JPS63302553A - 電荷転送装置の製造方法 - Google Patents
電荷転送装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63302553A JPS63302553A JP62138542A JP13854287A JPS63302553A JP S63302553 A JPS63302553 A JP S63302553A JP 62138542 A JP62138542 A JP 62138542A JP 13854287 A JP13854287 A JP 13854287A JP S63302553 A JPS63302553 A JP S63302553A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge transfer
- transfer device
- buried channel
- channel
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は電荷転送装置の製造方法に関するも＜７）テ
、特許ＣＣＤ （Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ ［
）ｅＶｔｃｅ ）転送チャネル幅の縮小化に伴ない転送
効率を悪化させる狭チャネル効果の低減を可能とする電
荷転送装置の製造方法に関するものである。
、特許ＣＣＤ （Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ ［
）ｅＶｔｃｅ ）転送チャネル幅の縮小化に伴ない転送
効率を悪化させる狭チャネル効果の低減を可能とする電
荷転送装置の製造方法に関するものである。
［従来の技術］
第４図は固体搬ｔＩＱｖ４置の充電変換領域および垂直
電荷転送部の平面配置を示す図である。第５図、第６図
は第４図に示される固体撮像装置の断面構造を示す図で
あり、第５図は第４図のＡ−Ａ’線に沿った断面構造を
示し、第６図はｃ−ｃ’線に沿った断面構造を示す。
電荷転送部の平面配置を示す図である。第５図、第６図
は第４図に示される固体撮像装置の断面構造を示す図で
あり、第５図は第４図のＡ−Ａ’線に沿った断面構造を
示し、第６図はｃ−ｃ’線に沿った断面構造を示す。
図において１はｐ型シリコン基板、４は転送チャネル、
５は第１転送電極、５１は第１ポリシリコン膜、７は第
２転送電極、７１は第２ポリシリコン膜、８はゲート酸
化膜、９はレジスト膜パターン、１０はシリコン酸化膜
、１１はレジスト模パターン、３１は走査線、３２は光
電変換部、３５はコンタクト１１１１１，３６はトラン
スファゲートである。 ′ 第６図（ａ）〜（ｄ ＞は、従来の二相駆動電荷転送装
置の製造方法の主要工程段階における状態を示ず断面図
である。この二相駆動電荷転送装置は、ポテンシャル井
戸の形をイオン注入により制御し、ポリシリコンオーバ
ラップ電極構造を用いたものである。この製造方法につ
いて説明すると、まず、ｐ型シリコン基板１の表面にゲ
ート酸化膜８を形成する。（第６図（ａ））。次に、ゲ
ート酸化膜８の表面に第１ポリシリコン１１５１を形成
する。続いて第１ポリシリコン膜５１の表面の所定部に
写真製版技術により互いに間隔を隔てて複数個のレジス
ト膜パターン９を形成する（第６図（ｂ））。次に、レ
ジスト膜パターン９をマスクとして第１ポリシリコン膜
５１を選択エツチングして第１転送２を極５を形成し、
この後第１転送電極５を熱酸化してこの第１転送電極の
表面にシリコン酸化膜１０を形成する。続いて露出した
ゲート酸化１１８の表面およびシリコン酸化１１１１０
１７）表面に第２ポリシリコン膜７１を形成し、この後
第２ポ゛リシリコンＩＩ ７１の表面の所定部に写真製
版技術により互いに間隔を隔てて複数個のレジスト膜パ
ターン１１を形成する（第６図（Ｃ））。次に、レジス
ト膜パターン１１をマスクとして第２ポリシリコンｌ１
１７１を選択エツチングして第２転送電極７を形成する
（第６図（ｄ））。このように第１転送電極および第２
転送電極７との重ね合わせを逐次写真製版技術で行なう
ことによって二相駆動電荷転送装置が完成される。
５は第１転送電極、５１は第１ポリシリコン膜、７は第
２転送電極、７１は第２ポリシリコン膜、８はゲート酸
化膜、９はレジスト膜パターン、１０はシリコン酸化膜
、１１はレジスト模パターン、３１は走査線、３２は光
電変換部、３５はコンタクト１１１１１，３６はトラン
スファゲートである。 ′ 第６図（ａ）〜（ｄ ＞は、従来の二相駆動電荷転送装
置の製造方法の主要工程段階における状態を示ず断面図
である。この二相駆動電荷転送装置は、ポテンシャル井
戸の形をイオン注入により制御し、ポリシリコンオーバ
ラップ電極構造を用いたものである。この製造方法につ
いて説明すると、まず、ｐ型シリコン基板１の表面にゲ
ート酸化膜８を形成する。（第６図（ａ））。次に、ゲ
ート酸化膜８の表面に第１ポリシリコン１１５１を形成
する。続いて第１ポリシリコン膜５１の表面の所定部に
写真製版技術により互いに間隔を隔てて複数個のレジス
ト膜パターン９を形成する（第６図（ｂ））。次に、レ
ジスト膜パターン９をマスクとして第１ポリシリコン膜
５１を選択エツチングして第１転送２を極５を形成し、
この後第１転送電極５を熱酸化してこの第１転送電極の
表面にシリコン酸化膜１０を形成する。続いて露出した
ゲート酸化１１８の表面およびシリコン酸化１１１１０
１７）表面に第２ポリシリコン膜７１を形成し、この後
第２ポ゛リシリコンＩＩ ７１の表面の所定部に写真製
版技術により互いに間隔を隔てて複数個のレジスト膜パ
