JPS633156Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS633156Y2 JPS633156Y2 JP1982014153U JP1415382U JPS633156Y2 JP S633156 Y2 JPS633156 Y2 JP S633156Y2 JP 1982014153 U JP1982014153 U JP 1982014153U JP 1415382 U JP1415382 U JP 1415382U JP S633156 Y2 JPS633156 Y2 JP S633156Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- photomask
- pattern
- inspection
- cartridge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、LSI検査装置に関するものである。
LSIホトマスク外観検査装置を例にとり従来技
術を第１図に従つて説明する。
術を第１図に従つて説明する。
ベース１の上にはＸ−Ｙステージ２が設けら
れ、図の前後左右方向に移動し、このＸ−Ｙステ
ージ２に回路パターンを備えたマスク３をローデ
イング、又はアンローデイングする搬送装置４が
設置されている。搬送装置４にマスク３を供給す
るため（又は搬送装置４からマスク３を収納する
ため）カートリツジ５が搬送装置の横に設けられ
ていて、マスク３を自動的に供給あるいは収納す
ることが可能になつている。Ｘ−Ｙステージ２に
はマスク３を保持するマスク台６が固設され、マ
スク３は左右の照明レンズ７，８によつて２ケ所
下側から照明されている。マスク３の上方には検
査顕微鏡９がコラム１０によりベース１に設置さ
れ、照明部の上方の左右の対物レンズ１１，１２
によりマスク３のパターンは拡大投影され、検査
顕微鏡９内の左右のセンサ１３，１４を通して、
欠陥判定部１５に電気的に入力される。
れ、図の前後左右方向に移動し、このＸ−Ｙステ
ージ２に回路パターンを備えたマスク３をローデ
イング、又はアンローデイングする搬送装置４が
設置されている。搬送装置４にマスク３を供給す
るため（又は搬送装置４からマスク３を収納する
ため）カートリツジ５が搬送装置の横に設けられ
ていて、マスク３を自動的に供給あるいは収納す
ることが可能になつている。Ｘ−Ｙステージ２に
はマスク３を保持するマスク台６が固設され、マ
スク３は左右の照明レンズ７，８によつて２ケ所
下側から照明されている。マスク３の上方には検
査顕微鏡９がコラム１０によりベース１に設置さ
れ、照明部の上方の左右の対物レンズ１１，１２
によりマスク３のパターンは拡大投影され、検査
顕微鏡９内の左右のセンサ１３，１４を通して、
欠陥判定部１５に電気的に入力される。
上記構成の装置でカートリツジ５に収納されて
いるマスク３は搬送装置４によりＸ−Ｙステージ
２上のマスク台６にローデイングされると検査は
次の様に自動的に実行される。
いるマスク３は搬送装置４によりＸ−Ｙステージ
２上のマスク台６にローデイングされると検査は
次の様に自動的に実行される。
第２図にホトマスク３の詳細図を示す。ホトマ
スク３は同じ回路パターンが規則正しく碁盤の目
状に配置形成されている。検査の初期状態では、
左対物レンズ１１はチツプパターン１６上に、ま
た右対物レンズ１２は１７上に位置し、左パター
ンセンサ１３と右パターンセンサ１４上にLSI回
路パターンの同一場所を検知するようにＸ−Ｙス
テージ２と左右対物レンズ１１，１２の間隔が位
置決めされる。（位置決め機構部は図示していな
い。）次に対物レンズ間隔を保持したままＸ−Ｙ
ステージを移動し、第２図の矢印の順序でホトマ
スク全面を検査する。検査の為Ｘ−Ｙステージ２
を走査中、左右のパターンセンサ１３，１４の出
力信号を欠陥判定部１５で比較し違いがあれば異
常部と判定する。
スク３は同じ回路パターンが規則正しく碁盤の目
状に配置形成されている。検査の初期状態では、
