JPS6331103B2 - - Google Patents
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- JPS6331103B2 JPS6331103B2 JP56002094A JP209481A JPS6331103B2 JP S6331103 B2 JPS6331103 B2 JP S6331103B2 JP 56002094 A JP56002094 A JP 56002094A JP 209481 A JP209481 A JP 209481A JP S6331103 B2 JPS6331103 B2 JP S6331103B2
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- filler
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
- H10W74/473—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins containing a filler
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
本発明は炭化ケイ素系焼結体粉末を充填剤とす
るエポキシ樹脂組成物によつて封止された半導体
装置に係り、特にか酷な高湿条件に耐え、高温動
作寿命にすぐれた樹脂封止半導体装置に関する。 近年、半導体素子、抵抗体、コンデンサやコイ
ルなどの電子回路部品を、熱硬化性樹脂成形材料
を用いて封止する樹脂封止法が広く採用され、生
産効率、経済面に大きく寄与している。その材料
としては、低圧成形用エポキシ樹脂成形材料が賞
用されている。 さて、これらの樹脂封止された例えばTRS、
IC、LSI等の半導体装置は、ガラス、セラミツ
ク、金属などを用いたハーメチツクシール品に比
べ安価ではあるが、信頼性、耐湿性、高温動作特
性などの信頼性に若干劣る点がある。それ故、こ
れらの信頼性を向上させるために各種の検討がな
されている。また、最近では出力の大きなTRS、
IC、LSI等が要求されており、そのためにモール
ドレジンの熱伝導性を高めることが特に必要にな
つてきた。 そこで、本発明者らは、特に出力の大きい
TRS、IC、LSI等に適用可能な高熱伝導性を有
し、しかも耐湿性等の信頼性の要求に応じられる
封止用樹脂を見出すべく、検討してきた。封止用
樹脂を高熱伝導化するには、熱伝導率の大きな無
機質充填剤を配合する方法が、一般に採られてい
る。そのような充填剤としては、結晶性シリカ、
アルミナ、ケイ酸ジルコニウム、酸化ベリリウ
ム、酸化マグネシウム、ムライト、炭化ケイ素等
の粉末が挙げられる。しかし、それらにはそれぞ
れ実用面で一長一短がある。すなわち、結晶性シ
リカは大きな熱膨張率を有し、アルミナ、ケイ酸
ジルコニウム等は経験的にエポキシ樹脂の硬化を
遅らせる傾向を示し、また、酸化マグネシウムは
吸湿性であることなどである。このような理由か
ら、高熱伝導性と称する封止用樹脂の市販製品
は、一般に結晶性シリカ粉と線膨張率の小さい非
晶性シリカ粉、いわゆる石英ガラス粉とを併用し
て、熱伝導性と熱膨張率とに折衷をはかつている
ようである。 本発明者らは、高熱伝導性を有し線膨張率の小
さい封止用樹脂を見出すことによつて、前述の要
求に応じ耐湿性、高温動作特性など信頼性にすぐ
れた樹脂封止半導体装置を製作できるとの考の下
に、検討を進めた。そして炭化ケイ素に着目した
が、このものは、比抵抗が10Ω−cmであるため
に、封止用樹脂の充填剤としては不適であつた。
しかし、炭化ケイ素に、酸化ベリリウムおよび窒
化ホウ素のうちの少なくとも１種を配合してなる
焼結体が、比抵抗1010Ω−cm以上の絶縁体である
ことを別の研究において見出した。そして、この
焼結体を粉砕して得た粉末を、エポキシ樹脂組成
物に充填剤として加えた結果、予期した特性を得
られることが判明した。 本発明は、上述の経過に基づいて達せられたも
ので、信頼性の高い樹脂封止半導体装置を提供す
ることをその目的としている。その特徴は、炭化