ターン１１を形成する（第６図（Ｃ））。次に、レジス
ト膜パターン１１をマスクとして第２ポリシリコンｌ１
１７１を選択エツチングして第２転送電極７を形成する
（第６図（ｄ））。このように第１転送電極および第２
転送電極７との重ね合わせを逐次写真製版技術で行なう
ことによって二相駆動電荷転送装置が完成される。
第２図＜ａ ＞は従来の選択酸化法で素子分離領域を形
成した後に埋込チャネルを形成したときのチャネル幅に
対するポテンシャルを示したものである。第３図は上記
の従来法によって形成した埋込チャネルの断面を示すも
のである。図において１はｐ型基板あるいはｎ型基板中
のｐウェルに相当するもの、２はチャネルドープ領域（
ｐ＋型領領域、３は酸化膜、４は埋込チャネル（ｎ−型
領域）、５は電荷転送電極である。
成した後に埋込チャネルを形成したときのチャネル幅に
対するポテンシャルを示したものである。第３図は上記
の従来法によって形成した埋込チャネルの断面を示すも
のである。図において１はｐ型基板あるいはｎ型基板中
のｐウェルに相当するもの、２はチャネルドープ領域（
ｐ＋型領領域、３は酸化膜、４は埋込チャネル（ｎ−型
領域）、５は電荷転送電極である。
埋込チャネル４は完全に空乏化された状態で、ゲート電
極５に与えられた電位に応じてポテンシャルが決まる。
極５に与えられた電位に応じてポテンシャルが決まる。
第３図の主面に垂直方向に埋込チャネル４上に交互に形
成された転送電極に与えられる電位によって隣り合った
領域のポテンシャルが異なることになる。このポテンシ
ャルの深いところに転送されるべき電荷が入り、ゲート
電極に与えられたクロックパルスに従って電荷が転送さ
れる。
成された転送電極に与えられる電位によって隣り合った
領域のポテンシャルが異なることになる。このポテンシ
ャルの深いところに転送されるべき電荷が入り、ゲート
電極に与えられたクロックパルスに従って電荷が転送さ
れる。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の方法で作成された埋込ヂ１１ネルのポテンシャル
はチャネルドープ＠域２の横方向拡散による狭ヂャネル
効果によって埋込チャネルの濃度は所定の濃度より１く
なり、ポテンシャルが浅くなる。第２図（ａ）に示すよ
うに、この状況はチャネル幅が５μｍより狭くなると顕
著となりＣＯＤの転送効率の劣化を引き起こす。
はチャネルドープ＠域２の横方向拡散による狭ヂャネル
効果によって埋込チャネルの濃度は所定の濃度より１く
なり、ポテンシャルが浅くなる。第２図（ａ）に示すよ
うに、この状況はチャネル幅が５μｍより狭くなると顕
著となりＣＯＤの転送効率の劣化を引き起こす。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、狭チャネル効果を低減することによって従来
より狭い幅でも転送効率の良い電荷転送装置を得ること
ができる電荷転送装置の製造方法を得ることを目的とす
る。゛ ［問題点を解決するための手段］ この発明に係る電荷転送装置の製造方法は、半導体基板
表面の埋込チャネルとなるべき領域を除去し、前記除去
した領域に前記半導体基板と異なる導電型の不純物を導
入して埋込チャネルを形成し、その後前記埋込チャネル
上に転送電極等を形成するよう構成したものである。
たもので、狭チャネル効果を低減することによって従来
より狭い幅でも転送効率の良い電荷転送装置を得ること
ができる電荷転送装置の製造方法を得ることを目的とす
る。゛ ［問題点を解決するための手段］ この発明に係る電荷転送装置の製造方法は、半導体基板
表面の埋込チャネルとなるべき領域を除去し、前記除去
した領域に前記半導体基板と異なる導電型の不純物を導
入して埋込チャネルを形成し、その後前記埋込チャネル
上に転送電極等を形成するよう構成したものである。
［作用］
この発明における電荷転送装置の製造方法は。
半導体基板表面の埋込チャネルとなるべき領域を除去す
るため、狭チャネル効果の原因となるチャネルドープ不
純物の横方向拡散により形成された高濃度領域が除去さ
れる。
るため、狭チャネル効果の原因となるチャネルドープ不
純物の横方向拡散により形成された高濃度領域が除去さ
れる。
［発明の実施例］
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明に係る電荷転送装置の製造方法の製造工程
を示す図であり、図において１はｐ型基板、２はチャネ
ルドープ領域、３は酸化膜、４は埋込チャネル、５は電
荷転送電極、６はシリコンエツチングされた領域である
。
図はこの発明に係る電荷転送装置の製造方法の製造工程
を示す図であり、図において１はｐ型基板、２はチャネ
ルドープ領域、３は酸化膜、４は埋込チャネル、５は電
荷転送電極、６はシリコンエツチングされた領域である
。
第１図（ａ）はｎ型シリコン基板、またはｎ型シリコン
基板のｐウェル上に通常の製造方法に従って選択酸化後
、活性領域上の酸化膜をエツチングした後の断面を示す
。チャネル幅が狭い場合を想定しているので、チャネル
ドープ領域２を形成する不純物原子の横方向拡散によっ
てチャネル部にもｐ＋型領領域拡がっている状態を示し
ている。
基板のｐウェル上に通常の製造方法に従って選択酸化後
、活性領域上の酸化膜をエツチングした後の断面を示す
。チャネル幅が狭い場合を想定しているので、チャネル
ドープ領域２を形成する不純物原子の横方向拡散によっ
てチャネル部にもｐ＋型領領域拡がっている状態を示し
ている。
次に、将来埋込チャネルとなる部分のシリコン基板をエ
ツチングする。この状態を第１図（ｂ）に示す。次に埋
