層領域（Ｍ）に含有される伝導性を制御す
る原子（Ｍ）の含有■としては好ましくはｌＸｌ０−’
〜１×１０３原子ｐｐｍとされるのが望ましく、炭素原
子（Ｃ）および／または窒素原子（Ｎ）および／または
酸素原子（０）の含有量がＩ　Ｘ　１０’原子ｐｐｍを
越える場合は、伝導性を制御する原子（Ｍ）の含有量と
しては好ましくはｌＸｌ０−’〜５Ｘ１０’原子ｐｐｍ
とされるのが望ましい。

本発明においては、層領域（ＣＮＯ）に炭素原子（Ｃ）
および／または窒素原子（Ｎ、）および／または酸素原
子（０）を含有させることによって、主として高暗抵抗
化および／または高硬度化および／または分光感度の制
御および／または層領域（ＣＮＯ）と上部層の層領域（
ＣＮＯ）以外の層領域との間の密着性を向上させる効果
を得ることができる。層領域（ＣＮＯ）に含有される炭
素原子（Ｃ）および／または窒素原子（Ｎ）および／ま
たは酸素原子（０）の含有量としては好ましくは１〜９
Ｘ１０’原子ｐｐｍ１より好ましくはｌＸｌ０’〜５Ｘ
１０’原子ｐｐｍ、最適にはｌＸｌ０”〜３Ｘ１０’原
子ｐｐｍとされるのが望ましい。特に高暗抵抗化および
／または高硬度化を計る場合には好ましくは１×１０３
〜９×１０６原子ｐｐｍとされるのが望ましく、分光感
度の制御を計る場合には好ましくは１×１０２〜５Ｘ１
０’原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明においては、層領域（ＧＳ）にゲルマニウム原子
（Ｇｅ）および／またはスズ原子（Ｓ　ｎ）を含有させ
ることによって、主として分光感度の制御、特には電子
写真装置の画像露光源に半導体レーザー等の長波長光を
用いる場合の長波長光感度を向上させる効果および／ま
たは干渉現象の現出を防止する効果、および／または層
領域（ＧＳｌｌ）と下部層との間の密着性の向上および
／または層領域（ＧＳ）と上部層の層領域（ＧＳ）以外
の層領域との間の密着性を向上させる効果を得ることが
できる。層領域（ＧＳ）に含有されるゲルマニウム原子
（Ｇｅ）および／またはスズ原子（Ｓ　ｎ）の含有量と
しては好ましくは１〜９．５×１０１１原子１）９ｍ％
より好ましくは１×１０２〜８×１０６原子ｐｐｍ、最
適には５Ｘ１０”〜７×１０８原子ｐｐｍとされるのが
望ましい。

また、本発明における上部層に含有する水素原子（Ｈ）
および／またはハロゲン原子（Ｘ）はシリコン原子の未
結合手を補償し層品質の向上を図ることができる。上部
層中に含有される水素原子（Ｈ）、あるいは水素原子（
Ｈ）とハロゲン原子（Ｘ）の和の含有量は、好適にはＩ
　Ｘ　１０”〜７Ｘ１０’原子ｐｐｍとされるのが望ま
しく、ハロゲン原子（Ｘ）の含有量は、好適には１〜４
×１０８原子ｐｐｍとされるのが望ましい。特に、上部
層中において前記した炭素原子（Ｃ）および／または窒
素原子（Ｎ）および／または酸素原子（０）の含有量が
３Ｘ１０’原子ｐｐｍ以下の場合には水素原子（Ｈ）、
あるいは水素原子（Ｈ）とハロゲン原子（Ｘ）の和の含
有量は、１ｘｌＯ”　〜４ｘｌＯ’原子ｐｐｍとされる
のが望ましい。さらに、上部層が多結晶質材料で構成さ
れる場合には、上部層中に含有される水素原子（Ｈ）、
あるいは水素原子（Ｈ）とハロゲン原子（Ｘ）の和の含
有量は、好適には１×１０３〜２×１０ｓ原子ｐｐｍと
されるのが望ましく、非結晶質材料で構成される場合に
は、好適には１×１０４〜７Ｘ１０’原子ｐｐｍとされ
るのが望ましい。

本発明において、Ｎｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成され
る上部層は、前述した下部層と同様の真空堆積膜形成法
によって作成することができ、特にグロー放電法、スパ
ッタリング法、イオンプレ−ティング法、ＨＲＣＶ　Ｄ
法、ＦｏＣＶＤ法が好適である。そして、これらの方法
を同一装置系内で併用して形成してもよい。

たとえば、グロー放電法によって、Ｎｏｎ−３ｉ　（Ｈ
，Ｘ）で構成される上部層を形成するには、基本的には
シリコン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｉ供給用ガスと、
水素原子（Ｈ）を供給し得るＮ供給用ガスおよび／また
はハロゲン原字（Ｘ）を供給し得るＸ供給用ガスと、必
要に応じて伝導性を制御する原子（Ｍ）を供給し得るＭ
供給用ガスおよび／または炭素原子（Ｃ）を供給し得る
Ｃ供給用ガスおよび／または窒素原子（Ｎ）を供給し得
るＮ供給用ガスおよび／または酸素原子（０）を供給し
得るＣ供給用ガスおよび／またはゲルマニウム原子（Ｇ
ｅ）を供給し得るＧｅ供給用ガスおよび／またはスズ原
子（Ｓ　ｎ）を供給し得るＳｎ供給用ガスを、内部が減
圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該
堆積室内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位
置に設置されである所定のあらかじめ下部層を形成した
支持体表面上にＮｏｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）からなる層を
形成すればよい。

ＨＲＣＶＤ法によってＮｏｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成
される上部層を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｔ）を供給し得るＳｉ供給用ガスと、必要に応じて
伝導性を制御する原子（Ｍ）を供給し得るＭ供給用ガス
および／または炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用ガ
スおよび／または窒素原子（Ｎ）を供給し得るＮ供給用
ガスおよび／または酸素原子（０）を供給し得る０供給
用ガスおよび／またはゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給
し得るＧｅ供給用ガスおよび／またはスズ原子（Ｓ　ｎ
）を供給し得るＳｎ供給用ガスを、必要に応じて別々に
、あるいは−緒に、内部が減圧にし得る堆積室内の前段
に設けた活性化空間に所望のガス圧状態で導入して、該
活性化空間内にグロー放電を生起させ、または加熱した
りすることにより活性種（Ａ）を生成し、水素原子（Ｈ
）を供給し得るＮ供給用ガスおよび／またはハロゲン原
子（Ｘ）を供給し得るハロゲン供給用ガスを同様に別の
活性化空間に導入して活性種（Ｂ）を生成し、活性種（
Ａ）と活性種（Ｂ）を各々別々に前記堆積室内に導入し
てあらかじめ所定の位置に設置されである所定のあらか
じめ下部層を形成した支持体表面上にＮ　ｏ　ｎ　　Ｓ
　ｉ（Ｈ＊　Ｘ　）からなる層を形成すればよい。

ＦＯＣＶＤ法によってＮｏｎ−８ｔ　（Ｈ，Ｘ）で構成
される上部層を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｉ供給用ガスと、水素原子（
Ｈ）を供給し得るＮ供給用ガスと、必要に応じて伝導性
を制御する原子（Ｍ）を供給し得るＭ供給用ガスおよび
／または炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用ガスおよ
び／または窒素原子（Ｎ）を供給し得るＮ供給用ガスお
よび／または酸素原子（０）を供給し得るＣ供給用ガス
および／またはゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得る
Ｇｅ供給用ガスおよび／またはスズ原子（Ｓ　ｎ）を供
給し得るＳｎ供給用ガスを、必要に応じて別々に、ある
いは−緒に、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス
圧状態で導入し、さらにハロゲン（Ｘ）ガスを前記供給
用ガスとは別に前記堆積室内に所望のガス圧状態で導入
し、堆積室内でこれらのガスを化学反応させて、あらか
じめ所定の位置に設置されである所定のあらかじめ下部
層を形成した支持体表面上にＮｏｎ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）か
らなる層を形成すればよい。

スパッタリング法あるいはイオンブレーティング法によ
ってＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成される上部層を形
成するには、基本的にはたとえば特開昭６１−５９３４
２公報等に記載されている公知の方法にて形成すれば良
い。

本発明において、上部層の形成の際に、該層に含有され
る伝導性を制御する原子（Ｍ）、炭素原子（Ｃ）、窒素
原子（Ｎ）、酸素原子（０）、ゲルマニウム原子（Ｇｅ
）、スズ原子（Ｓ　ｎ）（以後これらを総称して［原子
（ＭＣＮＯＧＳ）Ｊと略記する）の分布濃度Ｃを層厚方
向に変化させて、所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔ
ｈｐｒｏｆｉｌｅ　）を有する層を形成するには、グロ
ー放電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣｖＤ法の場合には、分
布濃度を変化させるべき原子（ＭＣＮＯＧＳ）供給用の
原料ガスを、そのガス流蛍を所望の変化率曲線にしたが
って適宜変化させ、堆積室内に導入することによって成
される。

たとえば、手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いら
れている何らかの方法により、ガス流路系の途中に設け
られた所定のニードルバルブの開口を適宜変化させる。