ケイ素を主成分とし、酸化ベリリウムおよび窒化
ホウ素のうちの少なくとも１種を含有する焼結体
の粉末を、充填剤として配合したエポキシ樹脂組
成物によつて封止されていることである。 前記充填剤における組成は、要求される比抵抗
値に関係し、1010Ω−cm以上の値を与えるように
定められる。具体的には、炭化ケイ素100重量部
に対し、酸化ベリリウムおよび窒化ホウ素のうち
の少なくとも１種を２重量部以上含まれることが
望ましい。それらの化合物は十分に混合されたの
ち、真空下約2000℃で加圧焼結され、次いで粉砕
されて、エポキシ樹脂組成物に充填される。 本発明においてエポキシ樹脂組成物は、エポキ
シ樹脂とその硬化剤を主成分とし、さらに必要に
応じ硬化促進剤その他を含有してよい。エポキシ
樹脂は、特に限定されることなく公知のエポキシ
化合物が広く使用できる。例えば、ビスフエノー
ルＡ、ビスフエノールＦ、レゾルシノール、フエ
ノールノボラツク、クレゾールノボラツクなどの
フエノール類のグリシジルエーテル、ブタンジオ
ール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレン
グリコールなどのアルコール類のグリシジルエー
テル、フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフ
タル酸などのカルボン酸類のグリシジルエステ
ル、アニリン、イソシアヌール酸などの窒素原子
に結合した活性水素をグリシジル基で置換したも
のなどのグリシジル型（メチルグリシジル型も含
む）エポキシ樹脂、分子内のオレフイン結合を過
酸等でエポキシ化して得られるビニルシクロヘキ
センジエポキシド、３・４−エポキシシクロヘキ
シルメチル−３・４−エポキシシクロヘキサンカ
ルボキシレート、２−（３・４−エポキシ）シク
ロヘキシル−５・５−スピロ（３・４−エポキ
シ）シクロヘキサン−ｍ−ジオキサンなどのいわ
ゆる脂環型エポキシドなどが用いられる。また、
硬化剤としては公知のエポキシ樹脂用硬化剤を用
いることができる。幾つか例示すると、例えば、
無水マレイン酸、無水フタル酸、無水テトラヒド
ロフタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水エ
ンドメチレンテトラヒドロフタル酸、無水メチル
エンドメチレンテトラヒドロフタル酸、無水メチ
ルテトラヒドロフタル酸、テトラクロル無水フタ
ル酸、無水エンドジクロロメチレンテトラクロル
フタル酸、テトラブロム無水フタル酸、無水トリ
メリツト酸、シクロペンタンテトラカルボン酸二
無水物、ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水
物、ピロメリツト酸二無水物などのいわゆる酸無
水物硬化剤、ジアミノジフエニルメタン、ジアミ
ノジフエニルエーテル、ジアミノジフエニルスル
ホン、ベンジジン、ジアニシジン、フエニレンジ
アミン、メチレンビス（ｏ−クロロアニリン）、
３・3′−ジカルボキシルベンジジン、３・3′−ジ
カルボキシルジアミノジフエニルメタンなどの芳
香族アミン、フエノールノボラツク、クレゾール
ノボラツクや、フエノール、クレゾール等とパラ
キシリレンジメトキサイドとの縮合物、フエノー
ル、クレゾール等とジフエニルエーテル、ホルム
アルデヒドとの縮合物などのフエノール性水酸基
を有するいわゆる多価フエノール系硬化剤などが
ある。さらに、エポキシ樹脂と反応してオキサド
リドン環を生成して硬化するとともに、それ自身
が３量化してポリマー化するイソシアネート類、
例えばトリレンジイソシアネート、ジフエニルメ
タンジイソシアネート、水素化ジフエニルメタン
ジイソシアネート、ヘキサン−１・６−ジイソシ
アネート、ナフタレンジイソシアネート、ポリメ
チレンポリフエニレンポリイソシアネート、およ
び上記イソシアネートの２量化ないし３量化した
ものなどがある。また、ジアミノジフエニルメタ
ン、ポリメチレンポリフエニレンポリアミンなど
のアミンと無水マレイン酸から合成されるマレイ
ミド類も、それ自身重合することは勿論、分子中