込チャネル４をリンのイオン注入および熱拡散によって
形成し、ゲート酸化膜を形成する。次いで電荷転送電極
を形成してＣＯＤ電荷転送素子を完成する。この状態が
第１図（ｄ ）である。
ツチングする。この状態を第１図（ｂ）に示す。次に埋
込チャネル４をリンのイオン注入および熱拡散によって
形成し、ゲート酸化膜を形成する。次いで電荷転送電極
を形成してＣＯＤ電荷転送素子を完成する。この状態が
第１図（ｄ ）である。
以上のようにして製造されたＣＯＤ電荷転送装置のポテ
ンシャルとチャネル幅との関係を第２図（ｂ）に示す。
ンシャルとチャネル幅との関係を第２図（ｂ）に示す。
従来法によって製造されたもの（ａ）と比べて、チャネ
ル幅が５μｍ以下の狭いチャネル幅であっても、ポテン
シャルの低下が抑えられていることがわかる。これは第
１図（ｂ）に示すように、従来狭チャネル効果の原因と
なっていたチャネル部への不純物原子の拡散部分をシリ
コンエツチングにより除去したことにより、゛第１図（
Ｃ）で形成した埋込チャネルのポテンシャルを所定の深
さに再現性良く形成できたことによる。
ル幅が５μｍ以下の狭いチャネル幅であっても、ポテン
シャルの低下が抑えられていることがわかる。これは第
１図（ｂ）に示すように、従来狭チャネル効果の原因と
なっていたチャネル部への不純物原子の拡散部分をシリ
コンエツチングにより除去したことにより、゛第１図（
Ｃ）で形成した埋込チャネルのポテンシャルを所定の深
さに再現性良く形成できたことによる。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、固体ｍｅ装置の電荷転
送装置の製造方法を、半導体基板表面の埋込チャネルと
なるべきチャネルドープ不純物の横方向拡散により形成
された高濃度領域を除去するステップと、前記除去した
領域に所定の不純物を導入して埋込チャネルを形成する
ステップと、前記埋込チャネル上部に転送電極を形成す
るステップとから構成したため、埋込チャネルのポテン
シャルを再現性良く所定の深さに調整することができ、
信号電荷の転送効率の改善が図り得るという効果がある
。
送装置の製造方法を、半導体基板表面の埋込チャネルと
なるべきチャネルドープ不純物の横方向拡散により形成
された高濃度領域を除去するステップと、前記除去した
領域に所定の不純物を導入して埋込チャネルを形成する
ステップと、前記埋込チャネル上部に転送電極を形成す
るステップとから構成したため、埋込チャネルのポテン
シャルを再現性良く所定の深さに調整することができ、
信号電荷の転送効率の改善が図り得るという効果がある
。
第１図はこの発明の一実施例による電荷転送装置の製造
フローを示す断面図、第２図は埋込チャネルのチャネル
幅に対するポテンシャルを示したもので、（ａ’）は従
来法によるもの、（ｂ）は本発明によるものである。第
３図は従来の電荷転送装置の断面図であり、第４図は固
体撮像装置の光電変換領域および垂直電荷転送部の平面
配置を示す図であり、第５図、第６図は第４図に示され
る固体圃像装２の断面構造を示す図である。 図において１はｎ型シリコン基板、２はチャネルドープ
領域、３は酸化膜、４は埋込チャネル、５は電荷転送電
極、６はシリコンエツチングされた領域である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
フローを示す断面図、第２図は埋込チャネルのチャネル
幅に対するポテンシャルを示したもので、（ａ’）は従
来法によるもの、（ｂ）は本発明によるものである。第
３図は従来の電荷転送装置の断面図であり、第４図は固
体撮像装置の光電変換領域および垂直電荷転送部の平面
配置を示す図であり、第５図、第６図は第４図に示され
る固体圃像装２の断面構造を示す図である。 図において１はｎ型シリコン基板、２はチャネルドープ
領域、３は酸化膜、４は埋込チャネル、５は電荷転送電
極、６はシリコンエツチングされた領域である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 複数個の光電変換素子と、前記複数個の光電変換素子の
各々に対して設けられて前記光電変換素子からの信号電
荷を選択的に読出すトランスファゲートと、前記トラン
スファゲートからの信号電荷を受けて転送する転送手段
とを含み、前記転送手段が信号電荷の通路となる第１導
電型の埋込チャネルを有する電荷転送装置から構成され
た固体撮像装置の電荷転送装置の製造方法であつて、前
記第１導電型と逆の第２導電型の半導体基板表面の前記
埋込チャネルとなるべき領域を除去するステップと、前
記除去された領域に第１導電型の不純物を導入して埋込
チャネルを形成するステップと、前記除去された領域の
前記埋込チャネルの上部に薄い絶縁膜を介して、受けた
信号電荷を転送する転送電極を形成するステップとを含
む電荷転送装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62138542A JPS63302553A (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 電荷転送装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62138542A JPS63302553A (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 電荷転送装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63302553A true JPS63302553A (ja) | 1988-12-09 |
