JPS6333877A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS6333877A JPS6333877A JP61176787A JP17678786A JPS6333877A JP S6333877 A JPS6333877 A JP S6333877A JP 61176787 A JP61176787 A JP 61176787A JP 17678786 A JP17678786 A JP 17678786A JP S6333877 A JPS6333877 A JP S6333877A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- chip
- lens
- optical semiconductor
- micro
- Prior art date
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- Granted
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- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
この発明は光半導体装置に関する。光半導体装置とは１
発光もしくは受光の単機能、または発光および受光の両
機能をもつ半導体装置を意味し。
発光もしくは受光の単機能、または発光および受光の両
機能をもつ半導体装置を意味し。
発光装置、受光装置１発光受光装置等を含む概念である
。
。
をもつ光をほぼ平行光に変換して効率よく空中伝搬また
は他の媒体中を伝搬させるために、またフォトダイオー
ド（ＰＤ）、アバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ
）などの受光素子において。
は他の媒体中を伝搬させるために、またフォトダイオー
ド（ＰＤ）、アバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ
）などの受光素子において。
入射光を効率よくその受光面上に集光させるために、従
来から次のような種々の実装のやり方が採用されていた
。
来から次のような種々の実装のやり方が採用されていた
。
Ａ）上記の素子チップを格納するパッケージの外面にレ
ンズを設ける。
ンズを設ける。
Ｂ）ＬＥＤにおいて、チップの形状とくに発光面よりも
上部の部分の形状をドーム形とする。
上部の部分の形状をドーム形とする。
しかしながら、上記Ａ）においては、外部にレンズを設
けるために形状か比較的大きくなりかつ重くなる。レン
ズと素子チップとの光軸調整がむずかしく、また振動、
温度変化などに弱く耐環境性が悪い、高価である等の問
題点がある。また上記Ｂ）においては１作製プロセスが
複雑になる。出射光の指向性が必ずしもよくない１等の
問題がある。
けるために形状か比較的大きくなりかつ重くなる。レン
ズと素子チップとの光軸調整がむずかしく、また振動、
温度変化などに弱く耐環境性が悪い、高価である等の問
題点がある。また上記Ｂ）においては１作製プロセスが
複雑になる。出射光の指向性が必ずしもよくない１等の
問題がある。
発明の概要
この発明は、新しいタイプの光学系を導入することによ
って上記の問題点を解決することを目的とする。
って上記の問題点を解決することを目的とする。
この発明は、光半導体チップを樹脂モールドによって実
装するタイプの光半導体装置において。
装するタイプの光半導体装置において。
モールド樹脂面上の光通過位置にマイクロ・フレネル・
レンズを一体的に形成したことを特徴とする。
レンズを一体的に形成したことを特徴とする。
光半導体チップが発光素子チップの場合には。
発光素子からの出射光が上記マイクロ・フレネル・レン
ズによってほぼ平行化されるようにすることが好ましく
、また光半導体チップが受光素子チップの場合には、上
記マイクロ・フレネル・レンズの焦点を受光素子の受光
面上にほぼ位置させることが好ましい。
ズによってほぼ平行化されるようにすることが好ましく
、また光半導体チップが受光素子チップの場合には、上
記マイクロ・フレネル・レンズの焦点を受光素子の受光
面上にほぼ位置させることが好ましい。
光半導体チップが１発光と受光の両機能をもつ発光受光
素子チップの場合には上記マイクロ・フレネル・レンズ
をこれに適した位置、形状とする。たとえば、中央部が
発光部で周囲に受光部かあるような素子においては、中
央部からの出射光が平行光となって外部に出力され、外
部からの入射光の多くが周囲の受光部に集まるような２
つの焦点をもつフレネル・レンズを作製するとよい。
素子チップの場合には上記マイクロ・フレネル・レンズ
をこれに適した位置、形状とする。たとえば、中央部が
発光部で周囲に受光部かあるような素子においては、中
央部からの出射光が平行光となって外部に出力され、外
部からの入射光の多くが周囲の受光部に集まるような２
つの焦点をもつフレネル・レンズを作製するとよい。
光半導体素子チップのモールド成形金型に、あらかじめ
マイクロ・フレネル・レンズのスタンパを形成しておく
ことにより、素子チップの樹脂モールドと同時にマイク
ロ・フレネル・レンズを成形することが可能である。
マイクロ・フレネル・レンズのスタンパを形成しておく
ことにより、素子チップの樹脂モールドと同時にマイク
ロ・フレネル・レンズを成形することが可能である。
この発明によると２発光素子チップに対してはその出射
光がほぼ平行化されるので、比較的高強度（高輝度）で
指向性がよくなり、受光素子チップに対しては入射光が
受光面上に集光されるので集光効率がよく高感度となる
