JPS63303059A - 真空処理装置 - Google Patents

真空処理装置

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JPS63303059A
JPS63303059A JP13624587A JP13624587A JPS63303059A JP S63303059 A JPS63303059 A JP S63303059A JP 13624587 A JP13624587 A JP 13624587A JP 13624587 A JP13624587 A JP 13624587A JP S63303059 A JPS63303059 A JP S63303059A
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JP
Japan
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sputtering
chamber
wafer
vacuum processing
vacuum
Prior art date
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JP13624587A
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JPH0159353B2 (ja
Inventor
Koji Nomura
野村　耕二
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Tokuda Seisakusho Co Ltd
Original Assignee
Tokuda Seisakusho Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は真空処理８置に関し、特に多層スパッタ、反応
性スパッタ、バイアススパッタ、スパッタエッチ、ＤＣ
スパッタ、ＲＦスパッタ等の組合せ、あるいはエツチン
グ＋スパッタに使用可能なＶ！置に係わる。
（従来の技術） 従来、例えば多ｍ１（３１）のスパッタを行うスパッタ
リング８１としては、第２図に示すものが知られている
。
図中の１は、チャンバーである。このチャンバー１のａ
ｌｌにはウェハ２を搬送するための入口３が設けられ、
かつ中央にはウェハを立てかける回転可能なキャリア４
が設けられている。また、前記チャンバー１の内側壁に
は、ウェハに各スパッタ層を形成するためのタゲット５
ａ、５ｂ、５ｃが設けられ、各ターゲット５８〜５Ｃに
は夫々カバー６が設けられている。これらのカバー６は
、ターゲット５８〜５Ｇからの粒子が別のターゲット５
ａ〜５Ｃに付着するのを防ぐためのものである。
しかしながら、従来技術によれば、所定のターゲット（
例えば５ａ）を用いてスパッタを行う際、このターゲッ
ト５ａからの粒子がカバー６の存在にかかわらず他のタ
ーゲット５ｂ、５ｃに付着し、これらのターゲット５ｂ
、５ｃを用いてスバツタする際精度良いスパッタが不可
能となる。また、各スパッタとも同じチャンバー１内で
行うため同じ圧力でしかスパッタを行うことができず、
スパッタ作業の低下を招く。
スパッタ作業が複雑である。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、ウェハに所
定の粒子のスパッタあるいはエツチング等を行ない所望
の特性のウェハを得るとともに、各真空処理室で異なる
圧九条件下の処理が可能で作業能率の高い真空処理装置
を提供することを目的とする。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明は、真空処理室間に密閉性を有するゲートパルプ
を介して中間室を設けるとともに、中間室内の真空度を
真空処理室内のそれよりも高く維持することにより、ウ
ェハに所定の粒子のスパッタあるいはエツチング等を行
ない所望の特性のウェハを得るとともに、各真空処理室
で異なる圧力条件下の処理を可能とするものである。
即ち、本発明は、複数の真空処理室と、これら真空処理
室間に密閉性を有するゲートを介して設けられ、かつ前
記真空処理室に比べて真空度の高い中間室と、この中間
室を高真空にする手段とを具備することを要旨とする。
（作用） 本発明においては、中間室内の真空度が真空処理室内の
それよりも高く設定されるため、真空処理室内にスパッ
タなどによる粒子が残存していても、ゲートパルプを開
いてウェハを所定の高真空処理室から別の高真空処理室
へ搬送しようとしたとき、それらの粒子等が中間室へ排
出され、ウェハへ所望のスパッタあるいはエツチングが
可能となり、特性の優れたウェハを得ることができる。
（実施例） 以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
