JPS633228Y2 - - Google Patents
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- JPS633228Y2 JPS633228Y2 JP4087782U JP4087782U JPS633228Y2 JP S633228 Y2 JPS633228 Y2 JP S633228Y2 JP 4087782 U JP4087782 U JP 4087782U JP 4087782 U JP4087782 U JP 4087782U JP S633228 Y2 JPS633228 Y2 JP S633228Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、低速から超高速までの広範囲にわた
つて安定な動作の可能な、ノーマリ・オン形ガリ
ウム砒素電界効果トランジスタ(GaAs FET)
を用いたセツトリセツト形フリツプフロツプに関
するものである。[Detailed description of the invention] This invention is a normally-on gallium arsenide field effect transistor (GaAs FET) that can operate stably over a wide range of speeds from low speeds to ultra-high speeds.
The present invention relates to a set-reset type flip-flop using.
近年、1GHzを越す超高速のクロツクレートで
動作し、しかも従来のシリコン・バイポーラ・ト
ランジスタを用いる場合に比べ消費電力も小さく
て済む論理回路素子として、GaAs FETを用い
た論理回路ICが注目されている。中でもゲート
バイアス電圧がゼロの時に最大ドレイン電流が流
れ、負のゲートバイアス電圧をかけるに従つてド
レイン電流が減少していくいわゆるノーマリ・オ
ン形のGaAs FETは、大きなgmが得られるこ
と、論理振幅が大きくとれること、製造が比較的
容易、等の特長があり超高速ICに適している。 In recent years, logic circuit ICs using GaAs FETs have attracted attention as logic circuit elements that operate at ultra-high clock rates exceeding 1 GHz and consume less power than conventional silicon bipolar transistors. There is. Among them, so-called normally-on GaAs FETs, in which the maximum drain current flows when the gate bias voltage is zero and the drain current decreases as a negative gate bias voltage is applied, have the advantage of being able to obtain a large gm and have a high logic amplitude. It is suitable for ultra-high-speed ICs because of its features such as large capacity and relatively easy manufacturing.
第1図は、このようなノーマリ・オン形GaAs
FETを用いた論理回路として従来より知られて
いる。セツトリセツト形フリツプフロツプの構成
例を示す回路図である。図において100は正論
理NOR回路であり、互いに並列に接続された2
つのGaAs FET101,102から成る。全く
同様に、103は並列につながれた2つのGaAs
FET104,105で構成される正論理NOR回
路である。FET101のゲート端子106にセ
ツトパルス(S)を加え、FET104のゲート
端子107にリセツトパルス(R)を加えるよう
にすれば、NOR回路100の出力点、すなわち
FET101,102の各ドレインの接続点10
8からフリツプフロツプの逆相出力()が得ら
れ、同様にFET104,105の各ドレインの
接続点109から正相出力(Q)が得られる。1
10,111はそれぞれNOR回路100,10
3の負荷抵抗であり、正電源(+V1)にそれぞ
れの一端が接続されている。なお、集積回路の場
合、線形抵抗110,111よりも占有面積が小
さくかつ所要電源電圧も低くて済む、第2図に示
すような能動負荷を用いることが多い。112及
び113は、一方のNOR回路の出力を他方の
NOR回路の入力点に適正な直流レベルで加える
ようにする為のレベルシフト素子である。この素
子は集積回路の場合、数個直列に接続したGaAs
シヨトキ・ダイオードを用いるのが一般的だが、
デイスクリート素子で第1図の回路を構成する場
合はもつと別のレベルシフト素子(たとえばツエ
ナーダイオード)を用いることもできる。11
4,115は、レベルシフトが正常に行なわれる
のに必要な電流を負電源(−V2)から供給する
為の抵抗である。なおこれらの抵抗のかわりに、
第2図の回路を電流源素子として使うこともでき
る。 Figure 1 shows such a normally-on GaAs
It has long been known as a logic circuit using FETs. 1 is a circuit diagram showing an example of the configuration of a set-reset type flip-flop; FIG. In the figure, 100 is a positive logic NOR circuit, and 2
It consists of two GaAs FETs 101 and 102. In exactly the same way, 103 is two GaAs connected in parallel.
