JPS63303082A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPS63303082A JPS63303082A JP13487087A JP13487087A JPS63303082A JP S63303082 A JPS63303082 A JP S63303082A JP 13487087 A JP13487087 A JP 13487087A JP 13487087 A JP13487087 A JP 13487087A JP S63303082 A JPS63303082 A JP S63303082A
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- JP
- Japan
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- processing
- liquid
- wafer
- dry
- tank
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板などを処理する装置に係り、特に
微細パターンを有する半導体基板を処理するのに好適な
処理装置に関する。
微細パターンを有する半導体基板を処理するのに好適な
処理装置に関する。
半導体製品製造工程において、エツチング、洗浄を目的
とした液処理が広く行われている。しかし、処理液の表
面張力が大きい場合、処理時に表面の濡れ、及び微細な
パターンへの液の浸透が不良となり処理ムラが発生する
。この様な問題を解決する為、処理液に有機溶媒や界面
活性剤を添加し、処理液の表面張力を低下させる方法が
提案されている（特開昭６１−４１７８１ ） 。
とした液処理が広く行われている。しかし、処理液の表
面張力が大きい場合、処理時に表面の濡れ、及び微細な
パターンへの液の浸透が不良となり処理ムラが発生する
。この様な問題を解決する為、処理液に有機溶媒や界面
活性剤を添加し、処理液の表面張力を低下させる方法が
提案されている（特開昭６１−４１７８１ ） 。
上記従来技術は、添加した有機溶媒及び界面活性剤によ
る後の工程への影響についての配慮がされておらず、処
理後の基板表面に界面活性剤等の有機物吸着層が形成さ
れ、後の工程で有機汚染物として作用するという問題が
あった。
る後の工程への影響についての配慮がされておらず、処
理後の基板表面に界面活性剤等の有機物吸着層が形成さ
れ、後の工程で有機汚染物として作用するという問題が
あった。
本発明の目的は、処理後の基板表面に有機物吸着層を形
成する事なく、微細なパターンを持つ基板を均一に処理
する処理装置を与える事にある。
成する事なく、微細なパターンを持つ基板を均一に処理
する処理装置を与える事にある。
上記目的は、基板に対し液体を用いて処理を行う湿式処
理槽の前に紫外線照射装置や、プラズマ処理装置を具備
する乾式処理槽を配置する事により達成される。
理槽の前に紫外線照射装置や、プラズマ処理装置を具備
する乾式処理槽を配置する事により達成される。
基板表面には、紫外線照射やプラズマ処理により、その
表面に高表面張力を持つ改質層が形成される。それによ
って処理液の表面張力よりも基板表面の表面張力が大き
くなり、基板表面に対する処理液の濡れ性が向上し、微
細なパターンを均一に処理する事が出来る。
表面に高表面張力を持つ改質層が形成される。それによ
って処理液の表面張力よりも基板表面の表面張力が大き
くなり、基板表面に対する処理液の濡れ性が向上し、微
細なパターンを均一に処理する事が出来る。
以下、本発明の一実施例を第１図から第７図により説明
する。
する。
処理装置！１８には、ローダ１９ａ、乾式処理槽３、湿
式処理槽６．アンローダ１９ｂが具備されている。−例
として、被処理基板をＳｉウェハ２とする。乾式処理槽
３内には、Ｓｉウェハ２ｂの載置部を有するテーブル１
０ａが回転軸１１ａ上に設けられている。テーブル１０
ａの上部には紫）外線灯５が設けられている。Ｓ外線灯
５は、例えば、１８４．９ｎｍや２５３．７ｎｍの波長
を含む紫外線をＳｉウェハ２ｂに向けて照射する。乾式
処理槽３の側部には、開閉可能なシャッター４ａ、４ｂ
が形成され、上部には導入口２０ａ、底部には排気口２
０ｂが形成されている。湿式処理槽６は上部６ｂと下部
６ａから成り、湿式処理槽下部６ａは上下動可能である
。湿式処理槽６内には、Ｓｉウェハ２ｃの載置部を有す
るテーブル１０ｂが回転軸１１ｂ上に設けられている。
式処理槽６．アンローダ１９ｂが具備されている。−例
として、被処理基板をＳｉウェハ２とする。乾式処理槽
３内には、Ｓｉウェハ２ｂの載置部を有するテーブル１
０ａが回転軸１１ａ上に設けられている。テーブル１０
ａの上部には紫）外線灯５が設けられている。Ｓ外線灯
５は、例えば、１８４．９ｎｍや２５３．７ｎｍの波長
を含む紫外線をＳｉウェハ２ｂに向けて照射する。乾式
処理槽３の側部には、開閉可能なシャッター４ａ、４ｂ
が形成され、上部には導入口２０ａ、底部には排気口２
０ｂが形成されている。湿式処理槽６は上部６ｂと下部
６ａから成り、湿式処理槽下部６ａは上下動可能である
。湿式処理槽６内には、Ｓｉウェハ２ｃの載置部を有す
るテーブル１０ｂが回転軸１１ｂ上に設けられている。
テーブル１０ｂの上部には液吐出口９とＮｚガス吐出口
８が設けられ、側部には排気ロアｂが、底部には排液ロ
アａが設けられている。液吐出口９からは、例えばＨｚ
ＯＨＦ の混合比が４：１の処理液１２や、すすぎ用の
純水が吐出される。ローダ１１９ａは、処理前Ｓｉウェ
