JPS6328539B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は一般的には信号伝送システムに関す
る。より特定的にはこの発明は比較的高い周波数
成分を有する信号を伝送するためのシステムであ
つて、信号源からの不要輻射が有効に防止される
ようなシステムに関する。

第１図はこの発明の背景となる、マイクロコン
ピユータを利用した製品の一般的なハードウエア
構成を示す概略ブロツク図である。この装置１
は、プラグ１０および電源線１１を通して、たと
えば商用電源のような交流電源を受ける電源回路
２０を含む、電源回路２０は、図示しないが、周
知の電圧変換手段（トランス）や直流電源回路な
どを含み、電源線２１に直流電源を与え、電源線
２２に交流電源を与える。電源回路２０からの電
源線２１を通した直流電源は、デイジタル回路３
０の動作用電源として与えられる。デイジタル回
路３０は、たとえばマイクロコンピユータやその
関連回路などが実装された基板（図示せず）を含
む。マイクロコンピユータは、周知のように、
ROM，RAM，ALUおよびＩ／Ｏポートの組合
わせを含む。デイジタル回路（マイクロコンピユ
ータ）３０の入力ポートは、信号線３１を介し
て、入力装置４０に接続される、入力装置４０は
キーボードや手動操作スイツチなどを含み、それ
らの操作信号（オン／オフ信号）をデイジタル回
路（マイクロコンピユータ）３０に、入力信号と
して、与える。デイジタル回路３０の出力ポート
は、信号線３２を介して、出力装置５０に出力信
号（たとえばデイジタル信号やビデオ信号などの
アナログ信号）を与える。出力装置５０は、図示
しないが、CRTデイスプレイや音声回路を含み、
デイジタル回路３０から信号線３２を通して与え
られる信号に応じて、画像を出力しあるいは音声
を出力する。

この第１図に示すようなデイジタル機器特にマ
イクロコンピユータ利用製品は、最近では広く普
及し、すでに、一般家庭でも多く使われている。
ところが、このようなデイジタル回路から発生す
る不要な電磁波の輻射が社会的な問題を招来して
いる。すなわち、近年のマイクロコンピユータな
どの処理速度の増大や電子回路の高速化に伴つ
て、実際には、数MHzの基本周波数を中心に
様々な分周信号や高調波成分によつて、下は可聴
周波数から上は数百MHzに至る不要な電磁波が
空中に輻射されている。したがつて、このような
不要輻射波が一般無線を妨害し、あるいはテレビ
ジヨン放送などの商業通信に障害をもたらすとい
う理由で、各国において、このような不要輻射に
対してかなり厳しい規制がたとえばFCCやFTZ
などで実施されようとしている。

従来から、たとえば第１図に示すような装置に
おいてそのような不要輻射を防止するいくつかの
アプローチが知られている。その１つは信号源と
なる基板（マイクロコンピユータを実装してい
る）をシールドケースに格納することである。し
かしながら、そのような信号源のみをシールドケ
ースに格納しても、電源や入出力機器を接続する
と、電源線や信号線がすべてアンテナとなつてし
まいほとんど効果がなくなる。そこで、別のアプ
ローチとして電源回路やその他の機器をすでてシ
ールドケースに収納することが考えられる。しか
しながら、このように電源回路やその他の機器を
すべてシールドケースに収納するとすれば、機構
が複雑となりかつ大形となつて作業性が著しく悪
化するばかりでなくコストが高くなつてしまうと
いう欠点がある。そこで、別のアプローチとし
て、やむを得ずシールドケースから外部に露出す
る電源線や信号線については、次のような方法が
提案されている。たとえば信号線を貫通コンデン
サを貫通させて高い周波数成分をバイパスさせた
り、あるいは特殊なバイパスコンデンサを有する
高周波成分を除去するためのコネクタなどでその
ような信号線を中継したりすることである。しか
しながらこのように高域成分を除去することによ
つて不要輻射を防止しようとするアプローチによ
れば、そのような貫通コンデンサや特殊なコネク
タなどで、必要な情報信号までも影響を受け、た
とえばビデオ信号やその他の同期信号あるいはク
ロツク信号などの品位が著しく劣化してしまうと
いう欠点があつた。しかも、不要輻射を防止すべ
き周波数スペクトラムは前述のように広範囲に広
がつていて、さらに必要な信号線などの数もまち
まちである。そのために、最適な部品が少なくそ
のことがさらにコストを押し上げる要因となる。
また、電源線や信号線を金属パイプや特殊なシー
ルドケーブルでシールドすることも行われている
が、金属パイプやシールドケーブルを用いるアプ
ローチでも、同じように作業性の悪化やコストア
ツプの要因となる。

