JPS63300582A - 固体レ−ザ装置 - Google Patents
固体レ−ザ装置Info
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- JPS63300582A JPS63300582A JP13743587A JP13743587A JPS63300582A JP S63300582 A JPS63300582 A JP S63300582A JP 13743587 A JP13743587 A JP 13743587A JP 13743587 A JP13743587 A JP 13743587A JP S63300582 A JPS63300582 A JP S63300582A
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- laser light
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Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 26
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/0014—Monitoring arrangements not otherwise provided for
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体レーザ装置に関し、特にレーザ光を光ファ
イバにより伝達して被照射物に照射する固体レーザ装置
に関する。
イバにより伝達して被照射物に照射する固体レーザ装置
に関する。
従来、この種の固体レーザ装置は、第3図及び第4図に
示すように、まず、パルス励起ランプのキセノンフラッ
シュランプ12を発光させて輻射光Lrを放射させ、こ
の輻射光Lrをレーザロッド14に集光することにより
パルス固体レーザが励起されレーザ光発生部1からレー
ザ光り、が放射される。ファイバスコープ2aは、レー
ザ光発生部1から放射されたレーザLtを集光レンズで
光ファイバに導入して伝達し、先端のファイバヘッドを
目的とする被照射物に向けてレーザ光L4を照射する構
成となっている。
示すように、まず、パルス励起ランプのキセノンフラッ
シュランプ12を発光させて輻射光Lrを放射させ、こ
の輻射光Lrをレーザロッド14に集光することにより
パルス固体レーザが励起されレーザ光発生部1からレー
ザ光り、が放射される。ファイバスコープ2aは、レー
ザ光発生部1から放射されたレーザLtを集光レンズで
光ファイバに導入して伝達し、先端のファイバヘッドを
目的とする被照射物に向けてレーザ光L4を照射する構
成となっている。
上述した固体レーザ装置は、直径が50μm〜200μ
m程度の微細な光ファイバを使用しており、中でも半導
体装置のマーキングや加工用に使用されるものは、15
0μmや200μmのちのが使用されている。
m程度の微細な光ファイバを使用しており、中でも半導
体装置のマーキングや加工用に使用されるものは、15
0μmや200μmのちのが使用されている。
レーザ光としてはYAGレーザ光が使用され、このYA
Gレーザ光を光ファイバに導入する場合には、非常に微
細な光ファイバの入射端面の微妙な位万決めを必要とす
る。また光ファイバにはYAGレーザ光の透過率の優れ
た石英ファイバを用いる場合が多いため、機械的ショッ
クや応力に脆く、外部応力により光ファイバの断線や入
射端面の位置ずれが生じて被照射物へのレーザ光量不足
が発生する。
Gレーザ光を光ファイバに導入する場合には、非常に微
細な光ファイバの入射端面の微妙な位万決めを必要とす
る。また光ファイバにはYAGレーザ光の透過率の優れ
た石英ファイバを用いる場合が多いため、機械的ショッ
クや応力に脆く、外部応力により光ファイバの断線や入
射端面の位置ずれが生じて被照射物へのレーザ光量不足
が発生する。
さらにキセノンフラッシュランプ12の劣化や高電圧パ
ルス発生部11の故障が発生した場合には、レーザ光の
照射光量が低下したり照射しなくなることがある。
ルス発生部11の故障が発生した場合には、レーザ光の
照射光量が低下したり照射しなくなることがある。
例えば、半導体ウェーハ試験装置にYAGレーザ装置を
利用した場合、ICペレットが不良と判定されるとYA
Gレーザ装置は、マーキングトリガ信号によりレーザ光
を発射してICペレットにマーキングする。
利用した場合、ICペレットが不良と判定されるとYA
Gレーザ装置は、マーキングトリガ信号によりレーザ光
を発射してICペレットにマーキングする。
ところがキセノンフラッシュランプ12の輻射光量の低
下や光ファイバの異状によってレーザ光が不完全に放射
された状態でマーキングされても次工程へ進むことにな
る。
下や光ファイバの異状によってレーザ光が不完全に放射
された状態でマーキングされても次工程へ進むことにな
る。
なお、キセノンフラッシュランプ12に印加する高電圧
パルス発生部11の電圧を可変して輻射光Lrの光強度
を変化させ、マーキングするのに最適なレーザパワーを
得ることができる。
パルス発生部11の電圧を可変して輻射光Lrの光強度
を変化させ、マーキングするのに最適なレーザパワーを
得ることができる。
上述した従来の固体レーザ装置は、外部応力に弱い微細
な光ファイバにレーザ光Lxを入射して伝達し被照射物
に照射する構成となっており、かつ照射されるレーザ光
L2のレベル低下を検出する機能がないので、レーザ光
Lxのレベルが規定値に達していなくてもレーザ光り、
を照射による工程が済んだものとして次工程へ進められ
るため、後工程の検査工程で不良が発見され、その間の
作業工程と経過時間が無駄になるという欠点がある。
な光ファイバにレーザ光Lxを入射して伝達し被照射物
に照射する構成となっており、かつ照射されるレーザ光
