JPS6328562Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6328562Y2 JPS6328562Y2 JP1981143781U JP14378181U JPS6328562Y2 JP S6328562 Y2 JPS6328562 Y2 JP S6328562Y2 JP 1981143781 U JP1981143781 U JP 1981143781U JP 14378181 U JP14378181 U JP 14378181U JP S6328562 Y2 JPS6328562 Y2 JP S6328562Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- elements
- voltage
- resistance element
- lightning arrester
- characteristic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
本考案は、酸化亜鉛（ZnO）を手成分とする電
圧非直線抵抗素子を特性要素とする避雷器に関す
る。 この種の避雷器は、特性要素になる素子の積み
重ね枚数で所期の動作電圧が確保されるが、放電
耐量に所期のものを得るには素子面積を大きく構
成せざるを得ない。電圧非直線抵抗素子の面積大
形化には、素子形成上及び素子特性上に問題があ
り、放電耐量向上を難しくしている。即ち、電圧
非直線抵抗素子は800〜1000℃の焼成工程中に体
積で約40％収縮し、成形時の収縮歪が生じ易く、
素子が大形になるほど歪が大きくなつて素子割れ
を生じ易い。また、素子形成に添加する酸化ビス
マス（Bi2o3）は焼成中に溶けて液相を形成して
素子の焼結がなされるが、この液相焼結は1000℃
以上で活発となり、最終的には10μ程度のZno粒
子の粒界を高抵抗のBi2o3がとり囲む構造となつ
て両者の接合から電圧非直線性が確立されるが、
焼成中に素子全体が均一に反応しないとZno粒子
の粒成長速度に差が生じてZno粒子の粒径がばら
つく。このため、素子を大形化しようとするほど
素子内部に粒径の大きな粒子が存在する不均一状
態が起き易く、素子電流は高抵抗の粒界を避けて
粗大結晶粒の部分に集中し、結果的に大形素子は
電圧非直線特性が低下することが多い。 そこで、素子内部まで均一に焼成できる大形素
子として、第１図に示すように、中央部を取除い
たドーナツ型に構成するものがある。しかし、こ
のドーナツ型素子は第２図に示す従来型のものと
同じ電極１の面積を得るには素子外径２ｌが大き
くなり、素子ブロツクを収納する碍管経も大形化
するなど大形、高価な避雷器になる。第１図及び
第２図中２ｌは側面絶縁層を示し、３は素子体を
示す。 本考案は上記事情に鑑みてなされたもので、中
空のドーナツ型素子の中空部に別個に形成した電
圧非直線抵抗素子を設置する構成により、素子の
大型化を招くことなく制限電圧比を向上ししかも
放電耐量を向上した避雷器を提供することを目的
とする。 第３図は本考案の一実施例を示す側断面図ａと
Ｘ−Ｘ線に沿つた図ｂである。ドーナツ型素子Ａ
はその中央部に素子Ｂが遊嵌されるよう素子Ａの
内径と素子Ｂの外径が設計され、素子Ａ，Ｂ間の
〓間ｄは両素子Ａ，Ｂからの発熱を逃がすための
熱流路が確保される。素子Ａ，Ｂはそれら高さ寸
法ｈが同じに設計される。こうした構成の素子
Ａ，Ｂは同じ材料比を持つて個別に同時焼成さ
れ、焼成時のZnoとBi2o3が均一接合に構成され
て素子単体での電流、電圧特性を向上した素子形
成が図られる。また、素子ＡとＢを組合せた特性
要素は、第４図ａに示すように、各段毎に電極板
Ｃを挾んで積重ねられ、電極板Ｃは少なくとも
Ａ，Ｂ間〓位置に打抜孔を多数持つ多孔電極板構
成にされて素子Ａ，Ｂ間の通気路が確保される。 これら素子Ａ，Ｂの積重ね構造は第４図ｂやｃ
に示す構成にもできる。同図ｂは素子Ａの３段積
みに対して素子B1を２段積みするよう素子Ａ，
B1の高さ寸法が設計される。同図Ｃには素子Ａ
に内径の異なるA1，A22種類のものを用意し、該
素子A1，A2に夫々同程度の〓間を持つて内設さ
れる素子B2，Ｂを用意してこれら素子を交互に
積重ねる。この場合、素子Ａ，Ｂ間の通気路がな
くなるが、積重ね面は内側素子B2，B3と外側素
子A1，A2が面接する部分を確保できて電極版を
省略できる利点がある。 以上のとおり、本考案によれば、ドーナツ型素
子の内側に筒体素子を設ける構造により、両素子
の特性を良好にした製造を容易し、しかも避雷器
全体の径を大型化することがない。そして、ドー
ナツ型素子単独で構成する従来構造に比して、同
じ外径にあつて電極面積を増大できて制限電圧
比、放電耐量を向上できる。例えば、100mm径、
22高さの第２図に示す筒体型素子イと、40mm内径
を有して第２図と同じ電極面積にした第１図に示
すドーナツ型素子ロ、と該素子ロの内側に外経32
mmの筒体素子を設けた素子ハと、該素子ハと同じ
電極面積を持つ第２図の筒体型素子ニとを試作
し、各々の制限電圧V10kA／1nAと2msの放電耐量
の試験結果は下記表に示すものとなつた。
圧非直線抵抗素子を特性要素とする避雷器に関す
る。 この種の避雷器は、特性要素になる素子の積み
重ね枚数で所期の動作電圧が確保されるが、放電
耐量に所期のものを得るには素子面積を大きく構
成せざるを得ない。電圧非直線抵抗素子の面積大
形化には、素子形成上及び素子特性上に問題があ
り、放電耐量向上を難しくしている。即ち、電圧
非直線抵抗素子は800〜1000℃の焼成工程中に体
積で約40％収縮し、成形時の収縮歪が生じ易く、
素子が大形になるほど歪が大きくなつて素子割れ
を生じ易い。また、素子形成に添加する酸化ビス
マス（Bi2o3）は焼成中に溶けて液相を形成して
素子の焼結がなされるが、この液相焼結は1000℃
以上で活発となり、最終的には10μ程度のZno粒
子の粒界を高抵抗のBi2o3がとり囲む構造となつ
て両者の接合から電圧非直線性が確立されるが、
焼成中に素子全体が均一に反応しないとZno粒子
の粒成長速度に差が生じてZno粒子の粒径がばら
つく。このため、素子を大形化しようとするほど
素子内部に粒径の大きな粒子が存在する不均一状
態が起き易く、素子電流は高抵抗の粒界を避けて
粗大結晶粒の部分に集中し、結果的に大形素子は
電圧非直線特性が低下することが多い。 そこで、素子内部まで均一に焼成できる大形素
子として、第１図に示すように、中央部を取除い
たドーナツ型に構成するものがある。しかし、こ
のドーナツ型素子は第２図に示す従来型のものと
同じ電極１の面積を得るには素子外径２ｌが大き
くなり、素子ブロツクを収納する碍管経も大形化
するなど大形、高価な避雷器になる。第１図及び
第２図中２ｌは側面絶縁層を示し、３は素子体を
示す。 本考案は上記事情に鑑みてなされたもので、中
空のドーナツ型素子の中空部に別個に形成した電
圧非直線抵抗素子を設置する構成により、素子の
大型化を招くことなく制限電圧比を向上ししかも
放電耐量を向上した避雷器を提供することを目的
とする。 第３図は本考案の一実施例を示す側断面図ａと
Ｘ−Ｘ線に沿つた図ｂである。ドーナツ型素子Ａ
はその中央部に素子Ｂが遊嵌されるよう素子Ａの
内径と素子Ｂの外径が設計され、素子Ａ，Ｂ間の
〓間ｄは両素子Ａ，Ｂからの発熱を逃がすための
熱流路が確保される。素子Ａ，Ｂはそれら高さ寸
法ｈが同じに設計される。こうした構成の素子
Ａ，Ｂは同じ材料比を持つて個別に同時焼成さ
れ、焼成時のZnoとBi2o3が均一接合に構成され
て素子単体での電流、電圧特性を向上した素子形
成が図られる。また、素子ＡとＢを組合せた特性
要素は、第４図ａに示すように、各段毎に電極板
Ｃを挾んで積重ねられ、電極板Ｃは少なくとも
Ａ，Ｂ間〓位置に打抜孔を多数持つ多孔電極板構
成にされて素子Ａ，Ｂ間の通気路が確保される。 これら素子Ａ，Ｂの積重ね構造は第４図ｂやｃ
に示す構成にもできる。同図ｂは素子Ａの３段積
みに対して素子B1を２段積みするよう素子Ａ，
B1の高さ寸法が設計される。同図Ｃには素子Ａ
に内径の異なるA1，A22種類のものを用意し、該
素子A1，A2に夫々同程度の〓間を持つて内設さ
れる素子B2，Ｂを用意してこれら素子を交互に
積重ねる。この場合、素子Ａ，Ｂ間の通気路がな
くなるが、積重ね面は内側素子B2，B3と外側素
子A1，A2が面接する部分を確保できて電極版を
省略できる利点がある。 以上のとおり、本考案によれば、ドーナツ型素
子の内側に筒体素子を設ける構造により、両素子
の特性を良好にした製造を容易し、しかも避雷器
