JPS63300523A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPS63300523A JPS63300523A JP13725787A JP13725787A JPS63300523A JP S63300523 A JPS63300523 A JP S63300523A JP 13725787 A JP13725787 A JP 13725787A JP 13725787 A JP13725787 A JP 13725787A JP S63300523 A JPS63300523 A JP S63300523A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- temperature
- level
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 11
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
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- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、時に温度検出用の温度
センサーを備えて構成される半導体集積回路の改良に関
する。
センサーを備えて構成される半導体集積回路の改良に関
する。
従来、この種の半導体集積回路においては、温度検出用
の温度センサーとして、特殊金属を用いた熱電対を利用
しているのが大半であり、一般的である。
の温度センサーとして、特殊金属を用いた熱電対を利用
しているのが大半であり、一般的である。
上述した従来の半導体集積回路においては、温度検出用
の温度センサーとして、特殊金属を用いた熱電対が利用
されている。このため、半導体集積回路の１チツプ上に
前記温度センサーのユニットを設ける場合には、そのた
めの特殊な製造プロセスが必要となり、半導体集積回路
の製造を複雑化し、製造コストの増大を招くという欠点
がある。
の温度センサーとして、特殊金属を用いた熱電対が利用
されている。このため、半導体集積回路の１チツプ上に
前記温度センサーのユニットを設ける場合には、そのた
めの特殊な製造プロセスが必要となり、半導体集積回路
の製造を複雑化し、製造コストの増大を招くという欠点
がある。
本発明の半導体集積回路は、温度検出用の半導体容量と
、前記半導体容量における電荷保持時間を測定する手段
と、を備えて構成される。
、前記半導体容量における電荷保持時間を測定する手段
と、を備えて構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の構成図である。第１図
に示されるように、本実施例は、ＶＣＣ電源１に対応し
て、スイッチ２と、半導体容量３と、インバータ４と、
タイマー５と、データ変換器６と、ラッチ用レジスタ７
と、を備えて構成される。
に示されるように、本実施例は、ＶＣＣ電源１に対応し
て、スイッチ２と、半導体容量３と、インバータ４と、
タイマー５と、データ変換器６と、ラッチ用レジスタ７
と、を備えて構成される。
第１図において、温度の測定に当っては、最初にスイッ
チ２を“ＯＮ″とし、半導体容量３をＶｃｃレベルまで
充電しておく。次に温度測定の時点において、端子５１
から所定のトリガーを１パルス入力する。このトリガー
によりスイッチ２は“ＯＦＦ″となり、半導体容量３に
充電されている電荷はダイナミック保持状態となる。こ
の時点において、同時に、前記トリガーを介してタイマ
ー５におけるカウントが開始される。
チ２を“ＯＮ″とし、半導体容量３をＶｃｃレベルまで
充電しておく。次に温度測定の時点において、端子５１
から所定のトリガーを１パルス入力する。このトリガー
によりスイッチ２は“ＯＦＦ″となり、半導体容量３に
充電されている電荷はダイナミック保持状態となる。こ
の時点において、同時に、前記トリガーを介してタイマ
ー５におけるカウントが開始される。
半導体容量３においてダイナミック保持された電荷はリ
ーク等により減少してゆくが、半導体容量３の電圧■ｃ
は、前記電荷の減少にともないＶＣＣレベルよりも低下
する。更に電圧■ｃのレベルが低下してゆき、インバー
タ４の低レベル論理しきい値の電圧に到達すると、イン
バータ４の出力レベルが“Ｌ”レベルからＨ１ルベルに
転移し、この時点においてタイマー５におけるカウント
が停止される。すなわち、タイマー５によって半導体容
量３における電荷保持時間が測定される。前記電荷保持
時間の測定値はデータ変換器６に送られるが、この電荷
保持時間は半導体容量３における温度変化に対応して変
動する特性を有しており、この特性を利用して、データ
変換器６においては、前記保持時間の測定値が温度デー
タに変換される。データ変換器６における前記温度デー
タは、ラッチ用レジスタ７によりラッチされ、保持され
る。
ーク等により減少してゆくが、半導体容量３の電圧■ｃ
は、前記電荷の減少にともないＶＣＣレベルよりも低下
する。更に電圧■ｃのレベルが低下してゆき、インバー
タ４の低レベル論理しきい値の電圧に到達すると、イン
バータ４の出力レベルが“Ｌ”レベルからＨ１ルベルに
転移し、この時点においてタイマー５におけるカウント
が停止される。すなわち、タイマー５によって半導体容
量３における電荷保持時間が測定される。前記電荷保持
時間の測定値はデータ変換器６に送られるが、この電荷
保持時間は半導体容量３における温度変化に対応して変
動する特性を有しており、この特性を利用して、データ
変換器６においては、前記保持時間の測定値が温度デー
タに変換される。データ変換器６における前記温度デー
タは、ラッチ用レジスタ７によりラッチされ、保持され
る。
