JPS63285196A - 磁気光学素子材料 - Google Patents
磁気光学素子材料Info
- Publication number
- JPS63285196A JPS63285196A JP12208787A JP12208787A JPS63285196A JP S63285196 A JPS63285196 A JP S63285196A JP 12208787 A JP12208787 A JP 12208787A JP 12208787 A JP12208787 A JP 12208787A JP S63285196 A JPS63285196 A JP S63285196A
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- JP
- Japan
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- faraday rotation
- zero
- magneto
- magnetic garnet
- single crystal
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ファラデー効果を利用した光アイソレータや
光サーキユレータ、光スィッチ等に用いられる磁性ガー
ネット単結晶に関し、更に詳しくは、ビスマス置換型の
テルビウムおよび／またはジスプロシウム−鉄ガーネッ
トで特定−の組成とすることにより、室温付近における
ファラデー回転の温度係数をゼロもしくはほぼ零に低減
できる磁気光学素子材料に関するものである。
光サーキユレータ、光スィッチ等に用いられる磁性ガー
ネット単結晶に関し、更に詳しくは、ビスマス置換型の
テルビウムおよび／またはジスプロシウム−鉄ガーネッ
トで特定−の組成とすることにより、室温付近における
ファラデー回転の温度係数をゼロもしくはほぼ零に低減
できる磁気光学素子材料に関するものである。
［従来の技術］
例えば半導体レーザを光源として使用する各種の光応用
機器においては、光コネクタ等の端面からの反射光が光
源のレーザに戻ると、発振モードに変化が生じ雑音の原
因になる。この戻り光を阻止するために光アイソレータ
が使用されている。
機器においては、光コネクタ等の端面からの反射光が光
源のレーザに戻ると、発振モードに変化が生じ雑音の原
因になる。この戻り光を阻止するために光アイソレータ
が使用されている。
この光アイソレータには、フラックス法やＦＺ法によっ
て作製されるバルクＹＩＧ （イツトリウム−鉄ガーネ
ット）単結晶が広（使用されている。
て作製されるバルクＹＩＧ （イツトリウム−鉄ガーネ
ット）単結晶が広（使用されている。
しかし近年、ＬＰＥ （液相エピタキシャル）法による
磁性ガーネット単結晶の厚膜化の研究が進み、一部実用
化がなされている。ＬＰＥ法は、磁性ガーネットのファ
ラデー回転を飛躍的に負に増大させるＢｌ（ビスマス）
置換を容易に行うことができ、しかも育成に要する時間
が短い等の利点を有し、このため製造コストが低減し高
性能の磁気光学素子の製造が可能とされている。
磁性ガーネット単結晶の厚膜化の研究が進み、一部実用
化がなされている。ＬＰＥ法は、磁性ガーネットのファ
ラデー回転を飛躍的に負に増大させるＢｌ（ビスマス）
置換を容易に行うことができ、しかも育成に要する時間
が短い等の利点を有し、このため製造コストが低減し高
性能の磁気光学素子の製造が可能とされている。
磁性ガーネットを光アイソレータ等に用いる場合、それ
は光の偏波面を４５度回転させる非相反素子としての機
能を果たす、この際の問題として、磁性ガーネットのフ
ァラデー回転が温度によって変化するために、環境温度
の変化に応じてファラデー回転が本来の４５度からずれ
るという欠点がある。
は光の偏波面を４５度回転させる非相反素子としての機