Family
ID=15224588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62138542A Pending JPS63302553A (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 電荷転送装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63302553A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5086010A (en) * | 1988-12-19 | 1992-02-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing solid state image sensing device formed of charge coupled devices on side surfaces of trenches |
| US5114865A (en) * | 1989-04-07 | 1992-05-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a solid-state image sensing device having an overflow drain structure |
-
1987
- 1987-06-01 JP JP62138542A patent/JPS63302553A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5086010A (en) * | 1988-12-19 | 1992-02-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing solid state image sensing device formed of charge coupled devices on side surfaces of trenches |
| US5114865A (en) * | 1989-04-07 | 1992-05-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a solid-state image sensing device having an overflow drain structure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3225939B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP2576506B2 (ja) | Ｍｏｓ半導体装置 | |
| JP3200701B2 (ja) | 半導体装置の構造及び製造方法 | |
| JPH025432A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100309637B1 (ko) | 씨씨디형고체촬상장치 | |
| JPS63302553A (ja) | 電荷転送装置の製造方法 | |
| US5627096A (en) | Manufacturing method of electric charge transferring devices | |
| JPS6129154B2 (ja) | ||
| US4133099A (en) | Method of manufacturing a charge transfer device | |
| KR100311493B1 (ko) | 고체촬상소자및그의제조방법 | |
| JP2909158B2 (ja) | 電荷結合装置 | |
| JPH0714050B2 (ja) | 電荷転送デバイス | |
| US6507055B1 (en) | Solid state image pickup device and its manufacture | |
| JP2936153B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH05267633A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH04207077A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JP2724889B2 (ja) | 電荷転送素子 | |
| JP2623907B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS6040047Y2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH03181171A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JP2712424B2 (ja) | 電荷転送装置の製造方法 | |
| JPS62269355A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3076415B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPS61123173A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP2764988B2 (ja) | 半導体装置 |