それゆえに、この発明の主たる目的は、作業性
や量産性を損うことなく、しかも必要な信号の品
位の劣化なしに、不要輻射を確実に防止し得る、
改良された信号伝送システムを提供することであ
る。

この発明は、要約すれば、伝送すべき信号の高
域成分を予め増強しておき、高域成分の増強され
た信号の高域成分を減衰させ、それによつて不要
輻射成分すなわち不要な高周波成分を大幅に減衰
させるようにした、信号伝送システムである。

この発明の上述の目的およびその他の目的と特
徴は図面を参照して行う以下の詳細な説明から一
層明らかとなろう。

第２図はこの発明の一実施例を示す概略ブロツ
ク図である。構成において、この実施例は、以下
の点を除いて、先の第１図と同様であり、ここで
は説明の重複を避けるためにそれらの部分につい
てはその説明を省略する。マイクロコンピユータ
のようなデイジタル回路３０は、第３図に示すよ
うにシールドケースに１００内に収納する。この
シールドケース１００はたとえば直方形でありそ
の一面が開口されたメツシユ状の金属板からな
る。そして、その開口部は、プリント基板１０１
によつて塞がれる。このプリント基板１０１に
は、第２図に示しかつ第４図および第６図などで
詳細に説明する不要輻射防止回路２１１，３１１
および３２１が形成される。電源回路２０の直流
電源線２１に接続されている不要輻射防止回路２
１１は、周知の貫通コンデンサや特殊なコネクタ
を用いてもよい。なぜなら、この電源線２１は信
号線（マイクロコンピユータ）から見た出力イン
ピーダンスが高いので、従来の貫通コンデンサな
どでもこれら電源線２１への不要電磁波の給電を
有効に防止し得るからである。

不要輻射防止回路３１１および３２１は、後述
のように、トランジスタのような能動素子と抵
抗，コンデンサなどの受動素子を含み、このプリ
ント基板１０１上に、構成される。したがつて、
プリント基板１０１は、図示しないが、それぞれ
の回路に必要なプリントパターンを有する。そし
て、このプリント基板１０１は、好ましくはいわ
ゆる両面基板を用い、回路配線に必要なパターン
以外の部分は、できるだけ広く銅箔が残されてい
るものとする。したがつて、シールドケース１０
０とプリント基板１０１との協働によつて、より
一層のシールド効果が得られる。

そして、不要輻射防止回路３１１は、入力装置
４０からの信号線３１に接続され、この回路３１
１とデイジタル回路３０の入力ポートとの間には
信号線３１ａが接続される。不要輻射防止回路３
２１は、デイジタル回路３０の出力ポートからの
信号線３２に接続され、この回路３２１と出力装
置５０との間には信号線３２ａが接続される。す
なわち、不要輻射回路３１１および３２１は、そ
れぞれ、信号線３１と３１ａとの間および信号線
３２と３２ａとの間に介挿され、後述のようにし
て、各信号線に不要高周波成分が給電されないよ
うに作用する。

このように、シールドケース１００と協働する
プリント基板１０１上に不要輻射防止回路を構成
することにより、このシールドケース１００内に
収納されるデイジタル回路に対して、不要輻射防
止のためには、特別な設計を施す必要がない。す
なわち、シールドケース１００内に収納されるデ
イジタル回路からの信号線３１，３２などの数が
増減してもこれら回路３１１，３２１の数を対応
して増減するだけで、シールドケース１００およ
びプリント基板１０１の協働により、不要輻射を
有効に防止することができる。したがつて信号線
の数が多い場合にも、設計および作業性や量産性
にも問題は生じない。

