JPS63285197A - 光用リチウムニオベ−ト単結晶の製造方法 - Google Patents
光用リチウムニオベ−ト単結晶の製造方法Info
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- JPS63285197A JPS63285197A JP11837287A JP11837287A JPS63285197A JP S63285197 A JPS63285197 A JP S63285197A JP 11837287 A JP11837287 A JP 11837287A JP 11837287 A JP11837287 A JP 11837287A JP S63285197 A JPS63285197 A JP S63285197A
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- lithium niobate
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は２例えば光変調素子を初めとする光情報処理用
の素子に好適であるリチウムニオベート単結晶の製造方
法に関するものである。
の素子に好適であるリチウムニオベート単結晶の製造方
法に関するものである。
リチウムニオベート単結晶は、従来からテレビの中間波
フィルターを初め、多（の表面弾性波素子用の基板とし
て使用されているが、近年に至って光変調素子を初めと
する光情報処理用の素子にもその用途が拡大してきてい
る。上記リチウムニオベート単結晶を製造する方法とし
ては１例えば白金型のるつぼ内に原料を装入して、高周
波加熱炉によって加熱溶融し１種子結晶をこの融液に浸
して所定速度で回転引き上げする育成方法が知られてい
る。この場合において、融液中に混入した気泡の除去を
充分に行わせるために、ｆｆｌ融温度の１０５％以上の
温度まで融液を加熱して育成を行う旨の提案がある（特
開昭５８−９８９４号参照）。この方法によるとリチウ
ムニオベート単結晶の場合には、融点が１２６０℃であ
るため、融液の加熱温度は１３２０℃となる。
フィルターを初め、多（の表面弾性波素子用の基板とし
て使用されているが、近年に至って光変調素子を初めと
する光情報処理用の素子にもその用途が拡大してきてい
る。上記リチウムニオベート単結晶を製造する方法とし
ては１例えば白金型のるつぼ内に原料を装入して、高周
波加熱炉によって加熱溶融し１種子結晶をこの融液に浸
して所定速度で回転引き上げする育成方法が知られてい
る。この場合において、融液中に混入した気泡の除去を
充分に行わせるために、ｆｆｌ融温度の１０５％以上の
温度まで融液を加熱して育成を行う旨の提案がある（特
開昭５８−９８９４号参照）。この方法によるとリチウ
ムニオベート単結晶の場合には、融点が１２６０℃であ
るため、融液の加熱温度は１３２０℃となる。
上記従来の製造方法においては、諸製造条件を極めて厳
しく制御管理する必要があるのは当然であるが、一般に
は酸素欠陥９割れその他の不良が発生し、製造歩留が低
いのが現状である。また前記光用の単結晶については、
結晶中に含有される不純物量を極めて厳しく要求してお
り１例えば光散乱のないことを要求している。しかしな
がら上記従来の方法によっては、光用以外の単結晶は格
別として、光特性を厳しく要求される光用のリチウムニ
オベート単結晶を製造することは極めて困難であるか、
若しくは工業的に生産することが不可能に近いという問
題点がある。すなわちるつぼ構成材料が混入することに
よる特性低下、高価なるつぼの使用耐用回数の低下によ
る製造原価の増大等が問題点として存在する。
しく制御管理する必要があるのは当然であるが、一般に
は酸素欠陥９割れその他の不良が発生し、製造歩留が低
いのが現状である。また前記光用の単結晶については、
結晶中に含有される不純物量を極めて厳しく要求してお
り１例えば光散乱のないことを要求している。しかしな
がら上記従来の方法によっては、光用以外の単結晶は格
別として、光特性を厳しく要求される光用のリチウムニ
オベート単結晶を製造することは極めて困難であるか、
若しくは工業的に生産することが不可能に近いという問
題点がある。すなわちるつぼ構成材料が混入することに
よる特性低下、高価なるつぼの使用耐用回数の低下によ
る製造原価の増大等が問題点として存在する。
本発明は、上記従来の技術に存在する問題点を解消し、
光特性の優れたリチウムニオベート単結晶を容易に製造
し得る方法を提供することを目的とする。
光特性の優れたリチウムニオベート単結晶を容易に製造
し得る方法を提供することを目的とする。
上記従来技術に存在する問題点を解決するために２本発
明においては、リチウムニオベート単結晶原料融液を白
金るつぼ内に収容し、大気中若しくは酸化性雰囲気中に
おいて、前記融液に種子結晶を接触若しくは浸漬させ、
引き上げ法によりリチウムニオベート単結晶を製造する
方法において。
明においては、リチウムニオベート単結晶原料融液を白
金るつぼ内に収容し、大気中若しくは酸化性雰囲気中に
おいて、前記融液に種子結晶を接触若しくは浸漬させ、
引き上げ法によりリチウムニオベート単結晶を製造する
方法において。
種子結晶を前記融液に接触若しくは浸漬させる前に前記
融液の温度を１２８０〜１３００℃に保持し、前記原料
を均一に溶融させる。という技術的手段を採用したので
ある。
融液の温度を１２８０〜１３００℃に保持し、前記原料
を均一に溶融させる。という技術的手段を採用したので
ある。
本発明において白金るつぼ内の原料融液の温度が１３０
０℃を越えると、るつぼを構成する白金の原料融液内に
混入する量が増大して、リチウムニオベート単結晶にレ
ーザー散乱を惹起させて光特性を著しく低下させるのみ
ならず、白金るつぼの使用耐用回数を低下させるため不
