JPS63304551A - 撮像管及びその動作方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は撮像管及びその動作方法に係り、特に良好な光
応答特性を保持した状態で感度を大幅に高めた阻止型接
触を有する光導電膜よりなる撮像管及びその動作方法に
関する。

〔従来の技術〕

既に知られているように、光導型彫撮像管に用いられる
ターゲットには、信号電極側および電子ビーム走査側か
らの電荷の注入を阻止した構造の、いわゆる阻止型ター
ゲット（例えば特許第９０２１３９号）と、信号電極側
と電子ビーム走査側の双方、あるいはそれらの一方から
電荷が注入される構造の、いわゆる注入型ターゲットが
ある。このうち阻止型ターゲットは残像が小さくできる
という特徴を持っているが、光導電膜での増幅作用がな
いためこれまでに利得が１より大の高い感度を有するも
のは得られていない。

一方、注入型ターゲットでは、原理的に入射光子数以上
の電子を外部回路に取りだすことができるので、利得が
１より大の高感度化の可能性があり、すでにｎｐ構造の
単結晶半導体ターゲツト板を用いた高感度撮像管（特許
第５７１５０３号）や、光導電層のビーム走査側に、走
査電子の注入および走査電子と正孔の再結合が行われる
電子性人再結合層を設けた高感度撮像管ターゲット（特
願昭６０−１４０２８８号）が提案されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、光導電型撮像管ターゲットの感度を利得を１よ
り大に増加せしめた上記従来技術はいずれも走査電子の
一部を撮像管ターゲットに注入させる方式であるため、
原理上ターゲットの実効蓄積容量が増加し、残像が大き
くなる問題があった。

また、前記特許第５７１５０３号明細書に記載されてい
る「半導体ターゲツト板」を有する撮像管では、ｎ型単
結晶半導体層に到達した走査電子がｎ型単結晶半導体層
を通り信号電極に達する平均走査時間をＴｔ、ｎ型単結
晶半導体層における電子の平均寿命時間をＴｎ、走査電
子ビームの１画素走査時間をＴｅとするとき、Ｔｔ＜Ｔ
ｎ＜Ｔｅの条件を要するなどの制約があり、さらにまた
、良質の単結晶半導体基板を得ることは困難であること
に加え、単結晶基板としてＳｉ単結晶を用いる場合は、
基板の比抵抗が低いため、前記特許公報にも記載されて
いるように、ｎｐ構造をモザイり状に分離せざるを得す
、撮像管の解像度を高めるうえでは好ましくなかった。

本発明の目的は、これら従来の問題点を除去し、低残像
、高解像度で、感度を大幅に高めた撮像管及びその動作
方法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、阻止型構造を有する光導電性のターゲット
部に、電荷増倍機能をもつ非晶質半導体層を用いること
により、達成される。

また、そのようなターゲット部に上記非晶質半導体層内
で電荷増倍作用が生ずる電界を引加して撮像管を動作さ
せることにより、達成される。

本発明者等は、Ｓｅを主体とする非晶質半導体層に強い
電界をかけると非晶質半導体層の内部で電荷増倍作用が
起こることを発見した。非晶質半導体におけるこのよう
な増倍現象の確認は、本発明者等によって初めてなされ
た。

第２図は本発明に係る撮像管のターゲット部の原理構成
図である。透光性基板２１．透光性電極２２、非晶質半
導体層２４．電子注入阻止層２５を示した。

透明電極２２と光感電膜２４の間に充分な整流性接触が
得られない場合には、整流性接触補助層２３を介在させ
て整流性接触の機能を強化するのも有効である。

非晶質半導体層に強い電界を印加したときに非晶質半導
体層内で電荷増倍作用が生じる現象を利用し、さらにこ
のような動作を有効に発生させるようなターゲット構造
とすることにより、残像を増加させることなく利得が１
より大の高い感度を有する撮像管を得ることができる。

特に、前記光導電膜がセレンを主体とする非晶質半導体
層により形成される場合には、前記電荷増倍作用が生じ
る電界領域が少なくとも５×１０７Ｖ／ｍから２Ｘ１０
”Ｖ／ｍの範囲で撮像管に好適な電荷増倍作用を得るこ
とができる。

第１図は、本発明に係る撮像管の原理的構成例を示して
いる。

撮像管は、透光性基板１．透光性電極２．光導電膜３よ
りなるターゲット部を用い、電子ビーム６を放出、加速
、偏向集束する電極群４，９゜１０をガラス国体５に真
空封入することにより作成される。

カソード４から放出された電子は、加速電極９に加えら
れる電圧により加速され、また偏向集束電極１０に加え
られる電圧により偏向、集束され、電子ビーム６となっ
て光導電膜３の面を走査する。

電子ビームによって走査されている部分では、その電子
ビーム、透光性電極２を経由して外部抵抗７、外部電極
８と閉回路が形成され、光導電膜３は電子ビーム走査側
が負電位となる向きに外部電圧まで充電される。この状
態で光１１が照射されると、透光性基板１を透過した光
が光導電膜３で吸収され光キャリアを生成する。この光
キャリアは外部電源８によってきまる光導電膜３内の電
界によって分離され、光導電膜３内を走行する。撮像管
は通常図示の電界配置で用いられるため、光キャリアの
うち正孔は電子ビーム走査側に、電子は透光性電極２側
へ走行し、前述のように充電されている光導電膜３両端
の電位差が減少する。

次に電子ビーム６によって走査されたとき、この電位差
の減少分を補うように光導電膜３は再び充電さ九、この
とき外部抵抗７に流れる電流が信号として取り出される
。

以上の過程において外部から印加される電界が充分高け
れば、光導電膜３内を走行する光キャリアは強く加速さ
れ、高エネルギーを得てそのエネルギーにより新たな光
キャリア対を生成する。そしてこの光キャリアの数はな
だれ的に増加する。

従ってこの場合、光キャリア数が増倍されない場合と比
較して、同じ強さの光に対しても上記過程による電位差
の減少が大きくなり、これに伴い再充電の過程で流れる
電流が大きくなる。即ち信号感度が高くなることを意味
している。

ところで、非晶質半導体層に、内部で電荷増倍作用を生
ぜしぬるほどに強い電界を印加すると、整流性接触即ち
正孔注入阻止の機能が不充分となつたり、゛′奪ズが発
生しやすくなったり、あるいは走査ビームからの電子注
入阻止機能が不充分となって暗電流が増加し、画質が低
下する欠点がある。

これらの欠点は、次に述べるように非晶質半導体層内へ
特定の物質を添加して非晶質半導体層内の電界配分を制
御することにより解決できる。

先ず、本発明者らは正孔注入阻止機能を高めたり、キズ
の発生を抑制する目的でＳｓを主体とする非晶質半導体
層内の少くとも一部にこの非晶質半導体層中で正孔捕獲
準位を形成する物質を含有せしめることが有効であるこ
とを見い出した。又、このような非晶質半導体層中で正
孔捕獲準位を形成する物質としてはＬｉ、Ｎａ、に、Ｍ
ｇｔ　ＣａｔＢａ、Ｔｌおよびそれらのフッ化物、およ
びＡΩ。

Ｃｒ、Ｍｎ、Ｇｏ、Ｐｂ、Ｃｅのフッ化物からなる群か
ら選ばれた少くとも一部が極めて有効である。このうち
フッ化物については、ＬｉＦ、ＮａＦ。

ＭｇＦ　２．ＣａＦ　２．ＢａＦ　２．ＡＱＦ　３．Ｃ
ｒＦ　３゜ＭｎＦ２．ＣＯＦ２．ＰｂＦ２．ＣｅＦ２．
ＴｆｌＦ。

ＫＦのような化学量論的組成をもったものでも良いし、
それらからずれた組成比のものでもよい。

さらに詳細に調べた結果、このような非晶質半導体層中
で正孔捕獲準位を形成する物質は、光導電膜の膜厚方向
に対して、必ずしも均一の濃度で分布している必要はな
く、濃度変化を持っていてもかまわないし、又その一部
分にのみ含有させてもよく、特に光入射側に添加した場
合に、電荷増倍機能を損なうことなしに電極界面近傍の
電界を緩和することができるので、その効果は顕著であ
ることが明らかとなった。

大切なことは、阻止型構造であって、光導電膜を形成す
る非晶質半導体層の少くともその一部にこの非晶質半導
体層中で正孔捕獲準位を形成する物質のうち少くとも一
部を含有せしめることである。

第５図はＳｅを主体とする非晶質半導体層の一部にＬｉ
Ｆを２０００重量ｐｐｍ含有せしめたターゲットにおけ
るキズの発生状況をＬｉＦを添加しなかったターゲット
の場合と比較して示したものである。図から明らかなよ
うに、ＬｉＦを非晶質半導体層の少くとも一部に含有せ
しめることにより、電荷の増倍作用を損なうことなく光
導電膜内の電界を制御しキズの発生率を大幅に減少出来
ることが明らかである。

上記非晶質半導体層中で上記正孔捕獲準位を形成する物
質の添加効果は、その添加量が少ないと充分でなく、ま
たその添加量が多すぎると上記非晶質半導体層内の電界
が変動しやすく焼付を生じるおそれがある。従って、上
記添加物質の非晶質半導体層内膜厚方向の局所的濃度は
２０重量ｐｐｍ以上１０重量％以下であることが望まし
い。

更にまた、Ｓｅを主体とする非晶質半導体層に、内部で
電荷増倍作用を生せしめるほどに強い電界を印加する場
合、走査電子ビームに対する阻止機能を高めるために発
明者らは非晶質半導体層の少くとも一部分に非晶質半導
体層中で電子捕獲準位を形成する物質を含有せしめるこ
とが有効であることを見い出した。この方法によれば走
査電子ビーム側阻止層の膜厚を増加させて電流を小さく
することができ、走査電子ビームに対する阻止機能を強
化する必要が無く、残像が増加して画質を低下させるこ
ともない。また、電荷増倍作用を損うことなく良好な暗
電流特性を得ることができた。

このような、非晶質半導体層中で電子捕獲準位を形成す
る物質としては、酸化銅、酸化インジウム、酸化セレン
、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン
、フッ化ガリウム、フッ化インジウム、Ｚｎ、Ｑａ、Ｉ
　ｎ、ＣＱ、Ｉ、およびＢｒから成る群から選ばれた少
くとも一部が極めて有効であることが明らかとなった。

ここで酸化物、フッ化物に関しては、ＣｕＯ。

Ｉｎ２Ｏ３，５ｅ０２．Ｖ２Ｏ６，ＭｏＯ３，ＷＯ２゜
ＧａＦ３．ＩｎＦ３の様な化学量論的組成を有するもの
であっても、またそれらからずれた組成比を有するもの
であってもよい。

本発明者らはさらに詳細に調べた結果、このような非晶
質半導体層中で電子捕獲準位を形成する物質を電子ビー
ム走査側近傍に添加すると、電荷増倍機能を損うことな
しに電子ビーム走査側近傍の電界を緩和することができ
るので、その効果が顕著であること、添加する物質は光
導電層の膜厚方向に対して、必ずしも均一の濃度で分布
している必要はなく、濃度変化を持っていてもかまわな
いことが明らかとなった。Ｓｅを主体とする非晶質半導
体層の膜厚方向の少くとも一部に添加する前記電子捕獲
準位を形成する物質の濃度が少ない場合には、本発明の
効果は充分ではなく、また、多すぎる場合は焼付が生じ
やすくなるおそれがある。

従って、前記非晶質半導体層に添加する電子捕獲準位を
形成する物質の非晶質半導体層の膜厚方向の局所的な濃
度は２０重量ｐｐｍ以上１０重量％以下であることが望
ましい。

なお、この添加濃度の値は、添加する物質が複数種類で
ある場合には、その各添加物質の添加量の合計値である
。さらにまた上記電子捕獲準位を形成する物質を添加す
ると同時に少なくとも電子ビーム走査側近傍の一部にＡ
ｓ又はＧｅの少くとも一者を添加した層を形成すると、
その効果が更に高められることが明らかとなった。