左対物レンズ１１はチツプパターン１６上に、ま
た右対物レンズ１２は１７上に位置し、左パター
ンセンサ１３と右パターンセンサ１４上にLSI回
路パターンの同一場所を検知するようにＸ−Ｙス
テージ２と左右対物レンズ１１，１２の間隔が位
置決めされる。（位置決め機構部は図示していな
い。）次に対物レンズ間隔を保持したままＸ−Ｙ
ステージを移動し、第２図の矢印の順序でホトマ
スク全面を検査する。検査の為Ｘ−Ｙステージ２
を走査中、左右のパターンセンサ１３，１４の出
力信号を欠陥判定部１５で比較し違いがあれば異
常部と判定する。
この検査装置では、１〜2μmの欠陥を検出する
為、対物レンズも高い解像力が必要で高倍の対物
レンズ（50倍〜100倍のもの）を用いており、マ
スク全面を検査する時間も１〜2μmの欠陥検出で
60〜90分必要である。この検査中に同等の大きさ
（１〜2μm）の異物がマスクパターン上にあれば、
当然欠陥と判定する恐れがある。しかしこの装置
では、５〜10枚のマスクを連続的に自動検査する
為マスクは５時間〜10時間もカートリツジ内に収
納されている事になり、検査中又は検査待の間に
マスクパターン面に異物が付着する。この対策と
して装置そのものをクリーンルームに入れたり、
クリーンベンチで囲うなど防塵には注意を施して
いる。しかし最近ではLSIパターンの微細化に供
ない、さらに微小な欠陥（1μm以下の欠陥）を検
査する必要があり、上記した防塵対策でも不十分
になつてきた。例えば装置をクラス100の清浄度
の極めて高いクリーンベンチで囲い検査をしても
1μm以下の異物は、クリーンベンチ内に充満して
おり、Ｘ−Ｙステージが検査中に移動するだけで
異物をマスクパターン面に付着させる恐れがあ
る。又クリーンベンチ内の空気の流れは、ダウン
フロー（上から下へ空気が流れる）が主流であ
る。この為マスクのパターン面が上向きであれば
装置内（第１図の検査顕微鏡等に付着している異
物）の異物がマスクパターン面に付着しやすくな
る。さらにマスクのパターン面を上向きで収納お
よび搬送している為検査待のマスクのパターン面
にも異物が付着しやすく、欠陥検査の信頼性を下
げひいては半導体製品の歩留りを低下する欠点が
ある。
為、対物レンズも高い解像力が必要で高倍の対物
レンズ（50倍〜100倍のもの）を用いており、マ
スク全面を検査する時間も１〜2μmの欠陥検出で
60〜90分必要である。この検査中に同等の大きさ
（１〜2μm）の異物がマスクパターン上にあれば、
当然欠陥と判定する恐れがある。しかしこの装置
では、５〜10枚のマスクを連続的に自動検査する
為マスクは５時間〜10時間もカートリツジ内に収
納されている事になり、検査中又は検査待の間に
マスクパターン面に異物が付着する。この対策と
して装置そのものをクリーンルームに入れたり、
クリーンベンチで囲うなど防塵には注意を施して
いる。しかし最近ではLSIパターンの微細化に供
ない、さらに微小な欠陥（1μm以下の欠陥）を検
査する必要があり、上記した防塵対策でも不十分
になつてきた。例えば装置をクラス100の清浄度
の極めて高いクリーンベンチで囲い検査をしても
1μm以下の異物は、クリーンベンチ内に充満して
おり、Ｘ−Ｙステージが検査中に移動するだけで
異物をマスクパターン面に付着させる恐れがあ
る。又クリーンベンチ内の空気の流れは、ダウン
フロー（上から下へ空気が流れる）が主流であ
る。この為マスクのパターン面が上向きであれば
装置内（第１図の検査顕微鏡等に付着している異
物）の異物がマスクパターン面に付着しやすくな
る。さらにマスクのパターン面を上向きで収納お
よび搬送している為検査待のマスクのパターン面
にも異物が付着しやすく、欠陥検査の信頼性を下
げひいては半導体製品の歩留りを低下する欠点が
ある。
本考案の目的は、カートリツジに収納した状態
からマスク台へ搬送し、検査し、その後カートリ
ツジに回収するまでホトマスクの回路形成面に異
物が付着するのを防止すると共に回路パターンを
傷つけることなく搬送でき、1μm以下の欠陥を高
精度に検査可能にしたLSI検査装置を提供するこ
