JPS633406A - 結晶質軟磁性薄膜 - Google Patents
結晶質軟磁性薄膜Info
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- JPS633406A JPS633406A JP14622686A JP14622686A JPS633406A JP S633406 A JPS633406 A JP S633406A JP 14622686 A JP14622686 A JP 14622686A JP 14622686 A JP14622686 A JP 14622686A JP S633406 A JPS633406 A JP S633406A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、良好な軟磁気特性を示し高保磁力記録媒体用
の磁気ヘッド材料等に好適な軟磁性薄膜に関するもので
ある。
の磁気ヘッド材料等に好適な軟磁性薄膜に関するもので
ある。
本発明は、Fe、Aj!、Ge (Feの一部をCOで
置換したものを含む)とTi、Zr、Nb、Ta。
置換したものを含む)とTi、Zr、Nb、Ta。
W、Cr、Mo、Mn、Ru、Os、I r、Re。
Ni、Pd、Pt、Hfの少なくとも1種を組合わせた
新規な組成を有する軟磁性薄膜を提供し、特に耐摩耗性
に優れた軟磁性薄膜を提供するものである。
新規な組成を有する軟磁性薄膜を提供し、特に耐摩耗性
に優れた軟磁性薄膜を提供するものである。
例えばオーディオテープレコーダやVTR(ビデオテー
プレコーダ)等の磁気記録再生装置においては、記録信
号の高密度化や高品質化等が進められており、この高記
録密度化に対応して、磁気記録媒体として磁性粉にFe
、Co、Ni等の金属あるいは合金からなる粉末を用い
た、いわゆるメタルテープや、強磁性金属材料を真空薄
膜形成技術によりベースフィルム上に直接被着した、い
わゆるy着テープ等が開発され、各分野で実用化されて
いる。
プレコーダ)等の磁気記録再生装置においては、記録信
号の高密度化や高品質化等が進められており、この高記
録密度化に対応して、磁気記録媒体として磁性粉にFe
、Co、Ni等の金属あるいは合金からなる粉末を用い
た、いわゆるメタルテープや、強磁性金属材料を真空薄
膜形成技術によりベースフィルム上に直接被着した、い
わゆるy着テープ等が開発され、各分野で実用化されて
いる。
ところで、このような高抗磁力を有する磁気記録媒体の
特性を発渾せしめるためには、磁気ヘッドのコア材料の
特性として、高い飽和磁束密度を有するとともに、同一
の磁気ヘッドで再生を行なおうとする場合においては、
高i3磁率を併せて有することが要求される0例えば、
従来磁気ヘッドのコア材料として多用されているフェラ
イト材では飽和磁束密度が低(、また、パーマロイでは
耐摩耗性に問題がある。
特性を発渾せしめるためには、磁気ヘッドのコア材料の
特性として、高い飽和磁束密度を有するとともに、同一
の磁気ヘッドで再生を行なおうとする場合においては、
高i3磁率を併せて有することが要求される0例えば、
従来磁気ヘッドのコア材料として多用されているフェラ
イト材では飽和磁束密度が低(、また、パーマロイでは
耐摩耗性に問題がある。
そこで、かかる諸要求を満たすコア材料の一つとして、
本願出願人は先に特許願昭60−218736号におい
てFe−41−Ge (Feの一部をCOで置換したも
のを含む)系合金からなる軟磁性薄膜を提案した。
本願出願人は先に特許願昭60−218736号におい
てFe−41−Ge (Feの一部をCOで置換したも
のを含む)系合金からなる軟磁性薄膜を提案した。
ところで現在、磁気ヘッド材に対し高密度記録が要求さ