本発明において使用されるＳｉ供給用ガスと成り得る物
質としては、ＳｉＨ４，５ｔ２Ｈａ。

Ｓ　１　ｓ　Ｈｓ　＋　　Ｓ　１４　Ｈ＋。等のガス状
態の、またはガス化し得る水素化硅素（シラン類）が有
効に使用されるものとして挙げられ、更に層作成作業時
の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率のよさ等の点でＳ　ｔ　Ｈ
ａ　、Ｓ　１２　Ｈａが好ましいものとして挙げられる
。また、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じて
Ｈｚ　、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用
してもよい。

本発明において使用されるハロゲン供給用ガスとして有
効なのは、多（のハロゲン化合物が挙げられ、例−えば
ハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロ
ゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態のまたはガ
ス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。

また、さらには、シリコン原子とハロゲン原子とを構成
要素とするガス状態のまたはガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明に
おいては挙げることができる。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、Ｂ　ｒ　Ｆ、　　ＣＩ　Ｆ、　　ＣＩＦｓ＋　
　ＢｒＦ５．ＢｒＦ、、ＩＦ３．１Ｆ？＋ＩＣＩ、ＩＢ
ｒ等のハロゲン間化合物を挙げることができる。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、いわゆるハロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、例え
ば５ｉＦａ、Ｓｉｘ　Ｆｅ。

Ｓ　ｉＣ１ａ　＋　Ｓ　ｉＢ　ｒ　ａ等のハロゲン化硅
素が好ましいものとして挙げることができる。

このようなハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグ
ロー放電法、ＨＲＣＶＤ法によって本発明の特徴的な電
子写真用光受容部材を形成する場合には、Ｓｉ供給用ガ
スとしての水素化硅素ガスを使用しな（ても、所望の支
持体上にハロゲン原子を含むＮｏｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）
から成る上部層を形成することができる。

グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法にしたがって、ハロゲン原
子を含む上部層を形成する場合には、基本的には、たと
えばＳｉ供給用ガスとなるハロゲン化硅素を用いること
によって、所望の支持体上に上部層を形成し得るもので
あるが、水素原子の導入割合を一層容易になるように図
るために、これ等のガスにさらに水素ガスまたは水素原
子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成して
もよい。

また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種
混合して使用しても差支えないものである。

本発明においては、ハロゲン原子供給用ガスとして上記
されたハロゲン化合物、あるいはハロゲンを含む硅素化
合物が有効なものとして使用されるものであるが、その
他に、Ｉ−ＩＦ、ＨＣＩ。

ＨＢｒ、Ｈｌ等のハロゲン化水素、５ｉｌ−１３Ｆ。

ＳｉＨ２Ｆ２＋　　　　５ｉＨＦａ、　　　　５ｉＨｚ
　　　　Ｉ２．　　　　ＳｉＨ２Ｃ１２，５ｉＨＣ１，
，５ｉＨａ　Ｂｒ２゜５ｉＨＢｒ、等のハロゲン置換水
素化硅素、等々のガス状態のあるいはガス化し得る物質
も有効な上部層形成用の原料物質として挙げることがで
きる。これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物
は、上部層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時
に電気的あるいは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン供給用ガスとして使用される。

水素原子を上部層中に構造的に導入するには、上記の他
にＨＥ、あるいはＳ　ｉＢ４．Ｓ　ｌｘ　Ｈａ。

Ｓ　ｉ３　Ｈ，、Ｓｉ４　Ｉ’Ｌｏ等の水素化硅素とＳ
ｉを供給するためのシリコンまたはシリコン化合物とを
堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも行うこと
ができる。

上部層中に含有され得る水素原子（Ｈ）および／または
ハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、鮒えは支持体
温度および／または水素原子（Ｈ）、あるいはハロゲン
原子（Ｘ）を含有させるために使用される原料物質の堆
積装置系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば
良い。

上部層中に、伝導性を制御する原子（Ｍ）、例えば、第
■族原子あるいは第Ｖ族原子あるいは第■族原子を構造
的に導入するには、層形成の際に、第■族原子導入用の
原料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質あるいは
第■族原子導入用の原料物質をガス状態で堆積室中に、
上部層を形成するための他の原料物質と共に導入してや
れば良い。第■族原子導入用の原料物質あるいは第■族
原子導入用の原料物質あるいは第■族原子導入用の原料
物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状のまた
は、少な（とも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい。そのような第■族原子導入
用の原料物質として具体的には硼素原子導入用としては
、Ｂ１０．。

Ｂ　　４　　Ｈ，、、Ｂ、　　　Ｈ、、Ｂ、　　　Ｈ，
、、Ｂ、　　　Ｈ，、、Ｂ。

Ｈ，、、Ｂ、Ｈ，４等の水素化硼素、ＢＦｌ、ＢＣＩ、
。

ＢＢｒ、等のハロゲン化硼素等が挙げられる。

この他、ＡｌＣｌ３．ＧａＣＩａ、Ｇａ　（ＣＨ３）５
．ＩｎＣ１５、ＴｌＣｌ３等も挙げることができる。

第■族原子導入用の原料物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，
Ｐ、Ｈ４等の水素北隣、ＰＨ４Ｉ。

ＰＦｓ　、ＰＦｓ　、ＰＣｌ５　、ＰＣｌ５　、ＰＢｒ
ｓ。

ＰＢｒ、、Ｐｌ、等のハロゲン北隣が挙げられる。この
他、ＡｓＨｓ　、ＡｓＦ５　、ＡｓＣＩ、＋ＡｓＢｒ５
　、ＡｓＦａ　、５ｂＨｓ　、ＳｂＦ３゜５ｂＦｓ　、
ＳｂＣＩｓ　、ＳｂＣＩａ　、Ｂ　ｉＨｓ　。

Ｂ　ｉＣ１ｓ　、　Ｂ　ｔ　Ｂ　ｒ　ｓ等も第Ｖ族原子
導入用の出発物質の有効なものとして挙げることができ
る。

第■族原子導入用の原料物質としては、硫化水素（Ｈ２
Ｓ）　、　ＳＦ、　、　ＳＦ、、ＳＱ、、Ｓｏ□Ｆ２゜
ＣＯ３，Ｃ８，、ＣＨ，ＳＨ，Ｃ，Ｈ，ＳＨ。

Ｃ，Ｈ，Ｓ、　　（ＣＨ，）、　　Ｓ、　　（Ｃ，Ｈ，
）　　２８等のガス状態のまたはガス化し得る物質が挙
げられる。この他、ＳｅＨ２，５ｅＦｓ　、（ＣＨＩ）
２Ｓｅ、（Ｃ２Ｈｓ　）２　Ｓｅ、Ｔ’ｅＨｚ　、Ｔｅ
Ｆ’ａ　。

（ＣＨ３）２　Ｔｅ、（Ｃ２Ｈｓ　）２　Ｔｅ等のガス
状態のまたはガス化し得る物質が挙げられる。

また、これらの伝導性を制御する原子（Ｍ）導入用の原
料物質を必要に応じてＨ，、Ｈｅ。

Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。

上部層中に、炭素原子（Ｃ）あるいは窒素原子（Ｎ）あ
るいは酸素原子（０）を構造的に導入するには、層形成
の際に、炭素原子（Ｃ）導入用の原料物質あるいは窒素
原子（Ｎ）導入用の原料物質あるいは酸素原子（０）導
入用の原料物質をガス状態で堆積室中に、上部層を形成
するための他の原料物質と共に導入してやれば良い。炭
素原子（Ｃ）導入用の原料物質あるいは窒素原子（Ｎ）
導入用の原料物質あるいは酸素原子（０）導入用の原料
物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状のまた
は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい。

炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを構成原子とす
る、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４
のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭
化水素等が挙げられ。

る。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、　エタン（Ｃ２Ｈｌｌ　）　、プロパノ（０３Ｈｓ）
、ｎ−ブタン（ｎ　　Ｃａ　Ｈ＋ｏ）　＋ペンタン（Ｃ
，Ｈ，、）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（
Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ，Ｈ６）。

ブテン−１（Ｃ，Ｈ，）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）。

イソブチレン（Ｃ，Ｈ，）、ペンテン（Ｃ，Ｈ，。）。

アセチレン系炭化水素としてはアセチレン（Ｃ２Ｈ２）
、メチルアセチレン（Ｃ１Ｈ，）、ブチン（Ｃ，Ｈ，’
）等が挙げられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
　ｉ　（ＣＨ，）、、Ｓ　ｉ　（Ｃ，Ｈ，）　４等のケ
イ化アルキルを挙げることができる。

この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加えて、ハロゲン原
子（Ｘ）の導入も行えるという点からＣＦ４．ＣＣＶ、
、ＣＨ，ＣＦ、等のハロゲン化炭素ガスを挙げることが
できる。

窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される原料物質は、Ｎを構成原子とする、あ
るいはＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、
アンモニア（ＮＨ，）。

ヒドラジン（Ｈ，ＮＮＨ，）、アジ化水素（ＨＮ、）、
アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ、）等のガス状のまたは
ガス化し得る窒素、窒化物およびアジ化物等の窒素化合
物を挙げることができる。この他に、窒素原子（Ｎ）の
導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）の導入も行えるとい
う点から、三弗化窒素（Ｆ、Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ
２）等のハロゲン化窒素化合物を挙げることができる。

酸素原子（０）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、例えば酸素（０、）、オ
ゾン（０３）、−酸化窒素（Ｎｏ）。