次に、不要輻射防止回路３１１および３２１に
ついてその詳細を説明する。

第４図は不要輻射防止回路３１１の好ましい実
施例を示す要部回路図である。入力回路４０に
は、たとえば手動操作可能なスイツチ４１が含ま
れる。このスイツチ４１の一端はローレベルに接
続されていて、したがつてこのスイツチ４１のオ
ンまたはオフに応じて、信号線３１にローレベル
またはハイレベルの信号（オン／オフ信号）が導
出される。この信号線３１は、不要輻射防止回路
３１２に含まれる相補回路CCを介して信号線３
１ａに接続される。信号線３１ａは、デイジタル
回路ないしマイクロコンピユータ３０の入力ポー
トに接続される。信号線３１ａは、コンデンサＣ
２を介して接地される。相補回路CCは、NPNト
ランジスタＴ１とPNPトランジスタＴ２の相補
接続を含み、トランジスタＴ１のコレクタが電源
Vccに接続され、トランジスタＴ２のコレクタが
接地される。トランジスタＴ１およびＴ２のベー
スは、共通的に信号線３１に接続され、それらの
エミツタは共通的に信号線３１ａに接続される。
なお、トランジスタＴ１およびＴ２のベースは共
通的にチヤタリング防止用コンデンサＣ１を介し
て接地されるとともに、この線３１を定常的には
ハイレベルにプルアツプするための抵抗Ｒ１を介
して電源Vccに接続される。なお、コンデンサC2
は、オーバーシユーテイングを防止するためのも
のである。

動作において、信号線３１は、通常抵抗Ｒ１を
介して電源Vccにプルアツプされているので、相
補回路CCの一方のトランジスタＴ１が導通して
いる。そのために、信号線３１ａは電源Vccに接
続され、そこにはハイレベルの信号が得られる。
スイツチ４１がオンされると、信号線３１はロー
レベルに強制され、したがつて相補回路CCの他
方のトランジスタＴ２が導通する。そのために、
信号線３１ａはこのトランジスタＴ２を介して接
地され、そこにはローレベルの信号が得られる。
このようにして、スイツチ４１のオンまたはオフ
に応じてローレベルまたはハイレベルの信号が、
信号線３１、不要輻射防止回路３１１すなわち相
補回路CCおよび信号線３１ａを介してデイジタ
ル回路３０の入力ポートに与えられる。デイジタ
ル回路３０は、このようにして与えられるオン／
オフ信号に応じて、所定の処理動作を行う。

この信号線３１のように、デイジタル回路３０
の入力ポートに接続された信号線については、こ
のデイジタル回路３０が不要輻射成分の信号源と
して働く。すなわち、デイジタル回路ないしマイ
クロコンピユータは、たとえば64KHzの動作ク
ロツクを有し、回路３１１がなければこのような
動作クロツクまたはその低次あるいは高次の高調
波成分が、信号線３１を通つて外部に放射される
のである。この第４図の実施例では、通常の状態
では、上述のように相補回路CCを構成する一方
のトランジスタＴ１が導通しているので、この信
号線３１ａは電源（基準電位）Vccに接続されて
いる。したがつて、このデイジタル回路３０から
信号線３１ａに導出した不要輻射成分は、このト
ランジスタＴ１を介して、交流的に接地に落とさ
れる。信号線３１がローレベルになつた場合で
も、トランジスタＴ２が導通するので、信号線３
１ａは交流的に接地される。このようにして、デ
イジタル回路３０から信号線３１ａに漏れてくる
不要な信号成分は、一義的には相補回路CCに含
まれるトランジスタＴ１およびＴ２によつて、副
次的にはコンデンサＣ１，Ｃ２によつても、外部
への輻射が有効に防止される。