ハ２ａを積載したキャリア１ａの載置部を有する。アン
ローダ１９ｂは、処理後Ｓｉウェハ２ｄを収容するキャ
リア１ｂの載置部を有する。第１図では、Ｓｉウェハ２
をローダ１９ａから乾式処理槽３へ、乾式処理槽３から
湿式処理槽６へ、湿式処理槽６からアンローダ１９ｂへ
搬送する機構は省略して示しである。
８が設けられ、側部には排気ロアｂが、底部には排液ロ
アａが設けられている。液吐出口９からは、例えばＨｚ
ＯＨＦ の混合比が４：１の処理液１２や、すすぎ用の
純水が吐出される。ローダ１１９ａは、処理前Ｓｉウェ
ハ２ａを積載したキャリア１ａの載置部を有する。アン
ローダ１９ｂは、処理後Ｓｉウェハ２ｄを収容するキャ
リア１ｂの載置部を有する。第１図では、Ｓｉウェハ２
をローダ１９ａから乾式処理槽３へ、乾式処理槽３から
湿式処理槽６へ、湿式処理槽６からアンローダ１９ｂへ
搬送する機構は省略して示しである。
この様に構成された処理装Ｗ１１８によれば、先ずシャ
ッター４ａを開け、被処理基板であるＳｉウェハ２をロ
ーダ１９ａから搬送して乾式処理槽内のテーブル１０ａ
上に載置した後シャッター４ｂを閉じる１次いで導入口
２０ａから酸素を含む気体、例えばオゾンと酸素の混合
気体を導入し、テーブル１０ａを回転させ、紫外線灯５
によって紫外線をＳｉウェハ２に照射して、Ｓｉウェハ
２上に酸化膜改質層１３を形成する。この改質層１３の
厚さは、例えば２５３．７ｎ−の紫外線の照度が１０ｍ
Ｗ／ｄ、 １８４．９ｎｉｚと２５３．７ｎｍの紫外線
強度が１２１０、大気雰囲気温度４５℃と照射時間１分
間の条件で約５人であり、その濡れ性は、純水との接触
角で４＠以下にまで高められる０次いでシャッター４ｂ
を開け、湿式処理槽下部６ａを降下し。
ッター４ａを開け、被処理基板であるＳｉウェハ２をロ
ーダ１９ａから搬送して乾式処理槽内のテーブル１０ａ
上に載置した後シャッター４ｂを閉じる１次いで導入口
２０ａから酸素を含む気体、例えばオゾンと酸素の混合
気体を導入し、テーブル１０ａを回転させ、紫外線灯５
によって紫外線をＳｉウェハ２に照射して、Ｓｉウェハ
２上に酸化膜改質層１３を形成する。この改質層１３の
厚さは、例えば２５３．７ｎ−の紫外線の照度が１０ｍ
Ｗ／ｄ、 １８４．９ｎｉｚと２５３．７ｎｍの紫外線
強度が１２１０、大気雰囲気温度４５℃と照射時間１分
間の条件で約５人であり、その濡れ性は、純水との接触
角で４＠以下にまで高められる０次いでシャッター４ｂ
を開け、湿式処理槽下部６ａを降下し。
Ｓｉウェハ２をテーブル１０ａから搬送してテーブル１
０ｂに載置した後湿式処理槽下部６ａを上昇させる０次
いでテーブル１０ｂを回転させながら、液吐出口９より
処理液１２を吹きつけて処理を行う、この処理では第２
図に示す様に、Ｓｉウ ）エバ２の濡れ性が高い為、隅
部２ｅに空隙１４を生ずる。一方、界面活性用人処理液
１５を使用する従来の方法では、第３図に示す様、隅部
２ｅにまで処理液１２が浸透する。これに対し乾式処理
を行わない従来の方法では第４図に示す様に、Ｓｉウェ
ハ２の濡れ性が低く、隅部２ｅにまで液１５は浸透する
。処理終了後、液吐出口９より純水を吹きつけすすぎを
行い、この際生ずる排液は排液ロアａから排出される。
０ｂに載置した後湿式処理槽下部６ａを上昇させる０次
いでテーブル１０ｂを回転させながら、液吐出口９より
処理液１２を吹きつけて処理を行う、この処理では第２
図に示す様に、Ｓｉウ ）エバ２の濡れ性が高い為、隅
部２ｅに空隙１４を生ずる。一方、界面活性用人処理液
１５を使用する従来の方法では、第３図に示す様、隅部
２ｅにまで処理液１２が浸透する。これに対し乾式処理
を行わない従来の方法では第４図に示す様に、Ｓｉウェ
ハ２の濡れ性が低く、隅部２ｅにまで液１５は浸透する
。処理終了後、液吐出口９より純水を吹きつけすすぎを
行い、この際生ずる排液は排液ロアａから排出される。
その後、Ｎ２ガス吐出口８よりＮＺガスを吹きつけ、排
気ロアｂから排気を行いながらテーブル１０ｂを回転さ
せＳｉウェハ２を乾燥させる。改質層１３は処理液１２
により除去される為、Ｓｉウェハ２は乾燥後は第５図に
示す様、均一な処理面が行え、洗浄処理においては清洗
面が得られる。これに対し、乾式処理を行わない従来の
方法では第７図に示す様に、隅部２ｅの処理が行えず、
洗浄処理においては汚染１７が除去されない、一方、界
面活性用人処理液１５を使用する従来の方法では第６図
に示す様□ にＳｉウェハ２表面に界面活性剤吸着層１
６が形成されてしまい、洗浄処理においては清浄面が得
られない１次いで鍼式処理槽下部６ａｔＩ−降下し、Ｓ
ｉウェハ２をテーブル１０ｂからアンローダ１９ｂに搬
送し、キャリア１ｂに収納する。
気ロアｂから排気を行いながらテーブル１０ｂを回転さ
せＳｉウェハ２を乾燥させる。改質層１３は処理液１２
により除去される為、Ｓｉウェハ２は乾燥後は第５図に
示す様、均一な処理面が行え、洗浄処理においては清洗
面が得られる。これに対し、乾式処理を行わない従来の
方法では第７図に示す様に、隅部２ｅの処理が行えず、
洗浄処理においては汚染１７が除去されない、一方、界
面活性用人処理液１５を使用する従来の方法では第６図
に示す様□ にＳｉウェハ２表面に界面活性剤吸着層１
６が形成されてしまい、洗浄処理においては清浄面が得
られない１次いで鍼式処理槽下部６ａｔＩ−降下し、Ｓ
ｉウェハ２をテーブル１０ｂからアンローダ１９ｂに搬
送し、キャリア１ｂに収納する。
なお乾式処理槽３内で行う表面改質処理方法としては、
上記の紫外線による処理の他に、プラズマによる処理も
有効である為、乾式処理槽３内にプラズマ発生用高周波