二酸化窒素（Ｎ　Ｏ２）、−二酸化窒素（Ｎ２０）。

三二酸化窒素（Ｎ２０．）、四三酸化窒素（Ｎ。

０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０ｓ）、三酸化窒素（ＮＯ
３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原
子（Ｈ）とを構成原子とする例えば、ジシロキサン（Ｉ
３　Ｓ　ｉｔｓ　ｉＨｚ　）、　　トリシロキサン（Ｈ
３Ｓ　ｉｔｓ　ｉＨｚ　Ｏ５１Ｈ３）等の低級シロキサ
ン等を挙げることができる。

上部層中に、ゲルマニウム（Ｇｅ）あるいはスズ原子（
Ｓ　ｎ）を構造的に導入するには、層形成の際に、ゲル
マニウム（Ｇｅ）導入用の原料物質あるいはスズ原子（
Ｓ　ｎ）導入用の原料物質をガス状態で堆積室中に、上
部層を形成するための他の原料物質と共に導入してやれ
ば良い。ゲルマニウム（Ｇｅ）導入用の原料物質あるい
はスズ原子（Ｓ　ｎ）導入用の原料物質と成り得るもの
としては、常温常圧でガス状のまたは、少な（とも層形
成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望
ましい。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４，Ｇｅ２Ｈａ　、Ｇｅｓ　Ｈａ　、ＧｅａＨＩｏ、Ｇ
　ｅｓ　ＨＩ２１　Ｇ　ｅｓ　Ｎ１４１　Ｇ　ｅｔ　Ｈ
１８１Ｇｅｓ　Ｈａｓ、Ｇｅｅ　Ｉ２゜などのガス状態
のまたはガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用
されるものとして挙げられ、殊に層作成作業時の取り扱
い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨａ　＋　
　Ｇｅ２Ｈａ　、Ｇｅｓ　Ｈｓが好ましいものとして挙
げられる。

その他に、ＧｅＨＦ５　、ＧｅＩ２Ｆ２．ＧｅＨｓＦ、
ＧｅＨＣＩｓ　Ｔ　　ＧｅＨ２Ｃ，ｌｚ　、ＧｅＨ。

Ｃ１，ＧｅＨＢ　ｒ３　、ＧｅＨ２Ｂ　ｒ２　、ＧｅＨ
ｓＢｒ、　ＧｅＨＩｓ　、　ＧｅＨａ　Ｉ２　、　Ｇｅ
Ｈａ　Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム、ＧｅＦ、
。

ＧｅＣＩａ　、ＧｅＢｒａ　、Ｇｅ　Ｉ４．ＧｅＦ２＋
ＧｅＣｌｘ　、ＧｅＢｒ２．Ｇｅ　１２等のハロゲン化
ゲルマニウムが挙げられる。

Ｓｎ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、５ｎＨ
ａ　、５ｎ２Ｈａ　、Ｓｎｓ　Ｈｓ　、５ｎ４ＨＬｏｔ
　　Ｓ　ｎｓ　　Ｎ１２１　　Ｓ　ｎ　６　Ｈ，、、Ｓ
　　ｎ　、　Ｈｏ５ｔＳ　ｎｓ　ＨＩＳＴ　Ｓ　ｎｓ　
Ｈａｏ＋　などのガス状態のまたはガス化し得る水素化
スズが有効に使用されるものとして挙げられ、殊に層作
成作業時の取り扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良さ等の点で
Ｓ　ｎ　Ｈａ　＋３ｎ、Ｈ，、Ｓｎｓ　Ｈ，、が好まし
いものとして挙げられる。

その他に、５ｎＨＦｓ、５ｎＨｚ　Ｆ！　、５ｎＨｓＦ
、５ｎＨＣ１３，５ｎＨｚ　Ｃｌｚ　、５ｎＨ３ＣＩ、
５ｎＨＢｒｓ　、５ｎＨａ　Ｂｒ＝　、ＳｎＨ＊Ｂｒ、
５ｎＨＩｓ、５ｎＨｚ　１２　＋　ＳｎＨ，Ｉ等の水素
化ハロゲン化スズ、５ｎＦａ、ＳｎＣ１４。

５ｎＢｒ、、５ｎ１４＋　　５ｎＦｚ、５ｎＣ１２゜Ｓ
ｎＢｒ２，５ｎ１２等のハロゲン化スズ等々のガス状態
のあるいはガス化し得る物質も有効な上部層形成用の出
発物質として挙げる事ができる。

本発明における上部層の層厚は、所望の電子写真特性が
得られること、および経済的効果等の点から１〜１３０
μｍ１好ましくは３〜１００μｍ１最適には５〜６０μ
ｍとするのが望ましい。

本発明の目的を達成しうる特性を有するＮｏｎ−８ｉ　
（Ｈ，Ｘ）からなる上部層を形成するには、堆積室内の
ガス圧、支持体の温度を所望に従って適宜設定する必要
がある。

堆積室内のガス圧は、層設計に従って適宜最適範囲が選
択されるが、通常の場合ｌＸｌ０−’〜１０Ｔｏｒｒ、
好ましくは１ｘｌＯ−’　〜３Ｔ。

ｒｒ、最適にはＩ　Ｘ　１０−’　〜Ｉ　Ｔｏ　ｒ　ｒ
とするのが好ましい。

上部層をＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）として水素原子（Ｈ
）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有するＡ−８
ｉ（以後、ｒＡ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）　Ｊと略記する）を
選択して構成する場合には、支持体温度（Ｔｓ）は、層
設計に従って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合
、５０〜４００℃、好適には１００〜３００℃とするの
が望ましい。

上部層をＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）として水素原子（Ｈ
）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有する多結晶
質シリコン（以後、ｒｐｏｌｙ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）Ｊと
略記する）を選択して構成する場合には、その層を形成
するについては種々の方法があり、例えば次のような方
法が挙げられる。

その１つの方法は、支持体温度を高温、具体的には４０
０〜６００℃に設定し、該支持体上にプラズマＣＶＤ法
により膜を堆積せしめる方法である。

他の方法は、支持体表面に先ずアモルファス状の膜を形
成、すなわち、支持体温度をたとえば約２５０℃にした
支持体上にプラズマＣＶＤ法により膜を形成し、該アモ
ルファス状の膜をアニーリング処理することによりｐｏ
ｌｙ化する方法である。該アニーリング処理は、支持体
を４００〜６００℃に約５〜３０分間加熱するか、ある
いは、レーザー光を約５〜３０分間照射することにより
行われる。

本発明において、Ｎｏｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）からなる上
部層をグロー放電法によって作成する場合には、堆積室
内に供給する放電電力は、層設計に従って適宜最適範囲
が選択されるが通常の場合５×１０″″〜ＬＯＷ／ｃ耐
、好ましくは５×１０−’　〜５Ｗ／ｃｒｄ、最適には
ｌＸｌ０−”〜２Ｘ　１０　”−’Ｗ／　ｃ　ｒｄとす
るのが望ましい。

本発明においては、上部層を作成するための堆積室内の
ガス圧、支持体温度、堆積室内に供給する放電電力の望
ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、こ
れらの層作成ファクターは、通常は独立的に別々に決め
られるものではなく、所望の特性を有する上部層を形成
すべ（、相互的且つ有機的関連性に基づいて、上部層作
成ファクターの最適値を決めるのが望ましい。

〔実施例〕

以下実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発
明はこれらによって限定されるものではない。

〈実施例１〉 高周波（以下ｒＲＦ、、＋と略記する）グロー放電分解
法によって本発明の電子写真用光受容部材を形成した。

第３７図に原料ガス供給装置１０２０と堆積装置１００
０からなる、ＲＦグロー放電分解法による電子写真用光
受容部材の製造装置を示す。

図中の１０７１・、１０７２，１０７３，１０７４．１
０７５，１０７６．１０７７のガスボンベおよび１０７
８の密閉容器には、本発明の各々の層を形成するための
原料ガスが密封されており、１０７１はＳ　ｉＨ４ガス
（純度９９．９９％）ボンベ、１０７２はＨ、ガス（純
度９９．９９９９％）ボンベ、１０７３はＳ　ｓ　Ｆ　
ａガス（純度９９．９９％）ボンベ、１０７４はＧｅＨ
４ガス（純度９９．９９９％、）ボンベ、１０７５はＨ
２ガスで希釈された８２Ｈ，ガス（純度９９゜９９９％
、以下ｒＢ、Ｈ６／Ｈ２Ｊと略記する）、１０７６はＮ
ｏガス（純度９９．９％）ボンベ、１０７７はＨｅガス
（純度９９．９９９％）ボンベ、１０７８はＡｌＣｌ３
　（純度９９．９９％）を詰めた密閉容器である。

図中１００５は円筒状アルミニウム系支持体であり、外
直径は１０８ｍｍで、表面に鏡面加工を施しである。

まずガスボンベ１０７１〜１０７７のバルブ１０５１〜
１０５７、流入バルブ１０３１〜１０３７、堆積室１０
０１のリークバルブ１０１５が閉じられていることを確
認し、また、流出バルブ１０４１〜１０４７、補助バル
ブ１０１８が開かれていることを確認して先ずメインバ
ルブ１０１６を開いて不図示の真空ポンプにより堆積室
１００１およびガス配管内を排気した。