に残存するアミド酸がエポキシ樹脂が反応して硬
化するものであり、エポキシ樹脂の硬化剤として
用いることができる。また、上記マレイミド類と
ポリアミンの付加物も、エポキシ樹脂の硬化剤と
して用いることができる。 硬化促進剤としては、エポキシ樹脂用として有
用な公知のものは全て使用できる。特に、潜在性
の優れたものとしてテトラ置換ホスホニウム・テ
トラ置換ボレート、テトラ置換アルソニウム・テ
トラ置換ボレート、テトラ置換アンモニウム・テ
トラ置換ボレート、各種イミダゾール化合物のボ
レート化合物及びジメチルアミノエタノールと無
水酸との反応生成物を使用するのが好ましい。そ
の他に各種イミダゾール化合物とその誘導体など
も有効である。また、これらの硬化促進剤を２種
以上併用してもかまわない。また、本発明のエポ
キシ樹脂組成物には、トランジスタ、IC、LSI等
の半導体装置をトランスフアモールドするため
に、前記充填剤とともに他の無機質充填剤を用い
ることができ、例えば炭酸カルシウム、シリカ
粉、ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸カルシウム、石
英ガラス粉、タルク、クレー、マイカ、ガラス繊
維粉などが有用であり、これらは、必要に応じて
２種以上併用してもかまわない。また、その他の
添加剤として、離型剤、着色剤、表面カツプリン
グ剤、難燃助剤などを配合してもよい。 前記炭化ケイ素を主成分とする充填剤を配合し
たエポキシ樹脂組成物の半導体装置封止用成形材
料を調製するに当つては、固状の成分材料をそれ
ぞれ粉砕し、ついで所望の割合で十分に混合す
る。混合にはミキシングロール機、ニーダ、リボ
ンミキサ、ボールミルなどの慣用の混合装置を使
用できる。得られた混合物をそのままトランスフ
ア成形に適用することによつて、信頼性の高い樹
脂封止半導体装置を製作できる。 次に実施例を記して本発明を説明する。 実施例 １ 充填剤の調製。純度98％の炭化ケイ素粉末（平
均粒径2μｍ）100重量部を酸化ベリリウム粉末
（平均粒径2μｍ）３重量部とを、入念に混合した
のち、直径50mmの円板に仮成形した。この仮成形
品を黒鉛治具に入れ、真空ホツトプレス装置を用
い、10-3〜10-5Torrの減圧下、圧力200Kg／cm2、
温度2000℃において焼結させた。該焼結体を粗粉
砕後、アルミナ製ボールミルを用いて微粉砕（平
均粒径10μｍ）した。 実施例 ２ フエノールノボラツクエポキシ樹脂（エポキシ
当量225）、硬化剤として無水テトラヒドロフタル
酸、フエノールノボラツク（分子量約800）また
はジアミノジフエニルメタン、硬化促進剤として
２−ウンデシルイミダゾール、離型剤にステアリ
ン酸またはモンタナワツクス、着色剤にカーボン
ブラツク、充填剤として実施例１記載の炭化ケイ
素系焼結体粉末、結晶性シリカ、非晶性シリカ、
アルミナ、またはケイ酸ジルコニウム粉末を、第
１表に示す組成（重量部で表示）に従つて配合
し、熱ロール（70〜80℃）で混練した。冷却後混
練物を粉砕して、成形材料に調製した。 該成形材料について、180℃、70Kg／cm2圧、2.5
分の条件で成形性（スパイラルフロー）を測ると
ともに、試験片を成形して熱時硬度（バーコルNo.
935、2.5分値）、線膨張率、熱伝導率を測定した。
それらの値は第１表の如くである。 前記実施例試料No.２、４および５と、比較例試
料１、４の組成物を用いて、MOS、LSIを前述
の成形条件に従いトランスフア成形法によつて封
止した。そして該封止品の耐湿および高温動作特
性を、次の方法によつて検討した。 耐湿試験 120℃、２気圧の水蒸気中に1000時間
放置後、素子のアルミニウム配線の腐食状況を
調べ、腐食発生率により評価する。 高温動作特性 温度180℃に1000時間放置後動作
試験を行い、該放置したことにより発生した動
作不良素子の率をもつて評価する。 その結果は第２表に記した。 第１、２表から明らかなように、実施例のエポ
キシ樹脂組成物の硬化物は、大きな熱伝導率と小
さな線熱膨張率とを有し、これを用いて封止され
たMOS、LSI製品が信頼性にすぐれている。
るエポキシ樹脂組成物によつて封止された半導体
装置に係り、特にか酷な高湿条件に耐え、高温動
作寿命にすぐれた樹脂封止半導体装置に関する。 近年、半導体素子、抵抗体、コンデンサやコイ
ルなどの電子回路部品を、熱硬化性樹脂成形材料
を用いて封止する樹脂封止法が広く採用され、生
産効率、経済面に大きく寄与している。その材料
としては、低圧成形用エポキシ樹脂成形材料が賞
用されている。 さて、これらの樹脂封止された例えばTRS、
IC、LSI等の半導体装置は、ガラス、セラミツ
ク、金属などを用いたハーメチツクシール品に比
べ安価ではあるが、信頼性、耐湿性、高温動作特
性などの信頼性に若干劣る点がある。それ故、こ
れらの信頼性を向上させるために各種の検討がな
されている。また、最近では出力の大きなTRS、
IC、LSI等が要求されており、そのためにモール
ドレジンの熱伝導性を高めることが特に必要にな
つてきた。 そこで、本発明者らは、特に出力の大きい
TRS、IC、LSI等に適用可能な高熱伝導性を有
し、しかも耐湿性等の信頼性の要求に応じられる
封止用樹脂を見出すべく、検討してきた。封止用
樹脂を高熱伝導化するには、熱伝導率の大きな無
機質充填剤を配合する方法が、一般に採られてい
る。そのような充填剤としては、結晶性シリカ、
アルミナ、ケイ酸ジルコニウム、酸化ベリリウ
ム、酸化マグネシウム、ムライト、炭化ケイ素等
の粉末が挙げられる。しかし、それらにはそれぞ
れ実用面で一長一短がある。すなわち、結晶性シ
リカは大きな熱膨張率を有し、アルミナ、ケイ酸
ジルコニウム等は経験的にエポキシ樹脂の硬化を
遅らせる傾向を示し、また、酸化マグネシウムは
吸湿性であることなどである。このような理由か
ら、高熱伝導性と称する封止用樹脂の市販製品
は、一般に結晶性シリカ粉と線膨張率の小さい非
晶性シリカ粉、いわゆる石英ガラス粉とを併用し
て、熱伝導性と熱膨張率とに折衷をはかつている
ようである。 本発明者らは、高熱伝導性を有し線膨張率の小
さい封止用樹脂を見出すことによつて、前述の要
求に応じ耐湿性、高温動作特性など信頼性にすぐ
れた樹脂封止半導体装置を製作できるとの考の下
に、検討を進めた。そして炭化ケイ素に着目した
が、このものは、比抵抗が10Ω−cmであるため
に、封止用樹脂の充填剤としては不適であつた。
しかし、炭化ケイ素に、酸化ベリリウムおよび窒
化ホウ素のうちの少なくとも１種を配合してなる
焼結体が、比抵抗1010Ω−cm以上の絶縁体である
ことを別の研究において見出した。そして、この
焼結体を粉砕して得た粉末を、エポキシ樹脂組成
物に充填剤として加えた結果、予期した特性を得
られることが判明した。 本発明は、上述の経過に基づいて達せられたも
ので、信頼性の高い樹脂封止半導体装置を提供す
ることをその目的としている。その特徴は、炭化
ケイ素を主成分とし、酸化ベリリウムおよび窒化
ホウ素のうちの少なくとも１種を含有する焼結体
の粉末を、充填剤として配合したエポキシ樹脂組
成物によつて封止されていることである。 前記充填剤における組成は、要求される比抵抗
値に関係し、1010Ω−cm以上の値を与えるように
定められる。具体的には、炭化ケイ素100重量部
に対し、酸化ベリリウムおよび窒化ホウ素のうち
の少なくとも１種を２重量部以上含まれることが
望ましい。それらの化合物は十分に混合されたの
ち、真空下約2000℃で加圧焼結され、次いで粉砕
されて、エポキシ樹脂組成物に充填される。 本発明においてエポキシ樹脂組成物は、エポキ
シ樹脂とその硬化剤を主成分とし、さらに必要に
応じ硬化促進剤その他を含有してよい。エポキシ
樹脂は、特に限定されることなく公知のエポキシ
化合物が広く使用できる。例えば、ビスフエノー
ルＡ、ビスフエノールＦ、レゾルシノール、フエ
ノールノボラツク、クレゾールノボラツクなどの
フエノール類のグリシジルエーテル、ブタンジオ
ール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレン
グリコールなどのアルコール類のグリシジルエー
テル、フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフ
タル酸などのカルボン酸類のグリシジルエステ
ル、アニリン、イソシアヌール酸などの窒素原子
に結合した活性水素をグリシジル基で置換したも
のなどのグリシジル型（メチルグリシジル型も含
む）エポキシ樹脂、分子内のオレフイン結合を過
酸等でエポキシ化して得られるビニルシクロヘキ
センジエポキシド、３・４−エポキシシクロヘキ
シルメチル−３・４−エポキシシクロヘキサンカ
ルボキシレート、２−（３・４−エポキシ）シク
ロヘキシル−５・５−スピロ（３・４−エポキ
シ）シクロヘキサン−ｍ−ジオキサンなどのいわ
ゆる脂環型エポキシドなどが用いられる。また、
硬化剤としては公知のエポキシ樹脂用硬化剤を用
いることができる。幾つか例示すると、例えば、
無水マレイン酸、無水フタル酸、無水テトラヒド
ロフタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水エ
ンドメチレンテトラヒドロフタル酸、無水メチル
エンドメチレンテトラヒドロフタル酸、無水メチ
ルテトラヒドロフタル酸、テトラクロル無水フタ
ル酸、無水エンドジクロロメチレンテトラクロル
フタル酸、テトラブロム無水フタル酸、無水トリ
メリツト酸、シクロペンタンテトラカルボン酸二
無水物、ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水
物、ピロメリツト酸二無水物などのいわゆる酸無
水物硬化剤、ジアミノジフエニルメタン、ジアミ
ノジフエニルエーテル、ジアミノジフエニルスル
ホン、ベンジジン、ジアニシジン、フエニレンジ
アミン、メチレンビス（ｏ−クロロアニリン）、
３・3′−ジカルボキシルベンジジン、３・3′−ジ
カルボキシルジアミノジフエニルメタンなどの芳
香族アミン、フエノールノボラツク、クレゾール
ノボラツクや、フエノール、クレゾール等とパラ
キシリレンジメトキサイドとの縮合物、フエノー
ル、クレゾール等とジフエニルエーテル、ホルム
アルデヒドとの縮合物などのフエノール性水酸基
を有するいわゆる多価フエノール系硬化剤などが
ある。さらに、エポキシ樹脂と反応してオキサド
リドン環を生成して硬化するとともに、それ自身
が３量化してポリマー化するイソシアネート類、
例えばトリレンジイソシアネート、ジフエニルメ
タンジイソシアネート、水素化ジフエニルメタン
ジイソシアネート、ヘキサン−１・６−ジイソシ
アネート、ナフタレンジイソシアネート、ポリメ
チレンポリフエニレンポリイソシアネート、およ
び上記イソシアネートの２量化ないし３量化した
ものなどがある。また、ジアミノジフエニルメタ
ン、ポリメチレンポリフエニレンポリアミンなど
のアミンと無水マレイン酸から合成されるマレイ
ミド類も、それ自身重合することは勿論、分子中
に残存するアミド酸がエポキシ樹脂が反応して硬
化するものであり、エポキシ樹脂の硬化剤として
用いることができる。また、上記マレイミド類と
ポリアミンの付加物も、エポキシ樹脂の硬化剤と
して用いることができる。 硬化促進剤としては、エポキシ樹脂用として有
用な公知のものは全て使用できる。特に、潜在性
の優れたものとしてテトラ置換ホスホニウム・テ
トラ置換ボレート、テトラ置換アルソニウム・テ
トラ置換ボレート、テトラ置換アンモニウム・テ
トラ置換ボレート、各種イミダゾール化合物のボ
レート化合物及びジメチルアミノエタノールと無
水酸との反応生成物を使用するのが好ましい。そ
の他に各種イミダゾール化合物とその誘導体など
も有効である。また、これらの硬化促進剤を２種
以上併用してもかまわない。また、本発明のエポ
キシ樹脂組成物には、トランジスタ、IC、LSI等
の半導体装置をトランスフアモールドするため
に、前記充填剤とともに他の無機質充填剤を用い
ることができ、例えば炭酸カルシウム、シリカ
粉、ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸カルシウム、石
英ガラス粉、タルク、クレー、マイカ、ガラス繊
維粉などが有用であり、これらは、必要に応じて
２種以上併用してもかまわない。また、その他の
添加剤として、離型剤、着色剤、表面カツプリン
グ剤、難燃助剤などを配合してもよい。 前記炭化ケイ素を主成分とする充填剤を配合し
たエポキシ樹脂組成物の半導体装置封止用成形材
料を調製するに当つては、固状の成分材料をそれ
ぞれ粉砕し、ついで所望の割合で十分に混合す
る。混合にはミキシングロール機、ニーダ、リボ
ンミキサ、ボールミルなどの慣用の混合装置を使
用できる。得られた混合物をそのままトランスフ
ア成形に適用することによつて、信頼性の高い樹
脂封止半導体装置を製作できる。 次に実施例を記して本発明を説明する。 実施例 １ 充填剤の調製。純度98％の炭化ケイ素粉末（平
均粒径2μｍ）100重量部を酸化ベリリウム粉末
（平均粒径2μｍ）３重量部とを、入念に混合した
のち、直径50mmの円板に仮成形した。この仮成形
品を黒鉛治具に入れ、真空ホツトプレス装置を用
い、10-3〜10-5Torrの減圧下、圧力200Kg／cm2、
温度2000℃において焼結させた。該焼結体を粗粉
砕後、アルミナ製ボールミルを用いて微粉砕（平
均粒径10μｍ）した。 実施例 ２ フエノールノボラツクエポキシ樹脂（エポキシ
当量225）、硬化剤として無水テトラヒドロフタル
酸、フエノールノボラツク（分子量約800）また
はジアミノジフエニルメタン、硬化促進剤として
２−ウンデシルイミダゾール、離型剤にステアリ
ン酸またはモンタナワツクス、着色剤にカーボン
ブラツク、充填剤として実施例１記載の炭化ケイ
素系焼結体粉末、結晶性シリカ、非晶性シリカ、
アルミナ、またはケイ酸ジルコニウム粉末を、第
１表に示す組成（重量部で表示）に従つて配合
し、熱ロール（70〜80℃）で混練した。冷却後混
練物を粉砕して、成形材料に調製した。 該成形材料について、180℃、70Kg／cm2圧、2.5
分の条件で成形性（スパイラルフロー）を測ると
ともに、試験片を成形して熱時硬度（バーコルNo.
935、2.5分値）、線膨張率、熱伝導率を測定した。
それらの値は第１表の如くである。 前記実施例試料No.２、４および５と、比較例試
料１、４の組成物を用いて、MOS、LSIを前述
の成形条件に従いトランスフア成形法によつて封
止した。そして該封止品の耐湿および高温動作特
性を、次の方法によつて検討した。 耐湿試験 120℃、２気圧の水蒸気中に1000時間
放置後、素子のアルミニウム配線の腐食状況を
調べ、腐食発生率により評価する。 高温動作特性 温度180℃に1000時間放置後動作
試験を行い、該放置したことにより発生した動
作不良素子の率をもつて評価する。 その結果は第２表に記した。 第１、２表から明らかなように、実施例のエポ
キシ樹脂組成物の硬化物は、大きな熱伝導率と小
さな線熱膨張率とを有し、これを用いて封止され
たMOS、LSI製品が信頼性にすぐれている。
【表】
【表】
【表】
回
実施例 ６ (1) 充填剤の調製。純度98％の炭化ケイ素粉末
（平均粒径2μｍ）100重量部と純度95％の窒素
ホウ素粉末（平均粒径0.5μｍ）３重量部を入念
に混合した後、直径50mmの円板状に仮成形し
た。この仮成形品を黒鉛治具に入れ、10-3〜
10-5Torrの減圧下、圧力200Kg／cm2、温度約
2000℃で焼結させた。該焼結体を冷却後粗粉砕
し、さらに、アルミナ製ボールミルを用いて微
粉砕（平均粒径16μｍ）した。 (2) 成形材料の調整。実施例２、４及び５と同様
にフエノールノボラツク樹脂（エポキシ当量
225）100重量部に硬化剤としてフエノールノボ
ラツク樹脂（分子量約800）55重量部、硬化促
進剤として２−ウンデシルイミダゾール３重量
部、離型剤としてステアリン酸及びモンタナワ
ツクスをそれぞれ２重量部、着色剤としてカー
ボンブラツク１重量部を用い、充填剤としては
上記の炭化ケイ素焼結体粉末430重量部を用い、
各素材を予備混合した後、さらに熱ロール（70
〜80℃）で混練した。冷却後該混練物を粉砕し
て成形材料を調整した。 (3) 成形材料の特性。上記成形材料について、金
型温度180℃、成形圧力70Kg／cm2、硬化時間2.5
分の条件で、成形性（スパイラルフロー）を測
るとともに、成形品の熱時硬度（バーコルNo.