れているために、テープと磁気ヘッド間の相対速度が上
昇しつつあるのが現状である。従って、初期の磁気ヘッ
ドのiit磁変換特性を長時間に亘って維持するために
コア材に耐摩耗性についての要求が厳しくなっているの
が現状である。
れているために、テープと磁気ヘッド間の相対速度が上
昇しつつあるのが現状である。従って、初期の磁気ヘッ
ドのiit磁変換特性を長時間に亘って維持するために
コア材に耐摩耗性についての要求が厳しくなっているの
が現状である。
このような状況から、高品質化、高記録密度化を図るた
めの磁気記録媒体の高抗磁力化の試みも、従来のコア材
料を用いる限りにおいて、摩耗性の限界から自ずと制約
を受けている。
めの磁気記録媒体の高抗磁力化の試みも、従来のコア材
料を用いる限りにおいて、摩耗性の限界から自ずと制約
を受けている。
そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑みて提案された
ものであって、Fe−Aj!−Ge (Feの一部をC
oで置換したものを含む)系合金のより一層の改善を目
的とするものであり、良好な軟磁気特性(透磁率や抗磁
力等)、高飽和磁束密度を有し、しかも耐摩耗性に優れ
、記録、再生特性の良好な軟磁性薄膜を提供することを
目的とする。
ものであって、Fe−Aj!−Ge (Feの一部をC
oで置換したものを含む)系合金のより一層の改善を目
的とするものであり、良好な軟磁気特性(透磁率や抗磁
力等)、高飽和磁束密度を有し、しかも耐摩耗性に優れ
、記録、再生特性の良好な軟磁性薄膜を提供することを
目的とする。
本発明者等は、上述の目的を達成せんものと長期に亘り
鋭意研究の結果、特に耐摩耗性の改善という観点から、
Ti、Zr、Nb、Ta、W、Cr+Mo、Mn、Ru
、03.I r、Re、Ni、P+IPC2Hfの少な
くとも1種以上の元素をFe−A、ft−Qe (F
eの一部をCOで置換したものを含む)系合金に添加す
ることが有効であることを見出した。
鋭意研究の結果、特に耐摩耗性の改善という観点から、
Ti、Zr、Nb、Ta、W、Cr+Mo、Mn、Ru
、03.I r、Re、Ni、P+IPC2Hfの少な
くとも1種以上の元素をFe−A、ft−Qe (F
eの一部をCOで置換したものを含む)系合金に添加す
ることが有効であることを見出した。
そこで、本発明の軟磁性薄膜は、F e a Co b
A l c G ea M * (ただしa、b、c
、d、eはそれぞれ組成比を原子%として表し、MはT
i。
A l c G ea M * (ただしa、b、c
、d、eはそれぞれ組成比を原子%として表し、MはT
i。
Zr、Nb、Ta、W、Cr、Mo、Mn、Ru。
Os、Ir、Re、Ni、Pd、Pt、Hfの少なくと
も1種を表す、)なる組成式で示され、その組成範囲が 68≦a+b≦84 0≦b≦15 1≦c≦31 1≦d≦31 0.5≦e≦6 a+b+c+d+e−1o。
も1種を表す、)なる組成式で示され、その組成範囲が 68≦a+b≦84 0≦b≦15 1≦c≦31 1≦d≦31 0.5≦e≦6 a+b+c+d+e−1o。
なる関係を満足することを特徴とした。
すなわち、本発明の軟磁性薄膜は、Fe、 Al。
Ge(Feの一部をCoで置換したものを含む)を基本
組成とする合金にTi、Zr、Nb、Ta。
組成とする合金にTi、Zr、Nb、Ta。
W、Cr、Mo、Mn、Ru、Os、Ir、Re。
Ni、Pd、Pt、Hfの少なくとも1種を添加してな
るものであって、耐摩耗性や軟磁気特性に優れ、高飽和
磁束密度Bsを有するものである。
るものであって、耐摩耗性や軟磁気特性に優れ、高飽和
磁束密度Bsを有するものである。
また、基本合金として用いられるFe−Al−Ge(F