とにある。
からマスク台へ搬送し、検査し、その後カートリ
ツジに回収するまでホトマスクの回路形成面に異
物が付着するのを防止すると共に回路パターンを
傷つけることなく搬送でき、1μm以下の欠陥を高
精度に検査可能にしたLSI検査装置を提供するこ
とにある。
即ち本考案は、上記目的を達成するために、多
数の半導体用ホトマスクをパターン面を下側にし
て収納したカートリツジと、該カートリツジにパ
ターン面を下側にして収納したホトマスクをパタ
ーン面の外側である両端部と接触させて搭載して
搬送して検査位置へ持ち来たし、検査後上記カー
トリツジに収納すべく、ホトマスクをパターン面
の外側である両端部と接触させて搭載して搬送す
る一対のベルトからなる搬送手段と、該搬送手段
によつて検査位置にパターン面を下側にして持ち
来たされたホトマスクをローデイングすべく、マ
スク台とそのマスク台を取付け、Ｘ、及びＹ軸方
向に移動できるように構成されたＸ−Ｙステージ
と、該Ｘ−Ｙステージのマスク台にローデイング
されたホトマスクの下側からホトマスクに形成さ
れた比較すべき回路パターンを撮像すべく、上記
回路パターンのピツチに対応して対物レンズとセ
ンサとを有して設けられた一対の撮像手段と、該
撮像手段の各々によつて撮像された回路パターン
同志を比較して欠陥判定する欠陥判定手段とを備
え付けたことを特徴とするLSI検査装置である。
数の半導体用ホトマスクをパターン面を下側にし
て収納したカートリツジと、該カートリツジにパ
ターン面を下側にして収納したホトマスクをパタ
ーン面の外側である両端部と接触させて搭載して
搬送して検査位置へ持ち来たし、検査後上記カー
トリツジに収納すべく、ホトマスクをパターン面
の外側である両端部と接触させて搭載して搬送す
る一対のベルトからなる搬送手段と、該搬送手段
によつて検査位置にパターン面を下側にして持ち
来たされたホトマスクをローデイングすべく、マ
スク台とそのマスク台を取付け、Ｘ、及びＹ軸方
向に移動できるように構成されたＸ−Ｙステージ
と、該Ｘ−Ｙステージのマスク台にローデイング
されたホトマスクの下側からホトマスクに形成さ
れた比較すべき回路パターンを撮像すべく、上記
回路パターンのピツチに対応して対物レンズとセ
ンサとを有して設けられた一対の撮像手段と、該
撮像手段の各々によつて撮像された回路パターン
同志を比較して欠陥判定する欠陥判定手段とを備
え付けたことを特徴とするLSI検査装置である。
本考案による実施例を第３図を用いて説明す
る。第３図は本考案のLSIホトマスク検査装置の
一実施例である。
る。第３図は本考案のLSIホトマスク検査装置の
一実施例である。
ベース１８の上にはＸ−Ｙステージ１９が設け
られ、図の前後左右方向に移動しＸ−Ｙステージ
１９に回路パターンを備えたマスク３をローデイ
ング、又はアンローデイングする搬送装置２０が
設置されている。搬送装置２０にマスク３を供給
するため（又は搬送装置２０からマスク３を収納
するため）カートリツジ２１が搬送装置の横に設
けられていて、マスク３を自動的に供給あるいは
収納することが可能になつている。Ｘ−Ｙステー
ジ１９にはマスク３を保持するマスク台２２が固
設され、マスク３は左右の照明レンズ２３，２４
によつて２ケ所上側から照明されている。マスク
３の下方には検査顕微鏡２５がフランジ２６によ
りベース１８に設置され、照明レンズ２３，２４
下方の対物レンズ２７，２８によりマスク３のパ
ターンは拡大投影され、検査顕微鏡２５内の左右
のセンサ２９，３０を通して欠陥判定部３１に電
気的に入力される。
られ、図の前後左右方向に移動しＸ−Ｙステージ
１９に回路パターンを備えたマスク３をローデイ
ング、又はアンローデイングする搬送装置２０が
設置されている。搬送装置２０にマスク３を供給
するため（又は搬送装置２０からマスク３を収納
するため）カートリツジ２１が搬送装置の横に設
けられていて、マスク３を自動的に供給あるいは
収納することが可能になつている。Ｘ−Ｙステー
ジ１９にはマスク３を保持するマスク台２２が固
