JPS63289877A - 光位置検出器 - Google Patents
光位置検出器Info
- Publication number
- JPS63289877A JPS63289877A JP62124374A JP12437487A JPS63289877A JP S63289877 A JPS63289877 A JP S63289877A JP 62124374 A JP62124374 A JP 62124374A JP 12437487 A JP12437487 A JP 12437487A JP S63289877 A JPS63289877 A JP S63289877A
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- JP
- Japan
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- type semiconductor
- resistance layer
- electrode
- type
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、入射光の位置を検出する半五体素子よりなる
光位置検出器に関する。
光位置検出器に関する。
−Ｓに光位置検出器（以下ＰＳＤと言う）は、テレビジ
ョン用撮像管や固体描像素子などにおけるような走査を
行わないで、半五体表面におけるＬａｔｅｒａｌ Ｐ
ｈｏｔｏ Ｅｆｆｅｃｔを利用し、入射光の位置で発
生した光生成電荷を位置情報として検出する装面であり
、各分野で広く利用されている。
ョン用撮像管や固体描像素子などにおけるような走査を
行わないで、半五体表面におけるＬａｔｅｒａｌ Ｐ
ｈｏｔｏ Ｅｆｆｅｃｔを利用し、入射光の位置で発
生した光生成電荷を位置情報として検出する装面であり
、各分野で広く利用されている。
第２図はＰＳＤの断面構造を示す図で、１はｎ型高抵抗
半導体基板、２はｐ型半導体抵抗層、３および４はＭ、
掻、５はｎ＋層、６は光の入射位置、７は共通電極を示
す。
半導体基板、２はｐ型半導体抵抗層、３および４はＭ、
掻、５はｎ＋層、６は光の入射位置、７は共通電極を示
す。
図において、ｐ型半導体抵抗層２およびｎ＋層５がｎ型
高抵抗半導体基板１のそれぞれの面に均一に形成され、
ｐ型半導体抵抗Ｎ２の両側に信号取りだし用の一対の１
ｉｉ３および４が設けられている。
高抵抗半導体基板１のそれぞれの面に均一に形成され、
ｐ型半導体抵抗Ｎ２の両側に信号取りだし用の一対の１
ｉｉ３および４が設けられている。
このような構成において、電極３および４の間の距離を
し、抵抗をＲＬとし、電極３から光入射位置６までの距
離をＸ、その部分の抵抗をＲＸとする。光入射位置で発
生した光生成電荷は、光の入射エネルギーに比例する光
電流としてｐ型半導体抵抗層２に到達し、それぞれの電
極までの抵抗値に逆比例するように分割され、１掘３お
よび４より取り出される。入射光から生成された光電流
をＩｏとして、電極３および４から取り出される電流を
ＩＡ、１１ とすると、 １Ａ＝Ｉ。・ （ＲＬ ＲＸ ） ／ ＲＬ 。
し、抵抗をＲＬとし、電極３から光入射位置６までの距
離をＸ、その部分の抵抗をＲＸとする。光入射位置で発
生した光生成電荷は、光の入射エネルギーに比例する光
電流としてｐ型半導体抵抗層２に到達し、それぞれの電
極までの抵抗値に逆比例するように分割され、１掘３お
よび４より取り出される。入射光から生成された光電流
をＩｏとして、電極３および４から取り出される電流を
ＩＡ、１１ とすると、 １Ａ＝Ｉ。・ （ＲＬ ＲＸ ） ／ ＲＬ 。
１、−１゜・Ｒｘ ／ ＲＬ ・・・・・
・・・・（１）となる。ｐ型半導体抵抗Ｎ２は均一であ
り、長さと抵抗値が比例するとすれば、（１）式は、Ｉ
Ａ＝■。・ （Ｌ−Ｘ）／Ｌ。
・・・・（１）となる。ｐ型半導体抵抗Ｎ２は均一であ
り、長さと抵抗値が比例するとすれば、（１）式は、Ｉ
Ａ＝■。・ （Ｌ−Ｘ）／Ｌ。
１、＝１゜・Ｘ／Ｌ
で表わされる。ＩＡとＩ３の比を求めると、Ｉ Ａ ／
＋璽−（Ｌ−Ｘ）／Ｘ＝Ｌ／Ｘ−１となり、ＩＡ／Ｉ
Ｉの値から、入射エネルギーに無関係に光の入射位置を
知ることができる。
＋璽−（Ｌ−Ｘ）／Ｘ＝Ｌ／Ｘ−１となり、ＩＡ／Ｉ
Ｉの値から、入射エネルギーに無関係に光の入射位置を
知ることができる。
このようなＰＳＤにおいて、位置検出性能（位で検出精
度）をチェックする必要があるが、シリコン基板上に多
数のＰＳＤ素子が形成されたウェハーの状態で、各素子
ごとに入射光の位置を細かく検出して位置検出性能を求
めることは極めて困難である。そのため、従来、個々の