eの一部をCoで置換したものを含む)合金の組成中A
1の一部もしくは全部をGaで、またはGeの一部もし
くは全部を3iで置換した組成の合金も基本合金に含む
ものとする。
eの一部をCoで置換したものを含む)合金の組成中A
1の一部もしくは全部をGaで、またはGeの一部もし
くは全部を3iで置換した組成の合金も基本合金に含む
ものとする。
本発明の軟磁性薄膜においては、各成分元素の組成比を
所定の範囲内に設定することが好ましく、この範囲を外
れると磁歪が大きくなり、磁気特性が劣化する。特に、
基本合金に添加するTi、Zr。
所定の範囲内に設定することが好ましく、この範囲を外
れると磁歪が大きくなり、磁気特性が劣化する。特に、
基本合金に添加するTi、Zr。
Nb、Ta、W、Cr、Mo、Mn、Ru、Os。
Ir、Re、Ni、Pd、Pt、Hfの少なくとも1種
6添加量については、0.5原子%より少ない場合には
目的とする耐摩耗性の改善効果が得られず、6原子%よ
り多い場合には磁気特性の劣化を招いてしまう。
6添加量については、0.5原子%より少ない場合には
目的とする耐摩耗性の改善効果が得られず、6原子%よ
り多い場合には磁気特性の劣化を招いてしまう。
上記軟磁性薄膜の製造方法としては種々の方法が考えら
れるが、なかでも真空薄膜形成技術によるのが良い。
れるが、なかでも真空薄膜形成技術によるのが良い。
この真空薄膜形成技術の手法としては、スパッタリング
やイオンブレーティング、真空蒸着法。
やイオンブレーティング、真空蒸着法。
クラスター・イオンビーム法等が挙げられる。
また、上記各成分元素の組成を調節する方法としては、
1)各成分元素を所定の割合となるように秤量し、これ
らをあらかじめ例えば高周波溶解炉等で溶解して合金イ
ンゴットを形成しておき、この合金インゴットを蒸発源
として使用する方法、ii )各成分の単独元素の蒸発
源を用意し、これら蒸発源の数で組成を制御する方法、 iii )各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら
蒸発源に加える出力(印加電圧)を制御して蒸発スピー
ドをコントロールし組成を制御する方法、 iv)合金を蒸発源として蒸着しながら他の元素を打ち
込む方法、 等が挙げられる。
らをあらかじめ例えば高周波溶解炉等で溶解して合金イ
ンゴットを形成しておき、この合金インゴットを蒸発源
として使用する方法、ii )各成分の単独元素の蒸発
源を用意し、これら蒸発源の数で組成を制御する方法、 iii )各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら
蒸発源に加える出力(印加電圧)を制御して蒸発スピー
ドをコントロールし組成を制御する方法、 iv)合金を蒸発源として蒸着しながら他の元素を打ち
込む方法、 等が挙げられる。
なお、上述の真空薄膜形成技術等により膜付けされた軟
磁性薄膜は、そのままの状態では保磁力は若干高い値を
示し良好な軟磁気特性が得られないので、熱処理を施し
て膜の歪を除去し、軟磁気特性を改善することが好まし
い。
磁性薄膜は、そのままの状態では保磁力は若干高い値を
示し良好な軟磁気特性が得られないので、熱処理を施し
て膜の歪を除去し、軟磁気特性を改善することが好まし
い。
このように、軟磁性薄膜の構成元素としてFe。
A1.Ge (Feの一部をCOで置換したものを含む
)を基本組成とする合金にTi、Zr、Nb。
)を基本組成とする合金にTi、Zr、Nb。
Ta、W、Cr、Mo、Mn、Ru、Os、Ir。
Re、Ni、Pd、Pt、Hfの少なくとも1種を選び
添加し、これらの組成比を所定の範囲内に設定すること
により、耐摩耗性に非常に優れた軟磁性薄膜となる。
