JPS6329735Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6329735Y2 JPS6329735Y2 JP6920384U JP6920384U JPS6329735Y2 JP S6329735 Y2 JPS6329735 Y2 JP S6329735Y2 JP 6920384 U JP6920384 U JP 6920384U JP 6920384 U JP6920384 U JP 6920384U JP S6329735 Y2 JPS6329735 Y2 JP S6329735Y2
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- Japan
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- temperature
- reactive gas
- lower electrode
- etched
- reaction chamber
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
考案の技術分野
この考案はプラズマエツチング装置に係り、特
にそのエツチング特性を改善するための構造の改
良に関するものである。
にそのエツチング特性を改善するための構造の改
良に関するものである。
従来技術
第１図は従来のプラズマエツチング装置の構成
を示す模式断面図で、１は反応室、２は反応室１
への反応性ガス導入口、３は反応性ガス排出口、
４は反応室１内に設けられた上部電極、５は反応
室１内に上部電極４と対向して設けられた下部電
極、６は中空形状をなす下部電極５内への冷却水
導入口、７は下部電極５内からの冷却水排出口、
８は下部電極５に高周波電圧を供給する高周波電
源、９は下部電極５上に載置された被エツチング
部材である。下部電極４は接地され高周波電源８
からの高周波電圧は下部電極５と上部電極５との
間に印加される。
を示す模式断面図で、１は反応室、２は反応室１
への反応性ガス導入口、３は反応性ガス排出口、
４は反応室１内に設けられた上部電極、５は反応
室１内に上部電極４と対向して設けられた下部電
極、６は中空形状をなす下部電極５内への冷却水
導入口、７は下部電極５内からの冷却水排出口、
８は下部電極５に高周波電圧を供給する高周波電
源、９は下部電極５上に載置された被エツチング
部材である。下部電極４は接地され高周波電源８
からの高周波電圧は下部電極５と上部電極５との
間に印加される。
さて、この従来装置の動作について説明する。
反応性ガス導入口２から反応室１内に反応ガスが
導入され、次に高周波電源８から下部電極５およ
び上部電極４を介して該反応ガスに高周波電力が
印加されてプラズマ放電が起こる。その際生じる
該反応性ガス原子の活性種及びイオンが、化学的
に被エツチング部材９と反応して揮発性物質を生
成すること、および該高周波電力印加用下部電極
５付近に生じる電界によつて物理的に該反応性ガ
スのイオンを該被エツチング部材９に衝撃させる
ことによつて、該被エツチング部材９をエツチン
グするものである。ここで、プラズマ放電による
被エツチング部材９の温度上昇を防ぐため、また
は、その温度を一定に保つために、通常、下部電
極５は水冷されたり、または適当な液温を有する
液によつて一定温度に保持される。
反応性ガス導入口２から反応室１内に反応ガスが
導入され、次に高周波電源８から下部電極５およ
び上部電極４を介して該反応ガスに高周波電力が
印加されてプラズマ放電が起こる。その際生じる
該反応性ガス原子の活性種及びイオンが、化学的
に被エツチング部材９と反応して揮発性物質を生
成すること、および該高周波電力印加用下部電極
５付近に生じる電界によつて物理的に該反応性ガ
スのイオンを該被エツチング部材９に衝撃させる
ことによつて、該被エツチング部材９をエツチン
グするものである。ここで、プラズマ放電による
被エツチング部材９の温度上昇を防ぐため、また
は、その温度を一定に保つために、通常、下部電
極５は水冷されたり、または適当な液温を有する
液によつて一定温度に保持される。
しかしながら、上記従来のプラズマエツチング
装置では、冷却水による被エツチング部材９の冷
却、または所定温度の液による一定温度化をはか
つているものの、実際は被エツチング部材９と下
部電極５との密着性が悪いので、熱の伝達効率が
悪く、エツチング中の被エツチング部材９の昇温
を防いだり、または、その温度を一定に保持する
ことは不可能であつた。このように被エツチング
部材９の温度を一定に保持できないことは、エツ
チング中に、またはエツチング回数を重ねていく
につれてエツチング速度が変化する大きな原因と
なり重大な問題であつた。
装置では、冷却水による被エツチング部材９の冷
却、または所定温度の液による一定温度化をはか
つているものの、実際は被エツチング部材９と下
部電極５との密着性が悪いので、熱の伝達効率が
悪く、エツチング中の被エツチング部材９の昇温
を防いだり、または、その温度を一定に保持する
ことは不可能であつた。このように被エツチング
部材９の温度を一定に保持できないことは、エツ
チング中に、またはエツチング回数を重ねていく
につれてエツチング速度が変化する大きな原因と
なり重大な問題であつた。
考案の概要
この考案は以上のような点に鑑みてなされたも
ので、反応性ガス導入口に反応性ガス加熱機構を
設け、一方、下部電極の表面温度を検出し、これ
によつて上記反応性ガス加熱機構を制御すること
によつて、下部電極および被エツチング部材の温
度を一定に保持し、エツチング速度を常に一定に
保ち得るプラズマエツチング装置を提供するもの
である。
ので、反応性ガス導入口に反応性ガス加熱機構を
設け、一方、下部電極の表面温度を検出し、これ
によつて上記反応性ガス加熱機構を制御すること
によつて、下部電極および被エツチング部材の温
度を一定に保持し、エツチング速度を常に一定に
保ち得るプラズマエツチング装置を提供するもの
である。
考案の実施例
第２図はこの考案の一実施例の構成を示す模式
断面図で、第１図の従来例と同一符号は同等部分
を示し、その説明は重複を避ける。この実施例に
おける下部電極５ａは冷却水を通す構造を有して
いない。１０は反応性ガス導入口２の一部に捲回
されたコイル状ヒータなどからなる加熱機構、１
