JPS63310143A - 黒鉛製治具 - Google Patents
黒鉛製治具Info
- Publication number
- JPS63310143A JPS63310143A JP62147347A JP14734787A JPS63310143A JP S63310143 A JPS63310143 A JP S63310143A JP 62147347 A JP62147347 A JP 62147347A JP 14734787 A JP14734787 A JP 14734787A JP S63310143 A JPS63310143 A JP S63310143A
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- graphite
- coefficient
- jig
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体のセラミックパッケージの位置決めやリ
ードビン、リードフレームのろう付等に使用される黒鉛
製治具に関する。
ードビン、リードフレームのろう付等に使用される黒鉛
製治具に関する。
（従来の技術）
電子工業部品の多様化と短小軽薄化に伴い、電子工業部
品の製作に使用される耐熱性治具の形状は複雑多岐とな
り、特に黒鉛製治具は耐熱性や加工性などが優れている
ため、その要請に応じて需要が増々高まりつつある。特
に半導体のセラミックパッケージ用黒鉛製拍具はその性
質上、セラミラフ基板、リードピン、リードフレームな
どの多くの電子部品を黒鉛製治具本体の表面に精度よく
位置決めしてａｔ’ｔする必要があるものである。
品の製作に使用される耐熱性治具の形状は複雑多岐とな
り、特に黒鉛製治具は耐熱性や加工性などが優れている
ため、その要請に応じて需要が増々高まりつつある。特
に半導体のセラミックパッケージ用黒鉛製拍具はその性
質上、セラミラフ基板、リードピン、リードフレームな
どの多くの電子部品を黒鉛製治具本体の表面に精度よく
位置決めしてａｔ’ｔする必要があるものである。
そのため、従来は第３図に示すように黒鉛製治具の所定
の位ごに電子部品の位置決めをするための金属ビンが打
ち込まれたり、黒鉛本体が精密に機械加工されていた。
の位ごに電子部品の位置決めをするための金属ビンが打
ち込まれたり、黒鉛本体が精密に機械加工されていた。
しかしながら、従来の黒鉛製治具を用いてセラミックパ
ッケージの位置決めやリードピン、リードフレームのろ
う付を行なった場合、出来上がったセラミックパッケー
ジの製品は寸法不良、特にリードピン、リードフレーム
のピッチ間隔の不良やリードピン、リードフレームのろ
う材部近傍にカーボン粉の付着等が発生したり、極端な
場合は、セラミックパッケージと黒鉛製治具とがかみ合
って抜き取ることがてきないなどのトラブルか発生し、
生産収率を−Ｌげることか出来なかった。
ッケージの位置決めやリードピン、リードフレームのろ
う付を行なった場合、出来上がったセラミックパッケー
ジの製品は寸法不良、特にリードピン、リードフレーム
のピッチ間隔の不良やリードピン、リードフレームのろ
う材部近傍にカーボン粉の付着等が発生したり、極端な
場合は、セラミックパッケージと黒鉛製治具とがかみ合
って抜き取ることがてきないなどのトラブルか発生し、
生産収率を−Ｌげることか出来なかった。
本発明者は、この種のトラブルの原因について種々検討
を行なった。その結果、従来の黒鉛製治具をつくってい
る黒鉛材の熱膨張係数か小さすぎることか原因となって
いることか判明した。すなわち、黒鉛材は−・般にセラ
ミック材料にくらべ熱膨張係数か小さく、４．５×１０
−６℃−１以下がほとんどである。セラミックパッケー
ジのろう付作業はセラミック基板とリートピン、リード
フレーム、ろう材をそれぞれ黒鉛治具に載ｔし、８００
℃〜１０００℃の処理炉に入れることによって行なわれ
る。このときセラミック基板及び黒鉛治具は加熱により
熱膨張を起こすが、両者の熱膨張係数が違いすぎるため
、８００℃〜１０００℃でろう付をおこなっても冷却後
のセラミックパッケージの寸法制度は満足のいくもので