。
光がほぼ平行化されるので、比較的高強度（高輝度）で
指向性がよくなり、受光素子チップに対しては入射光が
受光面上に集光されるので集光効率がよく高感度となる
。
また１発光、受光素子チップを問わず、モールド成形で
あるから生産性がよく安価に提供できるとともに、素子
チップとマイクロ・フレネル・レンズとが一体的に結合
しているから光軸のずれ等が生じることがなく耐環境性
にすぐれたものとなり、さらに小型、軽量化が期待でき
る。
あるから生産性がよく安価に提供できるとともに、素子
チップとマイクロ・フレネル・レンズとが一体的に結合
しているから光軸のずれ等が生じることがなく耐環境性
にすぐれたものとなり、さらに小型、軽量化が期待でき
る。
実施例の説明
図面を参照して、いくつかの端子２を有するステムない
しはマウント１上にサブマウントないしはヒート・シン
ク３が設けられ、このヒート・シンク３に素子チップ４
が取付けられている。素子チップ４は、上述したように
ＬＤ、ＬＥＤ。
しはマウント１上にサブマウントないしはヒート・シン
ク３が設けられ、このヒート・シンク３に素子チップ４
が取付けられている。素子チップ４は、上述したように
ＬＤ、ＬＥＤ。
ＰＤ、ＡＰＤ等のチップである。この素子チップ４が透
明樹脂によってモールドされている。円筒状モールド樹
脂部を符号５で示す。このモールド部５の一ヒ面に平板
状のマイクロ・フレネル・レンズ６が一体的に形成され
ている。
明樹脂によってモールドされている。円筒状モールド樹
脂部を符号５で示す。このモールド部５の一ヒ面に平板
状のマイクロ・フレネル・レンズ６が一体的に形成され
ている。
素子チップ４か発光素子（、ＬＤ、ＬＥＤなど）の場合
には、素子４からの出射光がマイクロ・フレネル・レン
ズ６によってほぼ平行化されるように、このレンズ６の
位置および焦点が定められる。また素子チップ４が受光
素子（ＰＤ、ＡＰＤなど）の場合には、入射光がこの素
子４の受光面上にほぼ集光されるようにマイクロ・フレ
ネル・レンズ６の位置、焦点等が決定される。
には、素子４からの出射光がマイクロ・フレネル・レン
ズ６によってほぼ平行化されるように、このレンズ６の
位置および焦点が定められる。また素子チップ４が受光
素子（ＰＤ、ＡＰＤなど）の場合には、入射光がこの素
子４の受光面上にほぼ集光されるようにマイクロ・フレ
ネル・レンズ６の位置、焦点等が決定される。
素子チップの電極は対応する端子２にワイヤ・ボンディ
ングされているのはいうまでもない。
ングされているのはいうまでもない。
このようなマイクロ・フレネル・レンズ６を樹脂モール
ド５に一体的に形成するためには、モールドの成形金型
にマイクロ・フレネル・レンズのスタンパ（雌型）をあ
らかじめ作製しておけばよい。
ド５に一体的に形成するためには、モールドの成形金型
にマイクロ・フレネル・レンズのスタンパ（雌型）をあ
らかじめ作製しておけばよい。
マイクロ・フレネル会レンズの雌型は種々のやり方でこ
れをつくることができるが、たとえば次のようにして作
製すればよい。
れをつくることができるが、たとえば次のようにして作
製すればよい。
所定の基板上に電子線レジストを塗布し、電子線描画法
によりレジスト上にマイクロ・フレネル−レンズ・パタ
ーンを描画し、その後、このレジストを現像する。そし
て、基板上の残膜レジスト・パターンをドライ・エツチ
ングによって基板に転写する。この基板が雌型となる（
特願昭６１−３４１９参照）。
によりレジスト上にマイクロ・フレネル−レンズ・パタ
ーンを描画し、その後、このレジストを現像する。そし
て、基板上の残膜レジスト・パターンをドライ・エツチ
ングによって基板に転写する。この基板が雌型となる（
特願昭６１−３４１９参照）。
または、上記の残膜レジスト・パターンを雄型として電
鋳法によって雌型を形成する。すなわち、残膜レジスト
・パターンに金属をめっきし。
鋳法によって雌型を形成する。すなわち、残膜レジスト
・パターンに金属をめっきし。
その後、残膜パターンおよび基板をを機溶剤等で溶解す
ることにより、金属めっき部分のみを残す（特願昭６１
−３４２０参照）。
ることにより、金属めっき部分のみを残す（特願昭６１
−３４２０参照）。
図面はこの発明の実施例を示すもので、一部を破断して
示す斜視図である。゛ ４・・・発光または受光素子チップ。 ５・・・透明樹脂モールド部。 ６・・・マイクロ・フレネル・レンズ。 以 上
示す斜視図である。゛ ４・・・発光または受光素子チップ。 ５・・・透明樹脂モールド部。 ６・・・マイクロ・フレネル・レンズ。 以 上
Claims (4)
- （１）光半導体チップを樹脂モールドによって実装する
タイプのものにおいて、モールド樹脂面上の光通過位置
にマイクロ・フレネル・レンズを一体的に形成したこと
を特徴とする光半導体装置。 - （２）光半導体チップが発光素子チップであり、発光素
子からの発光が上記マイクロ・フレネル・レンズによっ
てほぼ平行化される、特許請求の範囲第（１）項に記載
の光半導体装置。 - （３）光半導体チップが受光素子チップであり、上記マ
イクロ・フレネル・レンズの焦点が受光素子の受光面上
にほぼ位置している、特許請求の範囲第（１）項に記載
の光半導体装置。 - （４）光半導体チップが発光、受光素子である、特許請
求の範囲第（１）項に記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61176787A JPS6333877A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61176787A JPS6333877A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6333877A true JPS6333877A (ja) | 1988-02-13 |
