JPS63297295A - 分子線エピタキシャル装置の分子線源 - Google Patents
分子線エピタキシャル装置の分子線源Info
- Publication number
- JPS63297295A JPS63297295A JP62135112A JP13511287A JPS63297295A JP S63297295 A JPS63297295 A JP S63297295A JP 62135112 A JP62135112 A JP 62135112A JP 13511287 A JP13511287 A JP 13511287A JP S63297295 A JPS63297295 A JP S63297295A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molecular beam
- molecular
- crucible
- beam source
- wall
- Prior art date
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はシリコン又は化合物半導体素子作製に用いる分
子線エピタキシャル装置の分子線源に関するものである
。
子線エピタキシャル装置の分子線源に関するものである
。
従来の技術
従来の分子線源、例えばＧａＡｓの分子線エピタキシャ
ル装置では、Ｐ型及びｎ型不純物となるべＩＪ リウム
、シリコンの分子線源は、昇華型の分子線材料を、極く
少量るつぼの底に充填して使っていた。
ル装置では、Ｐ型及びｎ型不純物となるべＩＪ リウム
、シリコンの分子線源は、昇華型の分子線材料を、極く
少量るつぼの底に充填して使っていた。
発明が解決しようとする問題点
ところで、ベリリウム、シリコンは昇華型のドーピング
材料であり、るつぼ全体しこ充填する必要はないが、少
量であるために材料の蒸発表面積が制限されたり、固型
であるだめ、桐料の加熱力、率が低いという問題点があ
った。また、分子線量を多くするにはるつぼの加熱温度
を高くしなければ々らないが、温度を高くすればするほ
ど、ドーピング材料以外の一酸化炭素、水素化炭素など
の不純物ガスの発生が多くなり、エピタキシャル成長膜
の品質が低下する。
材料であり、るつぼ全体しこ充填する必要はないが、少
量であるために材料の蒸発表面積が制限されたり、固型
であるだめ、桐料の加熱力、率が低いという問題点があ
った。また、分子線量を多くするにはるつぼの加熱温度
を高くしなければ々らないが、温度を高くすればするほ
ど、ドーピング材料以外の一酸化炭素、水素化炭素など
の不純物ガスの発生が多くなり、エピタキシャル成長膜
の品質が低下する。
本発明はこのような問題点を解決し、加熱効率を向上さ
せることを目的とする。
せることを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するだめ、使用に供する前に
、るつぼ内壁全体に分子線材料を蒸着したものである。
、るつぼ内壁全体に分子線材料を蒸着したものである。
作用
本発明は上記構成により、るつぼ内壁全体より分子線が
発生させることにより、加熱効率を良くし、加熱温度を
下げることができる。
発生させることにより、加熱効率を良くし、加熱温度を
下げることができる。
実施例
図は本発明の分子線源の一実施例を示す構成図である。
図において、１１はるつぼ１０の内面に一様に蒸着され
た昇華型の分子線材料である。１２は熱シールド板、１
３は熱電対、１４は支持柱。
た昇華型の分子線材料である。１２は熱シールド板、１
３は熱電対、１４は支持柱。
１６はフランジ、１６はリードスルー、１７は加熱ヒー
タである。
タである。
ここで、本発明の分子線源の作製方法の簡単な一例とし
ては、るつぼ前部の分子線源シャッターを閉じた状態で
、実際に使用するときの加熱温度よりも１００〜２００
″Ｃ高い温度で、加熱ヒータの下側部分のみを用いて加
熱すればよく、るつぼ底部の分子線材料は昇華し、加熱
されていないるつぼ上部の内壁に蒸着され、堆積する。
ては、るつぼ前部の分子線源シャッターを閉じた状態で
、実際に使用するときの加熱温度よりも１００〜２００
″Ｃ高い温度で、加熱ヒータの下側部分のみを用いて加
熱すればよく、るつぼ底部の分子線材料は昇華し、加熱
されていないるつぼ上部の内壁に蒸着され、堆積する。
使用に供するときは、るつぼ上部のヒータを用いて加熱
し、内壁より分子線源を供給すればよい。
し、内壁より分子線源を供給すればよい。
発明の効果
以上のように本発明は、分子線源の表面積を大きくして
分子線の発生効率を高める効果と、分子線材料の加熱効
率を高める効果があシ、従来よりも加熱温度を下げるこ
とができ、エピタキシャル成長膜の品質向上が図れる。
分子線の発生効率を高める効果と、分子線材料の加熱効
率を高める効果があシ、従来よりも加熱温度を下げるこ
とができ、エピタキシャル成長膜の品質向上が図れる。
又、従来の分子線源を用いて実施できるので、改善コス
トが小さい利点がある。
トが小さい利点がある。
図は本発明の一実施例における分子線源の構成 −
図である。 １ｏ・・・・・・るつぼ、１１・・・・・・るつぼ内壁
に堆積した昇華型の分子線材料。
図である。 １ｏ・・・・・・るつぼ、１１・・・・・・るつぼ内壁
に堆積した昇華型の分子線材料。
Claims (1)
- るつぼ内壁に分子線材料を蒸着したことを特徴とする分
子線エピタキシャル装置の分子線源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62135112A JPS63297295A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 分子線エピタキシャル装置の分子線源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62135112A JPS63297295A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 分子線エピタキシャル装置の分子線源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63297295A true JPS63297295A (ja) | 1988-12-05 |
Family
ID=15144113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62135112A Pending JPS63297295A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 分子線エピタキシャル装置の分子線源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63297295A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007034623A1 (ja) * | 2005-09-21 | 2007-03-29 | Tokyo Electron Limited | 原料供給装置および成膜装置 |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP62135112A patent/JPS63297295A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007034623A1 (ja) * | 2005-09-21 | 2007-03-29 | Tokyo Electron Limited | 原料供給装置および成膜装置 |
| KR100998831B1 (ko) * | 2005-09-21 | 2010-12-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 원료 공급 장치 및 성막 장치 |
| US8029621B2 (en) | 2005-09-21 | 2011-10-04 | Tokyo Electron Limited | Raw material feeding device, film formation system and method for feeding gaseous raw material |
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