次に真空計１０１７の読みが約ｌＸｌ０−’Ｔｏｒｒに
なった時点で補助バルブ１０１８、流出バルブ１０４１
〜１０４７を閉じた。

その後、ガスボンベ１０７１よりＳｉＨ４ガス、ガスボ
ンベ１０７２よりＨ２ガス、ガスボンベ１０７３よりＳ
ｉＦ、ガス、ガスボンベ１０７４よりＧ　ｅ　Ｈａガス
、ガスボンベ１０７５よりＢａＨｓ／Ｈ２ガス、ガスボ
ンベ１０７６よりＮｏガス、ガスボンベ１０７７よりＨ
ｅガスを、バルブ１０５１〜１０５７を開けて導入し、
圧力調整器１０６１〜１０６７により各ガス圧力を２ｋ
ｇ／ｃｒｒｒに調整した。

次に流入バルブ１０３１〜１０３７を徐々に開けて、以
上の各ガスをマスフローコントローラー１０２１〜１０
２７内に導入した。この際にマスフローコントローラー
１０２７には、ガスボンベ１０７７からのＨｅガスがＡ
ｌＣ１，の詰まった密閉容器１０７８を通ってくるので
、Ｈｅガスで希釈されたＡｌＣ１，ガス（以下ｒＡｌｃ
Ｉ３／ＨｅＪと略記する）が導入される。

また、堆積室１００１内に設置された円筒状アルミニウ
ム系支持体１００５の温度は加熱ヒーター１０１４によ
り２５０℃に加熱した。

以上のようにして成膜の準備が完了した後、円筒状アル
ミニウム系支持体１００５上に、下部層、上部層の各層
の成膜を行った。

下部層を形成するには、流出バルブ１０４１゜１０４２
．１０４３，１０４６．１０４７および補助バルブ１０
１８を徐々に開いてＳ　ｓ　Ｈａガス、Ｈ２ガス、５Ｉ
Ｆ４ガス、Ｎｏガス、ＡｌＣ１ｓ　／　Ｈｅガスをガス
導入管１００８のガス放出孔１００９を通じて堆積室１
００１内に流入させた。この時、Ｓ　ｉＨ４ガス流量が
５０ＳＣＣＭ。

Ｈ２ガス流量が１０３００Ｍ、Ｎｏガス流量が５８ＣＣ
Ｍ、ＳｉＦ、ガス流量が５３ＣＣＭ。

ＡｌＣ１，／Ｈｅガス流量が１２０８ＣＣＭとなるよう
に各々のマスフローコントローラー１０２１．１０２２
，１０２３，１０２６．１０２７で調整した。堆積室１
００１内の圧力は、０．４Ｔｏｒｒとなるように真空計
１０１７を見ながらメインバルブ１０１６の開口を調整
した。その後、不図示のＲＦ電源の電力を５ｍＷ／ｃｒ
ｒｒに設定し高周波マツチングボックス１０１２を通じ
て堆積室１００１内にＲＦ電力を導入し、ＲＦグロー放
電を生起させ、円筒状アルミニウム系支持体上に下部層
の形成を開始した。下部層の形成中、Ｓ　ｉＨ４ガス流
量は５０ＳＣＣＭ、ＳｉＦ４ガス流量は５８ＣＣＭ、Ｎ
ｏガス流量は５８ＣＣＭの一定流量となるように、Ｈ２
ガス流量は１１０５ＣＣから２００ＳＣＣＭに一定の割
合で増加するように、Ａ　Ｉ　Ｃ１ｓ　／　Ｈｅガス流
量は１２０ＳＣＣＭから４０ＳＣＣＭに一定の割合で減
少するようにマスフローコントローラー１０２１゜１０
２２．１０２３，１０２６．１０２７を調整し、層厚０
．０５μｍの下部層を形成したところでＲＦグロー放電
を止め、また、流出バルブ１０４１．１０４２，１０４
３，１０４６．１０４７および補助バルブ１０１８を閉
じて、堆積室１００１内へのガスの流入を止め、下部層
の形成を終え、Ｓ　ｉ　Ｆ　４ガスボンベをＣＨ，ガス
（純度９９．９９９％）ボンベに変えた。

次に、上部層の第一の層領域を形成するには、流出バル
ブ１０４１，１０４２．１０４４および補助バルブ１０
１８を徐々に開いて５ｉＨ４ガス、Ｈ２ガス、Ｇ　ｅ　
Ｈａガスをガス導入管１００８のガス放出孔１００９を
通じて堆積室１０ｏ１内に流入させた。この時、Ｓ　ｉ
Ｈａガス流量が１１００５ＣＣ，Ｈ２ガス流量がｉｏｏ
ｓｃｃＭ、ＧｅＨ，ガス流ｊｌが５０ＳＣＣＭとなるよ
うに各々のマスフローコントローラー１０２１゜１０２
２．１０２４で調整した。堆積室１００１内の圧力は、
０．４Ｔｏｒｒとなるように真空計１０１７を見ながら
メインバルブ１０１６の開口を調整した。その後、不図
示のＲＦ電源１の電力を１０ｍＷ／ｃｒｒｒに設定し高
周波マツチングボックス１０１２を通じて堆積室１００
１内にＲＦ電力を導入し、ＲＦグロー放電を生起させ、
下部層上に上部層の第一の層領域の形成を開始した。上
部層の第一の層領域の形成中、Ｓ　ｉＨ４ガス流量は１
１００５ＣＣ，Ｈ，ガス流量は１１００５ＣＣの一定流
量になるように、Ｇ　ｅ　Ｈ４ガス流量は下部層側０．
７μｍでは５０８ＣＣＭの一定流量となるように、表面
側０．３μｍでは５０８ＣＣＭからＯ３ＣＣＭに一定の
割合で減少するようにマスフローコントローラー１０２
１．１０２２゜１０２４を調整し、層厚１μｍの上部層
の第一の層領域を形成したところでＲＦグロー放電を止
め、また、流出バルブ１０４１，１０４２゜１０４４お
よび補助バルブ１０１８を閉じて、堆積室１００１内へ
のガスの流入を止め、上部層の第一の層領域の形成を終
えた。

次に、上部層の第二の層領域を形成するには、流出バル
ブ１０４１，１０４２，１０４５゜１０４６および補助
バルブ１０１８を徐々に開いてＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガス
、Ｂ１０．／Ｈ，ガス、ＮＯガスをガス導入管１００８
のガス放出孔１００９を通じて堆積室１００１内に流入
させた。この時、ＳｉＨ４ガス流量が１００Ｓ１００５
ＣＣガス流景が１１００５ＣＣ，Ｂ１０゜／Ｉ］２ガス
流量がＳｉＨ，ガスに対して８００ｐｐｍ、Ｎｏガス流
量がＩＯ８ＣＣＭとなるように各々のマスフローコント
ローラー１０２１゜１０２２．１０２５．１０２６で調
整した。堆積室１００１内の圧力は、０．４Ｔｏｒｒと
なるように真空計１０１７を見ながらメインバルブ１０
１６の開口を調整した。その後、不図示のＲＦ電源の電
力を１０ｍＷ／ｃｒｒｒに設定し高周波マツチングボッ
クス１０１２を通じて堆積室１００１内にＲＦ電力を導
入し、ＲＦグロー放電を生起させ、上部層の第一の層領
域上に上部層の第二の層領域の形成を開始した。上部層
の第二の層領域の形成中、ＳｉＨ，ガス流量はｉｏｏｓ
ｃｃＭ、Ｈ，ガス流量は１１００５ＣＣ，Ｂ１０゜／Ｈ
，ガス流量はＳ　ｉ　Ｈ４ガスに対して８００ｐｐｍの
一定となるように、Ｎｏガス流量は下部層側２μｍでは
ＩＯ８ＣＣＭの一定流量となるように、表面側１μｍで
はＩＯ８ＣＣＭからＯ８ＣＣＭに一定の割合で減少する
ようにマスフローコントローラー１０２１．１０２２，
１０２５゜１０２６を調整し、層厚３μｍの上部層の第
二の層領域を形成したところでＲＦグロー放電を止め、
また、流出バルブ１０１１１．１０４２゜１０４５．１
０４６および補助バルブ１０１８を閉じて、堆積室１０
０１内へのガスの流入を止め、上部層の第二の層領域の
形成を終えた。

次に、上部層の第三の層領域を形成するには、流出バル
ブ１０４１．１０４２および補助バルブ１０１８を徐々
に開いてＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガスをガス導入管１００８
のガス放出孔１００９を通じて堆積室１００１内に流入
させた。この時、Ｓ　ｉＨａガス流量が３００８ＣＣＭ
、Ｈ，ガス流量が３００８ＣＣＭとなるように各々のマ
スフローコントローラー１０２１．１０２２で調整した
。堆積室１００１内の圧力は、０．５Ｔｏｒｒとなるよ
うに真空計１０１７を見ながらメインバルブ１０１６の
開口を調整した。その後、不図示のＲＦ電源の電力を１
５ｍＷ／ｅｒｒ？に設定し高周波マツチングボックス１
０１２を伽じて堆積室１００１内にＲＦ電力を導入し、
ＲＦグロー放電を生起させ、上部層の第二の層領域上に
上部層の第三の層領域の形成を開始し、層厚２０μｍの
上部層の第三の層領域を形成したところでＲＦグロー放
電を止め、また、流出バルブ１０４１゜１０４２および
補助バルブ１０１８を閉じて、堆積室１００１内へのガ
スの流入を止め、上部層の第三の層領域の形成を終えた
。