This is a positive logic NOR circuit composed of FETs 104 and 105. By applying a set pulse (S) to the gate terminal 106 of the FET 101 and a reset pulse (R) to the gate terminal 107 of the FET 104, the output point of the NOR circuit 100, i.e.
Connection point 10 of each drain of FET101, 102
8 provides the negative phase output ( ) of the flip-flop, and similarly, the positive phase output (Q) is obtained from the connection point 109 between the drains of the FETs 104 and 105 . 1
10 and 111 are NOR circuits 100 and 10, respectively.
3, and one end of each is connected to the positive power supply (+V 1 ). Note that in the case of integrated circuits, an active load as shown in FIG. 2 is often used, which occupies a smaller area and requires a lower power supply voltage than the linear resistors 110 and 111. 112 and 113 connect the output of one NOR circuit to the other
This is a level shift element to apply DC current at the appropriate level to the input point of the NOR circuit. In the case of integrated circuits, this element consists of several GaAs elements connected in series.
It is common to use a Shiyotoki diode, but
When constructing the circuit of FIG. 1 using discrete elements, other level shift elements (for example, Zener diodes) may also be used. 11
4, 115 is a resistor for supplying the current necessary for normal level shifting from the negative power supply (-V 2 ). Note that instead of these resistances,
The circuit of FIG. 2 can also be used as a current source element.
第1図に示したような、ノーマリ・オン形
GaAs FETも用いたフリツプフロツプによれば、
クロツク周波数1GHz以上の超高速で動作させる
ことが可能である。しかしこのような高周波領域
になると、FET自体の入出力容量、FETに接続
される素子や配線の寄生容量・インダクタンス等
の為にFETの実効利得が低下するので、低速動
作時と同じ条件で駆動すると良好な出力波形を得
るのが困難となる。第3図、第4図によりその様
子を簡単に説明する。 Normally-on type as shown in Figure 1
According to a flip-flop that also uses GaAs FETs,
It is possible to operate at ultra high speeds with a clock frequency of 1 GHz or higher. However, in such a high frequency range, the effective gain of the FET decreases due to the input/output capacitance of the FET itself and the parasitic capacitance/inductance of the elements and wiring connected to the FET, so it is necessary to drive the FET under the same conditions as when operating at low speeds. This makes it difficult to obtain a good output waveform. The situation will be briefly explained with reference to FIGS. 3 and 4.
第3図に実線300で示した曲線は第1図のフ
リツプフロツプの小信号開放ループ利得、すなわ
ちセツト入力端子106→FET101のドレイ
ン出力→FET105の出力→FET102の出力
までの開放利得(又はリセツト入力端子107→
FET104のドレイン出力→FET102の出力
→FET105の出力までの開放利得)の周波数
特性を示したものである。動作周波数が比較的低
い場合(1、たとえば数百MHz)は大きな利得
G1を有するが、動作周波数が高くなると(2、
たとえば1GHz以上)利得は低下してくる(G2)。
なお実際のフリツプフロツプは比較的大信号の非
線形動作を行なうのでその利得特性は必ずしもこ
のように単純ではないが、ここでは簡単のため
に、動作範囲内で線形利得と考える。 The curve shown by the solid line 300 in FIG. 3 is the small signal open loop gain of the flip-flop in FIG. 107 →
It shows the frequency characteristic of the open gain from the drain output of FET 104 to the output of FET 102 to the output of FET 105. Large gain when the operating frequency is relatively low ( 1 , e.g. a few hundred MHz)
G 1 , but as the operating frequency increases ( 2 ,
(for example, above 1 GHz) the gain decreases (G 2 ).
Note that since an actual flip-flop performs nonlinear operation with a relatively large signal, its gain characteristics are not necessarily as simple as this, but for the sake of simplicity, it is assumed here that the gain is linear within the operating range.