１は下部電極５ａの上に設けられた温度検出機
構、１２は温度検出機構１１の出力に応じて加熱
機構１０へ駆動電力を供給し、反応室１へ供給さ
れる反応性ガスの温度を制御する温度制御機構で
ある。
断面図で、第１図の従来例と同一符号は同等部分
を示し、その説明は重複を避ける。この実施例に
おける下部電極５ａは冷却水を通す構造を有して
いない。１０は反応性ガス導入口２の一部に捲回
されたコイル状ヒータなどからなる加熱機構、１
１は下部電極５ａの上に設けられた温度検出機
構、１２は温度検出機構１１の出力に応じて加熱
機構１０へ駆動電力を供給し、反応室１へ供給さ
れる反応性ガスの温度を制御する温度制御機構で
ある。
この実施例装置のエツチング動作自体は従来例
と全く同じである。ただ、この実施例では、下部
電極５ａの表面温度を温度検出機構１１によつて
検出し、その検出出力に応じて、温度制御機構１
２によつて、加熱機構１０への駆動電力を制御
し、反応室１内へ供給される反応性ガスの温度を
調節して、下部電極５ａおよびその上の被エツチ
ング部材９を所定温度に保持できるようになつて
いる。従つて、この制御ループの回路定数を設定
することによつて、被エツチング部材９を所望温
度に一定に保持できる。
と全く同じである。ただ、この実施例では、下部
電極５ａの表面温度を温度検出機構１１によつて
検出し、その検出出力に応じて、温度制御機構１
２によつて、加熱機構１０への駆動電力を制御
し、反応室１内へ供給される反応性ガスの温度を
調節して、下部電極５ａおよびその上の被エツチ
ング部材９を所定温度に保持できるようになつて
いる。従つて、この制御ループの回路定数を設定
することによつて、被エツチング部材９を所望温
度に一定に保持できる。
以上、実施例では反応性イオンエツチング装置
を例にとつて説明したが、このような室温以上の
温度での等温化の手法は他種のエツチング装置、
スパツタエツチング装置などを含むプラズマエツ
チング装置一般に適用でき、エツチング特性の均
一化が可能である。また、この考案の手法は薄膜
生成装置であるスパツタ装置、プラズマ化学気相
成長装置等、ガスを利用するドライプロセス関連
装置全般に適用しうるものであり、膜生成特性均
一化に同様の効果がある。
を例にとつて説明したが、このような室温以上の
温度での等温化の手法は他種のエツチング装置、
スパツタエツチング装置などを含むプラズマエツ
チング装置一般に適用でき、エツチング特性の均
一化が可能である。また、この考案の手法は薄膜
生成装置であるスパツタ装置、プラズマ化学気相
成長装置等、ガスを利用するドライプロセス関連
装置全般に適用しうるものであり、膜生成特性均
一化に同様の効果がある。
考案の効果
以上説明したようにこの考案になるプラズマエ
ツチング装置では下部電極の温度を検出し、この
検出出力に応じて反応室内へ供給される反応性ガ
スの温度を制御し、これによつて下部電極の温度
を決定する制御閉ループを設けたので、下部電極
従つて被エツチング部材の温度を一定に保持で
き、エツチング速度を一定に保つことができる。
ツチング装置では下部電極の温度を検出し、この
検出出力に応じて反応室内へ供給される反応性ガ
スの温度を制御し、これによつて下部電極の温度
を決定する制御閉ループを設けたので、下部電極
従つて被エツチング部材の温度を一定に保持で
き、エツチング速度を一定に保つことができる。
第１図は従来のプラズマエツチング装置の例の
構成を示す模式断面図、第２図はこの考案の一実
施例の構成を示す模式断面図である。 図において、１は反応室、２は反応性ガス導入
口、５ａは下部電極、９は被エツチング部材、１
０は加熱機構、１１は温度検出機構、１２は温度
検出機構である。なお、図中同一符号は同一また
は相当部分を示す。
構成を示す模式断面図、第２図はこの考案の一実
施例の構成を示す模式断面図である。 図において、１は反応室、２は反応性ガス導入
口、５ａは下部電極、９は被エツチング部材、１
０は加熱機構、１１は温度検出機構、１２は温度
検出機構である。なお、図中同一符号は同一また
は相当部分を示す。
Claims (1)
- 反応室内に反応性ガス導入口から反応性ガスを
導入してプラズマを発生させ、上記反応室内に配
設された下部電極の上に載置された被エツチング
部材にプラズマエツチングを施すものにおいて、
上記下部電極の表面の温度を検出する温度検出機
構、上記反応性ガス導入口に設けられこれを通つ
て導入される上記反応性ガスを昇温させる加熱機
構、及び上記温度検出機構による温度検出出力に
応じて、上記加熱機構への供給電力を制御して上
記導入反応性ガスの温度を所要値に保持し、上記
下部電極と上記被エツチング部材を所望の一定温
度に保持する温度制御機構を備えたことを特徴と
するプラズマエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6920384U JPS60181369U (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6920384U JPS60181369U (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | プラズマエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60181369U JPS60181369U (ja) | 1985-12-02 |
| JPS6329735Y2 true JPS6329735Y2 (ja) | 1988-08-09 |
Family
ID=30604653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6920384U Granted JPS60181369U (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60181369U (ja) |
-
1984
- 1984-05-10 JP JP6920384U patent/JPS60181369U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60181369U (ja) | 1985-12-02 |
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