次に、上部層の第四の層領域を形成するには、流出バル
ブ１０４１．１０４３および補助バルブ１０１８を徐々
に開いてＳ　ｉＨａガス、ＣＨ。

ガスをガス導入管１００８のガス放出孔１００９を通じ
て堆積室１００１内に流入させた。この時、Ｓ　ｉＨ４
ガス流量が５０３ＣＣＭ、ＣＨ。

ガス流量が５００８ＣＣＭとなるように各々のマスフロ
ーコントローラー１０２１．１０２３で調整した。堆積
室１００１内の圧力は、０．４Ｔｏｒｒとなるように真
空計１０１７を見ながらメインバルブ１０１６の開口を
調整した。その後、不図示のＲＦ電源の電力を１０　ｍ
Ｗ／　ｃ　ｒｄに設定し高周波マツチングボックス１０
１２を通じて堆積室１００１内にＲＦ電力を導入し、Ｒ
Ｆグロー放電を生起させ、上部層の第三の層領域上に第
四の層領域の形成を開始し、層厚０．５μｍの上部層の
第四の層領域を形成したところでＲＦグロー放電を止め
、また、流出バルブ１０４１゜１０４３および補助バル
ブ１０１８を閉じて、堆積室１００１内へのガスの流入
を止め、上部層の第四の層領域の形成を終えた。

以上の、電子写真用光受容部材の作成条件を第１表に示
す。

それぞれの層を形成する際に必要なガス以外の流出バル
ブは完全に閉じられていることは云うまでもなく、また
、それぞれのガスが堆積室１００１内、流出バルブ１０
４１〜１０４７から堆積室１００１に至る配管内に残留
することを避けるために、流出バルブ１０４１〜１０４
７を閉じ、補助バルブ１０１８を開き、さらにメインバ
ルブを全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必
要に応じて行う。

また、層形成を行っている間は層形成の均一化を図るた
め、円筒状アルミニウム系支持体１００５を、不図示の
駆動装置によって所望される速度で回転させる。

〈比較例〉 下部層を形成する際に、Ｈ２ガス、Ｎｏガス。

ＳｉＦ４ガスを用いない以外は、実施例１と同じ作成条
件で電子写真用光受容部材を作成した。この、電子写真
用光受容部材の作成条件を第２表に示す。

作成された実施例１および比較例の電子写真用光受容部
材をキャノン製の複写機ＮＰ−７５５０を実験用に改造
した電子写真装置にそれぞれセットして、種々の条件の
もとに幾つかの電子写真特性をチェックしたところ、共
に特に光源に半導体レーザーなどの長波長光を使用した
場合において、画像上の干渉縞防止に優れた効果が見ら
れ、極めて高画質のものが得られるという特徴を有して
いることがわかった。

次に画像特性としてポチの数を比較したところ、特に直
径０．１ｍｍ以下のポチの数につき実施例１の電子写真
用光受容部材のほうが比較例の電子写真用光受容部材の
１／２以下のポチ数となっていることがわかった。さら
に、ガサツキの度合いを比較するために、直径０．０５
ｍｍの円形の領域を１単位として１００点の画像濃度を
測定し、その画像濃度のバラツキを評価したところ、実
施例１の電子写真用光、受容部材のほうが比較例の電子
写真用光受容部材の１／２以下のバラツキとなり、目視
においても実施例１の電子写真用光受容部材のほうが比
較例の電子写真用光受容部材より優れていることがわか
った。

また、電子写真用光受容部材に加わる比較的短時間な衝
撃性の機械的圧力による画像欠陥の発生や光受答層の層
はがれの発生の度合いを比較するために、直径３．５ｍ
ｍのステンレス製ボールを電子写真用光受容部材の表面
の鉛直上３０ｃｍから自由落下させて電子写真用光受容
部材表面に当て、光受答層に亀裂が生じる確率、を測定
したところ、実施例１の電子写真用光受容部材のほうが
比較例の電子写真用光受容部材の２１５以下の発生確率
となっていることがわかった。

以上に見られるように、実施例１の電子写真用光受容部
材のほうが比較例の電子写真用光受容部材より総合的優
位性が認められた。

〈実施例２〉 下部層においてＮｏガスを使用せず、ＡｌＣ１ｓ　／　
Ｈｅガス流量の変化の仕方を変え、上部層においてＢ、
Ｈ，／Ｈ２Ｎ２ガス加して、第３表に示す作成条件によ
り、実施例１と同様に電子写真用光受容部材を作成し、
同様な評価を行ったところ、実施例１と同様にボチ、ガ
サツキ、層はがれに対して改善される良好な効果が得ら
れた。

〈実施例３〉 実施例１の上部層においてＣＨ、ガスを使用せず、第４
表に示す作成条件により、実施例１と同様に電子写真用
光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ、実施
例１と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善さ
れる良好な効果が得られた。

〈実施例４〉 上部層においてＨ、ガスを不図示のＨｅガス（純度９９
．９９９９％）に変え、５ｉＦａガス、ＡｌＣ１，／Ｈ
ｅガスガスＮ！ガス（純度９９．９９９％）をさらに使
用し、第５表に示す作成条件により実施例１と同様に電
子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったとこ
ろ、実施例１と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対し
て改善される良好な効果が得られた。

〈実施例５〉 上部層においてＨ、ガスを不図示のＡｒガス（純度９９
．９９９９％）に変え、ＣＨ４ガスを不図示のＮＨ，ガ
ス（純度９９．９９９％）に変えＳ　ｉＦ　ａガスをさ
らに使用し、第６表に示す作成条件により、実施例１と
同様に電子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行
ったところ、実施例１と同様にボチ、ガサツキ、層はが
れに対して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例６〉 実施例１の下部層においてＮｏガスの変わりにＣＨ，ガ
スを使用し、上部層において不図示のＰＨ，／Ｈ２Ｎ２
ガス度９９．９９９％）をさらに使用し、第７表に示す
作成条件により、実施例１と同様に電子写真用光受容部
材を作成し、同様な評価を行ったところ、実施例１と同
様にボチ、ガサツキ、層はがれに対して改善される良好
な効果が得られた。

〈実施例７〉 上部層においてＳｉＦ４ガス、不図示のＰＨ。

／Ｈ，ガスをさらに使用し、第８表に示す作成条件によ
り、実施例１と同様に電子写真用光受容部材を作成し、
同様な評価を行ったところ、実施例１と同様にポチ、ガ
サツキ、層はがれに対して改善される良好な効果が得ら
れた。

〈実施例８〉 上部層において、不図示のＰＨ，／Ｈ，ガス。

Ｎ２ガスをさらに使用し、第９表に示す作成条件により
、実施例１と同様に電子写真用光受容部材を作成し、同
様な評価を行ったところ、実施例１と同様にポチ、ガサ
ツキ、層はがれに対して改善される良好な効果が得られ
た。

〈実施例９〉 実施例１の上部層においてＣＨ，ガスボンベをＣ，Ｎ２
ガス（純度９９．９９９９％）ボンベに変えて、Ａ　Ｉ
　Ｃ１ｓ　／　Ｈｅガスをさらに使用し、第１０表に示
す作成条件により、実施例１と同様に電子写真用光受容
部材を作成し、同様な評価を行ったところ、実施例１と
同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善される良
好な効果が得られた。

〈実施例１０〉 上部層においてＢ２Ｈ，ガスを不図示のＰＨ３／Ｈ，ガ
スに変え、ＳｉＦ４ガスをさらに使用し、第１１表に示
す作成条件により、実施例１と同様に電子写真用光受容
部材を作成し、同様な評価を行ったところ、実施例１と
同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善される良
好な効果が得られた。

〈実施例１１〉 上部層においてＣＨ，ガスを不図示のＮＨ，ガスに変え
、不図示のＳ　ｎ　Ｈａガス（純度９９゜９９９％）を
さらに使用し、第１２表に示す作成条件により、実施例
１と同様に電子写真用光受容部材を作成し、同様な評価
を行ったところ、実施例１と同様にポチ、ガサツキ、層
はがれに対して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例１２〉 上部層においてＳ　ｉＦ　ａガスをさらに使用し、第１
３表に示す作成条件により、実施例６と同様に電子写真
用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ、実
施例６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善
される良好な効果が得られた。

〈実施例１３〉 下部層においてＣ２Ｈ，ガス！　８１２　Ｆ　８ガス（
純度９９．９９％）を使用し、上部層において不図示の
ＰＨ，／Ｈ２ガス、　Ｓ　１２　Ｈａガス（純度９９．
９９％）をさらに使用し、第１４表に示す作成条件によ
り、実施例９と同様に電子写真用光受容部材を作成し、
同様な評価を行ったところ、実施例９と同様にポチ、ガ
サツキ、層はがれに対して改善される良好な効果が得ら
れた。

〈実施例１４〉 全層において３１２Ｆ６ガスを使用し、上部層において
Ｐ！（、／Ｈ２ガスをさらに使用し、第１５表に示す作
成条件により、実施例１と同様に電子写真用光受容部材
を作成し、同様な評価を　゛行ったところ、実施例１と
同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善される良
好な効果が得られた。

〈実施例１５〉 上部層においてＧｅＨ４ガスをさらに使用し、第１６表
に示す作成条件により、実施例１と同様に電子写真用光
受容部材を作成し、同様な評価を行またところ、実施例
１と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善され
る良好な効果が得られた。