能を果たす、この際の問題として、磁性ガーネットのフ
ァラデー回転が温度によって変化するために、環境温度
の変化に応じてファラデー回転が本来の４５度からずれ
るという欠点がある。
その度合を示すため、室温付近（２９８Ｋ）におけるフ
ァラデー回転角の温度係数αを、但しθｒｓｚｘ： ３
２３ Ｋにおけるファラデー回転角 θｒａｔ３： ２７３ Ｋにおけるファラデー回転角 と定義すると、現在広く使用されているバルクＹＩＧで
は、波長λ！１．３μｍにおいて、α＝０．０３５
（ｄｅｇ／ Ｋ ）程度である。なお「アプライド・オ
プティックスＪ （ＡＰＰＬＩＥＤ ０ＰＴＩＣ５）
ｖｏｌ、２５． Ｎｏ、１２ ｐ、１９４０−１９４５
（１９８６）には、Ｙを一部Ｇｄで置換したバルクＹ
３．Ｇ ｄ １（１−ｘ） Ｆ ｅ ５０１！ （０，
５７＜ ｘ ＜０．７ ）で非常に小さなα（０，００
７以下）が得られることが開示されている。
ァラデー回転角の温度係数αを、但しθｒｓｚｘ： ３
２３ Ｋにおけるファラデー回転角 θｒａｔ３： ２７３ Ｋにおけるファラデー回転角 と定義すると、現在広く使用されているバルクＹＩＧで
は、波長λ！１．３μｍにおいて、α＝０．０３５
（ｄｅｇ／ Ｋ ）程度である。なお「アプライド・オ
プティックスＪ （ＡＰＰＬＩＥＤ ０ＰＴＩＣ５）
ｖｏｌ、２５． Ｎｏ、１２ ｐ、１９４０−１９４５
（１９８６）には、Ｙを一部Ｇｄで置換したバルクＹ
３．Ｇ ｄ １（１−ｘ） Ｆ ｅ ５０１！ （０，
５７＜ ｘ ＜０．７ ）で非常に小さなα（０，００
７以下）が得られることが開示されている。
しかしバルク型の単結晶の場合は、育成に時間がかかり
高度な加工を必要とする等、コストが高くなり且つ偏波
面を４５度回転させるのに必要な結晶長さが長くなる等
の欠点がある。
高度な加工を必要とする等、コストが高くなり且つ偏波
面を４５度回転させるのに必要な結晶長さが長くなる等
の欠点がある。
他方、ＬＰＥ法によるビスマス置換ガーネット厚膜の場
合には、ファラデー回転の温度係数αを低減するために
２通りの方法が提案されている。
合には、ファラデー回転の温度係数αを低減するために
２通りの方法が提案されている。
その一つは、Ｒｘ−＊ Ｂ ｌ ｘ Ｆ ｅ５０＋ｔ
（Ｒは希土類元素）で表される磁性ガーネット単層膜に
おいて、ＲとしてＴｂ（テルビウム）やＤｙ（ジスプロ
シウム）等のファラデー効果への寄与が正で且つ大きい
元素、あるいはＹ（イツトリウム）等のネール温度が大
きくなる元素を置換することにより、前記温度係数αを
小さくする方法である。
（Ｒは希土類元素）で表される磁性ガーネット単層膜に
おいて、ＲとしてＴｂ（テルビウム）やＤｙ（ジスプロ
シウム）等のファラデー効果への寄与が正で且つ大きい
元素、あるいはＹ（イツトリウム）等のネール温度が大
きくなる元素を置換することにより、前記温度係数αを
小さくする方法である。
例えば、日本応用磁気学会誌ｖｏ１．１０＋Ｎｏ、２＋
ｐ、１５１ （１９８６）には、ＲとしてＧｄ、Ｙｂ、
Ｔｂを用い、Ｘを変えて実験を行った結果、Ｄ３Ｆｇ、
ｓＢ ｉ、、６ Ｆ ｅ＠ Ｏ□の組成がαが最も小さ
く、−バルクＹＩＧと同程度のαを有することが記載さ
れている。
ｐ、１５１ （１９８６）には、ＲとしてＧｄ、Ｙｂ、
Ｔｂを用い、Ｘを変えて実験を行った結果、Ｄ３Ｆｇ、
ｓＢ ｉ、、６ Ｆ ｅ＠ Ｏ□の組成がαが最も小さ
く、−バルクＹＩＧと同程度のαを有することが記載さ
れている。
電子通信学会技術研究報告ＣＰＭ８６−３６ （１９８
６）には、ＲとしてＥｒ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｇｄ。
６）には、ＲとしてＥｒ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｇｄ。