第4図は、このような開放ループ利得をもつフ
リツプフロツプに、一定振幅のセツトパルス40
0リセツトパルス401を加えた時の出力波形
()を示す図である。セツトパルス、リセツト
パルス間の間隔(T)が短かい時(すなわち動作
周波数が高い時)は、ループ利得が小さい(第3
図G2に相当)のでフリツプフロツプの出力振幅
も小さい(4図A)が、セツト・リセツト間隔が
長くなると(第4図T′)ループ利得が上つて
(第3図G1に相当)出力パルス振幅も大きくなる
(第4図A′)。従つてこのフリツプフロツプをク
ロツク周波数1/T(Hz)でランダム動作させた
時の出力アイは、種々の長さの出力パルス波形が
重なり合うので(第4図403で示した斜線の部
分)、第4図402で示したように小さなものと
なつてしまう。 FIG. 4 shows that a set pulse 40 of constant amplitude is applied to a flip-flop with such an open-loop gain.
FIG. 6 is a diagram showing an output waveform () when a 0 reset pulse 401 is applied. When the interval (T) between the set pulse and reset pulse is short (that is, when the operating frequency is high), the loop gain is small (the third
(corresponding to Figure G 2 ), the output amplitude of the flip-flop is also small (Figure 4 A), but as the set-reset interval becomes longer (Figure 4 T'), the loop gain increases (corresponding to Figure 3 G 1 ), and the output pulse The amplitude also increases (Fig. 4 A'). Therefore, when this flip-flop is operated randomly at a clock frequency of 1/T (Hz), the output eye is the fourth eye because the output pulse waveforms of various lengths overlap (shaded area 403 in FIG. 4). As shown in FIG. 402, it becomes small.
高速での出力波形を良好に(出力アイを大き
く)するには、入力セツト・リセツトパルスの振
幅を低速動作時よりも大きくして、FETの高域
での利得減少を補なつてやる必要がある。しかし
FET自体の動作限界に近い高速でそのような大
振幅のセツト・リセツトパルスを供給すること自
体が困難であるし、またたとえ大振幅セツト・リ
セツトパルスが発生できたとしても、その振幅が
FETのピンチオフ電圧を越えるような場合には
FETのオフ時の出力インピーダンスが大きくな
るので、かえつて出力波形が劣化する場合もあ
る。 To improve the output waveform at high speeds (larger output eye), it is necessary to make the amplitude of the input set/reset pulses larger than during low-speed operation to compensate for the FET's gain reduction in the high range. be. but
It is difficult to supply such large amplitude set/reset pulses at high speeds close to the operating limits of the FET itself, and even if large amplitude set/reset pulses could be generated, the amplitude would be too low.
If the pinch-off voltage of the FET is exceeded,
Since the output impedance increases when the FET is off, the output waveform may even deteriorate.
このように、ノーマリ・オン形GaAs FETを
用いたセツト・リセツト形フリツプフロツプは、
従来のシリコン・バイポーラ・トランジスタを用
いた回路と比較すればより高速領域で動作しうる
が、このような素子を用いても、高速になるに従
つて出力波形が著しく劣化するのは避け難かつ
た。 In this way, the set-reset flip-flop using normally-on GaAs FETs is
Compared to circuits using conventional silicon bipolar transistors, they can operate at higher speeds, but even with such devices, it is unavoidable that the output waveform deteriorates significantly as the speed increases. Ta.
本考案の目的は従来の超高速セツト・リセツト
形フリツプフロツプのもつ上記の如き欠点を改善
すべくなされたものである。 The object of the present invention is to improve the above-mentioned drawbacks of the conventional ultra-high speed set/reset type flip-flop.
すなわち本考案によれば、第1図のような従来
の回路にわずかの素子を付加するだけで、低速か
ら超高速に至るまでの広範囲にわたつて良好な出
力波形応答を得ることができる。 That is, according to the present invention, by adding only a few elements to the conventional circuit shown in FIG. 1, it is possible to obtain a good output waveform response over a wide range from low speed to ultra high speed.