第５図は不要輻射防止回路３２１の一例を示す
概略ブロツク図である。この不要輻射防止回路３
２１は、デイジタル回路ないしマイクロコンピユ
ータ３０から出力装置５０への信号線３２に漏れ
る不要輻射成分を有効に防止するためのものであ
る。

構成において、デイジタル回路ないしマイクロ
コンピユータ３０の出力ポートは信号線３２に接
続される。信号線３２は、エンフアシス回路EN
に接続されるとともに、加算回路ADに接続され
る。エンフアシス回路ENは第５図に示すように
信号線３２に導出されたたとえばパルス信号（デ
イジタル信号）の高域成分を増強するための回路
であり、その出力は加算回路ADの他方入力に与
えられる。加算回路ADでは与えられる２つの信
号すなわち原信号と増強信号とを重畳的に加算し
て、その出力を電流ブースタ回路IBに与える。
この電流ブースタ回路IBは、エミツタフオロア
回路などを含み、その出力は、高域減衰フイルタ
HRFに与えられる。高域減衰フイルタHRFで
は、このようにして増強された高域成分を適当に
除去しあるいは減衰させる。信号は、先に高域成
分が増強されているので、この高域減衰フイルタ
HRFを経ても、ほぼ原信号と同じ波形の信号が
信号線３２ａに得られる。信号線３２ａは出力装
置５０に接続され、出力装置５０は、このように
して高域成分が減衰されてほぼ原信号に近い波形
の信号を受けることができる。

この第５図実施例において、信号線３２からの
不要な高周波成分は、上述の高域成分減衰フイル
タHRFによつて阻止されるので、信号線３２ａ
にそのような不要高周波成分が給電されることは
ない。そのため、この信号線３２，３２ａがアン
テナとなつて不要輻射を生じることがない。

なお、エンフアシス回路EN，加算回路ADを
設けないで、単にフイルタHRFのみを介挿した
ような従来の場合には、この第５図において点線
で示すような波形となつてしまい、伝送すべき信
号の品位が著しく劣化する。これに対して、この
実施例では、予め高域成分を強調しておき、それ
をできる限り抵インピーダンスで給電することに
よつて、高周波除去用の中継すなわち高域成分減
衰フイルタHRFを経た後にも、原信号と同じ程
度の品位のデイジタル信号が得られる。

第６図は第５図実施例の好ましい例を示す要部
回路図である。信号線３２には、エンフアシス回
路を構成するコンデンサＣ１１と、抵抗Ｒ１１が
接続される。抵抗Ｒ１１は、信号線３２に送出さ
れた原信号をそのまま後段の加算回路を構成する
接続点Ｐ１１に伝える。したがつて、加算点Ｐ１
１は、コンデンサＣ１１によつて微分された増強
分と原信号とを重畳的に加算する。この加算点Ｐ
１１に得られた加算信号は、電流ブースタIBに
与えられる。電流ブースタIBは、１対のトラン
ジスタＴ１１およびＴ１２を含みエミツタフオロ
ワ型の相補回路で構成される。トランジスタＴ１
１およびＴ１２のベースが共通的に加算点Ｐ１１
に接続され、それらのエミツタが共通的に信号線
３２ａに接続される。トランジスタＴ１１のコレ
クタは電源Vccに接続され、トランジスタＴ１２
のコレクタは接地される。なお、トランジスタＴ
１１およびＴ１２のベースに接続されたＲ１２お
よびＲ１３は、これらトランジスタのバイアスを
決定するとともに、これらトランジスタの入力イ
ンピーダンスと協働して微分コンデンサの充放電
時定数を決定する。したがつて、これらの抵抗Ｒ
１２およびＲ１３は、上記のことを勘案して、最
適値に選ばれる必要があるが、ある場合には省略
し得る。トランジスタＴ１１およびＴ１２の各エ
ミツタと接地との間に介挿されたコンデンサＣ１
２は、通常のエミツタフオロア回路に用いられる
ような、オーバーシユーテイング防止用のもので
ある。これら抵抗Ｒ１５およびＲ１６は必要に応
じて省略することもできる。