ＤＹ、Ｙを用いて実験した結果、Ｙが最もネール温度が
高くαが小さいこと、しかしこれは飽和磁化が大きい欠
点を有するために、ＲとしてＹｂとＴｂを用い、Ｙｂ
：Ｔｂ−１：３．６５とした（ＹｂＴｂＢ ｉ） ３Ｆ
ｅｓ Ｏ＋ｔが、バルクＹｒＧに近いαを有すること
が示されている。
高くαが小さいこと、しかしこれは飽和磁化が大きい欠
点を有するために、ＲとしてＹｂとＴｂを用い、Ｙｂ
：Ｔｂ−１：３．６５とした（ＹｂＴｂＢ ｉ） ３Ｆ
ｅｓ Ｏ＋ｔが、バルクＹｒＧに近いαを有すること
が示されている。
もう一つの方法は、αが正の８１置換磁性ガーネツトと
αが負で大きな値を持つ磁性ガーネットからなる二層膜
構造とし、膜厚を各々適当に選ぶことによって全体の温
度係数αをゼロにする方法である。
αが負で大きな値を持つ磁性ガーネットからなる二層膜
構造とし、膜厚を各々適当に選ぶことによって全体の温
度係数αをゼロにする方法である。
例えば第３４回応用物理学会関係連合講演会２９ｐ−Ｚ
Ｅ−１５（１９８７）には、（ＧｄＢｌ）ｓ （Ｆｅ
、Ａ１１Ｇａ）ｓｏ＋ｇと （ＹｂＴｂＢｉ）ｚ Ｆ
ｅ５０、ｔの組み合わせで、全体のαがほぼゼロになる
ことが示されているし、同じく第３４回応用物理学会関
係連合講演会３１ａ−Ｚ［！−５（１９８７）には、（
ＢｉＬｕＧｄ）ｓ Ｆｅｓ Ｏ＋ｔと （３ｉＧｄ
）３（ｐ’ ｅＱａ）ｓ Ｏ＋ｚの組み合わせで、全体
のαがほぼゼロになることが示されている。
Ｅ−１５（１９８７）には、（ＧｄＢｌ）ｓ （Ｆｅ
、Ａ１１Ｇａ）ｓｏ＋ｇと （ＹｂＴｂＢｉ）ｚ Ｆ
ｅ５０、ｔの組み合わせで、全体のαがほぼゼロになる
ことが示されているし、同じく第３４回応用物理学会関
係連合講演会３１ａ−Ｚ［！−５（１９８７）には、（
ＢｉＬｕＧｄ）ｓ Ｆｅｓ Ｏ＋ｔと （３ｉＧｄ
）３（ｐ’ ｅＱａ）ｓ Ｏ＋ｚの組み合わせで、全体
のαがほぼゼロになることが示されている。
［発明が解決しようとする問題点］
上記のような従来のＬＰＥ法によるＢｉ置換磁性ガーネ
ット単結晶厚膜によるファラデー回転の温度係数αの低
減に関しては、単層膜構造ではαがバルクＹＩＧなみの
値にとどまり、それよりも低減できない欠点があり、ま
た二層膜構造ではαがほぼゼロになるが、２種類の膜を
育成する必要があるため、時間や工数を要し、従ってコ
スト高になる欠点があった。
ット単結晶厚膜によるファラデー回転の温度係数αの低
減に関しては、単層膜構造ではαがバルクＹＩＧなみの
値にとどまり、それよりも低減できない欠点があり、ま
た二層膜構造ではαがほぼゼロになるが、２種類の膜を
育成する必要があるため、時間や工数を要し、従ってコ
スト高になる欠点があった。
本発明の目的は、上記のような従来技術の欠点を解消し
、磁性ガーネット単結晶の単層膜構造でありながら、フ
ァラデー回転の温度係数αをゼロもしくはほぼゼロに低
減できる磁気光学素子材料を提供することにある。
、磁性ガーネット単結晶の単層膜構造でありながら、フ
ァラデー回転の温度係数αをゼロもしくはほぼゼロに低
減できる磁気光学素子材料を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
上記のような目的を達成できる本発明は、磁性ガーネッ
ト単結晶であって、次の一般式％式％ まず本発明の基本的考え方について説明するガーネット
型構造を有する単結晶は、一般にＩｃｙ ） （Ａｔ
）（Ｄｓ ）Ｏｔｔで書き表わされ希土類元素やビス
マスはＣサイトに、鉄はＡサイトとＤサイトとに入る。
ト単結晶であって、次の一般式％式％ まず本発明の基本的考え方について説明するガーネット
型構造を有する単結晶は、一般にＩｃｙ ） （Ａｔ
）（Ｄｓ ）Ｏｔｔで書き表わされ希土類元素やビス
マスはＣサイトに、鉄はＡサイトとＤサイトとに入る。
そして鉄ガーネットにおいては、ＣサイトとＡサイトの
磁気モーメントが平行で、Ｄサイトの磁気モーメントは