〈実施例１６〉 実施例１において、円筒状アルミニウム系支持体の外直
径を８０ｍｍにし、第１７表に示す作成条件により、実
施例１と同様に電子写真用光受容部材を作成し、キャノ
ン製の複写機ＮＰ−９０３０を実験用に改造した電子写
真装置を用いた以外は実施例１と同様な評価を行ったと
ころ、実施例１と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対
して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例１７〉 実施例１において、円筒状アルミニウム系支持体の外直
径を６０ｍｍにし、第１８表に示す作成条件により、実
施例１と同様に電子写真用光受容部材を作成し、キャノ
ン製の複写機ＮＰ−１５０Ｚを実験用に改造した電子写
真装置を用いた以外は実施例１と同様な評価を行ったと
ころ、実施例１と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対
して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例１８〉 実施例１において、円筒状アルミニウム系支持体の外直
径を３０ｍｍにし、第１９表に示す作成条件により、実
施例１と同様に電子写真用光受容部材を作成し、キャノ
ン製の複写機ＦＣ−５を実験用に改造した電子写真装置
を用いた以外は実施例１と同様な評価を行ったところ、
実施例１と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改
善される良好な効果が得られた。

〈実施例１９〉 実施例１において、円筒状アルミニウム系支持体の外直
径を１５ｍｍにし、第２０表に示す作成条件により、実
施例１と同様ゆ電子写真用光受容部材を作成し、実験用
に試作した電子写真装置を用いた以外は実施例１と同様
な評価を行ったところ、実施例１と同様にボチ、ガサツ
キ、層はがれに対して改善される良好な効果が得られた
。

（実施例２０〉 実施例１６において、鏡面加工を施した円筒状アルミニ
ウム系支持体に、更に剣バイトによる旋盤加工により、
第３８図のような断面形状でａ＝２５μｍ、ｂ＝０．８
μｍとなる円筒状アルミニウム系支持体を用い、実施例
１６と同様な作成条件で電子写真用光受容部材を作成し
、実施例１６と同様な評価を行ったところ、実施例１６
と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに対して改善される
良好な効果が得られた。

〈実施例２１〉 実施例１６において、鏡面加工を施した円筒状アルミニ
ウム系支持体を、引き続き多数のベアリング用法の落下
のもとにさらして、円筒状アルミ□　ニウム系支持・体
表面に無数の打痕を生じしめるいわゆる表面ディンプル
化処理を施し、第３９図のような断面形状でｃ＝５０μ
ｍ、ｄ＝１μｍとなる円筒状アルミニウム系支持体を用
い、実施例１６と同様な作成条件で電子写真用光受容部
材を作成し、実施例１６と同様な評価を行ったところ、
実施例１６と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに対して
改善される良好な効果が得られた。

〈実施例２２〉 実施例９において、Ｎｏガスに変えてＣ，Ｈ２ガスを使
用し、円筒状アルミニウム系支持体の温度を５００℃と
し、第２１表に示す作成条件により、上部層がｐｏ　ｌ
　ｙ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）からなる電子写真用光受容部材
を実施例９と同様に作成し、同様な評価を行ったところ
、実施例９と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに対して
改善される良好な効果が得られた。

〈実施例２３〉 マイクロ波（以下「μＷ」と略記する）グロー放電分解
法によって本発明の電子写真用光受容部材を形成した。

第３７図に示したＲＦグロー放電分解法の製造装置の堆
積装置１０００を第４０図に示すμＷグロー放電分解法
用の堆積装置７１１００に交換して原料ガス供給装置１
０２０と接続した、第４１図に示すμＷグロー放電分解
法による電子写真用光、受容部材の製造装置を用いた。

図中１１０７は円筒状アルミニウム系支持体であり、外
直径は１０８ｍｍで、表面に鏡面加工を施しである。

まず実施例１と同様に、堆積室１１０１及びガス配管内
を、堆積室１１０１の圧力が５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒにな
るまで排気した。

その後実施例１と同様に、各ガスをマスフローコントロ
ーラー１０２１〜１０２７内に導入した。但し、上部層
においてＮｏガスボンベに変えてＣＨ，ガスボンベを使
用した。

また、堆積室１１０１内に設置された円筒状アルミニウ
ム系支持体１１０７の温度は不図示の加熱ヒーターによ
り２５０℃に加熱した。

以上のようにして成膜の準備が完了した後、円筒状アル
ミニウム系支持体１１０７上に、下部層、上部層の各層
の成膜を行った。下部層を形成するには、流出バルブ１
０４’ｌ、１０４２゜１０４３．１０４５，１０４６．
１０４７および補助バルブ１０１８を徐々に開いてＳｉ
Ｈ，ガス、Ｈ２ガス、Ａ　Ｉ　Ｃ１ｓ　／　Ｈｅガスを
ガス導入管１１１０の不図示のガス放出孔を通じてプラ
ズマ発生領域１１０９内に流入させた。この時、ＳｉＨ
４ガス流量が１５０８ＣＣＭＳＨ２ガス流量が２０ＳＣ
ＣＭ、ＳｉＦ、ガス流量が１０８００Ｍ、Ｎｏガス流量
がＩＯ３Ｃ０Ｍ、Ｂ、Ｈ。

／Ｈ，ガス流量がＳ　ｉＨａに対してｔｏｏｐｐｍｌに
なるようにＡ　Ｉ　ＣＩ　ｓ　／　Ｈｅガス流量が４０
０８ＣＣＭとなるように各々のマスフローコントローラ
ー１０２１．１０２２，１０２３゜１０２５．１０２６
．１０２７で調整した。堆積室１１０１内の圧力は、０
．６ｍＴｏｒｒとなるように不図示の真空計を見ながら
不図示のメインバルブの開口を調整した。その後、不図
示のμＷ電源の電力を０．５Ｗ／ｃｒｒｒに設定し導波
部１１０３および誘電体窓１１０２を通じてプラズマ発
生領域１１０９内にμＷ電力を導入し、μＷグロー放電
を生起させ、円筒状アルミニウム系支持体１１０７上に
下部層の形成を開始した。

下部層の形成中、Ｓ　ｉＨａガス流量は１５０８ＣＣＭ
、Ｎｏガス流量は１０８００Ｍ、Ｂ２Ｈ６ガス流量はＳ
　ｉＨ４に対して１１００ｐｐ。

Ｓ　Ｉ　Ｆ　４ガス流量は１０８００Ｍの一定流量とな
るように、Ｈ２ガス流量は２０ＳＣＣＭから５００ＳＣ
ＣＭに一定の割合で増加するように、ＡｌＣ１，／Ｈｅ
ガス流量は支持体側０．０１μｍでは４００ＳＣＣＭか
ら８０ＳＣＣＭに一定の割合で減少するように、上部層
側０．０１μｍでは８０ＳＣＣＭから５０ＳＣＣＭに一
定の割合で減少するようにマスフローコントローラー１
０２１．１０２２，１０２３，１０２５゜１０２６．１
０２７を調整し、層厚０．０２μｍの下部層を形成した
ところでμＷグロー放電を止め、また、流出バルブ１０
４１，１０４２゜１０４３．１０４５．１０４６．１０
４７および補助バルブ１０１８を閉じて、プラズマ発生
領域１１０９内へのガスの流入を止め、下部層の形成を
終えた。この時ＮｏガスボンベをＣＨ，ガスボンベに変
えた。

次に、上部層の第一の層領域を形成するには、流出バル
ブ１０４１，１０４２，１０４３゜１０４４．１０４５
および補助バルブ１０１８を徐々に開いてＳ　ｉＨａガ
ス、Ｈ，ガス、Ｇ　ｅ　Ｈａガス、Ｂ２Ｏ，／Ｈ，ガス
、Ｓ　ｉＦ　４ガスをガス導入管１１１０の不図示のガ
ス放出孔を通じてプラズマ発生空間１１０９内に流入さ
せた。この時、Ｓ　ｉＨａガス流量が５００、ＳＣＣＭ
、Ｈ。

ガス流量が３００ＳＣＣＭＳＧｅＨ４ガス流量が１００
ＳＣＣＭ、Ｂ２Ｏ，／Ｈ，ガス流量がＳｉＨ４ガスに対
して１１０００ｐｐ、ＳｉＦ、ガス流量が２０３ＣＣＭ
となるように各々のマスフローコントローラー１０２１
．１０２２゜１０２３．１０２４．１０２５で調整した
。堆積室１１０１内の圧力は、０．４ｍＴｏｒｒとなる
ように調整した。その後、不図示のμＷ電源の電力を０
．５Ｗ／ｃｒｒｉに設定し下部層と同様に、プラズマ発
生室１１０９内にμＷグロー放電を生起させ、下部層上
に上部層の第一の層領域の形成を開始し、層厚１μｍの
上部層の第一の層領域を形成した。