信号線３２ａには、コンデンサＣ１３と抵抗Ｒ
１４との並列接続が介挿され、これらコンデンサ
Ｃ１３および抵抗Ｒ１４は、抵抗Ｒ１５とともに
インピーダンスマツチング回路を構成する。信号
線３２ａと接地との間に介挿されている抵抗Ｒ１
６はバイアス抵抗である。インピーダンスマツチ
ング回路の値を適当に選ぶことによつて、この信
号線３２ａの終端からの信号の反射を有効に防止
し、信号波形の忠実な伝送を可能にする。

信号線３２ａは、貫通コンデンサＣ１４に貫通
されて出力装置５０に接続される。この貫通コン
デンサＣ１４は、高域成分除去フイルタを構成
し、その外側電極が接地される。これによつて、
この貫通コンデンサＣ１４によつて、高域成分が
除去され、その結果この信号線３１ａから不要輻
射が生じるのを有効に防止できる。なお、このよ
うに高域成分を減衰させても、信号線３２ａから
出力装置５０には原信号とほぼ同じ波形が与えら
れることは前述したとおりである。

なお上述の第５図、第６図実施例において、電
流ブースタIBは、省略することも可能である。
また、必要に応じて、すなわち高域成分減衰フイ
ルタHRFによる減衰量に応じて、さらに多くの
エンフアシス回路を設けることも任意である。

第７図ないし第１０図は、この発明の効果を説
明するためのグラフであり、それぞれ横軸に周波
数を取り、縦軸に３メートル離れた地点での輻射
電界強度を示す。第７図および第８図は水平成分
を示し第９図および第１０図は垂直成分を示す。
第７図および第９図は、それぞれ、第１図に示す
ような装置において何らの不要輻射対策も施して
いない場合の一例を示す。第８図および第１０図
は、それぞれ、上述の各実施例を適用した場合を
示す。この第７図ないし第１０図からわかるよう
に、何の不要輻射対策も施さないものに比べて、
上述の各実施例を適用した場合には、相当厳しい
規格であるところのFCCクラスＢの制限値を充
分にクリアすることができる。

なお、或る設計例では、60Hzから300KHzの
成分を含む信号がデイジタル回路に含まれる場
合、第４図実施例において、Ｒ１＝50Ω、Ｃ１＝
860pF、Ｃ２＝390pF、Ｔ１＝2SC1740、Ｔ２＝
2SA937とした。第６図実施例においては、Ｃ１
１＝30pF、Ｒ１１＝1KΩ、Ｒ１２およびＲ１３
＝省略、Ｃ１２＝390pF、Ｃ１３＝0.2μF、Ｒ１
４＝22Ω、Ｒ１５＝68Ω、Ｒ１６＝省略、Ｃ１４
＝2200pF、Ｔ１１＝2SC1740、Ｔ１２＝2SA937
とした。

上述の実施例は、主として伝送すべき信号がデ
イジタル信号の場合について説明した。しかしな
がら、この発明の概念は、ビデオ信号のようなア
ナログ信号を伝送する場合にも利用可能である。