第　　　　　１　　　　　表 第１表は、本発明を適用しＳｅを主体とする非晶質半導
体層の走査側近傍の一部分に酸化インジウムを２０００
重量ｐｐｍ、Ａｓを３８．８重量％含有せしめたターゲ
ット部（Ｉ）における暗電流特性と本発明を適用しなか
ったターゲット部（ＩＩ）の暗電流特性とを比較して示
したものである。以下、本発明では非晶質半導体層に添
加する物質の濃度はすべて重量比で表わすことにする。

表から明らかなように、本発明を適用した場合には、電
荷の増倍作用を損なうことなくターゲット部内の電界を
制御し暗電流を大幅に減少出来ることが明らかである。

上述してきた、非晶質半導体層内に正孔捕獲準位を形成
する物質を添加する手段と、電子捕獲準位を形成する物
質を添加する手段は組み合せて用いることもできる。

また、第６図は、光導電膜に膜厚がそれぞれ異なるＳｅ
を主体とする非晶質半導体層を用いた撮像管のターゲッ
ト部において、利得１、または１０が得られるようなタ
ーゲット印加電圧、ならびに該ターゲット電圧印加時の
暗電流と膜厚の関係を示す図である。同図から、非晶質
半導体層の膜厚が０．５μｍ以下になると、暗電流が急
激に増大することがわかる。したがって、この非晶質半
導体層の膜厚は０．５μｍ以上が望ましい。

一方、膜厚が厚くなると１より犬の利得を得るために必
要なターゲット印加電圧が高くなり、画面周辺にさざ波
状の模様（以下「さざ波現象」と呼ぶ。）が発生しやす
くなる。このように異常現象は印加電圧が７００ｖ以上
で発生しやすくなるので、実用上、この非晶質半導体層
の膜厚は、同図から１０μｍ以下が望ましいことがわか
る。

また、上記非晶質半導体層中で正孔捕獲準位を形成する
物質および／または電子捕獲準位を形成する物質を含有
せしめてキズの発生率を低減する方法を組合せてもよい
。さらにまた、光導電膜は必ずしも非晶質半導体層の単
層である必要は無く、電荷増倍機能を有する異なる２種
以上の非晶質半導体層を堆積した構成でも良く、また、
結晶半導体層と上記非晶質半導体層を堆積した構成でも
良い。必要なことは、Ｓｅを主体とする非晶質半導体層
を少くとも含む光導電膜の内部で電荷の増倍を生じせし
めて用いる撮像管において、Ｓｅを主体とする非晶質層
の全膜厚を０．５μｍ以上１０μｍ以下とすることであ
る。

ところで、非晶質半導体層としてＳｅを主体とする非晶
質半導体材料を用いる場合には、入射光を吸収して光キ
ャリア、即ち電子正孔対を発生しうる入射光の長波長側
の限界は、非晶質Ｓｅのエネルギーギャップで制限され
る。更に、非晶質Ｓｅには、入射光を吸収して発生した
電子正孔対の一部が電界により分離して信号電流になる
まえに再結合して消滅してしまうという性質がある。

この現象は入射光が長波長の場合はど顕著であり、非晶
質Ｓｅ膜内で電荷増倍作用が生ずるような強電界領域で
もこの傾向はまだ残っている。

これらの問題を解決するには以下に述べる２つの手段が
有効であることがわかった。

先ず第１に本発明者等によれば、Ｓｅを主体とする非晶
質半導体層の少くとも一部にＴｅ、Ｓｂ。

Ｃｄ、Ｂｉのうち少なくとも一者を添加した場合に、前
記電荷増倍作用が維持され、長波長光に対しても容易に
高感度が得られることが明らかとなった。この時、Ｓｅ
を主体とする非晶質半導体層に添加する元素の濃度は非
導電膜内で膜厚方向に対して一定である必要はなく、濃
度分布を持っていても構わない。第７図は、同一動作条
件下で得られた長波長光に対する感度とＴｅの平均添加
濃度の関係の一例を示したものである。図から明らかな
ように、Ｔｅ添加濃度が増すにつれて長波長光に対する
感度が増加しており、Ｔｅを添加することが極めて有効
であることがわかる。必要なことはＴｅ、Ｓｔｚ　Ｃｄ
、Ｂｉのうち少なくとも一者を添加することである。添
加する物質の濃度は撮像管の用途に応じて選択すべきで
あるが、平均値で０．０１重量％以上であることが望ま
しい。

しかし、添加量が多すぎると、阻止型接触部分の電界が
強くなって暗電流が増加するため撮像管として良好な特
性が得られなくなる。望ましくは添加する物質の濃度の
平均値を５０重重量以下とすべきである。又、安定な整
流特性を得るには、例えば第１図に示した光導電膜３が
Ｓｅを主体とする非晶質半導体層のみから構成される場
合には、その光入射側電極界面の部分には上記物質を添
加しない方が望ましい。

前述の問題を解決するための第２の手段として、非晶質
半導体層自体に電荷発生と電荷増倍の両方の機能を持た
せるのではなく、新たに非晶質半導体層と異なる光キャ
リア発生層を非晶質半導体層に隣接して光導電膜内に設
ける手段がある。この光キャリア発生層で入射光を吸収
させて光キャリアの大部分を発生せしめ、これを非晶質
半導体層に導いて非晶質半導体層内で増倍させれば、非
晶質半導体層内での自由電子と自由正孔の直接的な再結
合による消滅は極めて少いので上記の非晶質半導体層内
部での光キャリア再結合による効率低下の問題を解決で
きる。この手段によれば、光キャリア発生層の材料を目
的に応じて選択することにより、撮像管の用途にかなっ
た分光感度特性を設定することができる。

例えば非晶質Ｓｅは真空蒸着法により任意の光キャリア
発生層の上に均質の薄膜形成が容易に出来るので、電荷
増倍層に非晶質Ｓｅを用いた光導電膜を有するものは撮
像管のターゲット部として極めて有効である。

このとき、光キャリア発生層を非晶質Ｓｅ電荷増倍層よ
りも透明電極側の位置に設けると、非晶質Ｓｅ内に流入
する電荷はほとんど正孔になるので、光生成される電子
の走行に基づく雑音成分を考慮する必要がなくなり、低
雑音増幅を行ううえでさらに好都合である。

第８図は本発明に係る撮像管を実施する場合ののターゲ
ット部を示す原理構成図である。透光性基板８１．透光
性電極８２．光を吸収して電荷を＝２４− 生ずる光キャリア発生層８６．電荷増倍層として働く非
晶質半導体層８４．電子注入阻止Ｎ８５を示しである。

透光性電極８２と光キャリア発生層８６との界面に、透
光性電極８２から光キャリア発生層８６への正孔注入を
阻止するための充分な整流性接触が得られない場合には
、整流性接触補助層８３を介在させて整流性接触の機能
を強化することも有効である。

光キャリア発生層を構成する材料は、光吸収係数が大で
、かつ光電変換効率の大きなものであることはいうまで
もないが、必ずしも非晶質材料である必要はなく、結晶
性材料でもかまなわい。具体的には、たとえばカルコゲ
ナイド系非晶質半導体、テトラヘドラル系非晶質半導体
、ｍ−ｖ族化合物半導体、Ｉ［−Ｖｌ族化合物半導体も
しくはそれらの化合物などを用い得る。この場合、高電
界下で透光性電極から光キャリア発生層への正孔の流入
は阻止されているが、光キャリア発生層から非晶質半導
体層への正孔の流入は容易でなければならないことが重
要である。

光キャリア発生層から電荷増倍層へのキャリアの走行が
スムースに行われない場合には、光キャリア発生層と電
荷増倍層との間に光キャリア発生層とは組成の異なる化
合物材料からなる中間層を挿入してキャリア走行性を向
上させることも有効である。この中間層として例えばＳ
ｅを主体とする非晶質半導体層にビスマス、カドミウム
またはそれらのカルコゲン化物、テルル、スズ等のバン
ド・ギャップを変化させる物質や、ヒ素、ゲルマニウム
、アンチモン、インジウム、ガリウムまたはそれらのカ
ルコゲン化物、硫黄、塩素、ヨウ素。

臭素、酸化銅、酸化インジウム、酸化セレン、ｉ酸化バ
ナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、フッ化
ガリウム、フッ化インジウム等の負の空間電荷を形成す
る物質を添加して光導電膜内の電界強度の分布を変化さ
せる層を用いるのが効果的である。

いずれにせよ上記中間層の目的は、高電界下で電荷増倍
層から光キャリア発生層への電子の流入および光キャリ
ア発生層から非晶質半導体層への正孔の流入を容易なら
しめるためのものであって、中間層を形成する材料は必
ずしも上記の元素、添加物に限られるものではない。

第９図は本発明に係る撮像管を実施する場合のターゲッ
ト部の原理的構成図である。透光性基板９１、透光性電
極９２、光を吸収して電荷を生ずる光キャリア発生層９
６、電荷増倍層として働く非晶質半導体層９４、電子注
入阻止層９５が図示してあり、透光性電極９２と光キャ
リア発生層９６との界面に、透光性電極９２から光キャ
リア発生層９６への正孔注入を阻止するための充分な整
流性接触が得られない場合には、整流性接触補助層９３
を介在させて整流性接触の機能を強化することが有効で
あることは、第８図の説明で述べたのと同様である。第
９図では上記した中間層９７の位置を原理的に示してい
る。

この中間層に関し、膜中の電界強度を変化させる目的で
は、テトラヘドラル系材料からなる非晶質半導体層へ■
族、■族などの伝導型を変調できる物質を微量添加する
ことも有効であった。

　９Ｑ　一 本発明者らは、光キャリア発生層について更に検討を加
え、以下に示す二者が好適であることを見い出した。

第一に、Ｚｎ、Ｃｄ、ＨｇおよびＰｂよりなる第１の群
のうちの少なくとも−っの元素と、Ｏ２Ｓ、Ｓｅおよび
Ｔｅよりなる第２の群のうちの少なくとも一つの元素と
を組み合わせたものをキャリア発生層の主体的な材料と
すれば、このキャリア発生層により高い光電変換効率が
得られる。そして、元素の組合せや組成比率によって光
学的バンドギャップ幅を調節でき、分光感度の制御がで
きるので、前記の光キャリア発生層の材料として極めて
優れている。

この光キャリア発生層の材料としては、例えば、Ｚ　ｎ
　Ｓ　、　Ｃｄ　Ｓ　、　Ｚｎ５ｅ、　ＣｄＳｅ、　Ｚ
ｎＴｅ。

ＣｄＴｅ、ＨｇＣｄＴｅ、Ｐ　ｂＯおよびｐｂｓの少な
くとも一つを主体とする材料が好ましい。

また、例えば光キャリア発生層にＣｄＳｅや、Ｃｄ　Ｓ
、ＺｎＣｄＴｅ、ＣｄＴｅなどを使用したターゲットは
可視光および近赤外光領域での撮像に適しており、Ｐｂ
ＳやＨｇＣｄＴｅなどを用いたものは赤外線撮像用に適
している。また光キャリア発生層にＰｂＯなどを使用し
たターゲットはＸ線イメージ用に適している。

本発明に係る光キャリア発生層は、下地基板を加熱した
状態での真空蒸着や、アルゴンなどの不活性ガスや成分
元素を含む反応ガスの存在下でのスパッタリングなどに
より形成が可能である。また、光キャリア発生層を形成
した後に、Ｏ２，Ｓ。

Ｓｅ、Ｔｅなどのガス雰囲気中で加熱処理を行うことも
できる。

更に、本発明者が検討を加えた結果、光導電膜のうち入
射光を吸収して光キャリアの大部分を生成する層を、非
晶質テトラヘドラル系材料を主体としＦ、Ｈ，ＣＱ、の
うち少なくとも一者を含有する非晶質半導体装置き換え
、電荷増倍層と組合せることにより、上記の非晶質半導
体層内部での光キャリア再結合による効率低下の問題を
改善した極めて高い感度を有する撮像管を実現できるこ
とを見出した。