以下、図面に従つて本考案を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第5図は本考案のセツト・リセツト形フリツプ
フロツプの一実施例を示す回路図である。同図に
おいて500は、互いのソース電極同士及び互い
のドレイン電極同士が並列に接続された2個のノ
ーマリ・オン形GaAs FET501,502から
成る第1の2入力NOR回路であり、一方のGaAs
FET→501ゲート電極503をセツトパルス
入力端子とし、互いに接続されたドレイン電極5
04を出力端子(出力)としている。全く同様
に、505は、互いのソース電極同士及び互いの
ドレイン電極同士が並列に接続された2個のノー
マリ・オン形GaAs FET506,507から成
る第2の2入力NOR回路であり、一方のGaAs
FET506のゲート電極508をリセツトパル
ス入力端子とし、互いに接続されたドレイン電極
509を出力端子(Q出力)とする第2の2入力
NOR回路である。510は、第1の2入力NOR
回路500の出力端子504と、セツトパルス入
力端子503との間に接続された第1の帰還抵抗
回路であり、この実施例では帰還抵抗511と直
流遮断用コンデンサ512とから構成される。同
様に513は、第2の2入力NOR回路505の
出力端子509と、リセツトパルス入力端子50
8との間に接続された第2の帰還抵抗回路であ
り、この実施例では帰還抵抗514とコンデンサ
515とから構成される。 FIG. 5 is a circuit diagram showing an embodiment of the set-reset type flip-flop of the present invention. In the figure, 500 is a first two-input NOR circuit consisting of two normally-on GaAs FETs 501 and 502 whose source electrodes are connected in parallel and whose drain electrodes are connected in parallel.
FET→501 The gate electrode 503 is used as the set pulse input terminal, and the drain electrodes 5 are connected to each other.
04 is used as an output terminal (output). Similarly, 505 is a second two-input NOR circuit consisting of two normally-on GaAs FETs 506 and 507 whose source electrodes are connected in parallel and whose drain electrodes are connected in parallel.
A second two-input device in which the gate electrode 508 of the FET 506 is used as a reset pulse input terminal, and the mutually connected drain electrodes 509 are used as output terminals (Q output).
It is a NOR circuit. 510 is the first 2-input NOR
This is a first feedback resistor circuit connected between the output terminal 504 of the circuit 500 and the set pulse input terminal 503, and in this embodiment is composed of a feedback resistor 511 and a DC cutoff capacitor 512. Similarly, 513 is the output terminal 509 of the second 2-input NOR circuit 505 and the reset pulse input terminal 50.
A second feedback resistor circuit is connected between the feedback resistor 514 and the capacitor 515 in this embodiment.
516及び517はそれぞれ第1図110及び
111の素子と同じく、各2入力NOR回路の負
荷抵抗であり、518及び519は第1図の11
2及び113と同じレベルシフト素子、520及
び521は第1図の114及び115と同様、レ
ベルシフト素子に動作電流を供給するための抵抗
である。 516 and 517 are the load resistances of each two-input NOR circuit like the elements 110 and 111 in FIG.
Level shift elements 520 and 521, which are the same as 2 and 113, are resistors for supplying operating current to the level shift elements, similar to 114 and 115 in FIG.
第5図の回路は第1図の従来の回路に2つの帰
還抵抗回路510,513を付加しただけの簡単
な構成であるが、帰還抵抗511及び514の値
を選んで負帰還量が適切に定めることにより、フ
リツプフロツプ回路の開放ループ利得を、第3図
の破線301で示したように広帯域にわたつて一
定とすることができる。なお開放ループ利得とし
てはセツトパルス入力端子503から出力50
4に至るものと、リセツトパルス入力端子508
からQ出力509に至るものとの2通りあるが、
4つのFETに特性の良く揃つたものを用い、そ
れぞれ対となつた負荷抵抗(516と517)、
レベルシフト素子(518と519)、レベルシ
フト素子用抵抗(520と521)帰還抵抗(5
11と514)、コンデンサ(512と515)
に値の等しいものを用いれば、どちらの開放ルー
プ利得もほとんど等しいと考えてよい。 The circuit shown in FIG. 5 has a simple configuration in which two feedback resistor circuits 510 and 513 are added to the conventional circuit shown in FIG. By determining this, the open loop gain of the flip-flop circuit can be made constant over a wide band as shown by the broken line 301 in FIG. Note that the open loop gain is the output 50 from the set pulse input terminal 503.