設され、マスク３は左右の照明レンズ２３，２４
によつて２ケ所上側から照明されている。マスク
３の下方には検査顕微鏡２５がフランジ２６によ
りベース１８に設置され、照明レンズ２３，２４
下方の対物レンズ２７，２８によりマスク３のパ
ターンは拡大投影され、検査顕微鏡２５内の左右
のセンサ２９，３０を通して欠陥判定部３１に電
気的に入力される。
上記構成の装置でカートリツジ２１に収納され
ているマスク３は搬送装置２０によりＸ−Ｙステ
ージ１９上のマスク台にローデイングされると検
査は前記従来の検査装置と同様に自動的に実行さ
れる。
ているマスク３は搬送装置２０によりＸ−Ｙステ
ージ１９上のマスク台にローデイングされると検
査は前記従来の検査装置と同様に自動的に実行さ
れる。
この装置ではマスクパターン面を下向きに検査
している為、上から落ちてくる異物は非パターン
面に付着し、パターン面には付着しにくい。非パ
ターン面に異物が付着しても高倍の対物レンズを
用いている為焦点深度が浅く欠陥パターンの検出
には全く影響がない。又第４図に示すカートリツ
ジ２１にマスク３を収納する際、マスクパターン
面を下側にして収納することにより検査待のマス
クのパターン面への異物の付着を低減出来る。さ
らに搬送時にベルトプーリ３６を回転してベルト
３７にマスク３を載せて搬送する手段において
は、第５図に示す様にマスク３のパターン面３′
に触れずにベルト搬送することにより、搬送時に
よる異物の付着も低減出来る。この様にこの装置
をクリーンベンチ（図示せず）内で使用して空気
の流れ（ダウンフロー）による異物が、マスク上
面に付着したとしても1μm以下の欠陥検査に及ぼ
す影響がなく、従来の異物による悪影響を大巾に
低減できる。
している為、上から落ちてくる異物は非パターン
面に付着し、パターン面には付着しにくい。非パ
ターン面に異物が付着しても高倍の対物レンズを
用いている為焦点深度が浅く欠陥パターンの検出
には全く影響がない。又第４図に示すカートリツ
ジ２１にマスク３を収納する際、マスクパターン
面を下側にして収納することにより検査待のマス
クのパターン面への異物の付着を低減出来る。さ
らに搬送時にベルトプーリ３６を回転してベルト
３７にマスク３を載せて搬送する手段において
は、第５図に示す様にマスク３のパターン面３′
に触れずにベルト搬送することにより、搬送時に
よる異物の付着も低減出来る。この様にこの装置
をクリーンベンチ（図示せず）内で使用して空気
の流れ（ダウンフロー）による異物が、マスク上
面に付着したとしても1μm以下の欠陥検査に及ぼ
す影響がなく、従来の異物による悪影響を大巾に
低減できる。
以上述べた様に、従来の装置ではマスクパター
ン面に異物が付着し易く、この為1μm以下の欠陥
検査の障害となつていたが、本考案によれば、カ
ートリツジとマスク台との間をパターン面を下側
にしてしかも回路パターンを傷付けることなく搬
送して異物付着を防止し、回路パターンを撮像手
段で結像させて1μm以下の小さな欠陥も検出可能
とし、LSIホトマスクの歩留り、ひいてはLSIの
歩留りを向上することができる効果を奏する。
ン面に異物が付着し易く、この為1μm以下の欠陥
検査の障害となつていたが、本考案によれば、カ
ートリツジとマスク台との間をパターン面を下側
にしてしかも回路パターンを傷付けることなく搬
送して異物付着を防止し、回路パターンを撮像手
段で結像させて1μm以下の小さな欠陥も検出可能
とし、LSIホトマスクの歩留り、ひいてはLSIの
歩留りを向上することができる効果を奏する。
第１図は従来のLSIホトマスク検査装置の構成
図、第２図はLSIホトマスクの検査方法と検査順
序を示す図、第３図は本考案のLSIホトマスク検
査装置の構成図、第４図はホトマスクの収納と搬
送を示す図、第５図はホトマスクの搬送を示す図
である。 ３……マスク、１８……ベース、１９……Ｘ−
Ｙステージ、２０……搬送装置、２１……カート
リツジ、２２……マスク台、２３……左照明レン
ズ、２４……右照明レンズ、２５……検査顕微
鏡、２７……左対物レンズ、２８……右対物レン