入射光の大部分は、非晶質テトラヘドラル系材料からな
る光キャリア発生層内部で吸収されて電子正孔対を発生
する。フッ素、塩素などのハロゲンまたは水素を含む非
晶質テトラヘドラル系材料は内部欠陥が極めて低く抑え
られるので高い光電変換効率が得られ、しかも膜形成条
件やハロゲンまたは水素含有量、複数のテトラヘドラル
系材料との混晶化などによって光学的バンドギャップ幅
を調節できるので、薄い膜厚で効率良く信号光を吸収さ
せることができる。なかでも、水素をふくむ非晶質シリ
コンは可視領域の光に対する吸収率が高く、さらに、非
晶質Ｓｅと異なり、層内で吸収されたフォトンはほとん
どすべて自由電子と自由正孔に分離されるので、上記の
光キャリア発生層の材料として極めて優れている。

この場合、光キャリア発生層は、テトラヘドラル系材料
の、フッ素、塩素などのハロゲンまたは水素を含む雰囲
気中での反応性スパッタリングや、テトラヘドラル系元
素の水素化物、フッ化物、塩化物を含むガスの分解など
によって形成出来る。

たとえば、水素を含む非晶質シリコンは、堆積下地基板
を１００〜３００℃に保持し、不活性ガスと水素の混合
雰囲気中でシリコンを反応性スパッタリングする方法や
、モノシラン、ジシランなどのシリコンを含有するガス
を、プラズマ放電。

光、電磁界あるいは熱などのエネルギーを与えて分解す
る方法などにより形成できる。

さらに、シリコンとゲルマニウム、あるいはシリコンと
炭素の混合物をスパッタリングしたり、モノシランと同
時にゲルマニウムを含むゲルマンや炭素を含むメタン、
アセチレンなどを混合導入して分解させることにより、
エネルギーギャップが非晶質シリコンより狭い非晶質シ
リコンゲルマニウム化合物や、エネルギーギャップが非
晶質シリコンより広い非晶質シリコン炭素化合物を得る
ことも出来、撮像管の分光感度特性を調整することが出
来る。

このとき、非晶質シリコン層と非晶質半導体層の間に、
エネルギーバンド構造あるいは電界強度を変化させた中
間層を介在させて、非晶質シリコン層から非晶質半導体
層への光キャリアの受渡しをより円滑にすることで、本
発明は一層効果を発揮することは前述の場合と同様であ
った。

この中間層として、前述したＳｅを主体とする非晶質半
導体層に特定の物質を添加した層、あるいは、非晶質テ
トラヘドラル系材料へ■族、■族などの伝導型を変調で
きる物質、ゲルマニウム。

炭素、窒素、スズなどを混合させてバンド・ギャップ、
空間電荷を制御する層あるいはそれらを組み合せたもの
を用いることも効果的であった。

以上本発明に係る撮像管を種々の改良発明の態様と共に
説明してきたが、以上の態様をそれぞれ組み合せて撮像
管を実施することができることはもちろんであり、更に
そのような撮像管を本発明に係る撮像管の動作方法によ
り動作し得ることはいうまでもない。

ここで第１０図に、本発明に係る撮像管を用いた白黒カ
メラの構成例を示す。図に示されるようにカメラは光学
像を形成するための光学系１０１、電子ビームの偏向、
集束用コイルと撮像管を含むコイルアセンブリ１０２、
それから得られる映像信号電流を増幅し、所定の規格の
映像信号にして処理するための回路部分１０３、同期信
号を発生し、また電子ビームを偏向させるための偏向増
幅回路を含む回路部分１０４及び電源部１０５よりなる
。

３管式カラーカメラの場合には、周知のように第１０図
の構成がＲ，Ｇ、Ｂ、３色に対応する３系統の並列とな
り、更に色信号を処理する回路部分がそれに付加される
。本発明に係る撮像管は、例えば第１０図に示される基
本的構成を有するカメラに適用されることにより、高精
細度テレビ映像を実現することができるだけではなく、
幅広い映像ニューメディアを開拓し得るものである。

〔作用〕

第３図により本発明に係る撮像管の非晶質半導体層にお
ける電荷増倍作用を説明する。第３図は、透光性ガラス
基板上に、順次、透光性Ｎ型電極。

非晶質Ｓｅ層、５ｂ２８３層を堆積した撮像管のターゲ
ット部における出力信号電流とターゲット電圧との関係
を示した図である。同図は透光性Ｎ型電極がＳｂ２Ｓ３
層に対して正電位になるように電圧を印加した状態で、
透光性ガラス基板側から光を照射した場合の光信号電流
と印加電圧の関係を示したものであり、ターゲット電圧
は電界強度で示しである。

透光性Ｎ型電極と非晶質Ｓｅ層の界面には正孔の注入を
阻止する向きの整流作用があり、また、５ｂ２８３層は
走査電子が非晶質Ｓｅ層に流入するのを防止する作用が
あるので、本撮像管ターゲットは、いわゆる阻止型ター
ゲットとして動作する。同図から明らかなように、信号
電流と印加電圧の関係はＡ、Ｂ、Ｃの３つの領域からな
っている。

第３図の動作領域Ｃが本発明に係る撮像管の有する動作
領域である。動作領域Ｃの説明に先立ち、他の動作領域
ＡおよびＢについて説明する。

まず第３図の領域Ａの動作を説明する。例えば第２図の
透光性基板２１．透光性電極２２及び整流性接触補助層
２３を透過した入射光子は非晶質−３弓　− 半導体層２４で電子正孔対を発生させる。ターゲット電
界を零から増加させてゆくと、発生した電子正孔対の一
部は分離され、電子は透光性電極２２に向い、正孔は電
子注入阻止層２５に到達し走査電子ビームによって読み
取られる。このため信号電流はターゲット電界が強（な
るに従って増加する。以上が第３図の領域Ａの動作であ
る。領域Ａの動作では、非晶質半導体層２４に発生する
電子正孔対の数が入射光子数以上になることはなく、ま
た、非晶質半導体層２４の電界は充分に強くなく電子正
孔の再結合が活発に行われる状態であるため、ターゲッ
トの利得は１以下である。当然この場合はターゲット内
での増幅作用はない。

続いて第３図の領域Ｂの動作について説明する。

＝±’ＲＷ３ターゲット部の電界が、入射光子により発
生した電子正孔対のほとんどを分離し、それぞれを再結
合させることなく透光性電極２２および電子注入阻止層
２５に向けて走らせるに必要な強さになると、信号電流
は飽和する傾向を示しはじめ、それ以上に電界を強くし
ても信号電流の太きな増加は得られなくなる。以上が第
３図の領域Ｂの動作である。領域Ｂの動作では、前述の
領域Ａの動作に比べ再結合は減るが、非晶質半導体層２
４に発生する電子正孔対の数が悠光子数以上になること
はないためターゲットの利得は最大時でも１である。す
なわち領域Ｂの場合もターゲットでの増幅作用はない。

前述の（従来の技術）の項で述べた阻止型ターゲットは
ここに述べた領域Ｂの範囲で動作させている。

次に本発明に係る撮像管の有する動作領域である第３図
の領域Ｃについて説明する。本発明者らは前述の領域Ｂ
からさらにターゲット電界を強めてゆくと、第２図の非
晶質半導体層２４の中で電荷増倍作用を生じ、信号電流
が急激に増加して利得が１以上になる効果を得ることが
できることを見い出した。本発明では上述の領域Ｃで生
じる電荷増倍の効果を利用した撮像管のターゲット部に
用いる光導電膜の高感度化を図るものである。

第３図の領域Ｃの動作電界で発生する電荷増倍作用の物
理的解釈はまだ充分解明されていない。

−；ｔｂ　− しかし第４図に示す本実施例のターゲット電界と暗電流
及び残像の関係では、領域Ｂに比べ利得が１以上となる
本発明の領域Ｃでの残像増加は全く認められず、また領
域Ｃの中でも極端に利得が高くなる電界領域を除いては
暗電流の増加が少ないことから、本発明に係る撮像管に
おける電荷増倍作用は、前述の従来の技術の項で述べた
電荷注入による増幅作用でないことは明らかであり、非
晶質半導体を使用した阻止形ターゲットに強い電界を印
加した時に生じる従来知られていなかった増幅作用であ
る。

第２図に示す構造の撮像管ターゲットに〔問題点を解決
するための手段〕の項で述べたような向きに領域Ｃに相
当する電界を印加する。この状態で撮像管ターゲットの
ガラス基板側から光を照射すると、入射光の大部分は、
非晶質半導体層の主として透光性電極側で吸収されて電
子正孔対を発生する。このうち電子は透光性電極側へ流
れるが、正孔は非晶質半導体層内を電子注入阻止層へむ
けて走行する。従って、正孔が非晶質半導体層内を高電
界下で走行する際に電荷増倍作用を起こさせ、所望の特
性を得るほどに非晶質半導体層を厚くしておけば電荷の
増倍がおこり、阻止形ターゲットの低残像性を維持した
ままで利得が１より大の高感度を得ることができる。

このような高電界印加時の電荷増倍作用は、結晶半導体
ではアバランシェ増幅現象としてすでに知られているが
、結晶半導体ではマイクロプラズマの発生があり、また
暗電流が１Ｏ−９Ａ／ｍｍ２と大きく、素子の断面積が
大きい場合は暗電流を低く抑えられない等の問題からこ
れまで撮像管などの２次元光電変換デバイスとして実用
化された例は無い。一方、一般に非晶質半導体では内部
欠陥が多いためこのような現象は起らないと考えられて
おり、事実これまでに非晶質半導体における増幅現象の
開示例はなかった。しかしながら、本発明者等の詳しい
検討の結果、非晶質半導体においては電荷増倍作用が存
在し、しかも、大面積でありながら暗電流が結晶半導体
の１００分の一以下であることを発見した。

さらに、発明者等が詳しく調べたところでは、非晶質半
導体中での電荷増倍作用は正孔に対しては非常に顕著で
あるのに対して、電子に対しては僅かであることがわか
った。通常の光導電型撮像管は光導電膜中を正孔が走行
する動作方式のデバイスである。従って、非晶質半導体
における上記現象を光導電型撮像管に利用すれば、低雑
音で、かつ効率良く電荷の増幅を行うことができる。さ
らに、非晶質半導体は均質かつ大面積の薄膜形成が容易
であり、簡単なプロセスで撮像管のターゲット部形成が
可能であるなど、非晶質半導体材料を用いた本発明に係
る撮像管及びその動作方法は極めて有効である。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例により詳しく説明する。

本発明に係る撮像管は第１図に示す如く構成される。

実施例１゜ ガラス基板上に、酸化スズを主体とする透光性電極を形
成し、さらにこの透光性電極の上に非晶質Ｓｅを０．１
〜６μｍの厚さに真空蒸着して非晶質半導体層とする。

非晶質Ｓｅの上に電子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を２
Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で１０００人
の厚さに蒸着し、阻止形構造の光導電型撮像管のターゲ
ット部を得る。

実施例２゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、さらにこの透光性電極の上にＳｅとＡｓ、
またはＳｅとＧｅからなる膜厚０．１〜６μｍの非晶質
半導体層を真空蒸着法により形成する。膜形成にさいし
ては、ＳｅとＡｓ２Ｓｅ３、またはＳｅとＧｅをそれぞ
れ別々のボートから同時に蒸発させて基板に蒸着し、Ａ
ｓまたはＧｅの濃度が平均２重量％となるようにする。

その上に電子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３をＩ　ＸＩ　
Ｑ””Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気で８００人の厚さに
蒸着し、阻止形構造の光導電型撮像管のターゲット部を
得る。

実施例３゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、その上に、ＳｅとＡｓとＧｅからなる膜厚
０．５〜６μｍの非晶質半導体層を形成する。膜形成に
さいしては、Ｓｅ。