それらと反平行をなし、全体でフェリ磁性を形成してい
る。
磁気モーメントが平行で、Ｄサイトの磁気モーメントは
それらと反平行をなし、全体でフェリ磁性を形成してい
る。
ファラデー回転の温度変化は、下記に示す一定波長での
理論式（Ｐｈｙｓ、 Ｒｅｖ、 ＶＯｌ、１８１ Ｎｏ
、２ｐ８９６ （１９６９） ） θＦ（Ｔ） ＝ ＣＭｃ（Ｔ） 十Ａ Ｍａ（Ｔ） ＋
Ｄ Ｍｄ（Ｔ） ・＝■が実験価とよく合うとされて
いる。ここで、Ｍｃ（Ｔ）、 Ｍａ（Ｔ）、 Ｍｄ（Ｔ
）は上述の各サイトの磁気モーメントの温度変化を示し
、またＣ、Ａ。
理論式（Ｐｈｙｓ、 Ｒｅｖ、 ＶＯｌ、１８１ Ｎｏ
、２ｐ８９６ （１９６９） ） θＦ（Ｔ） ＝ ＣＭｃ（Ｔ） 十Ａ Ｍａ（Ｔ） ＋
Ｄ Ｍｄ（Ｔ） ・＝■が実験価とよく合うとされて
いる。ここで、Ｍｃ（Ｔ）、 Ｍａ（Ｔ）、 Ｍｄ（Ｔ
）は上述の各サイトの磁気モーメントの温度変化を示し
、またＣ、Ａ。
Ｄは一定波長における定数である。
鉄サイトが鉄以外の元素で置換されていない場合には、
上記０式は希土類元素の寄与θｒｍ（Ｔ）と鉄による寄
与θ２２．（↑）を用いてθ Ｆ （Ｔン −θ
２ヨ（Ｔ） ＋ θ ｒｒ−（Ｔ） ・・・
■と書くことができる。
上記０式は希土類元素の寄与θｒｍ（Ｔ）と鉄による寄
与θ２２．（↑）を用いてθ Ｆ （Ｔン −θ
２ヨ（Ｔ） ＋ θ ｒｒ−（Ｔ） ・・・
■と書くことができる。
ところでファラデー回転を大きくするには希土類サイト
の一部をＢｌで置換するのが有効であるが、この場合に
はＢｔ自身はファラデー回転に寄与しない代わりに、鉄
サイトの係数ＡおよびＤが変化し、結局、Ｂ！置換量Ｘ
の増加に伴ってθＦＦ−（Ｔ）が負に増大するために、
θｒ（↑）が負に増大するものと説明されている。
の一部をＢｌで置換するのが有効であるが、この場合に
はＢｔ自身はファラデー回転に寄与しない代わりに、鉄
サイトの係数ＡおよびＤが変化し、結局、Ｂ！置換量Ｘ
の増加に伴ってθＦＦ−（Ｔ）が負に増大するために、
θｒ（↑）が負に増大するものと説明されている。
第１図は前記０式に基づいたＢｉ置換ガーネットにおけ
るファラデー回転の温度変化を示す模式図である。Ｘが
約０．０２より大きい場合、θＦＦ−（Ｔ）のαは正の
傾きを有している。従って全体のファラデー回転θｒ
（Ｔ）のαをゼロにするには、θＦＩＬ（Ｔ）のαが負
である必要がある。
るファラデー回転の温度変化を示す模式図である。Ｘが
約０．０２より大きい場合、θＦＦ−（Ｔ）のαは正の
傾きを有している。従って全体のファラデー回転θｒ
（Ｔ）のαをゼロにするには、θＦＩＬ（Ｔ）のαが負
である必要がある。
θＦｌ（Ｔ）のαについては、Ｒｓ Ｆ ｅｓ ０Ｉｘ
（Ｒは希土類元素）において調べられており、その結果
、ＤｙおよびＴｂでそれが負で大きいことが知られてい
る。
（Ｒは希土類元素）において調べられており、その結果
、ＤｙおよびＴｂでそれが負で大きいことが知られてい
る。
そこで本発明者は、Ｔ ｂ ５−ｘ−ｙ Ｌ ｕ、ｖ
Ｂ ｉ ＊Ｆｅ５０＋□の磁性ガーネット単結晶につい
て種々検討を行った結果、ファラデー回転の温度係数α
がゼロもしくはほぼゼロになる組成を見出した０本発明
はかかる現象の知得に基づき完成されたものである。即
ち前記のように本発明は次の一般式 ％式％ で表される組成を有する。
Ｂ ｉ ＊Ｆｅ５０＋□の磁性ガーネット単結晶につい
て種々検討を行った結果、ファラデー回転の温度係数α
がゼロもしくはほぼゼロになる組成を見出した０本発明
はかかる現象の知得に基づき完成されたものである。即
ち前記のように本発明は次の一般式 ％式％ で表される組成を有する。
ここでＴｂまたはＤＦを用いるのは、前述のようにそれ
らを含む鉄ガーネットが大きな負の温度係数αをもつか
らである。またＲ１ として用いる希土類元素は、ＬＰ