次に、上部層の第二の層領域を形成するには、流出バル
ブ１０４１，１０４２，１０４３゜１０４５および補助
バルブ１０１８を徐々に開いてＳ　ｉ　Ｈ４ガス、Ｈ２
ガス、Ｂ２Ｏ，／Ｈ２ガス、Ｓ　ｉＦ　ａガスをガス導
入管１１１０の不図示のガス放出孔を通じてプラズマ発
生空間１１０９内に流入させた。この時、Ｓ　ｉＨ４ガ
ス流量が５００ＳＣＣＭ、Ｈ２ガス流量が３００ＳＣＣ
ＭＳＢ、Ｈ，／Ｈ，ガス流量が３　ｔ　Ｈａガスに対し
て１０００ｐ１０００ｐｐ、ガス流量が２０８ＣＣＭと
なるように各々のマスフローコントローラー１０２１．
１０２２，１０２３．１０２５で調整した。堆積室１１
０１内の圧力は、０．４ｍＴｏｒｒとなるように調整し
た。その後、不図示のμＷ電源の電力を０．５Ｗ／ｃｒ
ｒｆに設定し下部層と同様に、プラズマ発生室１１０９
内にμＷグロー放電を生起させ、上部層の第一の層領域
上に上部層の第二の層領域の形成を開始し、層厚３μｍ
の上部層の第二の層領域を形成した。

次に、上部層の第三の層領域を形成するには、流出バル
ブ１０４１，１０４２．１０４３および補助バルブ１０
１８を徐々に開いてＳ　ｉＨａガス、Ｈ２ガス、５ｔＦ
４ガスをガス導入管１１１０の不図示のガス放出孔を通
じてプラズマ発生空間１１０９内に流入させた。この時
Ｓ　ｉＨ４ガス流量が７００８ＣＣＭ、Ｈ２ガス流量が
５００ＳＣＣＭ、　Ｓ　ｉＦ　ａガス流量が３０３ＣＣ
Ｍとなるように各々のマスフローコントローラー１０２
１．１０２２．１０２３で調整した。堆積室１１０１内
の圧力は、０．５ｍＴｏｒｒとなるように調整した。そ
の後、不図示のμＷ電源の電力を０．５Ｗ／ｃ−に設定
し下部層と同様に、プラズマ発生室１１０９内に、μＷ
グロー放電を生起させ、上部層の第二の層領域上に上部
層の第三の層領域の形成を開始し、層厚２０μｍの上部
層の第三の層領域を形成した。

次に、上部層の第四の層領域を形成するには、流出バル
ブ１０４１．１０４６および補助バルブ１０１８を徐々
に開いてＳ　ｉＨａガス、ＣＨ。

ガスをガス導入管１１１０の不図示のガス放出孔を通じ
てプラズマ発生空間１１０９内に流入させた。この時、
Ｓ　ｉ　Ｈａガス流量が１５０８ＣＣＭ、ＣＨ４ガス流
量が５００８ＣＣＭとなるように各々のマスフローコン
トローラー１０２１゜１０２６で調整した。堆積室１１
０１内の圧力は、０．３ｍＴｏｒｒとした。その後、不
図示のμＷ電源の電力を０．５Ｗ／ｃｒｒｆに設定しプ
ラズマ発生領域１１０９内に、μＷグロー放電を生起さ
せ、上部層の第三の層領域上に層厚１μｍの上部層の第
四の層領域を形成した。

以上の、電子写真用光受容部材の作成条件を第２２表に
示す。

この電子写真用光受容部材を実施例１と同様な評価を行
ったところ、実施例１と同様にポチ、ガサツキ、層はが
れに対して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例２４〉 実施例１においてＣＨ４ガスボンベをＣ，Ｈ。

ガス（純度９９．９９９９％）ボンベに変え、第２３表
に示す作成条件により、実施例１と同様に電子写真用光
受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ、実施例
１と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善され
る良好な効果が得られた。

〈実施例２５〉 全層にＳ　ｉＦ　ａガスを使用し、上部層においてＢ、
Ｈ，／Ｈ，ガスを不図示のＰＨ，／Ｈ，ガスに変え、第
２４表に示す作成条件により、実施例１と同様に電子写
真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ、
実施例１と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改
善される良好な効果が得られた。

〈実施例２６〉 実施例１においてＮｏガスボンベをＮＨ３ガスボンベに
変えて、上部層においてＣＨ，ガスをＮＨ，ガスに変え
、不図示のＳ　ｎ　Ｈ４ガスをさらに使用し、第２５表
に示す作成条件により、実施例１と同様に電子写真用光
受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ、実施例
１と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善され
る良好な効果が得られた。

〈実施例２７〉 第２６表に示す作成条件により、実施例６と同様に電子
写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ
、実施例６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して
改善される良好な効果が得られた。

〈実施例２・・８〉 上部層において８１２　Ｈｓガスをさらに使用し、第２
７表に示す作成条件により、実施例１と同様に電子写真
用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ、実
施例１と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善
される良好な効果が得られた。

〈実施例２９〉 上部層においてＰＨ，／Ｈ，ガスをさらに使用し、第２
８表に示す作成条件により、実施例１と同様に電子写真
用光受容部材を作成し、同様な評価を行ったところ、実
施例１と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに対して改善
される良好な効果が得られた。

〈実施例３０〉 実施例１において鏡面加工を施した円筒状アルミニウム
系支持体を引き続き多数のベアリング用法の落下のもと
にさらして、円筒状アルミニウム系支持体表面に無数の
打痕を生じしめるいわゆる表面ディンプル化処理を施し
、第３９図のような断面形状でＣ＝５０μｍ５ｄ＝１μ
ｍとなる円筒状アルミニウム系支持体を用い、上部層に
おいてＨ，ガスを不図示のＨｅガスに変え、不図示のＮ
２ガスをさらに使用し、第２９表に示す作成条件により
、実施例１と同様に電子写真用光受容部材を作成し、同
様な評価を行ったところ、実施例１と同様にポチ、ガサ
ツキ層はがれに対して改善される良好な効果が得られた
。

〈実施例３１〉 上部層においてＡ　Ｉ　Ｃ１ｓ　／　Ｈｅガスをさらに
使用し、第３０表に示す作成条件により、実施例１と同
様に電子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行っ
たところ、実施例１と同様にポチ、ガサツキ、層はがれ
に対して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例３２〉 上部層においてＡｌＣ１，／Ｈｅガス、Ｎｏガス、不図
示のＳ　Ｉ　Ｆ　ａガスをさらに使用し、第３１表に示
す作成条件により、実施例６と同様に電子写真用光受容
部材を作成し、同様な評価を行ったところ、実施例６と
同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善される良
好な効果が得られた。

〈実施例３３〉 実施例１おいてＣＨ４ガスボンベをＣ，Ｈ，ガスボンベ
に変え、第３２表に示す作成条件により、実施例１と同
様に電子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行っ
たところ、実施例１と同様にポチ、ガサツキ、層はがれ
に対して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例３４〉 実施例１においてＣＨ，ガスボンベをＣ２Ｈ。

ガスボンベに変え、Ｂ、Ｈ，／Ｈ２ガスを不図示のＰＨ
，／Ｈ２ガスに変えて、第３３表に示す作成条件により
、実施例１と同様に電子写真用光受容部材を作成し、同
様な評価を行ったところ、実施例１と同様にボチ、ガサ
ツキ、層はがれに対して改善される良好な効果が得られ
た。

〈実施例３５〉 上部層においてＡｌＣ１，／Ｈｅガス、ＳｉＦ４　、Ｈ
ａ　Ｓ／Ｈｅ　（純度９９．９９９％）ガスをさらに使
用し、第３４表に示す作成条件により、実施例６と同様
に電子写真用光受容部材を作成し、同様な評価を行った
ところ、実施例６と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに
対して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例３６〉 不図示のボンベよりＣ，Ｈ，ガスをさらに使用し、第３
５表に示す作成条件により、実施例９と同様に電子写真
用光受容部材を作成し同様な評価を行ったところ、実施
例９と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善さ
れる良好な効果が得られた。

〈実施例３７〉 第３６表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し同様な評価を行ったところ
、実施例３６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対し
て改善される良好な効果が得られた。

〈実施例３８〉 第３７表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し同様な評価を行ったところ
、実施例３６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対し
て改善される良好な効果が得られた。

〈実施例３９〉 第３８表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し同様な評価を行ったところ
、実施例３６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対し
て改善される良好な効果が得られた。

〈実施例４０〉 第３９表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し同様な評価を行ったところ
、実施例３６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対し
て改善される良好な効果が得られた。

〈実施例４１〉 第４０表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し同様な評価を行ったところ
、実施例３６と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに対し
て改善される良好な効果が得られた。

（実施例４２〉 第４１表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し同様な評価を行ったところ
、実施例３６と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに対し
て改善される良好な効果が得られた。

〈実施例４３〉 第４２表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し同様な評価を行ったところ
、実施例３６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対し
て改善される良好な効果が得られた。

〈実施例４４〉 第４３表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し同様な評価を行ったところ
、実施例３６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対し
て改善される良好な効果が得られた。

〈実施例４５〉・ 不図示のボンベよりＰＨ，ガスをさらに使用し、第４４
表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電子写真
用光受容部材を作成し同様な評価を行ったところ、実施
例３６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善
される良好な効果が得られた。

〈実施例４６〉 第４５表に示す作成条件により、実施例４５と同様に電
子写真用光受容部材を作成し同様な評価を行ったところ
、実施例４５と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対し
て改善される良好な効果が得られた。

〈実施例４７〉 不図示のボンベよりＨ２Ｓガスをさらに使用し、第４６
表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電子写真
用光受容部材を作成し同様な評価を行ったところ、実施
例３６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対して改善
される良好な効果が得られた。