なく、同時に熱膨張係数のミスマツチによってリードビ
ン、リードフレームか黒鉛治具と加圧接触の状態でこす
れ合うため、ろう材部近傍にカーボン粉が付着すること
も重なって生産収率か思わしくなかった。
を行なった。その結果、従来の黒鉛製治具をつくってい
る黒鉛材の熱膨張係数か小さすぎることか原因となって
いることか判明した。すなわち、黒鉛材は−・般にセラ
ミック材料にくらべ熱膨張係数か小さく、４．５×１０
−６℃−１以下がほとんどである。セラミックパッケー
ジのろう付作業はセラミック基板とリートピン、リード
フレーム、ろう材をそれぞれ黒鉛治具に載ｔし、８００
℃〜１０００℃の処理炉に入れることによって行なわれ
る。このときセラミック基板及び黒鉛治具は加熱により
熱膨張を起こすが、両者の熱膨張係数が違いすぎるため
、８００℃〜１０００℃でろう付をおこなっても冷却後
のセラミックパッケージの寸法制度は満足のいくもので
なく、同時に熱膨張係数のミスマツチによってリードビ
ン、リードフレームか黒鉛治具と加圧接触の状態でこす
れ合うため、ろう材部近傍にカーボン粉が付着すること
も重なって生産収率か思わしくなかった。
（発明か解決しようとする問題点）
本発明は、このような知見に基づいて従来の黒鉛製治具
の欠点を除去して、セラミックパッケージの生産収率な
向上させる黒鉛製治具を得ることを目的としてなされた
ものである。
の欠点を除去して、セラミックパッケージの生産収率な
向上させる黒鉛製治具を得ることを目的としてなされた
ものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、８１１ｍ張係ｅカ４ 、５ ｘ ｌ Ｏ−６
°Ｃ〜Ｂ、０ｘｌＯ−６℃−１の範囲である黒鉛材から
なることを特徴とするセラミックパッケージのろう材用
黒鉛製治具に関する。
°Ｃ〜Ｂ、０ｘｌＯ−６℃−１の範囲である黒鉛材から
なることを特徴とするセラミックパッケージのろう材用
黒鉛製治具に関する。
半導体のセラミックパッケージに使われるセラミック基
板はＡ１２０．を主体としたもの、ＢｅＯを主体とした
もの、及びステアタイト（ＭｇＯ・５ｉｆｔ）やフォル
ステライト（２Ｍｇ０・ＳｉＯ□）を主体としたもの等
の酸化物セラミックスや、ガラス−セラミックス複合系
基板としてＡ ５Ｌｔ Ｏ３とホウケイ酸ガラス（Ｂｚ
Ｏｚ−３ｉ Ｏ２） 、又はホウケイ酸鉛ガラス（Ｂ２
０：１−５ｉＯ□ −ＰｂＯ）などがあり、非線化物系
ではＡｌＮを主体としたもの、ＳｉＣを主体としたもの
かある。これらの中で、Ａ ｌ ２０３を主体としたも
のが大部分をしめている。
板はＡ１２０．を主体としたもの、ＢｅＯを主体とした
もの、及びステアタイト（ＭｇＯ・５ｉｆｔ）やフォル
ステライト（２Ｍｇ０・ＳｉＯ□）を主体としたもの等
の酸化物セラミックスや、ガラス−セラミックス複合系
基板としてＡ ５Ｌｔ Ｏ３とホウケイ酸ガラス（Ｂｚ
Ｏｚ−３ｉ Ｏ２） 、又はホウケイ酸鉛ガラス（Ｂ２
０：１−５ｉＯ□ −ＰｂＯ）などがあり、非線化物系
ではＡｌＮを主体としたもの、ＳｉＣを主体としたもの
かある。これらの中で、Ａ ｌ ２０３を主体としたも
のが大部分をしめている。
ここで、熱膨張係数とは室温〜１０００℃までの平均熱
膨張係数を示す。
膨張係数を示す。
セラミック基板かＡ ｌ ２０ 、を主体としたものか
らなるものは好ましくは熱膨張係数が５．５×１０”６
℃″１〜Ｂ、０Ｘ１０−６℃−１の黒鉛材からなるろう
材用治具を用いるものが良い、又、セラミック基板がＡ
交Ｎを主体としたもの、及びＳｉＣを主体としたものか
らなるものは好ましくは４．５ｘｌＯ−６℃−′〜６．
０Ｘ１０−６℃−１の黒鉛材からなるろう材用治具を用
いるのが良い。
らなるものは好ましくは熱膨張係数が５．５×１０”６
℃″１〜Ｂ、０Ｘ１０−６℃−１の黒鉛材からなるろう
材用治具を用いるものが良い、又、セラミック基板がＡ
交Ｎを主体としたもの、及びＳｉＣを主体としたものか
らなるものは好ましくは４．５ｘｌＯ−６℃−′〜６．
０Ｘ１０−６℃−１の黒鉛材からなるろう材用治具を用
いるのが良い。
黒鉛材の方向性は、限定しないが、好ましくは熱膨張係
数の異方比が１．２５以下の等方性黒鉛素材を用いると
良い。