第２図は本発明の第２の実施例の構成図である。
第２図に示されるように、本実施例は、ＶＣＣ電源８に
対応して、スイッチ９と、パルス発生器１０と、半導体
容量１１と、インバータ１２と、タイマー１３と、コン
パレータ１４と、保持時間設定レジスタ１５と、割込信
号発生器１６と、を備えて構成される。
対応して、スイッチ９と、パルス発生器１０と、半導体
容量１１と、インバータ１２と、タイマー１３と、コン
パレータ１４と、保持時間設定レジスタ１５と、割込信
号発生器１６と、を備えて構成される。
第２図において、パルス発生器１０から出力されるパル
スに対応して、前記第１の実施例の場合と同様に、スイ
ッチ９、インバータ１２およびタイマー１３の動作を介
して、半導体容量１１の電荷保持時間が測定たれる。す
なわち、パルス発生器１０から出力される１パルスごと
に、前記電荷保持時間がサンプリングされて測定される
。この電荷保持時間の測定値はコンパレータ１４に送ら
れ、コンパレータ１４において、保持時間設定レジスタ
１５から入力される事前設定された保持時間と比較され
る。前記電荷保持時間の測定値が設定範囲を越えると、
割込信号発生器１６を介して割込信号が生成される。
スに対応して、前記第１の実施例の場合と同様に、スイ
ッチ９、インバータ１２およびタイマー１３の動作を介
して、半導体容量１１の電荷保持時間が測定たれる。す
なわち、パルス発生器１０から出力される１パルスごと
に、前記電荷保持時間がサンプリングされて測定される
。この電荷保持時間の測定値はコンパレータ１４に送ら
れ、コンパレータ１４において、保持時間設定レジスタ
１５から入力される事前設定された保持時間と比較され
る。前記電荷保持時間の測定値が設定範囲を越えると、
割込信号発生器１６を介して割込信号が生成される。
以上説明したように、本発明は、温度センサーとして半
導体容量を用いて温度測定する方式を用いているため、
半導体集積回路の１チツプ上に特殊なプロセスを用いる
必要がなくなり、半導体集積回路の製造を簡易化し１．
製造コストを低減することができるという効果がある。
導体容量を用いて温度測定する方式を用いているため、
半導体集積回路の１チツプ上に特殊なプロセスを用いる
必要がなくなり、半導体集積回路の製造を簡易化し１．
製造コストを低減することができるという効果がある。
第１図および第２図は、それぞれ本発明な第１および第
２の実施例の構成図である。 図において、１，８・・・Ｖｃｃ電ｆｉ、２．９・・・
スイッチ、３．１１・・・半導体容量、４，１２・・・
インバータ、５，１３・・・タイマー、６・・・データ
変換器、７・・・ラッチ用レジスタ、１ｏ・・・パルス
発生器、１４・・・コンパレータ、１５・・・保持時間
設定レジスタ、１６・・・割込信号発生器。 代理人 弁理士 内 原 音ハ真 し・
２の実施例の構成図である。 図において、１，８・・・Ｖｃｃ電ｆｉ、２．９・・・
スイッチ、３．１１・・・半導体容量、４，１２・・・
インバータ、５，１３・・・タイマー、６・・・データ
変換器、７・・・ラッチ用レジスタ、１ｏ・・・パルス
発生器、１４・・・コンパレータ、１５・・・保持時間
設定レジスタ、１６・・・割込信号発生器。 代理人 弁理士 内 原 音ハ真 し・
Claims (1)
- 温度検出用の半導体容量と、前記半導体容量における電
荷保持時間を測定する手段と、を備えることを特徴とす
る半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13725787A JPS63300523A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13725787A JPS63300523A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63300523A true JPS63300523A (ja) | 1988-12-07 |
Family
ID=15194436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13725787A Pending JPS63300523A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63300523A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6841843B2 (en) | 2003-03-31 | 2005-01-11 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit device |
| WO2010073424A1 (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-01 | パナソニック株式会社 | 半導体集積回路装置 |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP13725787A patent/JPS63300523A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6841843B2 (en) | 2003-03-31 | 2005-01-11 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit device |
| WO2010073424A1 (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-01 | パナソニック株式会社 | 半導体集積回路装置 |
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