第１１図は不要輻射防止回路３２１の他の例を
示すブロツク図である。この第１１図実施例は、
信号線３２および３２ａを用いて出力装置５０
に、たとえばテレビジヨン信号のようなアナログ
信号を与える場合の例である。アナログ信号源３
０′から信号線３２に送出されたアナログ信号は、
それぞれ周波数特性の異なる経路PA１およびPA
２を通して、ミキサMIXに与えられる。したが
つて、ミキサMIXは、異なる周波数特性を有す
る経路PA１およびPA２を経たアナログ信号を加
算して、その出力を増幅器AMPの入力に与える。
この増幅器AMPは、ミキサMIXからの高域成分
が増強されたアナログ信号を、さらに増幅するた
めの回路であり、所定の周波数特性を有するフイ
ードバツクループを含む。このフイードバツクル
ープによつて増幅器AMPの周波数特性を適宜調
整することにより、後段の高域成分減衰フイルタ
HRFによる減衰量に応じた任意の量だけ高域成
分を増強することができる。この増幅器AMPの
出力は、インバータおよび電流ブースタIBを介
して信号線３２ａに与えられる。インバータは増
幅器AMPによつて極性反転された場合に必要で
あり、電流ブースタIBは先の第５図および第６
図の電流ブースタと同様である。インバータおよ
び電流ブースタIBの出力は、信号線３２ａに接
続され、この信号線３２ａは高域成分減衰フイル
タHRFを介して出力装置５０に接続される。高
域成分減衰フイルタHRFによつて、信号線３２
ａから不要輻射が生じるのが有効に防止できるの
は、前述の実施例と同様である。この際、アナロ
グ信号は経路PA１，PA２およびミキサMIXな
らびに増幅器AMPによつて、フイルタHRFによ
つて減衰される周波数帯の信号成分をそれ以外の
周波数の信号成分に比べて、相対的に増強するこ
とができ、したがつて高域成分減衰フイルタ
HRFによつて高域成分が減衰されても、出力線
３２ａを通して、出力装置５０には原アナログ信
号とほぼ同じアナログ信号が与えられる。

第１２図は第１１図の好ましい実施例を示す回
路図である。構成において、コンデンサＣ２１お
よび抵抗Ｒ２１は、それぞれ、周波数の異なる経
路を構成する。増幅器に含まれるトランジスタＴ
２１のベースと、信号線３２との間に、これらコ
ンデンサＣ２１と抵抗Ｒ２１との並列回路が接続
される。したがつて、このトランジスタＴ２１の
入力には、それぞれ周波数特性の異なる経路を経
たアナログ信号の加算されたものが与えられる。
トランジスタＴ２１のコレクタは抵抗Ｒ２２を介
して電源Vccに接続されるとともに、抵抗Ｒ２５
を介して、インバータを構成するトランジスタＴ
２２のベースに接続される。トランジスタＴ２１
のエミツタは、抵抗Ｒ２３およびＲ２４ならびに
コンデンサＣ２２からなるインピーダンス回路を
介して、接地される。トランジスタＱ２１のベー
スから見た入力インピーダンスは、このインピー
ダンス回路によつて、周波数に対して、異なるよ
うにされる。すなわち、低い周波数成分について
は、抵抗Ｒ２３によつて入力インピーダンスが決
まり、高い周波数成分については抵抗Ｒ２３およ
びＲ２４によつて入力インピーダンスが決まる。
したがつて、増幅器を構成するトランジスタＴ２
１の出力には、高い周波数成分が抵い周波数成分
に比べてより高い電圧として導出される。すなわ
ち、ここで高域成分が増強されるのである。トラ
ンジスタＴ２１のバイアス点は、抵抗Ｒ２２およ
びインピーダンス回路で決定される。インバータ
を構成するトランジスタＴ２２は、関連の抵抗Ｒ
２８，Ｒ２９，Ｒ３０およびＲ３１によつて、そ
の動作バイアスが決められる。増幅器すなわちト
ランジスタＴ２１によつてアナログ信号の極性が
反転されるため、このインバータＴ２２によつ
て、その極性を再び反転し、原信号と同じ極性に
する。電流ブースタを構成するトランジスタＴ２
３およびＴ２４のベースが、共通的に、インバー
タトランジスタＴ２２のコレクタに接続される。
なおインバータトランジスタＴ２２のエミツタと
増幅器のトランジスタＴ２１のエミツタとの間に
は、抵抗Ｒ２６，Ｒ２７およびコンデンサＣ２３
からなる、所定の周波数特性を有する、フイード
バツクループが接続される。電流ブースタのトラ
ンジスタＴ２３およびＴ２４の各エミツタに共通
接続された信号線３２ａは、高域成分減衰フイル
タを構成する貫通コンデンサＣ２４を貫通して、
出力装置５０に接続される。この第１２図実施例
の動作は、先に第１１図に関連する説明から容易
に理解されるであろうから、ここではその詳細な
説明は省略する。