都合である。一方前記融液の温度が１２８０℃未満では
、融液内の熱対流が不足して融液中に混入した気泡の除
去が不充分となり、育成した単結晶の光特性を低下させ
るため不都合である。
０℃を越えると、るつぼを構成する白金の原料融液内に
混入する量が増大して、リチウムニオベート単結晶にレ
ーザー散乱を惹起させて光特性を著しく低下させるのみ
ならず、白金るつぼの使用耐用回数を低下させるため不
都合である。一方前記融液の温度が１２８０℃未満では
、融液内の熱対流が不足して融液中に混入した気泡の除
去が不充分となり、育成した単結晶の光特性を低下させ
るため不都合である。
１００鶴φＸ１００ｍｈｘ２ｍｔの白金るつぼに、高純
度のリチウムニオベート焼結体を２．５００ｇ装入し、
高周波加熱炉によって融解させる。融解後１種子結晶を
使用して、大きさ例えば６０鶴φ×１００鶴りのリチウ
ムニオベート単結晶を育成する。なお上記原料の融解工
程および結晶引上育成工程においては、酸素ガスを２５
０ｃｃ／ｗｉｎ、窒素ガスを７５０ｃｃ／＋ｉｎ送気し
て酸素雰囲気とし。
度のリチウムニオベート焼結体を２．５００ｇ装入し、
高周波加熱炉によって融解させる。融解後１種子結晶を
使用して、大きさ例えば６０鶴φ×１００鶴りのリチウ
ムニオベート単結晶を育成する。なお上記原料の融解工
程および結晶引上育成工程においては、酸素ガスを２５
０ｃｃ／ｗｉｎ、窒素ガスを７５０ｃｃ／＋ｉｎ送気し
て酸素雰囲気とし。
結晶はＺ軸方向に、引き上げ速度３ ｖａ ／ ｈ 、
回転数３０ｒｐ＋ｗで育成した。
回転数３０ｒｐ＋ｗで育成した。
表は上記単結晶育成作業を、融液の温度を変えて夫々５
０回宛行つた後の白金るつぼの減量を示すものである。
０回宛行つた後の白金るつぼの減量を示すものである。
表から明らかなように、迎１においては融液の温度が高
すぎるため、るつぼを構成する白金の融液への溶は込み
が激しく、るつぼのｉｌｌが増大するのみならず、レー
ザー散乱が認められ、光特性が著しく劣る。また阻５は
、リチウムニオベートの融点１２６０℃より僅かに高い
温度であるため、融液内における熱対流が不足する結果
、結晶内に気泡が混入し、光特性を低下させている。こ
れに対し、隘２〜４においては何れも無色透明を呈し。
すぎるため、るつぼを構成する白金の融液への溶は込み
が激しく、るつぼのｉｌｌが増大するのみならず、レー
ザー散乱が認められ、光特性が著しく劣る。また阻５は
、リチウムニオベートの融点１２６０℃より僅かに高い
温度であるため、融液内における熱対流が不足する結果
、結晶内に気泡が混入し、光特性を低下させている。こ
れに対し、隘２〜４においては何れも無色透明を呈し。
光特性が高いのみならず、高歩留笹で育成された。
本実施例においては、酸素ガスを送気した雰囲気におい
て融解および結晶引上育成を行った例について示したが
、酸素濃度を変化させ、若しくは大気中において上記作
業を行っても同一の作用を期待できる。
て融解および結晶引上育成を行った例について示したが
、酸素濃度を変化させ、若しくは大気中において上記作
業を行っても同一の作用を期待できる。
本発明は３以上の記述のような構成および作用であるか
ら、白金るつぼのリチウムニオベート融液による侵食を
大幅に減少し得るのみならず、光特性の極めて良好な光
用リチウムニオベート単結晶を高歩留で製造し得るとい
う効果がある。
ら、白金るつぼのリチウムニオベート融液による侵食を
大幅に減少し得るのみならず、光特性の極めて良好な光
用リチウムニオベート単結晶を高歩留で製造し得るとい
う効果がある。
Claims (1)
- リチウムニオベート単結晶原料融液を白金るつぼ内に収
容し、大気中若しくは酸化性雰囲気中において、前記融
液に種子結晶を接触若しくは浸漬させ、引上げ法により
リチウムニオベート単結晶を製造する方法において、種
子結晶を前記融液に接触若しくは浸漬させる前に前記融
液の温度を１２８０〜１３００℃に保持し、前記原料を
均一に溶融させることを特徴とする光用リチウムニオベ
ート単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11837287A JPS63285197A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 光用リチウムニオベ−ト単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11837287A JPS63285197A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 光用リチウムニオベ−ト単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63285197A true JPS63285197A (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=14735070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11837287A Pending JPS63285197A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 光用リチウムニオベ−ト単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63285197A (ja) |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP11837287A patent/JPS63285197A/ja active Pending
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