図中の１１は、スパッタリング装置である。この装置！
１１には、Ｏ−ド空１２、第１〜第４のスパッタ室（真
空処理室）１３．１４．１５．１６、及びアンローダ室
１７が設けられている。また、前記ロード室１２とスパ
ッタ室１３〜１６間には中間室１８，１９．２０が設け
られ、かつロード室１２．アンローダ室１７とスパッタ
室１３゜１６問には中間室２１が設けられている。
前記ローダ室１２はつＩハをセットしたカセットを載置
する８ＩＳｍであり、第１のスパッタ室１３側にはゲー
トパルプ２２ａが設けられている。また、前記第１のス
パッタ室１３にはゲートパルプ２２ｂ、２２ｃ、第２の
スパッタ室１４にはゲートパルプ２２６．２２ｅ、第３
のスパッタ室１５にはゲートパルプ２２ｆ、２２Ｑ、第
４のスパッタ室１６にはゲートパルプ２２ｈ、２２１、
アンローダ室１７にはゲートパルプ２２Ｊが設けられて
いる。
前記中間室１８〜２０は上部で互いに連結され、ポンプ
（図示せず）の作動により排気口２３から各中間室内が
高真空にされるようになっている。
また、同様にして中間室２１にも排気口２４が取付けら
れている。なお、作動時中間室１８〜２１内の真空度は
スパッタ室１３〜１６及びアンローダ室１７内のそれよ
りも高く設定されている。
こうした構造のスパッタリング装置において、ロード室
１２にセットされたウェハは、ゲートパルプ２２ａ、２
２ｂを開いた状態で中間室２１を経て第１のスパッタ室
１３へ移動する。つづいて、ウェハはゲートパルプ２２
ｃ、２２ｄを開いた状態で第１のスパッタ室１３から第
２のスパッタ室１４へ移動する。この際、第１のスパッ
タ室１３内の真空度が第２のスパッタ室１４内のそれよ
りも高く設定されるため、スパッタ時に飛散った粒子等
は中間室２１に流れる。以後、ウェハは第２のスパッタ
室１４から中間室１９．第３のスパッタ室１５．中間室
２０．第４のスパッタ室１６゜中間室２１を軽てアンロ
ーダ室１７へ搬送される。
しかして、本発明に係るスパッタリング装置は、第１〜
第４のスパッタ室１３．１４．１５．１６問に夫々中間
室１８．１９．２０が設けられるとともに、各スパッタ
室に密閉性を有するゲートバルブ２２ｃ〜２２ｈが設け
られ、かつ中間室１８〜２０内の真空度をスパッタ室１
３〜１６内のそれよりも高く設定した構造となっている
。従って、所定のスパッタ室でスパッタ時に生じた粒子
が真空度の高い中間室へ移動するため、ウェハに所定の
粒子をスパッタでき、所望の特性を有したウェハを得る
ことができる。また、各スパッタ室１３〜１６がゲート
バルブで完全に仕切られているため、各スパッタ室１３
〜１６で夫々適切な圧力下でスパッタを行うことができ
、スパッタ作業が容易となる。
なお、上記実施例では多層スパッタの場合について述べ
たが、これに限定されず、反応性スパッタ、バイアスス
パッタなどの組合せ、あるいはエツチングとスパッタの
組合せ等も可能である。
また、上記実施例ではスパッタ室が４つある場合につい
て述べたが、これに限定されるものでは勿論ない。
［発明の効果］ 以上詳述した如く本発明によれば、ウェハに所定の粒子
のスパッタあるいはエツチング等を行ない所望の特性の
ウェハを得るとともに、各真空処理室で異なる圧力条件
下のスパッタ処理等が可能な作業性のよい真空処理装置
を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に係るスパッタリング装置の
説明図、第２図は従来のスパッタリング装置の説明図で
ある。 １２・・・ロード室、１３〜１６・・・スパッタ室、１
７・・・アンローダ室、１８〜２１・・・中間室、２２
ａ〜２２ｊ・・・ゲートバルブ、２３．２４・・・排気
口。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第１図 第２図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）複数の真空処理室と、これら真空処理室間に密閉
    性を有するゲートを介して設けられ、かつ前記真空処理
    室に比べて真空度の高い中間室と、この中間室を高真空
    にする手段とを具備することを特徴とする真空処理装置
    。
  2. （２）真空処理室がスパッタ室であることを特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載の真空処理装置。
JP13624587A 1987-05-30 1987-05-30 真空処理装置 Granted JPS63303059A (ja)

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JPH0159353B2 JPH0159353B2 (ja) 1989-12-15

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