以上のように、この発明によれば、予め高域成
分を増強しておき、その後高域減衰手段によつて
不要成分とともにその増強された高域成分を減衰
させるようにしているので、原信号の品位を損う
ことなく、しかも不要輻射を有効に防止すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の背景となるマイクロコンピ
ユータ利用装置の一例を示す概略ブロツク図であ
る。第２図はこの発明の一実施例を示す概略ブロ
ツク図である。第３図は第２図実施例にしたがつ
たシールドケースの一例を示す外観図解図であ
る。第４図は不要輻射防止回路３１１の好ましい
例を示す要部回路図である。第５図は不要輻射防
止回路３２１の一例を示す概略ブロツク図であ
る。第６図は第５図実施例にしたがつた好ましい
例を示す要部回路図である。第７図ないし第１０
図はそれぞれ周波数に対する輻射電界強度を示
し、第７図および第９図は何らの不要輻射対策を
施していない場合を示し、第８図および第１０図
がこの発明による不要輻射対策を施した場合を示
す。第１１図は伝送すべき信号がアナログ信号の
場合の不要輻射防止回路３２１の一例を示す概略
ブロツク図である。第１２図は第１１図実施例に
したがつた好ましい例を示す要部回路図である。 図において、３０はデイジタル回路ないしマイ
クロコンピユータすなわち信号源、３１，３１
ａ，３２，３２ａは信号線、４０は入力装置、５
０は出力装置、１００はシールドケース、１０１
はプリント基板、２１１，３１１および３２１は
不要輻射防止回路を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 高周波成分を含む有意な信号を処理しかつ不
   要な電磁波の発生源となる信号処理手段、 前記信号処理手段に協働して作用する外部機
   器、 前記信号処理手段の入出力信号接続部の近傍に
   配置され、かつ前記信号処理手段と接続される不
   要輻射防止手段、および 前記外部機器と前記不要輻射防止手段を接続す
   るための信号線を備え、 前記不要輻射防止手段は、少なくとも 前記信号処理手段からの信号の高周波信号成分
   のみを増強するための増強手段と、 前記増強手段によつて増強された信号の高周波
   成分を減衰させ、かつ前記外部機器に与えるため
   の減衰手段とを含んで構成される、信号伝送シス
   テム。 ２ 前記有意な信号は、或る傾斜を有する立ち上
   がりおよび立ち下がりを含む信号であり、 前記増強手段は、前記有意な信号の立ち上がり
   および立ち下がりの少なくとも一方を微分するた
   めの微分手段を含む、特許請求の範囲第１項記載
   の信号伝送システム。 ３ 前記増強手段は、 前記信号処理手段からの信号に基づいて増強成
   分を作成するための手段、および 前記増強成分作成手段からの増強成分を原信号
   に重畳的に加算するための手段を含む、特許請求
   の範囲第１項記載の信号伝送システム。 ４ 前記不要輻射防止手段は、前記増強手段と前
   記減衰手段との間に接続され、かつ有意な信号の
   みを増幅する電流増幅手段をさらに含む、特許請
   求の範囲第１項記載の信号伝送システム。 ５ 前記増強手段は異なる周波数特性を有する信
   号経路を含む、特許請求の範囲第１項記載の信号
   伝送システム。 ６ 前記増強手段は増幅器手段を含み、 前記増幅器手段は異なる周波数成分に応じて異
   なる入力インピーダンスを提供するためのインピ
   ーダンス回路を含む、特許請求の範囲第５項記載
   の信号伝送システム。 ７ 前記増幅器手段は所定の周波数特性を有する
   フイードバツクループを含む、特許請求の範囲第
   ６項記載の信号伝送システム。 ８ 前記減衰手段は前記増幅手段の後段の信号線
   と基準電位との間に介挿されるコンデンサ手段を
   含む、特許請求の範囲第１項ないし第７項のいず
   れかに記載の信号伝送システム。