ＰＳＤの素子に分割した後に、セラミック基板等に接着
し、ワイヤ・ボンディング法等により配線を行い、高精
度の微小ステップステージを用いて光の入射位「の移動
を行いながら位置検出精度を求めることが行われていた
。このため、高価で高精度の測定器と長時間の工数が必
要となり、高価なセラミック基板等を含めて製造コスト
が非常に高くなる欠点があった。
度）をチェックする必要があるが、シリコン基板上に多
数のＰＳＤ素子が形成されたウェハーの状態で、各素子
ごとに入射光の位置を細かく検出して位置検出性能を求
めることは極めて困難である。そのため、従来、個々の
ＰＳＤの素子に分割した後に、セラミック基板等に接着
し、ワイヤ・ボンディング法等により配線を行い、高精
度の微小ステップステージを用いて光の入射位「の移動
を行いながら位置検出精度を求めることが行われていた
。このため、高価で高精度の測定器と長時間の工数が必
要となり、高価なセラミック基板等を含めて製造コスト
が非常に高くなる欠点があった。
本発明は上記問題点を解決するためのもので、憂価で高
精度の測定器、高価なセラミック基板を使用することな
く、また、測定に長時間を費やすことなく、簡便な方法
で位置検出精度を求めると共に、製造コストの低減化を
図ることができるＰＳＤを提供することを目的とする。
精度の測定器、高価なセラミック基板を使用することな
く、また、測定に長時間を費やすことなく、簡便な方法
で位置検出精度を求めると共に、製造コストの低減化を
図ることができるＰＳＤを提供することを目的とする。
そのために本発明の光位置検出器は、第１ ｇ １ｌｉ
ｔ形半導体基板の表面に第２導電形半導体層を形成し、
第２導電形半導体層上に対向する一対の位置検出信号出
力用電極を形成し、第１あるいは第２の半導体層−の表
面から入射した光の入射位置を前記電極から得られる検
出値より演算して求める光位置検出器において、第２半
導体層の側面部に１個以上の電気信号入力用電極を設け
たことを特徴とする。
ｔ形半導体基板の表面に第２導電形半導体層を形成し、
第２導電形半導体層上に対向する一対の位置検出信号出
力用電極を形成し、第１あるいは第２の半導体層−の表
面から入射した光の入射位置を前記電極から得られる検
出値より演算して求める光位置検出器において、第２半
導体層の側面部に１個以上の電気信号入力用電極を設け
たことを特徴とする。
本発明の光位置検出器は、第１導電形半導体基板の表面
に、第２４電形半導体層を形成すると共に、側面部に１
個以上の電気信号入力用のｔ橿を設け、この電極からの
電気的入力によって光入射を行わずに、極めて簡便に位
置精度を測定することができる。
に、第２４電形半導体層を形成すると共に、側面部に１
個以上の電気信号入力用のｔ橿を設け、この電極からの
電気的入力によって光入射を行わずに、極めて簡便に位
置精度を測定することができる。
以下、実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明によるＰＳＤの構成を示す図で、同図（
イ）は平面図、同図（ロ）は断面図であり、第２図と同
一番号は同一内容を示している。なお、１１は電気的人
力用電極である。
イ）は平面図、同図（ロ）は断面図であり、第２図と同
一番号は同一内容を示している。なお、１１は電気的人
力用電極である。
本発明によるＰＳＤは、従来のＰＳＤと同様に、ｎ型高
抵抗半導体基板１上にｐ型抵抗１１１２を形成し、ｐ型
半逗体抵抗店の両端に対向する一対の出力電極３および
４を設け、さらに半導体製造方法としてよく知られてい
る、例えばホトリソグラフィの技術により、１μｍ以下
の精度で予め決められたｐ型半導体抵抗！Ｊ２の側面部
の位置に１個以上の電気人力用電橋１１を設けである。
抵抗半導体基板１上にｐ型抵抗１１１２を形成し、ｐ型
半逗体抵抗店の両端に対向する一対の出力電極３および
４を設け、さらに半導体製造方法としてよく知られてい
る、例えばホトリソグラフィの技術により、１μｍ以下
の精度で予め決められたｐ型半導体抵抗！Ｊ２の側面部
の位置に１個以上の電気人力用電橋１１を設けである。
このような構成において、入射光によって光電変換され
、一対の電極３および４から電気的出力を得ることと、
電気信号をｔｉｉｌから入力して電極３および４から電
気的出力を得ることとは、位置検出精度を求めることに
ついて入力形式が異なる以外全く等価である。従って、
予め決められた位置に高精度の測定器で順次正確に光を
入射し、その出力を演算することによって位置検出精度
を知る代わりに、予め決められた位置に電気的入力用電
極１１をｐ型半導体抵抗ＷＪ２の側面部に設けて電気信