4 and the reset pulse input terminal 508
There are two ways, one that leads to Q output 509,
Using four FETs with well-matched characteristics, each pair of load resistors (516 and 517),
Level shift elements (518 and 519), level shift element resistors (520 and 521), feedback resistor (5
11 and 514), capacitor (512 and 515)
If the same values are used, it can be considered that both open loop gains are almost equal.
開放ループ利得が第3図301の曲線のように
平担な場合のフリツプフロツプ出力波形を、第6
図に示す。同図において、セツトパルス600と
リセツトパルス601間の間隔が短かい時(間隔
T、第3図の動作周波数2に相当)も、長い時
(間隔T′、第3図の動作周波数1に相等)も、ル
ープ利得はほとんど変らず、G2に近い値となる。
従つてこの時の出力パルス602の振幅はセツ
ト・リセツトパルス間隔によらずほぼ一定の大き
さ(A)になる。603はこのフリツプフロツプをク
ロツク周波数1/Tでランダム動作させた時の出
力アイを示す。Tより長い種々の出力パルス幅に
対しても出力振幅の変動がほとんどないので、
FETの動作限界に近い超高速においても大きな
アイが得られる。 The flip-flop output waveform when the open loop gain is flat like the curve 301 in FIG.
As shown in the figure. In the figure, the interval between the set pulse 600 and the reset pulse 601 is short (interval T, equivalent to operating frequency 2 in Fig. 3) and long (interval T', equivalent to operating frequency 1 in Fig. 3). However, the loop gain remains almost unchanged and becomes a value close to G 2 .
Therefore, the amplitude of the output pulse 602 at this time is approximately constant (A) regardless of the set/reset pulse interval. Reference numeral 603 indicates the output eye when this flip-flop is operated randomly at a clock frequency of 1/T. There is almost no variation in the output amplitude even for various output pulse widths longer than T, so
A large eye can be obtained even at ultra-high speeds that are close to the operating limits of FETs.
クロツク周波数が1/Tより低い場合にももち
ろん出力振幅は一定なので、同一振幅のセツトパ
ルス、リセツトパルスに対し、低速から超高速ま
での広い動作領域にわたり、本フリツプフロツプ
は一定振幅で歪の少ない、安定した出力波形を発
生させることができる。 Of course, the output amplitude is constant even when the clock frequency is lower than 1/T, so for set and reset pulses of the same amplitude, this flip-flop has a constant amplitude, low distortion, and stability over a wide operating range from low speed to ultra-high speed. It is possible to generate an output waveform with a
第5図の実施例においてはそれぞれの帰還路に
コンデンサ512,515が入つているため、直
流近傍では負帰還が働かなくなり、出力振幅も一
定ではなくなる。第7図は本考案の他の実施例で
あり、第5図の帰還抵抗回路510,513から
コンデンサを省いて直流領域まで帰還をかけるこ
とにより、フリツプフロツプの動作領域を直流か
ら超高速まで広げるようにしたものである。集積
回路においては大容量のコンデンサが作りにくい
ので、本実施例は集積化に適した構成である。し
かし本実施例の場合、帰還抵抗回路700,70
1を介してFET702,703のドレインとゲ
ート間が直流的につながるので、第5図のの実施
例のように負帰還量とFET702,703のゲ
ートバイアス電圧を独立に決めることが不可能と
なる。従つてこの場合たとえば第7図704,7
05の抵抗によつて、各ゲートバイアスを適切に
バイアスすると共に、所望の帰還量が得られるよ
うに抵抗700と704の比(抵抗701と70
5の比)を決める必要がある。またこのフリツプ
フロツプ回路の入力信号源(セツトパルス及びリ
セツトパルスの発生源)がフリツプフロツプ回路
と直結される場合には、当然その出力直流レベル
をも考慮してバイアス抵抗値を決定する。 In the embodiment of FIG. 5, since capacitors 512 and 515 are included in each feedback path, negative feedback does not work in the vicinity of DC, and the output amplitude is no longer constant. FIG. 7 shows another embodiment of the present invention. By omitting the capacitors from the feedback resistor circuits 510 and 513 of FIG. 5 and applying feedback to the DC region, the operating range of the flip-flop can be extended from DC to ultra-high speed. This is what I did. Since it is difficult to make a large capacity capacitor in an integrated circuit, this embodiment has a configuration suitable for integration. However, in the case of this embodiment, the feedback resistor circuits 700, 70
Since the drains and gates of FETs 702 and 703 are connected in a direct current manner through 1, it is impossible to independently determine the amount of negative feedback and the gate bias voltage of FETs 702 and 703 as in the embodiment shown in FIG. . Therefore, in this case, for example, FIG.