・　Ａｇ３　Ｓｅａ＋　ＧｅＳｅをそれぞれ別々のポー
トから同時に蒸発させて基板に蒸着し、ＡｓとＧｅの総
量が平均３重量％となるようにする。さらにその上に電
子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を２×１Ｏ−１Ｔｏｒｒ
の不活性ガス雰囲気中で８００Ａの厚さに蒸着し、阻止
形構造の光導電型撮像管のターゲット部を得る。

上記実施例１，２および３により得た撮像管のターゲッ
ト部を電子銃を内蔵した撮像管国体に組み込み、光導電
型撮像管を得る。得られた撮像管を８Ｘ１０７Ｖ／ｍ以
上のターゲット電界で動作させると非晶質半導体層内で
信号増幅が起こり、例えば１．２Ｘ１０８Ｖ／ｍのとき
利得約１０の出力が得られる。

また、前記実施例１，２および３において、透光性電極
と非晶質半導体層′の間に整流性機能補助層として例え
ば膜厚３００人の酸化セリウムの真空蒸着膜を介在せし
むることもできる。この場合、透光性電極からの正孔注
入阻止機能が向上するのでより高い電界での動作ができ
、電荷増倍率１０以上の感度が得られる。

実施例４゜ ガラス基板上に、酸化スズを主体とする透光性電極を形
成し、さらにこの透光性電極の上に蒸発法により非晶質
ＳｅＱを１〜３μｍの厚さに形成して非晶質半導体層と
する。この上に電子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を２Ｘ
　ｉ　Ｏ−’Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で０．１μ
ｍの厚さに蒸着し、阻止形構造の光導電型撮像管のター
ゲット部を得る。

実施例５゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、さらにこの透光性電極の上にＣｅＯ２を０
．０３μｍの厚さに蒸着する。その上に膜厚０．５〜２
μｍの厚さの非晶質Ｓｅ層を真空蒸着法で形成して非晶
質半導体層とする。その上に電子注入阻止層としてＳｂ
２Ｓ３をｌＸ１Ｏ−１Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で
０．１μｍの厚さに蒸着し、阻止形構造の光導電型撮像
管のターゲラ１〜部を得る。

実施例６゜ ガラス基板上に、酸化スズを主体とする透光性電極を形
成する。この透光性電極の上に順次Ｇｅ○２を０．０１
５　μｍ、　ＣｅＯ２を０．０１５μｍの厚さに蒸着す
る。その上に真空蒸着法により０．０２〜０．０６μｍ
の厚さの非晶質Ｓｅ層も形成する。次にＳｅとＬ　ｉ　
Ｆをそれぞれ別々のポー１へから蒸発させ０．０２〜０
．０６μｍの厚さの非晶質層を形成する。この時、Ｌ　
ｉ　Ｆの濃度は４０００重量ｐｐｍとじぬ厚方向に一定
に分布させる。その上に非晶質Ｓｅ層を真空蒸着法によ
り形成し全体の膜厚を１〜８μｍとする。非晶質Ｓｅ層
の上に電子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を２×１０”−
１Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で０．１μｍの厚さに
蒸着し、阻止形構造の光導電型撮像管のターゲラ１一部
を得る。

実施例７゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、その上にＣｅＯ２を０．０３μｍの厚さに
蒸着する。さらにその上にＳｅ。

ＡｓとＬｉＦからなる膜厚０．０２−０．０４　μｍの
非晶質半導体層を真空蒸着法により形成する。

膜形成にさいしては、Ｓｅ、Ａｓ２Ｓｅ３およびＬｉＦ
をそれぞれ別々のボートから同時に蒸発させて蒸着し、
Ａｓの濃度が３〜６重量％、ＬｉＦの濃度が平均３００
０〜６０００重量ｐｐｍとなるようにする。その上にＳ
ｅ、ＡｓとＬｉＦからなる膜厚０．０３〜０．０４５μ
ｍの非晶質半導体層を真空蒸着法により形成する。この
時のＡｓ濃度は２〜５重量％、Ｌ、　ｉ　Ｆの濃度は平
均１５０００重量ｐｐｍとする。その上にＳｅとＡｓか
らなる非晶質半導体層を真空蒸着法により形成し全体の
膜厚を１〜４μｍとする。この時のＡｓ濃度は１〜３重
量％とするその上に電子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を
Ｉ　Ｘ　１０＝Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で０．１
μｍの厚さに蒸着し、阻止型構造の光導電型撮像管のタ
ーゲット部を得る。

４４一 実施例８゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、その上に、ＳｅとＬｉＦからなる膜厚０．
０２〜０．０３μｍの非晶質半導体層を真空蒸着法によ
り形成する。膜厚成にさいしては、ＳｅとＬｉＦをそれ
ぞれ別々のボートから同時に蒸発させて蒸着し、ＬｉＦ
の濃度が平均２０００重量ｐｐｍとなるようにする。そ
の上にＳｅとＬｉＦからなる膜厚０．０３−０．０４μ
ｍの非晶質半導体層を真空蒸着法により形成する。

この時のＬｉＦの濃度は平均８０００〜１５０００重量
ｐｐｍとする。さらにＳｅとＴｅをそれぞれ別々のボー
トから蒸発させ膜厚０．０２〜０．０４μｍの非晶質半
導体層を形成する。この時、Ｔｅ濃度は５〜１５重量％
とする。次にその様な非晶質Ｓｅ層を真空蒸着法により
形成し全体の膜厚が１〜４μｍの厚さになるようにする
。

さらにその上に電子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を２Ｘ
　１０−’Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で０．０８μ
ｍの厚さに蒸着し、阻止型構造の光導電型撮像管のター
ゲット部を得る。

実施例４，５，６．７および８により得た撮像管のター
ゲット部を電子銃を内蔵した撮像管国体に組み込み、光
導電型撮像管を得る。得られた撮像管を７Ｘ１０７Ｖ／
ｍ以上の電界で動作させると非晶質光導電層内で俗信増
幅が起こり、例えば、膜厚２μｍのターゲットの場合に
１．２Ｘ１０”Ｖ　／　ｍのとき利得１０以上の出力が
得られた。

実施例９゜ ガラス基板上に、酸化スズを主体とする透光性電極を形
成し、さらにこの透光性電極の上にＳｅとＴｅをそれぞ
れ別々のボートから１〜２μｍの厚さに真空蒸着する。

この時Ｔｅ濃度は０．０１重量％とし膜厚方向に一定に
分布させる。このＳｅを主体とした非晶質半導体層の上
に電子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を２Ｘ　１０＝Ｔｏ
ｒｒの不活性ガス雰囲気中で０．１μｍの厚さに蒸着し
、阻止形構造の光導電型撮像管のターゲット部を得る。

実施例１０゜ ガラス基板上に、酸化スズを主体とする透光性電極を形
成する。この透光性電極の上にＳｅとＴｅをそれぞれ別
々のボートから１〜３μｍの厚さに真空蒸着する。この
時Ｔｅｉ度は、蒸着を開始する時点では０重量％とじ、
蒸着が進むにつれて次第に増加させ、膜全体の平均濃度
が０．１重量％となるようにする。この光導電層の上に
電子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を２　Ｘ　１０−’Ｔ
ｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で０．１μｍの厚さに蒸着
し、阻止形構造の光導電型撮像管のターゲット部を得る
。

実施例１１゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成する。この透光性電極の上にＳｅとＡｓ、また
はＳｅとＧｅからなる膜厚０．０１〜１μｍの層を真空
蒸着法により形成する。膜形成にさいしては、ＳｅとＡ
Ｓ２Ｓ３、またはＳｅとＧｅをそれぞれ別々のボートか
ら同時に蒸発させて蒸着し、ＡｓまたはＧｅの濃度が平
均３重量％となるようにする。次に、ＳｅとＴｅまたは
ｓｂ、及びＡｓまたはＧｅとからなる膜厚０．０１〜０
．０６μｍの層を真空蒸着法により形成する。膜形成に
さいしては、Ｓｅ、Ｔｅまたはｓｂ、及びＡｓ２Ｓｅ３
またはＧｅをそれぞれ別々のボートから同時に蒸発させ
て蒸着し、Ｔｅまたはｓｂの濃度が平均１０〜１５重量
％、ＡｓまたはＧｅの濃度が平均２重量％となるように
する。

さらにＳｅとＡｓ、またはＳｅとＧｅからなる層を真空
蒸着法により形成し全体の膜厚を２〜３μｍとする。膜
形成にさいしては、ＳｅとＡｓ２Ｓｅ３、またはＳｅと
Ｇｅをそれぞれ別々のボートから同時に蒸発させて蒸着
し、ＡｓまたばＧｅの濃度が平均２重量％となるように
する。その上に電子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を１×
１０−１Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で０．０８μｍ
の厚さに蒸着し、阻止型（、カ造の光導電型撮像管のタ
ーゲット部を得る。

実施例１２゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、その上にＳｅとＡｓとＧｅからなる膜厚０
．５〜１μｍの層を形成する。膜形成にさいしては、Ｓ
ｅ、Ａｓ２Ｓｅ、、、Ｇｅをそれぞれ別々のボートから
同時に蒸発させて蒸着し、ＡｓとＧｅの総濃度が平均３
重量％となるようにする。これを第１層とする。次に、
第１層の上に第２層としてＳｅ、ＡｓとＴｅ、Ｓｂ、Ｃ
ｄ。

Ｂｉのうち少くとも一者とからなる膜厚０．０１〜０．
０６μｍの層を真空蒸着法により形成する。

膜形成にさいしては、Ｓ　ｅ、Ａｓ２Ｓｅ３及びＴ　ｅ
　。

Ｓｂ、Ｃｄ、Ｂｉのうち少くとも一者をそれぞれ別々の
ボートから同時に蒸発させて蒸着する。第２層内のＴｅ
、Ｓｂ、Ｃｄ、Ｂ　ｉの濃度は膜厚方向で変化させる。

第２Ｍの蒸着開始時点での濃度は０重量％とし、蒸着が
進むにつれて次第に増加させ、第２層蒸着の中間時点で
の濃度が極大値となるようにする。その後濃度を次第に
減少させ、第２Ｍの蒸着終了時点では、濃度が再度０重
量％となるようにする。この時第２層内のＡｓ濃度は平
均２重量％とし、Ｔｅｌ　ｓｂ、ｃａ、Ｂｉの一者又は
複数の総濃度が第２層内の平均で１５〜４５重量％とな
るようにする。以上で第２層の蒸着を終わる。第２層の
上に第３層としてＳｅとＡｓ、またはＳｅとＧｅからな
る層を真空蒸着法により形成し全体の膜厚を２〜３μｍ
とする。膜形成にさいしては、ＳｅとＡｓ２Ｓｅ３また
はＧｅをそれぞれ別々のボートから同時に蒸発させて蒸
着し、ＡｓまたはＧｅの濃度が平均２重量％となるよう
にする。さらにその上に電子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ
３を２Ｘ　１０−１Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で０
．０８μｍの厚さに黒石し、阻止型構造の光導電型撮像
管のターゲット部を得る。

上記実施例９，１０，１１．１２により得た撮像管のタ
ーゲット部を電子銃を内蔵した撮像管国体に組み込み、
光導電型撮像管を得る。得られた撮像管を８　Ｘ　１０
　’　Ｖ／ｍ以上のターゲット電界で動作させると非晶
質半導体層内で信号増幅が起こり、例えば１．２Ｘ１０
”Ｖ／ｍのとき量子効率１０以上の出力が得られる。

また、上記実施例９，１０，１１．１２において、透光
性電極と非晶質半導体層の間に整流性機能補助層として
例えば膜厚０．０３μｍの酸化セリウムの真空蒸着膜を
介在せしむることもできる。

この場合、透光性電極からの正孔注入阻止機能が向上す
るので、より高い電界での動作ができ、さらに高感度が
実現できる。

実施例１３゜ ガラス基板上に、酸化スズを主体とする透光性電極を形
成し、さらにこの透光性電極の上にＳｅとＬｉＦをそれ
ぞれ別々のボートから蒸発させ１〜６μｍの厚さに真空
蒸着する。この時、ＬｉＦの濃度は５００重量ｐｐｍと
し膜厚方向に一定に分布させる。この上に電子注入阻止
層としてＳｂ２Ｓ３を２Ｘ　１０−１Ｔｏｒｒの不活性
ガス雰囲気中で０．１μｍの厚さに蒸着し、阻止形構造
の光導電型撮像管のターゲット部を得る。