L2のレベル低下を検出する機能がないので、レーザ光
Lxのレベルが規定値に達していなくてもレーザ光り、
を照射による工程が済んだものとして次工程へ進められ
るため、後工程の検査工程で不良が発見され、その間の
作業工程と経過時間が無駄になるという欠点がある。
また、高電圧パルス発生部、光ファイバ等を含む各部の
異常を検出することができないという欠点がある。
異常を検出することができないという欠点がある。
本発明の目的は、レーザ光のレベル低下を検出すること
ができ、従って高電圧パルス発生部、光ファイバ等を含
む各部の異常が検出でき、かつ無駄な作業工程や経過時
間を除去することができる固体レーザ装置を提供するこ
とにある。
ができ、従って高電圧パルス発生部、光ファイバ等を含
む各部の異常が検出でき、かつ無駄な作業工程や経過時
間を除去することができる固体レーザ装置を提供するこ
とにある。
本発明の固体レーザ装置は、パルス励起ランプの輻射光
により励起されたレーザ光を放射するレーザ光発生部と
、前記レーザ光を伝達して先端部から放射し被照射物に
照射するファイバスコープと、光電変換素子を備え前記
ファイバスコープの先端部から前記レーザ光と共に放射
される前記パルス励起ランプの輻射光の一部を、前記レ
ーザ光の照射を妨げることなく検出し電気信号に変換し
て出力する輻射光検出部と、この輻射光検出部の出力信
号のレベルが予め設定された規定値に達しないときエラ
ー信号を出力する比較処理部とを有している。
により励起されたレーザ光を放射するレーザ光発生部と
、前記レーザ光を伝達して先端部から放射し被照射物に
照射するファイバスコープと、光電変換素子を備え前記
ファイバスコープの先端部から前記レーザ光と共に放射
される前記パルス励起ランプの輻射光の一部を、前記レ
ーザ光の照射を妨げることなく検出し電気信号に変換し
て出力する輻射光検出部と、この輻射光検出部の出力信
号のレベルが予め設定された規定値に達しないときエラ
ー信号を出力する比較処理部とを有している。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図である。
レーザ光発生部1は、従来と同様に第4図に示された構
成を有し、パルス励起ランプのキセノンフラッシュラン
プ12からの輻射光Lrにより励起されたレーザ光Lt
を放射する。この時、同時にキセノンフラッシュランプ
12からの輻射光Lrも一部放射される。
成を有し、パルス励起ランプのキセノンフラッシュラン
プ12からの輻射光Lrにより励起されたレーザ光Lt
を放射する。この時、同時にキセノンフラッシュランプ
12からの輻射光Lrも一部放射される。
ファイバスコープ2は、レーザ光発生部1からのレーザ
光Ltを入射して伝達し、先端部からこのレーザパワー
を被照射物10に対して照射する。この時、同時に輻射
光Lrも放射される。
光Ltを入射して伝達し、先端部からこのレーザパワー
を被照射物10に対して照射する。この時、同時に輻射
光Lrも放射される。
輻射光検出部3は光電変換素子を備え、ファイバスコー
プ2の先端部からレーザ光Llと共に放射される輻射光
Lrの一部を、レーザ光L2の放射を妨げることなく検
出して電気信号に変換して出力する。
プ2の先端部からレーザ光Llと共に放射される輻射光
Lrの一部を、レーザ光L2の放射を妨げることなく検
出して電気信号に変換して出力する。
比較処理部4は、基準信号発生部41.アナログ処理部
41.比較部43.論理処理部44及び警報表示部45
により構成され、輻射光検出部3の出力信号のレベルが
予め設定された規定値に達しないときエラー信号■Eを
出力すると共に、警報表示する。
41.比較部43.論理処理部44及び警報表示部45
により構成され、輻射光検出部3の出力信号のレベルが
予め設定された規定値に達しないときエラー信号■Eを
出力すると共に、警報表示する。
エラー信号■Eは固体レーザ装置に接続されるシステム
を一時停止させる等の機能を含んだ帰還回路を構成する
ことができるや 第2図は第1図に示された実施例のファイバスコープ2
の先端部から輻射光り、を検出するための構造を示す断
面図である。
を一時停止させる等の機能を含んだ帰還回路を構成する
ことができるや 第2図は第1図に示された実施例のファイバスコープ2
の先端部から輻射光り、を検出するための構造を示す断
面図である。
レーザ光発生部1からのレーザ光Ll、輻射光Lrは集
光レンズ21を経て光ファイバ22に入射され、伝達さ
れて光ファイバ22の先端部から放射され対物レンズ2
4を経て被照射物10に照射される。
光レンズ21を経て光ファイバ22に入射され、伝達さ
れて光ファイバ22の先端部から放射され対物レンズ2
4を経て被照射物10に照射される。
輻射光検出部3の光電変換素子31は、ファイバスコー
プ2の先端部のファイバヘッド23の側壁に設けられ、
光ファイバ22の先端部からの輻射光Lrを受光し電気
信号に変換する。
プ2の先端部のファイバヘッド23の側壁に設けられ、
光ファイバ22の先端部からの輻射光Lrを受光し電気
信号に変換する。
この輻射光Lrの光量はキセノンフラッシュランプ12
から放射される輻射光Lrの光量に比例し、かつレーザ
光L2の光量はフラッシュランプ12から放射される輻
射光り、の光量に対応するので、光電変換素子31から
出力される電気信号のレベルはレーザ光Ltの光量に対
応する。
から放射される輻射光Lrの光量に比例し、かつレーザ
光L2の光量はフラッシュランプ12から放射される輻
射光り、の光量に対応するので、光電変換素子31から
出力される電気信号のレベルはレーザ光Ltの光量に対
応する。
第2図において、光電変換素子31の代りに光フアイバ
センサーを用いて輻射光Lrを検出する手段もある。
センサーを用いて輻射光Lrを検出する手段もある。
また対物レンズ24から放射された輻射光り。
を、この輻射光Lr特有の波長を検出できる外部に設け