The ratio of resistors 700 and 704 (resistors 701 and 70
It is necessary to determine the ratio of 5. Furthermore, when the input signal source (the source of the set pulse and reset pulse) of this flip-flop circuit is directly connected to the flip-flop circuit, the bias resistance value is naturally determined in consideration of its output DC level.
以上説明したように本考案によれば、低速から
超高速までの広範囲にわたり、一定振幅で歪の少
ない出力波形を発生するセツトリセツト形フリツ
プフロツプが得られるので、実用上の効果が大き
い。 As explained above, according to the present invention, it is possible to obtain a set-reset type flip-flop that generates an output waveform with constant amplitude and little distortion over a wide range from low speeds to ultra-high speeds, so it has great practical effects.
第1図は従来のセツトリセツト形フリツプフロ
ツプ回路の構成例を示す回路図、第2図は能動負
荷又は電流源素子を示す図、第3図はフリツプフ
ロツプ回路の開放ループ利得を説明する図、第4
図は従来のセツトリセツト形フリツプフロツプの
入出力波形を示す図、第5図は本考案の1実施例
を示す回路図、第6図は本考案のセツトリセツト
形フリツプフロツプの入出力波形を示す図、第7
図は本考案の他の実施例を示す回路図である。
図において101,102,104,105は
ノーマリ・オン形GaAs FET、100,103
は2入力NOR回路、106はセツトパルス入力
端子、107はリセツトパルス入力端子、108
は逆相出力端子、109は正相出力端子、11
0,111は負荷抵抗、112,113はレベル
シフト素子、114,115は抵抗、300は従
来のセツトリセツトフリツプフロツプの開放ルー
プ利得、301は本考案のセツトリセツトフリツ
プフロツプの開放ループ利得、400はセツトパ
ルス、401はリセツトパルス、402は出力ア
イ、403は出力パルス波形の重なり合い、50
0,505は2入力NORゲート、501,50
2,506,507はノーマリ・オン形GaAs
FET、503はセツトパルス入力端子、504,
509は出力端子、508はリセツトパルス入力
端子、510,513は帰還抵抗回路、511,
514は帰還抵抗、512,515はコンデン
サ、516,517は負荷抵抗、518、519
はレベルシフト素子、520、521は抵抗60
0はセツトパルス、601はリセツトパルス、6
02は出力パルス、603は出力アイ、700,
701は帰還抵抗回路、702,703はFET、
704,705は抵抗をそれぞれ示す。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of the configuration of a conventional set-reset type flip-flop circuit, FIG. 2 is a diagram showing an active load or current source element, FIG. 3 is a diagram explaining the open-loop gain of the flip-flop circuit, and FIG.
5 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a diagram showing input and output waveforms of the set-reset flip-flop of the present invention.