Ｅ法の場合に使用する基板との格子整合をとるため置換
したものであり、基板材料によって、あるいは製法によ
って用いなくてよければ、その方が好ましい。
らを含む鉄ガーネットが大きな負の温度係数αをもつか
らである。またＲ１ として用いる希土類元素は、ＬＰ
Ｅ法の場合に使用する基板との格子整合をとるため置換
したものであり、基板材料によって、あるいは製法によ
って用いなくてよければ、その方が好ましい。
Ｂｉ置換量Ｘを０．３５≦Ｘ≦０．４５としたのは、各
種実験の結果、特にその組成範囲とすることによってフ
ァラデー回転の温度係数αが非常に小さくなるからであ
る。更に好ましくは、０．４≦Ｘ≦０．４５程度とする
ことである。
種実験の結果、特にその組成範囲とすることによってフ
ァラデー回転の温度係数αが非常に小さくなるからであ
る。更に好ましくは、０．４≦Ｘ≦０．４５程度とする
ことである。
［実施例〕
以下、７’ ｂｆｆ−１１−Ｆ Ｌ ｕｙ Ｂ Ｉ Ｉ
ｌＦ ｅ ｓ Ｃ’＋ｚについて行った実験結果を特性
線図によって詳細に説明する。
ｌＦ ｅ ｓ Ｃ’＋ｚについて行った実験結果を特性
線図によって詳細に説明する。
第２図は、ＬＰＥ法によってＳｍＧＧおよびＣａＭｇＺ
ｒＧＧＧ基板上に作製したＴ ｂ ３−ｘ−ｙＬｕ、Ｂ
ｌｘ Ｆ ｅｓ Ｏｌｚのｘ −０、０，４、０
，６。
ｒＧＧＧ基板上に作製したＴ ｂ ３−ｘ−ｙＬｕ、Ｂ
ｌｘ Ｆ ｅｓ Ｏｌｚのｘ −０、０，４、０
，６。
１．１の場合の波長λ＝６３３ｎｍにおけるファラデー
回転θ７の温度依存性を示している。ｘ−０、ｙ−０の
Ｔｂ、Ｆｅ、Ｏ，ｔでは温度係数α（曲線の傾き）は負
であるが、Ｘの増加とともに正に変化している。その中
間段階であるＸ −０，４、ｙ−０，５の場合には、室
温付近での温度係数αが非常に小さくなることが分かる
。なおファラデー回転θ２の符号の反転は磁気補償によ
るものである。
回転θ７の温度依存性を示している。ｘ−０、ｙ−０の
Ｔｂ、Ｆｅ、Ｏ，ｔでは温度係数α（曲線の傾き）は負
であるが、Ｘの増加とともに正に変化している。その中
間段階であるＸ −０，４、ｙ−０，５の場合には、室
温付近での温度係数αが非常に小さくなることが分かる
。なおファラデー回転θ２の符号の反転は磁気補償によ
るものである。
第３図は、第２図の試料におけるαのＸ依存性を示す、
ｘ−０ではＸが増えるに従い正に変化しており、Ｘが約
０．４ではαがほぼゼロになることが分かる。
ｘ−０ではＸが増えるに従い正に変化しており、Ｘが約
０．４ではαがほぼゼロになることが分かる。
上記の実施例は、波長λ−６３３ｎｍの場合であるが、
光通信に使われる波長である０、８゜１．１５．１．３
、１．５５μｍ等の場合でもｘ−０，４゜７−ｏ、ｓ
の膜が、αがほぼゼロになることを確認している。従っ
て以上の議論および組成は、そのまま光通信波長にも当
てはまる。
光通信に使われる波長である０、８゜１．１５．１．３
、１．５５μｍ等の場合でもｘ−０，４゜７−ｏ、ｓ
の膜が、αがほぼゼロになることを確認している。従っ
て以上の議論および組成は、そのまま光通信波長にも当
てはまる。
また実施例ではＬｕが置換されているが、これは基板と
膜との格子整合をとる目的で使用されており、従って必
ずしもＬｕのみに限られるものではなく、その目的を達
しうる希土類元素であればよい。但し、この種の元素の
置換は、Ｔｂ、Ｄ）ＩあるいはＢｉの置換量を減らし、
その寄与を減少させることになるので、その量ｙはなる
べく小さい値をとることが望ましい、この置換元素の種
類や用いる基板の格子定数に応してα＝０となる組成は
若干変化するが、０．３５≦Ｘ≦０．４５． Ｏ≦ｙ
≦１の範囲内である。
膜との格子整合をとる目的で使用されており、従って必
ずしもＬｕのみに限られるものではなく、その目的を達
しうる希土類元素であればよい。但し、この種の元素の
置換は、Ｔｂ、Ｄ）ＩあるいはＢｉの置換量を減らし、