ズ。
図、第２図はLSIホトマスクの検査方法と検査順
序を示す図、第３図は本考案のLSIホトマスク検
査装置の構成図、第４図はホトマスクの収納と搬
送を示す図、第５図はホトマスクの搬送を示す図
である。 ３……マスク、１８……ベース、１９……Ｘ−
Ｙステージ、２０……搬送装置、２１……カート
リツジ、２２……マスク台、２３……左照明レン
ズ、２４……右照明レンズ、２５……検査顕微
鏡、２７……左対物レンズ、２８……右対物レン
ズ。
Claims (1)
- 多数の半導体用ホトマスクをパターン面を下側
にして収納したカートリツジと、該カートリツジ
にパターン面を下側にして収納したホトマスクを
パターン面の外側である両端部と接触させて搭載
して搬送して検査位置へ持ち来たし、検査後上記
カートリツジに収納すべく、ホトマスクをパター
ン面の外側である両端部と接触させて搭載して搬
送する一対のベルトからなる搬送手段と、該搬送
手段によつて検査位置にパターン面を下側にして
持ち来たされたホトマスクをローデイングすべ
く、マスク台とそのマスク台を取付け、Ｘ、及び
Ｙ軸方向に移動できるように構成されたＸ−Ｙス
テージと、該Ｘ−Ｙステージのマスク台にローデ
イングされたホトマスクの下側からホトマスクに
形成された比較すべき回路パターンを撮像すべ
く、上記回路パターンのピツチに対応して対物レ
ンズとセンサとを有して設けられた一対の撮像手
段と、該撮像手段の各々によつて撮像された回路
パターン同志を比較して欠陥判定する欠陥判定手
段とを備え付けたことを特徴とするLSI検査装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982014153U JPS58118731U (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | Ｌｓｉ検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982014153U JPS58118731U (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | Ｌｓｉ検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58118731U JPS58118731U (ja) | 1983-08-13 |
| JPS633156Y2 true JPS633156Y2 (ja) | 1988-01-26 |
Family
ID=30026627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1982014153U Granted JPS58118731U (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | Ｌｓｉ検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58118731U (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5232271A (en) * | 1975-09-08 | 1977-03-11 | Hitachi Ltd | Inspection method and equipment for photomask pattern |
| JPS6019138B2 (ja) * | 1977-09-22 | 1985-05-14 | 株式会社日立製作所 | フオトエツチングにおける現像状態検査方法 |
-
1982
- 1982-02-05 JP JP1982014153U patent/JPS58118731U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58118731U (ja) | 1983-08-13 |
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