号を人力するようにすれば、例えばマルチプレクサを利
用して多点計測を行うことにより１、多数点における位
置精度を非常に短時間に求めることが可能となる。
、一対の電極３および４から電気的出力を得ることと、
電気信号をｔｉｉｌから入力して電極３および４から電
気的出力を得ることとは、位置検出精度を求めることに
ついて入力形式が異なる以外全く等価である。従って、
予め決められた位置に高精度の測定器で順次正確に光を
入射し、その出力を演算することによって位置検出精度
を知る代わりに、予め決められた位置に電気的入力用電
極１１をｐ型半導体抵抗ＷＪ２の側面部に設けて電気信
号を人力するようにすれば、例えばマルチプレクサを利
用して多点計測を行うことにより１、多数点における位
置精度を非常に短時間に求めることが可能となる。
電気的入力用電極１１への電気信号の入力方法としでは
、例えば半寡体製造過程中で普通に使用されるプローバ
ーを使うことにより簡単に入力することができる。
、例えば半寡体製造過程中で普通に使用されるプローバ
ーを使うことにより簡単に入力することができる。
なお、上記実施例においてはｎ型裔砥抗半轟体基板上に
ｐ型半導体抵抗層を設けるようにしたが、逆にｐ型筒抵
抗半導体基板上にｎ型半導体抵抗層を設けるように構成
してもよい。
ｐ型半導体抵抗層を設けるようにしたが、逆にｐ型筒抵
抗半導体基板上にｎ型半導体抵抗層を設けるように構成
してもよい。
以上のように本発明によれば、検出電極が設けられる半
導体抵抗層の側面部に電気的入力用電極を設けることに
より、極めて簡便に、短時間で位置検出精度を求めるこ
とができ、測定時間の短縮および製造コストの低減化を
図ることが可能となる。
導体抵抗層の側面部に電気的入力用電極を設けることに
より、極めて簡便に、短時間で位置検出精度を求めるこ
とができ、測定時間の短縮および製造コストの低減化を
図ることが可能となる。
第１図は本発明によるＰＳＤの構成を示す図で、同図（
イ）は平面図、同図（ロ）は断面図、第２図は従来のＰ
ＳＤの断面図である。 １・・・ｎ型高抵抗半導体基板、２・・・ｐ型半導体抵
抗層、３．４・・・電極、５・・・ｎ＋層、６・・・光
の入射位置、７・・・共通電極、１１・・・電気的入力
用電極。
イ）は平面図、同図（ロ）は断面図、第２図は従来のＰ
ＳＤの断面図である。 １・・・ｎ型高抵抗半導体基板、２・・・ｐ型半導体抵
抗層、３．４・・・電極、５・・・ｎ＋層、６・・・光
の入射位置、７・・・共通電極、１１・・・電気的入力
用電極。
Claims (1)
- 第１導電形半導体基板の表面に第２導電形半導体層を形
成し、第２導電形半導体層上に対向する一対の位置検出
信号出力用電極を形成し、第１あるいは第２の半導体層
の表面から入射した光の入射位置を前記電極から得られ
る検出値より演算して求める光位置検出器において、第
２半導体層の側面部に１個以上の電気信号入力用電極を
設けたことを特徴とする光位置検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62124374A JPS63289877A (ja) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | 光位置検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62124374A JPS63289877A (ja) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | 光位置検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63289877A true JPS63289877A (ja) | 1988-11-28 |
Family
ID=14883817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62124374A Pending JPS63289877A (ja) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | 光位置検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63289877A (ja) |
-
1987
- 1987-05-21 JP JP62124374A patent/JPS63289877A/ja active Pending
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