| JPH0459789B2 JPH0459789B2 (ja) | 1992-09-24 |
Family
ID=16019840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61176787A Granted JPS6333877A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6333877A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0290685A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| US5105237A (en) * | 1990-07-16 | 1992-04-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device with partial encapsulation |
| JPH09205251A (ja) * | 1995-12-29 | 1997-08-05 | Ind Technol Res Inst | 半導体レーザーのプラスチックモールド装置 |
| JP2004158635A (ja) * | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型チップｌｅｄ及びその製造方法 |
| US6906405B2 (en) * | 2001-01-10 | 2005-06-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Electronic part and its manufacturing method |
| JP2011244413A (ja) * | 2010-05-13 | 2011-12-01 | Sekonix Co Ltd | Ｉｒ受信装置及びこれを備えた液晶シャッター型立体眼鏡 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55113387A (en) * | 1979-02-22 | 1980-09-01 | Sanyo Electric Co Ltd | Light emitting diode indicator |
| JPS57183763U (ja) * | 1981-05-18 | 1982-11-20 | ||
| JPS5815965U (ja) * | 1981-07-24 | 1983-01-31 | 日産自動車株式会社 | 車両用リレ−装置 |
| JPS59205774A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-11-21 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
-
1986
- 1986-07-29 JP JP61176787A patent/JPS6333877A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55113387A (en) * | 1979-02-22 | 1980-09-01 | Sanyo Electric Co Ltd | Light emitting diode indicator |
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| JPS59205774A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-11-21 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
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| US5105237A (en) * | 1990-07-16 | 1992-04-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device with partial encapsulation |
| JPH09205251A (ja) * | 1995-12-29 | 1997-08-05 | Ind Technol Res Inst | 半導体レーザーのプラスチックモールド装置 |
| US6906405B2 (en) * | 2001-01-10 | 2005-06-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Electronic part and its manufacturing method |
| JP2004158635A (ja) * | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型チップｌｅｄ及びその製造方法 |
| JP2011244413A (ja) * | 2010-05-13 | 2011-12-01 | Sekonix Co Ltd | Ｉｒ受信装置及びこれを備えた液晶シャッター型立体眼鏡 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0459789B2 (ja) | 1992-09-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |