JPS63312672A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS63312672A JPS63312672A JP62147897A JP14789787A JPS63312672A JP S63312672 A JPS63312672 A JP S63312672A JP 62147897 A JP62147897 A JP 62147897A JP 14789787 A JP14789787 A JP 14789787A JP S63312672 A JPS63312672 A JP S63312672A
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- JP
- Japan
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- electrode
- electrodes
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- layers
- amorphous silicon
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は固体撮像装置に題する。
（従来の技術）
従来、代表的な光導電膜積層型固体撮像装置としては第
２図に示す白黒用インターライン転送方式で、光導電膜
にＨ型アモルファスシリコン膜ａ”−８！ ：）（１２
を用いたアモルファスシリコン積層型ＣＣＤイメージセ
ンサが知られている。ここで、第２図はその断面図で゛
ある。図中１はｐ型シリコン半導体基板である。この基
板１の′表゛面には、光入射Ｉこより・生成した信号電
荷を蓄積ダ・イ・オードｌζ蓄積するためのＮ型の不純
物層２とＮ 型の不純物層５、蓄積ダイオードに蓄積さ
れた信号電荷をず続出して垂直ＣＯＤにおけるチャネル
を形成するためのＮ・型の不純物層３．．３．ｐ型の不
純物層（チャネル・“ストッパ） ４１ ＋ ４２が形
成されている。前記基板１上には絶縁膜６＋、６ｔが形
成され、該絶縁膜６１＋６１’ζは第１の多結晶シリコ
ンゲート電極７．。
２図に示す白黒用インターライン転送方式で、光導電膜
にＨ型アモルファスシリコン膜ａ”−８！ ：）（１２
を用いたアモルファスシリコン積層型ＣＣＤイメージセ
ンサが知られている。ここで、第２図はその断面図で゛
ある。図中１はｐ型シリコン半導体基板である。この基
板１の′表゛面には、光入射Ｉこより・生成した信号電
荷を蓄積ダ・イ・オードｌζ蓄積するためのＮ型の不純
物層２とＮ 型の不純物層５、蓄積ダイオードに蓄積さ
れた信号電荷をず続出して垂直ＣＯＤにおけるチャネル
を形成するためのＮ・型の不純物層３．．３．ｐ型の不
純物層（チャネル・“ストッパ） ４１ ＋ ４２が形
成されている。前記基板１上には絶縁膜６＋、６ｔが形
成され、該絶縁膜６１＋６１’ζは第１の多結晶シリコ
ンゲート電極７．。
７７．と第２の多結晶シリコンゲート電極８．．８．が
段階的に所定距離おいて設けられ、また不純物層５に一
部が接合された第１電極例えばＡＩ電極１４．１４ｍが
形成されている。さらにこの第１ ＡＩ電極１４ヨ、１
４．の一部及び絶縁膜１０＋−１０１の一部の表面に第
２電極例えばＡ！電極１ｂ＋１ｈが形成されている。さ
らにアモルファスシリコン光導電膜１２が形成され、そ
の上に透明電極としてＩＴＯ１！極１３が形成される。
段階的に所定距離おいて設けられ、また不純物層５に一
部が接合された第１電極例えばＡＩ電極１４．１４ｍが
形成されている。さらにこの第１ ＡＩ電極１４ヨ、１
４．の一部及び絶縁膜１０＋−１０１の一部の表面に第
２電極例えばＡ！電極１ｂ＋１ｈが形成されている。さ
らにアモルファスシリコン光導電膜１２が形成され、そ
の上に透明電極としてＩＴＯ１！極１３が形成される。
さらＩこその上ｆこ光シールド°層としてＣｒ層１６．
．１６．が形成される。 ゛−上・記゛したような
構造からなる白黒用イ゛ンターライン転送方式のアモ゛
ルフ１アス゛シリコン積層型Ｃ０Ｄｌイメージセンサに
おいては、・光シールド層１６．。
．１６．が形成される。 ゛−上・記゛したような
構造からなる白黒用イ゛ンターライン転送方式のアモ゛
ルフ１アス゛シリコン積層型Ｃ０Ｄｌイメージセンサに
おいては、・光シールド層１６．。
１６、がアモルファスシリコン膜１２上に形成されるた
め、アモルファスシリコン膜１２に入射した光がアモル
ファスシリコン膜内で散乱するため、光電変換されなか
つた光の一部が第２電＠ＸＸｔ。
め、アモルファスシリコン膜１２に入射した光がアモル
ファスシリコン膜内で散乱するため、光電変換されなか
つた光の一部が第２電＠ＸＸｔ。
１１、の間隙を通してシリコン基板内に到・達し、そこ
で光電変換され、隣接画素のチャネル３．．３．等にそ
の電子が到達する結果、スミアを発生させ問題となる。
で光電変換され、隣接画素のチャネル３．．３．等にそ
の電子が到達する結果、スミアを発生させ問題となる。
また、光シールドのためＩこＣｒ層１６１゜１６、を形
成しなければならず、 ＰＥＰ数が多くなる。
成しなければならず、 ＰＥＰ数が多くなる。
また第１電極１４ｚ、１４１の段差がアモルファスシリ
コン光導電膜１２の下地の平担性を悪くしている。
コン光導電膜１２の下地の平担性を悪くしている。
（発明が解決しようとする問題点）
前項で記載したように、アモルファスシリコン膜１２上
に光シールド層１６．，１６．を形成するのは・光シー
ルドの効果が弱く、また、・光シ・−ルド層・１６．・
、１６．形成のため工程数がその分増え、さらに第１電
極１４．．１４．の段差がアモルファスシリコン膜１２
の下地の平担性を悪くしている。本発明は・上述し・た
従来装置の欠点を改良したもので、光シールドの効果を
゛向上し、スミアを少なくすることが・でき、しかも光
シールド層１ｓｔ、ｔ６を形成のためにＰＥＰ数を増や
す必要がなく、アモルファスシリコン光導電膜１２の下
地の平担性の向上を図れる。
に光シールド層１６．，１６．を形成するのは・光シー
ルドの効果が弱く、また、・光シ・−ルド層・１６．・
、１６．形成のため工程数がその分増え、さらに第１電
極１４．．１４．の段差がアモルファスシリコン膜１２
の下地の平担性を悪くしている。本発明は・上述し・た
従来装置の欠点を改良したもので、光シールドの効果を
゛向上し、スミアを少なくすることが・でき、しかも光
シールド層１ｓｔ、ｔ６を形成のためにＰＥＰ数を増や
す必要がなく、アモルファスシリコン光導電膜１２の下
地の平担性の向上を図れる。
（問題点を解決するための・手段）
本発明は第１１１ｃ極９１＋９１の材料にポリサイド。
メタルシリサイド 等の光の透過の少ない材料を選び、
第１電極９．．９．のマスクを改良し、第１電極９１ｔ
９１と同時に光シールド層１５１−１５２を形成し、第
１電極９１ｔ９１と光シールド層１５＋、１５ｔの分離
は、第１電極材の酸化により形成した絶縁層１７により
行なう。
第１電極９．．９．のマスクを改良し、第１電極９１ｔ
９１と同時に光シールド層１５１−１５２を形成し、第
１電極９１ｔ９１と光シールド層１５＋、１５ｔの分離
は、第１電極材の酸化により形成した絶縁層１７により
行なう。
（作用）
本発明により、アモルファスシリコン膜１２を°通過し
、主に第２電極１１１，１１．間隙を介して、シリコン
基板１に到達する光は、光シールド層１５１゜１５、に
より低減することができ、しかも、′光シールド層’１
５１−１５を形成のためにＰＥＰ数を特に増やす必要が
なく、第１電極９．．９．の段差が軽減され、・アモル
ファスシリコン光導電膜１２の下地の平担性°の向上を
図れる。
、主に第２電極１１１，１１．間隙を介して、シリコン
基板１に到達する光は、光シールド層１５１゜１５、に
より低減することができ、しかも、′光シールド層’１
５１−１５を形成のためにＰＥＰ数を特に増やす必要が
なく、第１電極９．．９．の段差が軽減され、・アモル
ファスシリコン光導電膜１２の下地の平担性°の向上を
図れる。
（実施例）
まず、ｐ型シリコン基板１表面に公知の所定の方法によ
り選択拡散゛、エツチング処理等を行ない光入射により
・生成した信号・電荷を蓄積ダイ・オード。
り選択拡散゛、エツチング処理等を行ない光入射により
・生成した信号・電荷を蓄積ダイ・オード。
に蓄積するた・あの虻の不純物層２、蓄積ダイオードに
蓄積された信号電荷を読出して垂直ＣＣＤにおけるチャ
ネルを形成するための？型の不純物層、３ｓ、３ｍを形
成した。つづいて前記基板１上に絶縁膜６１＊６ｔを介
して、該絶縁膜６．，６．内に第１の多・結昂シＩＩＪ
コンのゲート電極・７．．７．と第２の多結晶シリコン
のゲート極８．．８．を形成した。
蓄積された信号電荷を読出して垂直ＣＣＤにおけるチャ
ネルを形成するための？型の不純物層、３ｓ、３ｍを形
成した。つづいて前記基板１上に絶縁膜６１＊６ｔを介
して、該絶縁膜６．，６．内に第１の多・結昂シＩＩＪ
コンのゲート電極・７．．７．と第２の多結晶シリコン
のゲート極８．．８．を形成した。
＋
つづいてＮの不純物層２上の一部の絶縁膜６１＋６、を
シリコン基板表面までエツチングし、イオン＋＋ 注入法によりＮ の不純物層５を形成した後、第１電極
９．．９．及び光シフルド層１５富、１５．をモリブデ
ンシリサイドとその下の多結晶シリコンとのシールド電
極間の絶縁層形成のための酸化のマスクはシリコンナイ
トライドに限らない。
シリコン基板表面までエツチングし、イオン＋＋ 注入法によりＮ の不純物層５を形成した後、第１電極
９．．９．及び光シフルド層１５富、１５．をモリブデ
ンシリサイドとその下の多結晶シリコンとのシールド電
極間の絶縁層形成のための酸化のマスクはシリコンナイ
トライドに限らない。
〔発明の効果〕
以上発明した如くスミャ等を防止しつつ工程の簡略化を
図る事が可能となり、さらにアモルファスシリコン膜下
地の平担性の向上を図れる。
図る事が可能となり、さらにアモルファスシリコン膜下
地の平担性の向上を図れる。
第１図は、本発明の実施例である白黒用インターライン
転送方式アモルファスシリコン膜積層型ＣＣＤイメージ
センサの製造工程を示す断面図、第２図は従来の白黒用
インターライン転送方式アモルファスシリコン膜積層型
ＣＣＤイメージセンサの断面図である。 １・・・ｐ型シリコン半導体基板、２・・・を型の不純
物層（蓄積ダイオード）、３．．３．・・・Ｎ１型の不
純物層（チャネル） ｓ ４１．４ｔ・・・ｐ型の不純
物層（チャネル・ストッパー）、５・・・Ｎ 型の不純
物層（蓄積ダイオード）、６．．６．・・・絶縁膜、７
．．７．・・・第１の多結晶シリコン・ゲート電極、８
１’＋８ｔ・・・第２の多結晶シリコン・ゲート電極％
９１ ＋９１・・・第１１！極［Ｍｌ−８ｉポリサイ
ド電極）、１０．１０＋ 、Ｌｏｔ・・・絶縁膜、ｌ１
ｍ、Ｉｈ・・第２を極（Ａｌ−５ｉ １ｉ１１極）、′
１２・・・Ｈ型アモルファスシリコンｇ、１３・・・Ｉ
ＴＯ［ｉ、” Ｉ ｒ １４２・・・第１を極（ｋｌ−
８ｉｌｌ極）、１５．．１５゜・・・光シールド層（Ｍ
ｏ−８ｉポリサイド）、” ６１ ｒ １６１・・・光
シールド層（Ｃｒ）、１７・・・絶縁層。
転送方式アモルファスシリコン膜積層型ＣＣＤイメージ
センサの製造工程を示す断面図、第２図は従来の白黒用
インターライン転送方式アモルファスシリコン膜積層型
ＣＣＤイメージセンサの断面図である。 １・・・ｐ型シリコン半導体基板、２・・・を型の不純
物層（蓄積ダイオード）、３．．３．・・・Ｎ１型の不
純物層（チャネル） ｓ ４１．４ｔ・・・ｐ型の不純
物層（チャネル・ストッパー）、５・・・Ｎ 型の不純
物層（蓄積ダイオード）、６．．６．・・・絶縁膜、７
．．７．・・・第１の多結晶シリコン・ゲート電極、８
１’＋８ｔ・・・第２の多結晶シリコン・ゲート電極％
９１ ＋９１・・・第１１！極［Ｍｌ−８ｉポリサイ
ド電極）、１０．１０＋ 、Ｌｏｔ・・・絶縁膜、ｌ１
ｍ、Ｉｈ・・第２を極（Ａｌ−５ｉ １ｉ１１極）、′
１２・・・Ｈ型アモルファスシリコンｇ、１３・・・Ｉ
ＴＯ［ｉ、” Ｉ ｒ １４２・・・第１を極（ｋｌ−
８ｉｌｌ極）、１５．．１５゜・・・光シールド層（Ｍ
ｏ−８ｉポリサイド）、” ６１ ｒ １６１・・・光
シールド層（Ｃｒ）、１７・・・絶縁層。
Claims (1)
- 回路基板上に光導電膜を設けた２階建の固体撮像装置に
おいて、回路基板面への光漏れによるスミアの防止のた
め、光シールド層を引出し電極と同層の導電層で設ける
事と、光シールド層と引出し電極を選択的酸化により分
離する事を特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62147897A JPS63312672A (ja) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62147897A JPS63312672A (ja) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63312672A true JPS63312672A (ja) | 1988-12-21 |
Family
ID=15440622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62147897A Pending JPS63312672A (ja) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63312672A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02308568A (ja) * | 1989-05-23 | 1990-12-21 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
-
1987
- 1987-06-16 JP JP62147897A patent/JPS63312672A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02308568A (ja) * | 1989-05-23 | 1990-12-21 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
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