添加し、これらの組成比を所定の範囲内に設定すること
により、耐摩耗性に非常に優れた軟磁性薄膜となる。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこの実施例に限定されるものではないことは言う
までもない。
発明がこの実施例に限定されるものではないことは言う
までもない。
先ず、99.9%以上の純度を有する電解鉄、電解コバ
ルト、99.99χの純度を有するアルミニウム、99
、9992の純度を存するゲルマニウム及び94.0〜
99.9χの純度を有するTi、Zr、Nb、Ta。
ルト、99.99χの純度を有するアルミニウム、99
、9992の純度を存するゲルマニウム及び94.0〜
99.9χの純度を有するTi、Zr、Nb、Ta。
W、Cr、Mo、Mn、Ru、Os、I r、Re。
Ni、Pd、Pt、Hfの少なくとも1種の添加元素を
それぞれ所定の組成比となるように秤量し、アルゴン雰
囲気中で高周波誘導加熱炉を用いて溶解・鋳造後、さら
に機械加工を行って直径105 mm。
それぞれ所定の組成比となるように秤量し、アルゴン雰
囲気中で高周波誘導加熱炉を用いて溶解・鋳造後、さら
に機械加工を行って直径105 mm。
厚み4mmのスパッタリング用合金ターゲットを作製し
た。
た。
次に、この合金ターゲットを用いて、プレーナー・マグ
ネトロン型RFスパッタリング装置により、到達ガス圧
8. OX 10−’Torr、Torr、ス分圧4.
OX 10−3Torr、予備スパッタ1時間、スパ
ッタ時間45分、投入電力300Wの条件でスパッタリ
ングを行い、水冷した結晶化ガラス基板(商品名 PE
G3130CHOYA社製)上に膜厚約2μmの薄膜を
得た。
ネトロン型RFスパッタリング装置により、到達ガス圧
8. OX 10−’Torr、Torr、ス分圧4.
OX 10−3Torr、予備スパッタ1時間、スパ
ッタ時間45分、投入電力300Wの条件でスパッタリ
ングを行い、水冷した結晶化ガラス基板(商品名 PE
G3130CHOYA社製)上に膜厚約2μmの薄膜を
得た。
上述の方法に従い、軟磁性薄膜が形成された基板を50
0℃で1時間真空アニールを行い、作製した軟磁性薄膜
の各サンプルについて、軟磁性薄膜の膜組成を分析し、
室温における飽和磁束密度Bs、抗磁力Hc、実行il
l率ueff(IM+Izにおける値)、耐摩耗性につ
いて調べた。
0℃で1時間真空アニールを行い、作製した軟磁性薄膜
の各サンプルについて、軟磁性薄膜の膜組成を分析し、
室温における飽和磁束密度Bs、抗磁力Hc、実行il
l率ueff(IM+Izにおける値)、耐摩耗性につ
いて調べた。
ここで、飽和磁束密度3sは試料振動磁束計(VSM)
、抗磁力HeはB −Hループトレーサ、遇(n率μは
8の字コイル型透磁率計で測定した。
、抗磁力HeはB −Hループトレーサ、遇(n率μは
8の字コイル型透磁率計で測定した。
また、耐摩耗性は次のようにして測定した。つまり、第
1図に示すようにダミーヘッド(1)のテープ摺動面上
に先ず、Cr下地層として0.2〜0゜4μmのCr薄
膜層(2)を基板加熱温度200〜300℃、到達ガス
圧8.0X10−″Torr、Torr、ス分圧4.0
’ X 10−’Torr、予備スパッ予備スパッタ1
ン 件で付着させた。その際ダミーヘッドを200〜300
℃に加熱し10分間逆スパツタを行った。
1図に示すようにダミーヘッド(1)のテープ摺動面上
に先ず、Cr下地層として0.2〜0゜4μmのCr薄
膜層(2)を基板加熱温度200〜300℃、到達ガス
圧8.0X10−″Torr、Torr、ス分圧4.0
’ X 10−’Torr、予備スパッ予備スパッタ1
ン 件で付着させた。その際ダミーヘッドを200〜300