全体の径を大型化することがない。そして、ドー
ナツ型素子単独で構成する従来構造に比して、同
じ外径にあつて電極面積を増大できて制限電圧
比、放電耐量を向上できる。例えば、100mm径、
22高さの第２図に示す筒体型素子イと、40mm内径
を有して第２図と同じ電極面積にした第１図に示
すドーナツ型素子ロ、と該素子ロの内側に外経32
mmの筒体素子を設けた素子ハと、該素子ハと同じ
電極面積を持つ第２図の筒体型素子ニとを試作
し、各々の制限電圧V10kA／1nAと2msの放電耐量
の試験結果は下記表に示すものとなつた。
【表】
この表からの明らかなように、本考案によれば
素子ハに示すものは制限電圧比に優れ、放電耐量
にも優れる。 また、本考案において、素子Ａ，Ｂの〓間を通
風路とする第４図ａ，ｂの構造によれば、素子表
面積の増大と通風による熱放散を良好にして素子
の温度分布均一化効果から長期課電に対する素子
温度上昇を抑制できる効果がある。
素子ハに示すものは制限電圧比に優れ、放電耐量
にも優れる。 また、本考案において、素子Ａ，Ｂの〓間を通
風路とする第４図ａ，ｂの構造によれば、素子表
面積の増大と通風による熱放散を良好にして素子
の温度分布均一化効果から長期課電に対する素子
温度上昇を抑制できる効果がある。
第１図及び第２図は従来の避雷器素子構成図、
第３図は本考案の一実施例を示す構成図、第４図
は本考案における素子積ね構成図である。 Ａ…ドーナツ型素子、Ｂ…筒体型素子。
第３図は本考案の一実施例を示す構成図、第４図
は本考案における素子積ね構成図である。 Ａ…ドーナツ型素子、Ｂ…筒体型素子。
Claims (1)
- 酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗素子を
特性要素とする避雷器において、ドーナツ型に構
成した第１の電圧非直線抵抗素子と、この素子と
同じ材料比にされかつ個別に焼成されて該素子の
内側に遊嵌される筒体型の第２の電圧非直線抵抗
素子とを備え、上記第１、第２の電圧非直線抵抗
素子を特性要素として積重ねて所期の動作電圧を
得ることを特徴とする避雷器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14378181U JPS5852886U (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 避雷器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14378181U JPS5852886U (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 避雷器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852886U JPS5852886U (ja) | 1983-04-09 |
| JPS6328562Y2 true JPS6328562Y2 (ja) | 1988-08-02 |
Family
ID=29936752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14378181U Granted JPS5852886U (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 避雷器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852886U (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS528997Y2 (ja) * | 1972-07-20 | 1977-02-25 |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP14378181U patent/JPS5852886U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5852886U (ja) | 1983-04-09 |
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