数の異方比が１．２５以下の等方性黒鉛素材を用いると
良い。
（発明の作用）
セラミックパッケージのＡ ｌ ２０３を主体とした基
板の熱膨張係数は７．５ｘｌＯ−６℃−１〜７．８ｘｌ
Ｏ−６℃−１であるのでろう付時の熱膨張係数のミスマ
ツチを出来るたけ少なくして、規定のパッケージ仕上り
寸法精度を出すためには黒鉛製治具の熱膨張係数なＡ！
；Ｌ２０３基板の熱膨張係数に近づけることによって行
なわれる。又、Ａ文Ｎを主体とした基板、及びＳｉＣを
主体とした基板の熱膨張係数は４．５×１０−６℃−１
〜４．９ｘｌＯ−６℃−１であるので、Ａ交、０３を主
体とした基板の時と同じように黒鉛製治具のａｙＭ張係
数を調和させることによってパッケージの仕上り寸法精
度を確保する。
板の熱膨張係数は７．５ｘｌＯ−６℃−１〜７．８ｘｌ
Ｏ−６℃−１であるのでろう付時の熱膨張係数のミスマ
ツチを出来るたけ少なくして、規定のパッケージ仕上り
寸法精度を出すためには黒鉛製治具の熱膨張係数なＡ！
；Ｌ２０３基板の熱膨張係数に近づけることによって行
なわれる。又、Ａ文Ｎを主体とした基板、及びＳｉＣを
主体とした基板の熱膨張係数は４．５×１０−６℃−１
〜４．９ｘｌＯ−６℃−１であるので、Ａ交、０３を主
体とした基板の時と同じように黒鉛製治具のａｙＭ張係
数を調和させることによってパッケージの仕上り寸法精
度を確保する。
黒鉛製治具の熱膨張係数が４．５ｘｌＯ−’°ｃ −１
〜８．０×１０−６℃−１の範囲を逸脱するとセラミッ
クス基板との熱膨張係数の調和作用か失なわれ、ミスマ
ツチによって規格内の製品を得る収率が低下する。
〜８．０×１０−６℃−１の範囲を逸脱するとセラミッ
クス基板との熱膨張係数の調和作用か失なわれ、ミスマ
ツチによって規格内の製品を得る収率が低下する。
又、リードピン、リードフレームのろう封部近傍のカー
ボン粉の付着は上記の熱膨張係数調和作用によって防出
することができるが、ＮＣ工作機などによって精密加工
された黒鉛製治具には加工時に発生した黒鉛の切削粉か
付着しているので、ろう付作業を行なう前に、水、ある
いはアルコール等の有機溶剤で超音波洗浄しておくこと
が好ましい。
ボン粉の付着は上記の熱膨張係数調和作用によって防出
することができるが、ＮＣ工作機などによって精密加工
された黒鉛製治具には加工時に発生した黒鉛の切削粉か
付着しているので、ろう付作業を行なう前に、水、ある
いはアルコール等の有機溶剤で超音波洗浄しておくこと
が好ましい。
（実施例）
次に実施例を示す。
実施例１
℃
熱膨張係数が７．ＯＸ Ｉ Ｑ−’箕−’の黒鉛材を加
工して第１図に示すピングリッドアレイ型半導体パッケ
ージのろう付するための黒鉛製治具（１２０ｘ１９０ｘ
ｌｏ）を作製した。
工して第１図に示すピングリッドアレイ型半導体パッケ
ージのろう付するための黒鉛製治具（１２０ｘ１９０ｘ
ｌｏ）を作製した。
この治具を用いてＡ５Ｌ２Ｏｉを一主体とするセラミッ
ク基板を用いたピングリットアレイ型半導体パッケージ
のろう付作業を行なった。
ク基板を用いたピングリットアレイ型半導体パッケージ
のろう付作業を行なった。
この結果を第１表に示す、 一
実施例２
熱膨張係数が４．６ｘｌＯ−６℃−１の黒鉛材を加工し
て、実施例１と同様に第１図に示すピングリッドアレイ
型半導体パッケージのろう付するための黒鉛製治具（１
２０ｘ１９０ｘｌＯ）を作製した。
て、実施例１と同様に第１図に示すピングリッドアレイ
型半導体パッケージのろう付するための黒鉛製治具（１
２０ｘ１９０ｘｌＯ）を作製した。
この治具を用いてＡｌＮを主体とするセラミック基板を
用いたビングリッドアレイ型半導体パッケージのろう付
作業を行なった。
用いたビングリッドアレイ型半導体パッケージのろう付
作業を行なった。
この結果を第１表に示す。
及ム■ユ
熱膨張係数が５．１×１０−６℃−１のの黒鉛材を加工
して、実施例１と同様に第１図に示すビングリッドアレ
イ型半導体パ・７ケージのろう付するための黒鉛製治具
（１２０ｘ１９０ｘｌＯ）を作製した。
して、実施例１と同様に第１図に示すビングリッドアレ
イ型半導体パ・７ケージのろう付するための黒鉛製治具
（１２０ｘ１９０ｘｌＯ）を作製した。
この治具を用いてＳｉＣを主体とするセラミック基板を