電極を備えた装置、外部で発生させたプラズマを乾式処
理槽３内へ運搬する機能を備えた装置も上記処理装置と
して有効である。
上記の紫外線による処理の他に、プラズマによる処理も
有効である為、乾式処理槽３内にプラズマ発生用高周波
電極を備えた装置、外部で発生させたプラズマを乾式処
理槽３内へ運搬する機能を備えた装置も上記処理装置と
して有効である。
以上説明した様に、本発明に係る処理装置によれば、微
細パターンを持つ基板の均一エツチング及び高清浄度洗
浄が効果的に行える効果がある。
細パターンを持つ基板の均一エツチング及び高清浄度洗
浄が効果的に行える効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２図は本発
明を用いた場合の液処理状態を説明する為の断面略図、
第３図及び第４図は従来の方法を用いた場合の液処理状
態を説明する為の断面略図、第５図は本発明を用いた場
合の処理後のＳｉウェハの表面の状態を示す説明図、第
６図は及び第７図は従来の方法を用いた場合の処理後の
Ｓｉウェハの表面の状態を示す説明図である。
明を用いた場合の液処理状態を説明する為の断面略図、
第３図及び第４図は従来の方法を用いた場合の液処理状
態を説明する為の断面略図、第５図は本発明を用いた場
合の処理後のＳｉウェハの表面の状態を示す説明図、第
６図は及び第７図は従来の方法を用いた場合の処理後の
Ｓｉウェハの表面の状態を示す説明図である。
Claims (1)
- １、基板に対し液体を用いて処理を行う湿式処理槽を有
する処理装置において、湿式処理槽の前に基板表面に改
質層を形成する乾式処理槽を有する事を特徴とする処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62134870A JPH07110998B2 (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62134870A JPH07110998B2 (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63303082A true JPS63303082A (ja) | 1988-12-09 |
| JPH07110998B2 JPH07110998B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=15138399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62134870A Expired - Lifetime JPH07110998B2 (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07110998B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05251421A (ja) * | 1992-03-09 | 1993-09-28 | Nec Kyushu Ltd | エッチング方法 |
| JP2006173260A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法及び装置 |
| US7271109B2 (en) | 1994-09-26 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solution applying apparatus and method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5348947A (en) * | 1976-10-18 | 1978-05-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | Photoethcing method for oxidized film |
-
1987
- 1987-06-01 JP JP62134870A patent/JPH07110998B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5348947A (en) * | 1976-10-18 | 1978-05-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | Photoethcing method for oxidized film |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05251421A (ja) * | 1992-03-09 | 1993-09-28 | Nec Kyushu Ltd | エッチング方法 |
| US7271109B2 (en) | 1994-09-26 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solution applying apparatus and method |
| JP2006173260A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07110998B2 (ja) | 1995-11-29 |
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Legal Events
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