実施例１４゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、さらにこの透光性電極の上にＳｅとＣａＦ
２からなる膜厚０．０１−０．０４５μｍの層を真空蒸
着法により形成する。膜形成にさいしてはＳｅとＣａＦ
２をそれぞれ別々のボートから同時に蒸発させて基板に
蒸着し、ＣａＦ　２の濃度が平均３０００重量ｐｐｍと
なるようにする。

その上にＳｅを蒸着し全体の膜厚を１〜６μｍとする。

その上に電子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３をＩ　Ｘｌ　
０−’Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で０．１μｍの厚
さに蒸着し、阻止型構造の光導電型撮像管のターゲット
部を得る。

実施例１５゜ ガラス基板上に、酸化スズを主体とする透光性電極を形
成する。この透光性電極の上にＳｅを０．０２〜０．０
６μｍの厚さに蒸着する。次にＳｅとＫＦをそれぞれ別
々のボートから蒸発させ０．０２〜０．０６μｍの厚さ
に真空蒸着する。この時、ＫＦの濃度は５００重量ｐｐ
ｍとし膜厚方向に一定に分布させる。その上にＳｅ層を
真空蒸着法により形成し全体の膜厚を１〜３μｍとする
。

５ｅａｌの上に電子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を２　
Ｘ　１０−”Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で０．１μ
ｍの厚さに蒸着し、阻止型構造の光導電型撮像管のター
ゲット部を得る。

５２一 実施例１６゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、さらにこの透光性電極の上にＳｅ、Ａｓと
ＬｉＦからなる膜厚０．０１−０．０４５μｍの層を真
空蒸着法により形成する。

膜形成にさいしては、Ｓ　ｅ　ｒ　Ａ　ｓ　２　Ｓ　ｅ
　３およびＬｉＦをそれぞれ別々のボートから同時に蒸
発させて蒸着し、Ａｓの濃度が３〜６重量％、ＬｉＦの
濃度が平均２０００〜６０ｏＯ重量ｐｐｍとなるように
する。その上にＳｅ、ＡｓとＬｉＦからなる膜厚０．０
３〜０．０４５μｍの層を真空蒸着法により形成する。

この時のＡｓ濃度は２〜３．５重量％、ＬｉＦの濃度は
平均１００００重量ｐｐｍとする。その上にＳｅとＡｓ
を真空中で蒸着し全体の膜厚を１〜４μｍとする。この
時のＡｓ濃度は１〜３重量％とする。その上に電子注入
阻止層としてＳｂ２Ｓ３をＩ　Ｘｌ　０−ＩＴｏｒｒの
不活性ガス雰囲気中で０．１μｍの厚さに蒸着し、阻止
型構造の光導電型撮像管のターゲット部を得る。

実施例１７゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、その上に、ＳｅとＬｉＦからなる膜厚０．
０１〜０．０１５μｍの層を真空蒸着法により形成する
。膜形成にさいしては、ＳｅとＬｉＦをそれぞれ別々の
ボートから同時に蒸発させて蒸着し、ＬｉＦの濃度が平
均３０００重量ｐｐｍとなるようにする。その上にＳｅ
とＬｉＦからなる膜厚０．０３〜０．０４５μｍの層を
真空蒸着法により形成する。この時のＬｉＦの濃度は平
均８０００−１５０００重量ｐｐｍとする。さらにＳｅ
とＴｅをそれぞれ別々のボートから蒸発させ膜厚０．０
２〜０．０５μｍの層を形成する。この時、Ｔｅ濃度は
５〜１５重量％とする。次にＳｅを蒸着し全体の膜厚が
１〜４μｍの厚さになるようにする。さらにその上に電
子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を２Ｘ　１０−１Ｔｏｒ
ｒの不活性ガス雰囲気中で０．０８μｍの厚さに蒸着し
、阻止型構造の光導電型撮像管のターゲット部を得る。

上記実施例１３，１４，１５，１６．１７により得た撮
像管ターゲットを電子銃を内蔵した撮像管国体に組み込
み、光導電型撮像管を得る。得られた撮像管を８　Ｘ　
１０７Ｖ　／　ｍ以上の電界で動作させると非晶質光導
体層内で信号増幅が起こり、例えば１．２Ｘ１０８Ｖ／
ｍのとき量子効率１０以上の出力が得られた。

また、実施例１３，１４，１５，１６．１７において、
透明導電極と非晶質半導体層の間に整流性機能補助層と
して例えば膜厚０．０３μｍの酸化セリウムの真空蒸着
膜を介在せしむることもできる。この場合、透光性電極
からの正孔注入阻止機能が更に向上するので、より高い
電界での動作ができ、さらに高感度が実現できる。

実施例１８゜ ガラス基板上に、酸化スズを主体とする透光性電極を形
成する。この透光性電極の上に非晶質Ｓｅ半導体層を真
空蒸着法により形成する。

さらにその上にＳｅとＳｅＯ２をそれぞれ別々のボート
から蒸発させ０．０２〜０．０６μｍの厚さに真空蒸着
する。この時、５ｅ０２の濃度は２５００ｐｐｍとし膜
厚方向に一定分布させる。この上にＳｅを０．０５〜０
．０６μｍの厚さに蒸着し、上記Ｓｅを主体とする非晶
質半導体層全体の膜厚は１〜６μｍとする。この上に電
子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を２　Ｘ　１０−’Ｔｏ
ｒｒの不活性ガス雰囲気中で０．１μｍの厚さに蒸着し
、阻止形構成の光導電型撮像管のターゲット部を得る。

実施例１９゜ ガラス基板上に、酸化スズを主体とする透光性電極を形
成する。この透光性電極の上に非晶質Ｓｅ半導体層を真
空蒸着法により形成する。その上にＡｇ３５ｅ３１　Ｇ
ａＦ　３をそれぞれ別々のボートから蒸発させ０．０３
〜０．０６μｍの厚さに真空蒸着する。この時、ＧａＦ
　３の濃度は２０００ｐｐｍとし膜厚方向に一定に分布
させる。上記Ｓｅを主体とする非晶質半導体層全体の膜
厚は１〜６μｍとなるようにする。この上に電子注入阻
止層としてＳｂ２Ｓ３を２Ｘ１０−１Ｔｏｒｒの不活性
ガス雰囲気中で０．１μｍの厚さに蒸着し、阻止形構造
の光導電型撮像管のターゲット部を得る。

実施例２０゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成する。この透光性電極の上にＳｅとＣａＦ　２
からなる膜厚０．０１−０．０５　ｔｔｍの層を真空蒸
着法により形成する。膜形成にさいしては、ＳｅとＣａ
Ｆ２をそれぞれ別々のボートから同時に蒸発させて蒸着
し、ＣａＦ２の濃度が平均６０００ｐｐｍとなるように
する。その上に非晶質Ｓｅ層を真空蒸着法により形成し
、次にＡｓ２Ｓｅ３をボートから蒸発させ０．０３〜０
．０６μｍの厚さに真空蒸着する。さらにその上にＳｅ
とＧａＦ３をそれぞれ別々のボートから蒸発させ０．０
２〜０．０６μｍの厚さに真空蒸着する。この時、Ｇａ
Ｆ　３の濃度は４０００ｐｐｍとし膜厚方向に一定に分
布させる。上記Ｓｅを主体とする非晶質半導体層全体の
膜厚は１〜６μｍとする。その上に電子注入阻止層とし
てＳｂ２Ｓ３をＩ　Ｘ　１０−１Ｔｏｒｒの不活性ガス
雰囲気中で０．０８μｍの厚さに蒸着し、阻止型構造の
光導電型撮像管のターゲット部を得る。

実施例２１゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、さらにこの透光性電極の上にＳｅ、Ａｓと
ＬｉＦからなる膜厚０．０１−０．０６μｍの層を真空
蒸着法により形成する。

膜形成にさいしては、Ｓ　ｅ、Ａｓ２　Ｓｅ３およびＬ
ｉＦをそれぞれ別々のボートから同時に蒸発させて蒸着
し、Ａｓの濃度が３〜６重量％、ＬｉＦの濃度が平均３
０００〜６０００ｐｐｍとなるようにする。その上にＳ
ｅ、ＡｓとＬｉＦからなる膜厚０．０３〜０．０５μｍ
の層を真空蒸着法により形成する。この時のＡｓ濃度は
２〜３．５重量％、ＬｉＦの濃度は平均１５０００ｐｐ
ｍとする。その上にＳｅとＡｓ２Ｓｅ３をそれぞれ別々
のボートから同時に蒸発させてＡｓ濃度１〜３重量％の
非晶質半導体層を形成する。その上にＡｓｚＳｅ：ｚＩ
ｎ２０３をそれぞれ別々のボートから蒸発させ０．０１
〜０．１μｍの厚さに真空蒸着する。この時、Ｉｎ２Ｏ
３の濃度は７００ｐｐｍとじ膜厚方向に一定に分布させ
る。その上にＳｅとＡｓ２Ｓｅ３をそれぞれ別々のボー
トから同時に蒸発させて０．０１〜０．０６μｍ厚さに
蒸着する。この時のＡｓ濃度は１〜３重量％とする。上
記Ｓｅを主体とする非晶質半導体層全体の膜厚は１〜６
μｍとする。その上に電子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３
をＩ　Ｘ　１０−１Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で０
．０８μｍの厚さに蒸着し、阻止型構造の光導電型撮像
管のターゲット部を得る。

実施例２２゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、その上に、ＳｅとＬｉＦからなる膜厚０．
０３〜０．０６μｍの層を真空蒸着法により形成する。

膜形成にさいしては、ＳｅとＬｉＦをそれぞれ別々のボ
ートから同時に蒸発させて蒸着し、ＬｉＦの濃度が平均
４０００ｐｐｍとなるようにする。その上にＳｅとＬｉ
Ｆからなる膜厚０．０３〜０．０５μｍの層を真空蒸着
法により形成する。この時のＬｉＦの濃度は平均８００
（１−１００００ｐｐｍとする。さらにＳｅとＴｅをそ
れぞれ別々のボートから蒸発させ膜厚０．０２〜０．０
６μｍの層を形成する。この時、Ｔｅ濃度は５〜１５重
量％とする。その上に真空蒸着法により非晶質ＳｅＮを
形成する。その上にＡｓ２　Ｓｅ３．Ｉｎ２Ｏ３をそれ
ぞれ別々のボート−から蒸発させ０．０３〜０．０９μ
ｍの厚さに真空蒸着する。この時、Ｉ　ｎ　２０３の濃
度は５００ｐｐｍとじ膜厚方向に一定に分布させる。次
にＳｅとＩｎ２Ｏ３をそれぞれ別々のボートから蒸発さ
せ０．０２〜０．２μｍの厚さに真空蒸着する。この時
、Ｉｎ２Ｏ３の濃度は１１０００ｐｐとし膜厚方向に一
定に分布させる。上記Ｓｅを主体とする非晶質半導体層
全体の膜厚は１〜６μｍとする。′さらにその上に電子
注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を２Ｘ　１０−”Ｔｏｒｒ
の不活性ガス雰囲気中で０．１μｍの厚さに蒸着し、阻
止型構造の光導電型撮像管のターゲット部を得る。

実施例１ｓ、１９，２０，２１．２２により得た撮像管
ターゲットを電子銃を内蔵した撮像管国体に組み込み、
光導電型撮像管を得る。得られた撮像管を８×１０７Ｖ
／ｍ以上の電界で動作させると非晶質半導体層内で信号
増幅が起こり、例えば１．２Ｘ　１０　”Ｖ／ｍのとき
量子効率１０以上の出力が得られた。