用いたビングリッドアレイ型半導体パッケージのろう付
作業を行なった。
用いたビングリッドアレイ型半導体パッケージのろう付
作業を行なった。
この結果を表１に示す。
実施例４
熱膨張係数が６．１×１０−６℃−１の黒鉛材を加工し
て第２図に示すデュアル・イン・ライン型半導体パッケ
ージのろう付するための黒鉛製治具（ｌ １Ｏｘ１８０
ｘｌｏ）を作製した。
て第２図に示すデュアル・イン・ライン型半導体パッケ
ージのろう付するための黒鉛製治具（ｌ １Ｏｘ１８０
ｘｌｏ）を作製した。
この治具な用いてＡ ｌ ｔ Ｏ３を主体とするセラミ
ック基板を用いたデュアル・イン・ライン型半導体パッ
ケージのろう付作業を行なった。
ック基板を用いたデュアル・イン・ライン型半導体パッ
ケージのろう付作業を行なった。
この結果を表１に示す。
監蚊璽」
熱膨張係数が３．０×１０−６℃−１の黒鉛材を用いて
実施例１と同じ形状の治具を作製し、実施例１と同じろ
う付作業を行なった。
実施例１と同じ形状の治具を作製し、実施例１と同じろ
う付作業を行なった。
この結果を表１に示す。
比較例２
８１１張係数が３．３ｘｌＯ−６℃１の黒鉛材を用いて
実施例２と同じ形状の治具を作製し、実施例２と同じろ
う付作業を行なった。
実施例２と同じ形状の治具を作製し、実施例２と同じろ
う付作業を行なった。
この結果を表１に示す。
比較例３
熱膨張係数が４．０×１０”６℃−１の黒鉛材を用いて
実施例４と同じ形状の治具を作製して、実施例４と同じ
ろう付作業を行なつた。
実施例４と同じ形状の治具を作製して、実施例４と同じ
ろう付作業を行なつた。
この結果を表１に示す。
（以下、余白）
表 １ ろう付作業生産収率
（発明の効果）
以ヒ詳述したように、本発明に−よって得られたセラミ
ックパッケージのろう材用黒鉛治具を用いることによっ
て、きびしい仕りり寸法精度の要求されるセラミックパ
ッケージのろう付作業の生産収率を飛躍的に向上させる
ことがてき、この業界において極めて有用なものである
。
ックパッケージのろう材用黒鉛治具を用いることによっ
て、きびしい仕りり寸法精度の要求されるセラミックパ
ッケージのろう付作業の生産収率を飛躍的に向上させる
ことがてき、この業界において極めて有用なものである
。
第１図はピングリッドアレイ型半導体パッケージを示す
斜視図、第２図はデュアル・イン・ライン型半導体パッ
ケージを示す斜視図、第３図は半導体パッケージをろう
付するための黒鉛製治具を示す斜視図である。
斜視図、第２図はデュアル・イン・ライン型半導体パッ
ケージを示す斜視図、第３図は半導体パッケージをろう
付するための黒鉛製治具を示す斜視図である。
Claims (1)
- 基板がＡｌ＿２Ｏ＿３又はＡｌＮ又はＳｉＣのいずれか
を主体とするセラミックパッケージのろう付に使用され
る黒鉛製治具であって、熱膨張係数が４．５×１０＾−
＾６℃＾−＾１〜８．０×１０＾−＾６℃＾−＾１の範
囲である黒鉛材からなることを特徴とする黒鉛製治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62147347A JP2608287B2 (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 黒鉛製治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62147347A JP2608287B2 (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 黒鉛製治具 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28941696A Division JPH09167817A (ja) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | セラミックパッケージ用黒鉛製治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63310143A true JPS63310143A (ja) | 1988-12-19 |