その寄与を減少させることになるので、その量ｙはなる
べく小さい値をとることが望ましい、この置換元素の種
類や用いる基板の格子定数に応してα＝０となる組成は
若干変化するが、０．３５≦Ｘ≦０．４５． Ｏ≦ｙ
≦１の範囲内である。
更に実施例ではＲ１にＴｂを用いているが、Ｄｙに変え
ても、またＴｂとＤＹとを一緒に用いても同じ効果が得
られる。但し、Ｄｙ３゛イオンは波長λ＝１．３ μｍ
付近に光吸収を有するため、この波長での使用は適当で
ない。
ても、またＴｂとＤＹとを一緒に用いても同じ効果が得
られる。但し、Ｄｙ３゛イオンは波長λ＝１．３ μｍ
付近に光吸収を有するため、この波長での使用は適当で
ない。
なお本発明による磁性ガーネットは、ファラデー回転の
温度係数αがほぼゼロになる原因がその組成のみに依存
するため、ＬＰＥ法によって作製されたものだけでなく
、フラツクス性やＦＺ法によって作製したものでも同等
の効果が得られることは言うまでもない、このような製
法の場合には、格子整合をとるための置換元素Ｒ２は不
要となる。
温度係数αがほぼゼロになる原因がその組成のみに依存
するため、ＬＰＥ法によって作製されたものだけでなく
、フラツクス性やＦＺ法によって作製したものでも同等
の効果が得られることは言うまでもない、このような製
法の場合には、格子整合をとるための置換元素Ｒ２は不
要となる。
［発明の効果］
本発明は上記のように、Ｂｌ置換型のＴｂおよび／また
はＤｙ−鉄ガーネット単結晶でＢｉ量Ｘを０．３５≦Ｘ
≦０．４５としたから、室温付近のファラデー回転の温
度係数αをほぼゼロにできる優れた効果を有する。
はＤｙ−鉄ガーネット単結晶でＢｉ量Ｘを０．３５≦Ｘ
≦０．４５としたから、室温付近のファラデー回転の温
度係数αをほぼゼロにできる優れた効果を有する。
そのため例えばＬＰＥ法の場合、従来技術の二層膜樽造
のように、それぞれ適当な厚みをもった２種類の磁性ガ
ーネット膜を作製せずに済み、結晶の育成や加工の工程
を半減できる等の利点が生じる。
のように、それぞれ適当な厚みをもった２種類の磁性ガ
ーネット膜を作製せずに済み、結晶の育成や加工の工程
を半減できる等の利点が生じる。
第１図は本発明の原理を示すＢｔ置換ガーネットにおけ
るファラデー回転の温度変化を示す模式図、第２図は’
ｌ’ ｂ ３−Ｘ−Ｆ Ｌ ｕ ｙ Ｂ １ ｚ Ｆ
＠Ｏ＋Ｘのｘ −０、０，４、０，６、１，１の場合の
λ−６３３ｎ−におけるファラデー回転の温度依存性を
示す特性線図、第３図はその室温付近のファラデー回転
の温度係数αのＢｉ置換量Ｘ依存性を示す特性線図であ
る。 特許出願人 工業技術院長 飯塚幸三 指定代理人 佐 藤 孝 平 復代理人 弁理士 茂 見 穣 特許出願人 富士電気化学株式会社 代 理 人 弁理士 茂 見 穣第１図 第２図
るファラデー回転の温度変化を示す模式図、第２図は’
ｌ’ ｂ ３−Ｘ−Ｆ Ｌ ｕ ｙ Ｂ １ ｚ Ｆ
＠Ｏ＋Ｘのｘ −０、０，４、０，６、１，１の場合の
λ−６３３ｎ−におけるファラデー回転の温度依存性を
示す特性線図、第３図はその室温付近のファラデー回転
の温度係数αのＢｉ置換量Ｘ依存性を示す特性線図であ
る。 特許出願人 工業技術院長 飯塚幸三 指定代理人 佐 藤 孝 平 復代理人 弁理士 茂 見 穣 特許出願人 富士電気化学株式会社 代 理 人 弁理士 茂 見 穣第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁性ガーネット単結晶であって、一般式Ｒ＿１＿３
＿ｘ＿−＿ｙＲ＿２＿ｙＢｉ＿ｘＦｅ＿３Ｏ＿１＿２但
し、Ｒ＿１：Ｔｂおよび／またはＤｙ Ｒ＿２：希土類元素 ０≦ｙ≦１、０．３５≦ｘ≦０．４５ にて表される組織を有することを特徴とする磁気光学素
子材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12208787A JPS63285196A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 磁気光学素子材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12208787A JPS63285196A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 磁気光学素子材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63285196A true JPS63285196A (ja) | 1988-11-22 |
| JPH0471878B2 JPH0471878B2 (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=14827330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12208787A Granted JPS63285196A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 磁気光学素子材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63285196A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63291028A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ファラデ−素子 |
| JPH02164723A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Tokin Corp | 磁気光学ガーネット |
| JPH038725A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Tokin Corp | 磁気光学ガーネット |
| US5501913A (en) * | 1990-11-14 | 1996-03-26 | Nippon Steel Corporation | Garnet polycrystalline film for magneto-optical recording medium |
-
1987
- 1987-05-19 JP JP12208787A patent/JPS63285196A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63291028A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ファラデ−素子 |
| JPH02164723A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Tokin Corp | 磁気光学ガーネット |
| JPH038725A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Tokin Corp | 磁気光学ガーネット |
| US5501913A (en) * | 1990-11-14 | 1996-03-26 | Nippon Steel Corporation | Garnet polycrystalline film for magneto-optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0471878B2 (ja) | 1992-11-16 |
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