また、実施例１８，１９，２０，２１．２２において、
透光性電極と非晶質半導体層の間に整流性機能補助層と
して例えば膜厚０．０３μｍの酸化セリウムの真空蒸着
膜を介在せしむることもできる。この場合、透光性電極
からの正孔注入阻止機能・が更に向上するので、より高
い電界での動作ができ、電荷増倍率を更に高めることが
できる。

実施例２３゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、さらに透光性電極の上に光キャリア発生層
として膜厚０．０１〜１μｍのカルコゲナイド非晶質半
導体またはテトラヘドラル系非晶質半導体、またはｍ−
ｖ族化合物半導体、またはｎ　−’ｖｒ族化合物半導体
層を形成する。さらにその上に非晶質Ｓｅを０．５〜６
μｍの厚さに真空蒸着する。非晶質Ｓｅ層の上に電子注
入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を２Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒの
不活性ガス雰囲気中で１０００人の厚さに蒸着し、阻止
型構造の光導電型撮像管のターゲット部を得る。

実施例２４゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、さらにその上に実施例１と同じ光キャリア
発生層を設け、さらにその上に非晶質ＳｅとＡｓ、また
はＳｅとＧｅからなる膜厚０．５〜６μｍの非晶質半導
体層を真空蒸着する。その上に電子注入阻止層としてＳ
ｂ２Ｓ３を２Ｘ　１０−１Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気
中で１００ＯＡの厚さに蒸着し、阻止型構造の光導電型
撮像管のターゲット部を得る。

実施例２３および２４により得た撮像管のターゲット部
を電子銃を内蔵した撮像管国体に組み込み、光導電型撮
像管を得る。得られた撮像管を、８×１０７〜２Ｘ１０
８Ｖ／ｍの電界で動作させると非晶質半導体層内で信号
増幅が起こり、例えば１．２Ｘ１０”Ｖ／ｍのとき、入
射光がすべて信号電流に変換された場合の１０倍の出力
が得られた。

また実施例２３および２４において、透光性型極と非晶
質半導体層の間に整流性機能補助層として例えば膜厚３
００人の酸化セリウムの真空蒸着膜などを介在せしむる
こともできる。この場合、透光性電極からの正孔注入阻
止機能が向上するので、より高い電界での動作が出来、
電荷増倍率１０以上の感度が得られる。

実施例２５゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、さらにその上に正孔注入阻止層として水素
を含む非晶質シリコン窒化物の薄層を１００〜１０００
Ａ堆積する。次に、基板を２００〜３００℃に保持した
状態で、モノシランをグロー放電分解することにより、
水素を含む非晶質シリコンを０．５〜３μｍ堆積する。

さらに、その上に中間層として、ヒ素を２０％含むＳｅ
を３００人蒸漬し、引き続きヒ素を２％含むＳｅを０．
５〜６μｍの厚さに真空蒸着する。非晶質Ｓｅ層の上に
電子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を２Ｘ　１０−’Ｔｏ
ｒｒの不活性ガス雰囲気中で１０００人の厚さに蒸着し
、阻止型構造の光導電　６Ａ　− 型撮像管のターゲット部を得る。

実施例２６゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、その上に正孔流入阻止層として水素を含む
非晶質シリコン窒化物の薄層を１００〜１０００人堆積
する。次に、基板を２００〜３００°Ｃに保持した状態
で、モノシランとジボランの混合ガスをグロー放電分解
することにより、ボロンを５ＰＰｍを含む非晶質シリコ
ンを０．５〜３μｍ堆積する。引き続き、中間層として
、テルルを３０％含む非晶質Ｓｅを２００人、砒素濃度
が２０％から２％まで順次減少する組成分布を持つ非晶
質Ｓｅを５００人積漬し、さらにそのうえに砒素を２％
含むＳｅを０．５〜６μｍの厚さに真空蒸着する。非晶
質Ｓｅ層の上に電子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を２　
Ｘ　１０−１Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で１００Ｏ
Ａの厚さに蒸着し、阻止型構造の光導電型撮像管のター
ゲット部を得る。

実施例２５および２６により得た撮像管のターゲット部
を電子銃を内蔵した撮像管国体に組み込み、光導電型搬
像管を得る。得られた撮像管を、電荷増倍層にかかる電
界強度が８Ｘ１０７〜２×１０’Ｖ／ｍになるように電
圧を印加し動作させると非晶質半導体層内で信号増幅が
起こり、例えば電荷増倍層にかかる電界強度が１．２Ｘ
１０８Ｖ　／　ｍのとき、利得約１０の高感度が得られ
た。

実施例２７゜ 透光性基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、さらにこの透光性電極の上に、光キャリア
発生層としてＣｄＳｅを膜厚０．０１〜１μｍの厚さに
真空蒸着する。このガラス面板を、酸素雰囲気中で２０
０〜４００℃の温度で熱処理した後、さらにその上に非
晶質Ｓｅを０．５〜６μｍの厚さに真空蒸着する。非晶
質Ｓｅ層の上に電子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を２×
１０−’Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で１０００人の
厚さに蒸着し、阻止型構造の光導電型撮像管のターゲッ
ト部を得る。

実施例２８゜ 透光性基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、さらにその上に実施例２７と同じ光キャリ
ア発生層を設け、さらにその上に非晶質ＳｅとＡｓ、ま
たはＳｅとＧｅからなる膜厚０．５〜６μｍの非晶質半
導体層を真空蒸着する。その上に電子注入阻止層として
Ｓｂ２Ｓ３を２Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲
気中で１０００λの厚さに蒸着し、阻止型構造の光導電
型撮像管のターゲット部を得る。

実施例２９゜ 透光性基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、さらにこの透光性電極の上に光キャリア発
生層としてＺｎ５ｅを膜厚０．０１−０．１μｍ、さら
にＺｎＣｄＴｅ化合物を０．１−１μｍの厚さに真空蒸
着する。このガラス面板を、酸素雰囲気中２００〜６０
０℃の温度で熱処理した後、さらにその上に非晶質Ｓｅ
を０．５〜６μｍの厚さに真空蒸着する。非晶質ＳｅＭ
の上に電子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を２　Ｘ　１０
　””Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で１０００人の厚
さに蒸着し、阻止型構造の光導電型撮像管のターゲット
部を得る。

実施例３０゜ 信号光透過性基板上に、酸化インジウムを主体とする透
光性電極を形成し、さらに透光性電極の上にＰｂＳとｐ
ｂ○からなる層を膜厚０．０１〜１μｍの厚さに真空蒸
着する。さらにその上に非晶質Ｓｅを０．５〜６μｍの
厚さに真空蒸着する。

非晶質Ｓｅ層の上に電子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を
２Ｘ　１０−１Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で１００
０人の厚さに蒸着し、阻止型構造の光導電型撮像管のタ
ーゲット部を得る。

実施例３１゜ 信号光透過性基板上に、透光性金属薄膜からなる透光性
電極を形成し、さらにこの透光性電極の上に光キャリア
発生層としてＨｇ　Ｃｄ　Ｔ　ｅ化合物を膜厚０．０１
〜０．１μｍ堆積する。さらにその上に非晶質Ｓｅを０
．５〜６μｍの厚さに真空蒸着する。非晶質Ｓｅ層の上
に電子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を２Ｘ　１０−１Ｔ
ｏｒｒの不活性ガス雰囲−ｂ’／　　− 気中で１００ＯＡの厚さに蒸着し、阻止型構造の光導電
型撮像管のターゲット部を得る。

実施例２７，２８，２９，３０、および３１により得た
撮像管ターゲットを電子銃を内蔵した撮像管国体に組み
込み、光導電型撮像管を得る。得られた撮像管を、電荷
増倍層にかかる電界が８×１０７〜２Ｘ１０８ｖ／ｍと
なるように電圧を印　　。

加して動作させると非晶質半導体より成る電荷増倍層内
で信号増幅が起こり、例えば電荷増倍層にかかる電界が
１．２　Ｘ　Ｉ　Ｏ８Ｖ／ｍのとき、入射光がすべて信
号電流に変換された場合の１０倍の出力が得られた。

実施例３２゜ 表面に酸化インジウムを主体とする透光性電極を設けた
ガラス基板をスパッタリング装置内に設置し、この透光
性電極の上に正孔流入阻止層として５１０２薄層を１０
０〜１０００人堆積する。

つぎに基板を２００〜３００℃に保持した状態で水素と
アルゴンの混合ガスを導入し、電極に設置した多結晶シ
リコンに高周波電力を印加し、基板＝６８− 上に水素を含む非晶質シリコンを０．５〜３μｍ堆積す
る。さらにその上に非晶質Ｓｅを０．５〜６μｍの厚さ
に真空蒸着する。非晶質ＳｅＭの上に電子注入阻止層と
してＳｂ２Ｓ３を２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの不活性ガス雰
囲気中で１０００人の厚さに蒸着し、阻止型構造の光導
電型撮像管のターゲット部を得る。

実施例３３゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、その上に実施例３２と同じ非晶質シリコン
からなる光キャリア発生層を設け、さらにその上に非晶
質ＳｅとＡｓ、またはＳｅとＧｅからなる膜厚０．５〜
６μｍの非晶質半導体層を真空蒸着する。その上に電子
注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３を２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの
不活性ガス雰囲気中で１０００人の厚さに蒸着し、阻止
型構造の光導電型撮像管のターゲット部を得る。

実施例３２及び３３により得た搬像管のターゲット部を
電子銃を内蔵した撮像管国体に組み込み、光導電型撮像
管を得る。得られた撮像管を、電荷増倍層にかかる電界
強度が８×１０７〜２Ｘ１０８■／ｍになるように電圧
を印加し動作させると非晶質半導体層内で信号増幅が起
こり、例えば電荷増倍層にかかる電界強度が１．２Ｘ１
０８Ｖ　／　ｍのとき、利得約１０の高感度が得られた
。

実施例３４゜ ガラス基板上に、酸化スズを主体とする透光性電極を形
成し、さらに整流性接触補助層としてＧｅＯ２を２００
人、ＣｅＯ２を２０ＯＡの厚さに３Ｘ１０”’−６Ｔｏ
ｒｒの真空中で蒸着する−その上に非晶質半導体層とし
てＳ　ｅ　、　Ａｓ　２　Ｓｅ　３を別々の蒸着ボート
から１μｍの厚さに蒸着する。この場合Ａｓ濃度は重量
比で２％とし、膜厚方向に一様に分布させる。非晶質半
導体層は２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの真空中で蒸着する。こ
の非晶質半導体層の上に電子注入阻止層５としてＳｂ２
Ｓ３を３×１０””Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気中で８０
０Ａの厚さに蒸着する。以上により形成されたターゲッ
ト部を組み込んだ撮像管を形成し、その非晶質半導体層
を電荷増倍作用を生じる８×１０７Ｖ／ｍ〜７ｌ− ２Ｘ１０８■／ｍの電界で動作させる。

実施例３５゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成する。この透光性電極の上に整流性接触補助層
としてＣｅＯ２を３００人の厚さに３Ｘ１０−ＧＴｏｒ
ｒの真空中で蒸着する。その上に非晶質半導体層として
Ｓｅを２μｍ厚さに２ＸＩＯ−６Ｔｏｒｒの真空中で蒸
着する。この非晶質半導体層の上に電子注入阻止層とし
てＳｂ２Ｓ３を２Ｘ　１０−１Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲
気中で１０００人の厚さに蒸着する。以上により形成さ
れたターゲット部を組み込んだ撮像管を形成し、その非
晶質半導体層を電荷増倍作用を生じる８×１０７Ｖ／ｍ
〜２Ｘ１０８Ｖ／ｍの電界で動作させる。

実施例３６゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、さらに整流性接触補助層としてＧｅＯ２を
２００人、Ｃ’ｅ○２を２００λの厚さに蒸着する。こ
の蒸着は２Ｘ１０　　”Ｔｏｒｒの真空中で行う。続い
て非晶質半導体層を蒸着する。

非晶質半導体層はまずＳ　ｅ、Ａｓ２Ｓｅ３を別々の蒸
着ボートから３００Ａの厚さに蒸着する。この場合のＡ
ｓ濃度は重量比で３％とし膜厚方向に一様に分布させる
。次にＳ　ｅ　、　Ａｓ２　Ｓｅ３　、　Ｌ　ｉＦをそ
れぞれ別々の蒸着ボートにより６００人の厚さに蒸着す
る。この時のＡｓ濃度は重量比で２％、ＬｉＦ濃度は重
量比で２０００ｐｐｍとし膜厚方向に一様に分布させる
。さらにその上にＳｅ。

Ａｓ２Ｓｅ３を別々の蒸着ボートで１．４μｍの厚さに
蒸着する。この場合のＡｓ濃度は重量比で２％とし、膜
厚方向に一様に分布させる。以上で非晶質半導体層の蒸
着を終る。非晶質半導体層の蒸着は２Ｘ１０−６Ｔｏｒ
ｒの真空中で行う。非晶質半導体層の上に電子注入阻止
層を蒸着する。電子注入阻止層は３Ｘ　１０−’Ｔｏｒ
ｒのアルゴン雰囲気中でＳｂ２Ｓ３を９００人の厚さに
蒸着する。以上により形成されたターゲットを組み込ん
だ撮像管を形成し、その非晶質半導体層を電荷増倍作用
を生じる７　Ｘ　１０　’Ｖ／ｍ−２Ｘ　１０８Ｖ／ｍ
の電界で動作させる。

実施例３７゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、さらに整流性接触補助層としてＣｅＯ２を
３００Ａの厚さに３Ｘ１０−６Ｔｏｒｒの真空中で蒸着
する。その上に非晶質半導体層として、まずＳｅとＡｓ
２Ｓｅ３を別々の蒸着ボートにより１．４μｍの厚さに
蒸着する。この場合のＡｓ濃度は重量比で３％とし膜厚
方向に一様に分布させる。続いてＳ　ｅ　、　Ａｓ２　
Ｓｅ３　。

Ｉｎ２Ｏ３を別々の蒸着ボートから１０００人の厚さに
蒸着する。このときのＡｓ濃度は重量比で３％、Ｉｎ２
Ｏ３は重量比で５００ｐｐｍとし膜厚方向に一様に分布
させる。以上で非晶質半導体層の蒸着を終る。非晶質半
導体層の蒸着は２×１０−’Ｔｏｒｒの真空中で行う。

非晶質半導体層の上に電子注入阻止層としてＳｂ２Ｓ３
を３×１Ｏ−１Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気中で９００人
の厚さに蒸着する。以上により形成されたターゲット部
を組み込んだ撮像管を形成し、その非晶質半導体層を電
荷増倍作用を生じる７Ｘ１０７Ｖ／ｍ〜２Ｘ１０ＢＶ／
ｍの電界で動作させる。

実施例３８゜ ガラス基板上に、酸化スズを主体とする透光性電極を形
成し、さらに整流性接触補助層としてＣｅＯ２を２０Ｏ
Ａ、ＣｅＯ２を２００人の厚さに３Ｘ１０””ＢＴｏｒ
ｒの真空中で蒸着する。その上に非晶質半導体層を蒸着
する。非晶質半導体層はまずＳｅとＡｓ、＋Ｓｅ：＋を
それぞれ別々の蒸着ボートにより３００Ａの厚さに蒸着
する。この時のＡｓ濃度は重量比で６％とし膜厚方向に
一様に分布させる。続いてＳｅ、Ａｓ２Ｓｅ３．Ｌｉ　
Ｆをそれぞれ別々の蒸着ボートにより６００人の厚さに
蒸着する。この場合のＡｓ濃度は重量比で２％、ＬｉＦ
濃度は重量比で４０００ｐｐｍとし膜厚方向に一様に分
布させる。次にＳ　ｅ、Ａｓ２　Ｓｅ３をそれぞれ別々
の蒸着ボートから１．５μｍの厚さに蒸着する。この場
合のＡｓ濃度は重量比で２％とし膜厚方向に一様に分布
させる。その上にＳｅ。

Ａ３２Ｓｅ３．Ｉｎ２Ｏ３をそれぞれ別々の蒸着ボート
から２００ＯＡの厚さに蒸着する。この時のＡｓ濃度は
重量比で３％、Ｉ　ｎ　２０３濃度は重量比で７００ｐ
ｐｍとし膜厚方向に一様に分布させる。

さらにその上にＳｅ、Ａｓ２Ｓｅ３をそれぞれ別々の蒸
着ボートから２０００人の厚さに蒸着する。

この場合のＡｓ濃度は重量比で２％とし膜厚方向に一様
に分布させる。以上で非晶質半導体層の蒸着を終る。非
晶質半導体層の蒸着は３Ｘ１０−”Ｔｏｒｒの真空中で
行う。非晶質半導体層の上に電子注入阻止層としてＳｂ
２Ｓ３を２　Ｘ　１０−１Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気中
で１０００人の厚さに蒸着する。以上により形成された
ターゲット部を組み込んだ撮像管を形成し、その非晶質
半導体層を電荷増倍作用を生じる７　Ｘ　１０　’Ｖ／
ｍ−２Ｘ　Ｉ　Ｑ　８Ｖ　／　、ｍの電界で動作させる
。

実施例３９゜ ガラス基板上に、酸化インジウムを主体とする透光性電
極を形成し、さらに整流性接触補助層としてＣｅＯ，を
２００λの厚さに３Ｘ１０−６Ｔｏｒｒの真空中で蒸着
する。その上に非晶質半導７５一 体層を蒸着する。非晶質半導体層はまずＳｅ。

Ａｓ２Ｓｅ３を別々の蒸着ボートから５０００人の厚さ
に蒸着する。この時のＡｓ濃度は重量比で３％とし膜厚
方向に一様に分布させる。続いてＳｅ。

Ａｓ２Ｓｅ３を別々の蒸着ボートから３００人の厚さに
蒸着する。この場合のＡｓ濃度は重量比で２０％とし膜
厚方向に一様に分布させる。次にＳ　ｅ＋　Ａｓ２　Ｓ
ｅ３を別々の蒸着ボートから５０００人の厚さに蒸着す
る。この場合のＡｓ濃度は重量比で３％とし膜厚方向に
一様に分布させる。その上にＳ　ｅ、Ａｓ２　Ｓｅ３を
別々の蒸着ボートから３０ＯＡの厚さに蒸着する。この
時のＡｓ濃度は重量比で２０％とし膜厚方向に一様に分
布させる。さらにその上にＳｅ、Ａ３２Ｓｅ３を別々の
蒸着ボートから５０００人の厚さに蒸着する。

この場合のＡｓ濃度は重量比で１０％とし膜厚方向に一
様に分布させる。以上で非晶質半導体層の蒸着を終る。

非晶質半導体層の蒸着は３×１０　　”Ｔｏｒｒの真空
中で行う。非晶質半導体層の上に電子注入阻止層の蒸着
を行う。電子注入阻＝７６− 止層は５ｂ２Ｓ　３を３Ｘ　１０−”Ｔｏｒｒのアルゴ
ン雰囲気中で９００Ａの厚さに蒸着する。以上により形
成されたターゲットを組み込んだ撮像管を形成し、その
非晶質半導体層を電荷増倍作用を生じる５×１０７Ｖ／
ｍ−２Ｘ１０”Ｖ／ｍの電界で動作させる。

実施例４０゜ ガラス基板上に、酸化スズを主体とする透光性電極を形
成し、さらに整流性接触補助層としてＣｅＯ２を１５Ｏ
Ａ、ＣｅＯ２を１５０人の厚さに２Ｘ１０−６Ｔｏｒｒ
の真空中で蒸着する。その上に非晶質半導体層を蒸着す
る。非晶質半導体層はまずＳｅ、Ａｓ２Ｓｅ３を別々の
蒸着ボートから６００人の厚さに蒸着する。この時のＡ
ｓ濃度は重量比で３％とし膜厚方向に一様に分布させる
。

続いてＳｅ、Ａ３２Ｓｅ３を別々の蒸着ボートから１５
０人の厚さに蒸着する。この場合のＡｓ濃度は重量比で
１０％とし膜厚方向に一様に分布させる。次にＳｅ、Ｔ
ｅ、Ａｓ２Ｓｅ３．ＬｉＦをそれぞれ別々の蒸着ボート
により９００Ａの厚さに蒸着する。この場合のＴｅ濃度
は重量比で１５％、Ａｓ濃度は重量比で２％、ＬｉＦ濃
度は重量比で４０００ｐｐｍとし膜厚方向に一様に分布
させる。

その上にＳｅ、Ａｓ２Ｓｅ３．Ｉｎ２Ｏ３をそれぞれ別
々の蒸着ボートにより１５０人の厚さに蒸着する。この
時のＡｓ濃度は重量比で２５％、Ｉｎ２Ｏ３濃度は重量
比で５００ｐｐｍとし膜厚方向に一様に分布させる。さ
らにその上にＳｅ。

Ａｓ２Ｓｅ３を別々の蒸着ボートから１．８μｍの厚さ
に蒸着する。この場合のＡｓ濃度は重量比で２％とし膜
厚方向に一様に分布させる。以上で非晶質半導体層の蒸
着を終る。非晶質半導体層の蒸着は２Ｘ１０　　’Ｔｏ
ｒｒの真空中で行う。次に非晶質半導体層の上に電子注
入阻止層を蒸着する。

電子注入阻止層はＳｂ２Ｓ３を３　Ｘ　１０−’Ｔｏｒ
ｒのアルゴン雰囲気中で１０００人の厚さに蒸着する。

以上により形成されたターゲットを組み込んだ撮像管を
形成し、その非晶質半導体層を電荷増倍作用を生じる５
×１０７■／ｍ〜２Ｘ１０８■／ｍの電界で動作させる
。

７９一 実施例４１ ガラス基板上に酸化インジウムを主体とする透光性電極
を形成し、さらに整流性接触補助層としてＣａＯ２を２
００人の厚さに３Ｘ１０−６Ｔｏｒｒの真空中で蒸着す
る。その上に非晶質半導体層を蒸着する。非晶質半導体
層はまずＳｅ。

Ａｓ２Ｓｅ３を別々の蒸着ボートから２００ＯＡの厚さ
に蒸着する。この時のＡｓ濃度は重量比で３％とし膜厚
方向に一様に分布させる。続いてＳｅ。

Ａｓ２　Ｓｅ３．Ｌ　ｉ　Ｆをそれぞれ別々の蒸着ボー
トから５００人の厚さに蒸着する。この場合のＡｓ濃度
は重量比で１％、ＬｉＦ濃度は重量比で２０００ｐｐｍ
とし膜厚方向に一様に分布させる。

次にＳｅ、Ａｓ２Ｓｅ３．Ｔｅをそれぞれ別々の蒸着ボ
ートから１μｍの厚さに蒸着する。この場合のＡｓ濃度
は重量比で１％とし膜厚方向に一様に分布させる。また
Ｔｅ濃度は膜厚１μｍにわたって一様な勾配で増加させ
Ｔｅ蒸着開始時の濃度を重量比で１％、Ｔｅ蒸着終了時
の濃度を重量比で１５％とする。続いてＳｅ、Ａｓ２Ｓ
ｅ３を別々の蒸着ボートで１５０Ａの厚さに蒸着する。

この場合のＡｓ濃度は重量比で２０％とし膜厚方向に一
様に分布させる。その上にＳｅ、Ａｓ２Ｓｅ３を別々の
蒸着ボートから２５００人の厚さに蒸着する。

この時のＡｓ濃度は重量比で２％とし膜厚方向に一様に
分布させる。以上で非晶質半導体層の蒸着を終る。非晶
質半導体層の蒸着は２Ｘ１０−ＢＴｏｒｒの真空中で行
う。非晶質半導体層の上に電子注入阻止層としてＳｂ２
Ｓ３を２　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気中で
９００人の厚さに蒸着する。