られたセンサーにより検出することもでき、この場合は
より自由度を高くすることができ利用価値を高めること
ができる利点がある。
られたセンサーにより検出することもでき、この場合は
より自由度を高くすることができ利用価値を高めること
ができる利点がある。
以上説明したように本発明は、ファイバスコープの先端
部からレーザ光と共に放射される輻射光を検出して電気
信号に変換し、このレベルが規定値に達しないときエラ
ー信号を出力する構成とすることにより、レーザ光のレ
ベル低下を検出することができるので、高電圧パルス発
生部、光ファイバ等の各部の異常を検出することができ
、無駄な作業工程、経過時間等を除去することができる
効果がある。
部からレーザ光と共に放射される輻射光を検出して電気
信号に変換し、このレベルが規定値に達しないときエラ
ー信号を出力する構成とすることにより、レーザ光のレ
ベル低下を検出することができるので、高電圧パルス発
生部、光ファイバ等の各部の異常を検出することができ
、無駄な作業工程、経過時間等を除去することができる
効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第2図は
第1図に示された実施例のファイバスコープの先端部か
ら輻射光を検出するための構造を示す断面図、第3図は
従来の固体レーザ装置の一例を示すブロック図、第4図
は第3図に示された固体レーザ装置のレーザ光発生部の
構成を示すブロック図である。 1・・・レーザ光発生部、2.2a・・・ファイバスコ
ープ、3・・・輻射光検出部、4・・・比較処理部、1
0・・・被照射物、11・・・高電圧パルス発生部、1
2・・・キセノンフラッシュランプ、13・・・集光器
、14・・・レーザロッド、21・・・集光レンズ、2
2・・・光ファイバ、23・・・ファイバヘッド、24
・・・対物レンズ、31・・・光電変換素子、41・・
・基準信号発生部、42・・・アナログ処理部、43・
・・比較部、44・・・論理処理部、45・・・警報表
示部。 /″″″− ・ 1
第1図に示された実施例のファイバスコープの先端部か
ら輻射光を検出するための構造を示す断面図、第3図は
従来の固体レーザ装置の一例を示すブロック図、第4図
は第3図に示された固体レーザ装置のレーザ光発生部の
構成を示すブロック図である。 1・・・レーザ光発生部、2.2a・・・ファイバスコ
ープ、3・・・輻射光検出部、4・・・比較処理部、1
0・・・被照射物、11・・・高電圧パルス発生部、1
2・・・キセノンフラッシュランプ、13・・・集光器
、14・・・レーザロッド、21・・・集光レンズ、2
2・・・光ファイバ、23・・・ファイバヘッド、24
・・・対物レンズ、31・・・光電変換素子、41・・
・基準信号発生部、42・・・アナログ処理部、43・
・・比較部、44・・・論理処理部、45・・・警報表
示部。 /″″″− ・ 1
Claims (1)
- パルス励起ランプの輻射光により励起されたレーザ光を
放射するレーザ光発生部と、前記レーザ光を伝達して先
端部から放射し被照射物に照射するファイバスコープと
、光電変換素子を備え前記ファイバスコープの先端部か
ら前記レーザ光と共に放射される前記パルス励起ランプ
の輻射光の一部を、前記レーザ光の照射を妨げることな
く検出し電気信号に変換して出力する輻射光検出部と、
この輻射光検出部の出力信号のレベルが予め設定された
規定値に達しないときエラー信号を出力する比較処理部
とを有することを特徴とする固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13743587A JPS63300582A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 固体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13743587A JPS63300582A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 固体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63300582A true JPS63300582A (ja) | 1988-12-07 |
Family
ID=15198554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13743587A Pending JPS63300582A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 固体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63300582A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6233486A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-13 | シ−・ア−ル・バ−ド・インコ−ポレ−テツド | レ−ザシステムの熱損傷防止装置およびその方法 |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP13743587A patent/JPS63300582A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6233486A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-13 | シ−・ア−ル・バ−ド・インコ−ポレ−テツド | レ−ザシステムの熱損傷防止装置およびその方法 |
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