〈実施例４８〉 第４７表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し同様な評価を行ったところ
、実施例３６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対し
て改善される良好な効果が得られた。

〈実施例４９〉 第４８表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し同様な評価を行ったところ
、実施例３６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対し
て改善される良好な効果が得られた。

〈実施例５０〉 不図示のボンベよりＮＨ，ガス、　Ｉ−１２８ガスをさ
らに使用し、第４９表に示す作成条件により、実施例３
６と同様に電子写真用光受容部材を作成し同様な評価を
行ったところ、実施例３６と同様にポチ、ガサツキ、層
はがれに対して改善される良好な効果が得られた。

〈実施例５１〉 不図示のボンベよりＮ２ガスをさらに使用し、第５０表
に示す作成条件により、実施例３６と同様に電子写真用
光受容部材を作成し同様な評価を行ったところ、実施例
３６と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに対して改善さ
れる良好な効果が得られた。

〈実施例５２〉 第５１表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し同様な評価を行ったところ
、実施例３６と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに対し
て改善される良好な効果が得られた。

〈実施例５３〉 第５２表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し同様な評価を行ったところ
、実施例３６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対し
て改善される良好な効果が得られた。

〈実施例５４〉 第５３表に示す作成条件により、実施例４５と同様に電
子写真用光受容部材を作成し同様な評価を行ったところ
、実施例４５と同様にボチ、ガサツキ、層はがれに対し
て改善される良好な効果が得られた。

〈実施例５５〉 第５４表に示す作成条件により、実施例３６と同様に電
子写真用光受容部材を作成し同様な評価を行ったところ
、実施例３６と同様にポチ、ガサツキ、層はがれに対し
て改善される良好な効果が得られた。

第１表 第３表 第４表 第６表 第７表 第８表 第９表 第１Ｏ表 第１１表 第１２表 第１３表 第１４表 第１５表 第１６表 第１７表 第１８表 第１９表 第２２表 第２３表 第２４表 第２５表 第２６表 第２７表 第２８表 第２９表 ｗｔｑｎ　　夷 第３２表 第３３表 Ｉｔ９ｉ１　　裏 箪　９ら　害 ＶＩＡ”）　　害 填　Ｉｉ３　裏 第　４４　書 第　４６　表 填　４フ　裏 第４８　ｍ 填　５４　弗 〔発明の効果〕 本発明の電子写真用光受容部材を前述のごとき特定の層
構成としたことにより、Ａ−３ｉで構成された従来の電
子写真用光受容部材における諸問題を全て解決すること
ができ、特に極めて優れた、電気的特性、光学的特性、
光導電特性、画像特性、耐久性、および使用環境特性を
示す。

特に本発明においては、下部層において、アルミニウム
原子（ＡＩ）、シリコン原子（Ｓｔ）、特には水素原子
（Ｈ）を層厚方向に不均一な分布状態で含有させること
により、アルミニウム系支持体と上部層との間における
電荷（フォトキャリア）の注入性が改善され、さらには
、アルミニウム系支持体と上部層との構成元素の組織的
構造的連続性が改善されるために、ガサツキやボチ等の
画像特性が改善され、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ
解像力の高い、高品質の画像を安定して繰り返し得るこ
とができる。

さらには、電子写真用光受容部材に加わる比較的短時間
な衝撃性の機械的圧力による画像欠陥の発生やＮｏｎ−
８ｉ　（Ｈ，Ｘ）膜のはがれの発生を防止し耐久性を向
上させ、さらには、アルミニウム系支持体とＮｏｎ−８
ｉ　（Ｈ，Ｘ）膜の熱膨張率の違いにより発生する応力
を緩和し、Ｎｏｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）膜にクラックやは
がれが生じるのを防ぎ、生産性における歩留まりを向上
させることができる。

特に本発明においては、下部層中にハロゲン原子（Ｘ）
を共存させることによってシリコン原子（Ｓｉ）、アル
ミニウム原子（ＡＩ）等の未結合手を補償し組織的、構
造的により安定な状態を得ることができるため、前記ア
ルミニウム原子（ＡＩ）、シリコン原子（Ｓ　ｉ）　、
及び水素原子（Ｈ）の分布による効果と相まって、ガサ
ツキやポチなどの画像特性において著しい改善が見られ
るという特徴を有する。

さらに本発明においては、上部層において下部層と接す
る層領域にゲルマニウム原子（Ｇｅ）およびスズ原子（
Ｓ　ｎ）の中の少なくともいずれか一方を含有させるこ
とにより、上部層と下部層との間の密着性が更に改善さ
れ、画像欠陥の発生やＮｏｎ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）膜のは
がれの発生を防止し耐久性が向上する。さらには、電子
写真装置の画像露光の光源として半導体レーザー等の長
波長光を用いても、上部層の表面側から下部層側までの
間で゛吸収し切れない分の長波長光が高効率で吸収され
るので、上部層と下部層の界面および／または支持体表
面での長波長光の反射による干渉現象の現出を顕著に防
止でき、画質が飛躍的に向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真用光受容部材の層構成を説明
するための模式的構成図、 第２図は従来の電子写真用光受容部材の層構成を説明す
るための模式的構成図、 第３図乃至第８図はそれぞれ、下部層に含有されるアル
ミニウム原子（ＡＩ）、ハロゲン原子（Ｘ）、必要によ
り含有される耐久性を調整する原子（ＣＮＯｃ）および
画質を調整する原子（Ｍｃ）の分布状態の説明図、 第９図乃至第１６図はそれぞれ、下部層に含有されるシ
リコン原子（Ｓｉ）、水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子（
Ｘ）、必要により含有される耐久性を調整する原子（Ｃ
ＮＯｃ）および画質を調整する原子（Ｍｃ）の分布状態
の説明図、第１７図乃至第３６図はそれぞれ、上部層に
含有される伝導性を制御する原子（Ｍ）、炭素原子（Ｃ
）および／または窒素原子（Ｎ）および／または酸素原
子（０）、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）および／またはス
ズ原子（Ｓ　ｎ）の分布状態の説明図、 第３７図は本発明の電子写真用光受容部材の光受答層を
形成するための装置の一例でＲＦを用いたグロー放電法
による製造装置の模式的説明図、 第３８図は本発明の電子写真用光受容部材を形成する際
のアルミニウム系支持体の断面形状がＶ字形である場合
の支持体断面の拡大図、第３９図は本発明の電子写真用
光受容部材を形成する際のアルミニウム系支持体の表面
かいわゆるディンプル化処理された場合の支持体断面の
拡大図、 第４０図は本発明の電子写真用光受容部材の光受答層を
形成するためにマイクロ波グロー放電法をもちいる際の
堆積装置の模式的説明図、第４１図は本発明の電子写真
用光受容部材の光受答層を形成するための装置の一例で
マイクロ波を用いたグロー放電法による製造装置の模式
的説明図である。 第１図について、 １００・・・本発明の電子写真用光受容部材１０１・・
・アルミニウム系支持体 １０２・・・光受答層 １０３・・・下部層 １０４・・・上部層 １０５・・・自由表面 第２図について、 ２００・・・従来の電子写真用光受容部材２０１・・・
アルミニウム系支持体 ２０２・・・Ａ−３ｉからなる感光層 ２０３・・・自由表面 第３７図において、 １０００・・・ＲＦグロー放電分解法による堆積装置 １００１・・・堆積室 １００５・・・円筒状アルミニウム系支持体１００８・
・・ガス導入管 １００９・・・ガス放出孔 １０１２・・・高周波マツチングボックス１０１４・・
・加熱ヒーター １０１５・・・リークバルブ １０１６・・・メインバルブ １０１７・・・真空計 １０１．８・・・補助バルブ １０２０・・・原料ガス供給装置 １０２１〜１０２７・・・マスフローコントローフ− １０３１〜１０３７・・・ガス流入バルブ１０４１〜１
０４７・・・ガス流出バルブ。 １０５１〜１０５７・・・原料ガスボンベのバルブ１０
６１〜１０６７・・・圧力調整器 １０７１〜１０７７・・・原料ガスボンベ１０７８・・
・原料の密閉容器 第４０図、第４１図において、 １１００・・・マイクロ波グロー放電法による堆積装置 １１０１・・・堆積室 １１０２・・・誘電体窓 １１０３・・・導波部 １１０７・・・円筒状アルミニウム系支持体１１０９・
・・プラズマ発生領域 １０１０・・・ガス導入管 第１Ｉ　Ｊ　　　　　男／３　’１ 第１２０　　　　　躬／、４　［５ 第２７５　　　　　第２ｑ　’７ 方２ｇ目　　　　第３０日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）アルミニウム系支持体と、該支持体上に光導電性
   を示す多層構造の光受答層を有する光受容部材において
   、前記光受答層が前記支持体側より、構成要素として少
   なくともアルミニウム原子、シリコン原子、水素原子、
   ハロゲン原子を含む無機材料で構成され且つ前記アルミ
   ニウム原子とシリコン原子と水素原子が層厚方向に不均
   一な分布状態で含有する部分を有する下部層と、シリコ
   ン原子を母体とし、水素原子およびハロゲン原子の中の
   少なくともいずれか一方を含有する非単結晶質材料で構
   成され、且つ前記下部層と接する層領域にゲルマニウム
   原子及びスズ原子の中の少なくともいずれか一方を含有
   する上部層からなることを特徴とする光受容部材。