The figure is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. In the figure, 101, 102, 104, 105 are normally-on GaAs FETs, 100, 103
is a 2-input NOR circuit, 106 is a set pulse input terminal, 107 is a reset pulse input terminal, 108
is the negative phase output terminal, 109 is the positive phase output terminal, 11
0 and 111 are load resistances, 112 and 113 are level shift elements, 114 and 115 are resistors, 300 is the open loop gain of the conventional set-reset flip-flop, and 301 is the open loop of the set-reset flip-flop of the present invention. Gain, 400 is a set pulse, 401 is a reset pulse, 402 is an output eye, 403 is an overlap of output pulse waveforms, 50
0,505 is a 2-input NOR gate, 501,50
2,506,507 is normally-on type GaAs
FET, 503 is a set pulse input terminal, 504,
509 is an output terminal, 508 is a reset pulse input terminal, 510, 513 is a feedback resistance circuit, 511,
514 is a feedback resistor, 512, 515 is a capacitor, 516, 517 is a load resistor, 518, 519
is a level shift element, 520 and 521 are resistors 60
0 is a set pulse, 601 is a reset pulse, 6
02 is the output pulse, 603 is the output eye, 700,
701 is a feedback resistance circuit, 702 and 703 are FETs,
704 and 705 indicate resistances, respectively.
Claims (1)
同士が並列に接続された2個のノーマリ・オン形
ガリウム砒素電界効果トランジスタ(GaAs
FET)から成り、一方のGaAs FETのゲート電
極をセツトパルス入力端子とし互いに接続された
ドレイン電極を出力端子(出力)とする第1の
2入力NOR回路と、互いのソース電極同士及び
互いのドレイン電極同士が並列に接続された2個
のノーマリ・オン形GaAs FETから成り、一方
のGaAs FETのゲート電極をリセツトパルス入
力端子とし、互いに接続されたドレイン電極を出
力端子(Q出力)とする第2の2入力NOR回路
と、前記第1の2入力NOR回路の出力端子と前
記第2の2入力NOR回路の他方のGAas FETの
ゲート端子との間に接続された第1のレベルシフ
ト回路と、前記第2の2入力NOR回路の出力端
子と前記第1のNOR回路の他方のGaAs FETの
ゲート電極との間に接続された第2のレベルシフ
ト回路と、前記第1の2入力NOR回路の出力端
子と前記セツトパルス入力端子との間に接続され
た第1の帰還抵抗回路と、前記第2の2入力
NOR回路の出力端子と前記リセツトパルス入力
端子との間に接続された第2の帰還抵抗回路とを
具備して成るセツトリセツト形フリツプフロツプ
回路。 Two normally-on gallium arsenide field effect transistors (GaAs
FET), the gate electrode of one GaAs FET is the set pulse input terminal, and the mutually connected drain electrodes are the output terminals (output). Consisting of two normally-on GaAs FETs connected in parallel, one GaAs FET's gate electrode serves as a reset pulse input terminal, and the mutually connected drain electrodes serve as an output terminal (Q output). a 2-input NOR circuit; a first level shift circuit connected between the output terminal of the first 2-input NOR circuit and the gate terminal of the other GAas FET of the second 2-input NOR circuit; a second level shift circuit connected between the output terminal of the second two-input NOR circuit and the gate electrode of the other GaAs FET of the first NOR circuit; a first feedback resistor circuit connected between the output terminal and the set pulse input terminal; and a second feedback resistor circuit connected between the output terminal and the set pulse input terminal;
A set-reset flip-flop circuit comprising a second feedback resistor circuit connected between the output terminal of the NOR circuit and the reset pulse input terminal.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4087782U JPS58144923U (en) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | Set-reset type flip-flop circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4087782U JPS58144923U (en) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | Set-reset type flip-flop circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58144923U JPS58144923U (en) | 1983-09-29 |
| JPS633228Y2 true JPS633228Y2 (en) | 1988-01-27 |
Family
ID=30052078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4087782U Granted JPS58144923U (en) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | Set-reset type flip-flop circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58144923U (en) |
-
1982
- 1982-03-23 JP JP4087782U patent/JPS58144923U/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58144923U (en) | 1983-09-29 |
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