| JP2608287B2 JP2608287B2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=15428127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62147347A Expired - Lifetime JP2608287B2 (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 黒鉛製治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2608287B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09167817A (ja) * | 1996-10-31 | 1997-06-24 | Ibiden Co Ltd | セラミックパッケージ用黒鉛製治具 |
| JP2010090027A (ja) * | 2009-11-18 | 2010-04-22 | Toyo Tanso Kk | セラミックろう付け用黒鉛治具 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5358496A (en) * | 1976-11-05 | 1978-05-26 | Agency Of Ind Science & Technol | Production of graphite substrate for oxidation resistant coating |
| JPS5456095A (en) * | 1977-10-12 | 1979-05-04 | Toshiba Ceramics Co | Carbon baseematerial for sic coating |
| JPS58176960A (ja) * | 1982-04-09 | 1983-10-17 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS58184747A (ja) * | 1982-04-23 | 1983-10-28 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 半導体用リ−ドピンのろう付方法 |
| JPS59165445A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-18 | Hitachi Ltd | ロウ付方法 |
| JPS59172254A (ja) * | 1983-03-19 | 1984-09-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | フラットタイプのセラミックパツケ−ジにおけるリ−ドフレ−ムのろう付け方法およびそのリ−ドフレ−ム |
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| JPS60103087A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-07 | 日立化成工業株式会社 | 加熱用黒鉛部材 |
| JPS6146100A (ja) * | 1984-08-11 | 1986-03-06 | 日本碍子株式会社 | ピン自動挿入機 |
-
1987
- 1987-06-12 JP JP62147347A patent/JP2608287B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2010090027A (ja) * | 2009-11-18 | 2010-04-22 | Toyo Tanso Kk | セラミックろう付け用黒鉛治具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2608287B2 (ja) | 1997-05-07 |
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