935）、線膨張率、熱伝導率を測定した。 (4) 封止品の特性。上記成形材料を用いて、
MOSLSIを上記と同じ条件でトランスフア成
形法によつて封止し、封止品の耐湿及び高温動
作特性を実施例２と同様の方法で評価した。 その結果を第３表に示す。
実施例 ６ (1) 充填剤の調製。純度98％の炭化ケイ素粉末
（平均粒径2μｍ）100重量部と純度95％の窒素
ホウ素粉末（平均粒径0.5μｍ）３重量部を入念
に混合した後、直径50mmの円板状に仮成形し
た。この仮成形品を黒鉛治具に入れ、10-3〜
10-5Torrの減圧下、圧力200Kg／cm2、温度約
2000℃で焼結させた。該焼結体を冷却後粗粉砕
し、さらに、アルミナ製ボールミルを用いて微
粉砕（平均粒径16μｍ）した。 (2) 成形材料の調整。実施例２、４及び５と同様
にフエノールノボラツク樹脂（エポキシ当量
225）100重量部に硬化剤としてフエノールノボ
ラツク樹脂（分子量約800）55重量部、硬化促
進剤として２−ウンデシルイミダゾール３重量
部、離型剤としてステアリン酸及びモンタナワ
ツクスをそれぞれ２重量部、着色剤としてカー
ボンブラツク１重量部を用い、充填剤としては
上記の炭化ケイ素焼結体粉末430重量部を用い、
各素材を予備混合した後、さらに熱ロール（70
〜80℃）で混練した。冷却後該混練物を粉砕し
て成形材料を調整した。 (3) 成形材料の特性。上記成形材料について、金
型温度180℃、成形圧力70Kg／cm2、硬化時間2.5
分の条件で、成形性（スパイラルフロー）を測
るとともに、成形品の熱時硬度（バーコルNo.
935）、線膨張率、熱伝導率を測定した。 (4) 封止品の特性。上記成形材料を用いて、
MOSLSIを上記と同じ条件でトランスフア成
形法によつて封止し、封止品の耐湿及び高温動
作特性を実施例２と同様の方法で評価した。 その結果を第３表に示す。
【表】
第３表から明らかなように、本発明のエポキシ
樹脂組成物を用いることにより、信頼性の優れた
樹脂封止半導体装置を提供することができる。
樹脂組成物を用いることにより、信頼性の優れた
樹脂封止半導体装置を提供することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 炭化ケイ素を主成分とし、酸化ベリリウムお
よび窒化ホウ素のうちの少なくとも１種を含有す
る焼結体の粉末を充填剤として配合したエポキシ
樹脂組成物を用いて封止したことを特徴とする樹
脂封止半導体装置。 ２ 該充填剤が炭化ケイ素100重量部に対し酸化
ベリリウムおよび窒化ホウ素のうちの少なくとも
１種を２重量部以上含有してなる焼結体の粉末で
ある特許請求の範囲第１項の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56002094A JPS57115853A (en) | 1981-01-12 | 1981-01-12 | Resin-sealed semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56002094A JPS57115853A (en) | 1981-01-12 | 1981-01-12 | Resin-sealed semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57115853A JPS57115853A (en) | 1982-07-19 |
| JPS6331103B2 true JPS6331103B2 (ja) | 1988-06-22 |
Family
ID=11519756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56002094A Granted JPS57115853A (en) | 1981-01-12 | 1981-01-12 | Resin-sealed semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57115853A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH081279U (ja) * | 1991-07-29 | 1996-08-13 | 株式会社ホクコン | タンクピット |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61101523A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物 |
| JPS62223246A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止用高熱伝導性樹脂組成物 |
| JPS63142025A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-14 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物 |
-
1981
- 1981-01-12 JP JP56002094A patent/JPS57115853A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH081279U (ja) * | 1991-07-29 | 1996-08-13 | 株式会社ホクコン | タンクピット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57115853A (en) | 1982-07-19 |
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