以上により形成されたターゲット部を組み込んだ撮像管
を形成し、その非晶質半導体層を電荷増倍作用を生じる
６×１０７■／ｍ〜２Ｘ１０８■／ｍの電界で動作させ
る。

実施例４２゜ ガラス基板上に、酸化スズを主体とする透光性電極を形
成し、さらに整流性接触補助層としてグロー放電法によ
り水素化非晶質窒化シリコン膜を２００人の膜厚に形成
する。グロー放電法により水素化非晶質シリコン膜を２
０００人の膜厚に形成する。その上に、Ｓ　ｅ、Ａｓ２
　Ｓｅ３を別々の蒸着ボートにより１５０人の厚さに蒸
着する。この場合のＡｓ濃度は重量比で３０％とし膜厚
方向に一様に分布させる。さらにその上にＳｅ。

Ａｓ２Ｓｅ３を別々の蒸着ボートにより１．８μｍの厚
さに蒸着する。この時のＡｓ濃度は重量比で２％とし膜
厚方向に一様に分布させる。非晶質半導体層のＳｅ、Ａ
ｓ２Ｓｅ３の蒸着は３Ｘ１０　　”Ｔｏｒｒの真空中で
行う。続いて電子注入阻止層を蒸着する。電子注入阻止
層はＳｂ２Ｓ３を３×１Ｏ−１Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲
気中で１０００人の厚さに蒸着する。以上により形成さ
れたターゲット部を組み込んだ撮像管を形成し、その非
晶質半導体層を電荷増倍作用を生じる６×１０７■／ｍ
〜２Ｘ１０８Ｖ／ｍの電界で動作させる。

実施例４３゜ ガラス基板上に、酸化スズを主体とする透光性電極を形
成する。次に非晶質半導体層を蒸着する。

非晶質半導体層はまずＳｅを１０００人の厚さに蒸着す
る。続いてＳｅ、ＬｉＦをそれぞれ別々の蒸着ボートか
ら１００ＯＡの厚さに蒸着する。この時のＬｉＦ濃度は
重量比で３０００ｐｐｍとし膜厚方向に一様に分布させ
る。さらにその上にＳｅを１．８μｍの厚さに蒸着する
。以上で非晶質半導体層の蒸着を終る。非晶質半導体層
の蒸着は２ＸＩＯ”””Ｔｏｒｒの真空中で行う。非晶
質半導体層の上に電子注入阻止層を蒸着する。電子注入
阻止層は３Ｘ　１０−１Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気中で
Ｓｂ２Ｓ３を１００ＯＡの厚さに蒸着する。以上により
形成されたターゲット部を組み込んだ撮像管を形成し、
その非晶質半導体層を電荷増倍作用を生じる７　Ｘ　１
０７Ｖ／ｍ−２Ｘ　１０８Ｖ／ｍの電界で動作させる。

［発明の効果〕 以上から明からなように、本発明によれば、残像特性を
劣化させること無く、利得が１より大の高感度の撮像管
及びその動作方法を得ることが出来る。

なお、本発明は撮像管に関してなされたものであるが、
本発明は電子的スイッチ等により信号電荷を読み取る方
式を用いた受光素子や光通信の受光素子にも応用できる
ことはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る撮像管の原理的構成例を示す図、
第２図は本発明に係る撮像管のターゲット部の原理的構
成例を示す図、第３図、第４図。 第５図、第６図および第７図は本発明に係る撮像管のタ
ーゲット部の特性を示す図、第８図および第９図は本発
明に係る撮像管のターゲット部の原理的構成例を示す図
、および第１Ｏ図は本発明に係る撮像管を用いて構成し
たカメラの基本的構成を示す図である。 ５、符号の説明 １．２１，８１．９１・・透光性基板、２．２２，８２
．９２・・・透光性電極、３・光導電膜、２４，８４．
９４・非晶質半導体層、８６．９６・・・光キャリア発
生層、９７　・中間層。 牛３ｆＩ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、透光性基板上に透光性電極と入射光を光電変換する
   ための光導電膜とを形成して成るターゲット部と、この
   ターゲット部を走査するための電子ビームを放出し、加
   速し、偏向し、集束するための電子ビーム制御部とを有
   する撮像管であって、上記光導電膜は阻止形接触を有し
   、かつその少くとも一部に電荷増倍能力を有する非晶質
   半導体層を有して成ることを特徴とする撮像管。 ２、特許請求の範囲第１項記載の撮像管において、前記
   非晶質半導体層はＳｅを主体とする非晶質半導体から成
   ることを特徴とする撮像管。 ３、特許請求の範囲第２項記載の撮像管において、前記
   非晶質半導体層の膜厚は０．５μｍ以上１０μｍ以下で
   あることを特徴とする撮像管。 ４、特許請求の範囲第２項若しくは第３項記載の撮像管
   において、前記非晶質半導体層はＡｓ、Ｇｅのいずれか
   または両者を含有することを特徴とする撮像管。 ５、特許請求の範囲第１項、第２項、第３項若しくは第
   ４項記載の撮像管において、前記非晶質半導体層はその
   膜厚方向の少くとも一部の領域にＴｅ、Ｓｂ、Ｃｄ、Ｂ
   ｉの中から選ばれた少くとも一者を含有することを特徴
   とする撮像管。 ６、特許請求の範囲第５項記載の撮像管において、前記
   領域は前記透光性電極から離れて前記非晶質半導体層内
   に設けられていることを特徴とする撮像管。 ７、特許請求の範囲第５項若しくは第６項記載の撮像管
   において、前記領域に含有されるＴｅ、Ｓｂ、Ｃｄ、Ｂ
   ｉの中から選ばれた少くとも一者の前記非晶質半導体層
   内における含有量は平均値で０．０１重量％以上５０重
   量％以下であることを特徴とする撮像管。 ８、特許請求の範囲第２項、第３項、第４項、第５項、
   第６項若しくは第７項記載の撮像管において、前記非晶
   質半導体層はその膜厚方向の少くとも一部に正孔捕獲準
   位を形成する物質を含有することを特徴とする撮像管。 ９、特許請求の範囲第８項記載の撮像管において、前記
   正孔捕獲準位を形成する物質はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、
   Ｃａ、Ｂａ、Ｔｌ及びそれらのフッ化物、及びＡｌ、Ｃ
   ｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｃｅのフッ化物から成る群から
   選ばれる少くとも一者であることを特徴とする撮像管。 １０、特許請求の範囲第８項若しくは第９項記載の撮像
   管において、前記正孔捕獲準位を形成する物質は前記非
   晶質半導体層の光入射側の一部分に含有せしめたことを
   特徴とする撮像管。 １１、特許請求の範囲第８項、第９項若しくは第１０項
   記載の撮像管において、前記正孔捕獲準位を形成する物
   質の前記非晶質半導体層内における局所的な濃度は２０
   重量ｐｐｍ以上１０重量％以下であることを特徴とする
   撮像管。 １２、特許請求の範囲第２項乃至第１１項のいずれかに
   記載の撮像管において、前記非晶質半導体層はその膜厚
   方向の少くとも一部に電子捕獲準位を形成する物質を含
   有することを特徴とする撮像管。 １３、特許請求の範囲第１２項記載の撮像管において、
   前記電子捕獲準位を形成する物質は酸化銅、酸化インジ
   ウム３酸化セレン、酸化バナジウム、酸化モリブデン、
   酸化タングステン、フッ化ガリウム、フッ化インジウム
   、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｌ、Ｉ及びＢｒから成る群から
   選ばれた少くとも一者であることを特徴とする撮像管。 １４、特許請求の範囲第１２項若しくは第１３項記載の
   撮像管において、前記電子捕獲準位を形成する物質は前
   記非晶質半導体層の電子ビーム走査側近傍の一部分に含
   有せしめたことを特徴とする撮像管。 １５、特許請求の範囲第１２項、第１３項若しくは第１
   ４項記載の撮像管において、前記電子捕獲準位を形成す
   る物質の前記非晶質半導体層内における局所的な濃度は
   ２０重量ｐｐｍ以上１０重量％以下であることを特徴と
   する撮像管。 １６、特許請求の範囲第１項乃至第１５項のいずれかに
   記載の撮像管において、前記光導電膜は入射光を吸収し
   て光キャリアの大部分を発生する光キャリア発生層と、
   発生した上記光キャリアを増倍する電荷増倍層とを有す
   ることを特徴とする撮像管。 １７、特許請求の範囲第１６項記載の撮像管において、
   前記光キャリア発生層は前記電荷増倍層に対して前記光
   導電膜の光入射側に設けられていることを特徴とする撮
   像管。 １８、特許請求の範囲第１６項若しくは第１７項記載の
   撮像管において、前記光導電膜は前記光キャリア発生層
   と前記電荷増倍層との間に両者とバンド・ギャップ若し
   くは空間電界強度の異なる中間層を有することを特徴と
   する撮像管。 １９、特許請求の範囲第１８項記載の撮像管において、
   前記中間層はＳｅを主体とする非晶質体に第１の他の物
   質を含有する材料を有することを特徴とする撮像管。 ２０、特許請求の範囲第１９項記載の撮像管において、
   前記第１の他の物質はビスマス、カドミウム、およびこ
   れらのカルコゲン化物、テルル、スズ、ヒ素、ゲルマニ
   ウム、アンチモン、インジウム、ガリウム、およびこれ
   らのカルコゲン化物、硫黄、塩素、ヨウ素、臭素、酸化
   銅、酸化インジウム、酸化セレン、４酸化バナジウム、
   酸化モリブデン、酸化タングステン、フッ化ガリウムお
   よびフッ化インジウムのうち少くとも一者であることを
   特徴とする撮像管。 ２１、特許請求の範囲第１８項、第１９項若しくは第２
   ０項記載の撮像管において、前記中間層はＳｉを主体と
   する非晶質体に第２の他の物質を含有する材料を少くと
   も含むことを特徴とする撮像管。 ２２、特許請求の範囲第２１項記載の撮像管において、
   前記第２の他の物質はゲルマニウム、炭素、窒素及びス
   ズよりなる第１群元素、又は、III族及びＶ族元素より
   なる第２群元素のうち少くとも一者であることを特徴と
   する撮像管。 ２３、特許請求の範囲第１６項乃至第２２項のいずれか
   に記載の撮像管において、前記光キャリア発生層はＺｎ
   、Ｃｄ、Ｈｇ及びＰｂよりなる第３群のうち少くとも一
   つの元素と、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ及びＴｅよりなる第４群のう
   ち少くとも一つの元素とを組み合せた第１の材料を主体
   とすることを特徴とする撮像管。 ２４、特許請求の範囲第２３項記載の撮像管において、
   前記第１の材料はＺｎＳ、ＣｄＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳｅ
   、ＺｎＴｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＣｄＴｅ、ＰｂＯ及びＰｂ
   Ｓのうち少くとも一者であることを特徴とする撮像管。 ２５、特許請求の範囲第１６項乃至第２４項のいずれか
   に記載の撮像管において、前記光キャリア発生層はハロ
   ゲンまたは水素を含有するテトラヘドラル系非晶質材料
   を主体とすることを特徴とする撮像管。 ２６、特許請求の範囲第２５項記載の撮像管において、
   前記ハロゲンはフッ素、塩素のうち少くとも一者である
   ことを特徴とする撮像管。 ２７、特許請求の範囲第１６項若しくは第１７項記載の
   撮像管において、前記光キャリア発生層は非晶質Ｓｉを
   主体とする材料から成ることを特徴とする撮像管。 ２８、光導電膜の少くとも一部に非晶質半導体層を有し
   、かつ阻止形構造のターゲット部をもつ撮像管の動作方
   法であって、上記非晶質半導体層は電荷増倍能力を有す
   る材料からなり、上記光導電膜を上記非晶質半導体層の
   内部で上記電増倍能力を発揮する電界領域で動作させる
   ことを特徴とする撮像管の動作方法。 ２９、特許請求の範囲第２８項記載の撮像管の動作方法
   において、前記非晶質半導体層はＳｅを主体とする材料
   から成り、かつ前記電界領域は５×１０＾７Ｖ／ｍから
   ２×１０＾８Ｖ／ｍの範囲であることを特徴とする撮像
   管の動作方法。