℃に加熱し10分間逆スパツタを行った。
その後、所定の組成を持つ軟磁性薄膜(3)(各サンプ
ル)を膜厚杓lOμmとなるように基板加熱温度200
〜300℃、到達ガス圧8.0X10−’Torr+
アルゴンガス分圧4. OX 10−3Torr、予備
スパ7り1時間、スパッタ時間3時間、投入電力300
Wの条件で付着させたその際にもダミーヘッドを200
〜300℃に加熱し10分間逆スパツタを行った。
ル)を膜厚杓lOμmとなるように基板加熱温度200
〜300℃、到達ガス圧8.0X10−’Torr+
アルゴンガス分圧4. OX 10−3Torr、予備
スパ7り1時間、スパッタ時間3時間、投入電力300
Wの条件で付着させたその際にもダミーヘッドを200
〜300℃に加熱し10分間逆スパツタを行った。
ダミーヘッド摺動面上に軟磁性薄膜(3)を上述のよう
にしてスパッタリングにて形成させた後、第2図に示す
ようにヘッド台板(4)に接着剤(5)を用いて接着し
た。接着剤(5)が充分硬化した後、1インチVTR(
ソニー社製、商品名BVH−1000’)用ヘッドドラ
ムに合板(4)ごと装着した。その際、ダミーヘッド(
1)の突出量が80±5μmとなるように調整した。
にしてスパッタリングにて形成させた後、第2図に示す
ようにヘッド台板(4)に接着剤(5)を用いて接着し
た。接着剤(5)が充分硬化した後、1インチVTR(
ソニー社製、商品名BVH−1000’)用ヘッドドラ
ムに合板(4)ごと装着した。その際、ダミーヘッド(
1)の突出量が80±5μmとなるように調整した。
上記ダミーヘッド(1)を装着した1インチVTR(ソ
ニー社製、商品名BVH−1000)にセントし、γ−
Fe、O,系テープ(ソニー社製。
ニー社製、商品名BVH−1000)にセントし、γ−
Fe、O,系テープ(ソニー社製。
商品名V−16−64A)を用いて摩耗性のテストを行
った。その時のテープとダミーヘッドの相対スピードは
25.59 m / secである。ダミーヘッドはテ
ープ走行時間5時間毎にドラムより取り外し、顕微鏡(
倍率X400)を用いてテープ摺動面からマーカーまで
の距離を測定した。一つの試料につき6個のダミーヘッ
ドを作り、それらの測定値の平均値をもって摩耗度とし
た。テープ走行時間は、合計15時間である。耐摩耗値
は、テープ走行時間と摩耗量の関係を最小自乗法により
算出したときの直線の傾きである。
った。その時のテープとダミーヘッドの相対スピードは
25.59 m / secである。ダミーヘッドはテ
ープ走行時間5時間毎にドラムより取り外し、顕微鏡(
倍率X400)を用いてテープ摺動面からマーカーまで
の距離を測定した。一つの試料につき6個のダミーヘッ
ドを作り、それらの測定値の平均値をもって摩耗度とし
た。テープ走行時間は、合計15時間である。耐摩耗値
は、テープ走行時間と摩耗量の関係を最小自乗法により
算出したときの直線の傾きである。
各サンプルの組成と各々についての測定結果を第1表〜
第4表に示す。
第4表に示す。
(以下余白)
上記第1表〜第4表より、Fe、Al、Ge(Feの一
部をGoで置換したものを含む)にTi。
部をGoで置換したものを含む)にTi。
Zr、Nb、Ta、W、Cr、Mo、Mn、Ru。
Os、Ir、Re、Ni、Pd、Pt、Hfの少なくと
も1種の添加元素を添加することによって耐摩耗性につ
いて非常に優れた軟磁性薄膜となることがわかった。
も1種の添加元素を添加することによって耐摩耗性につ
いて非常に優れた軟磁性薄膜となることがわかった。
(発明の効果〕
上述の説明からも明らかなように、軟磁性1膜の成分元
素としてFe、ACGe (Feの一部をCOで置換
したものを含む)からなる合金中にTi、Zr、Nb、
Ta、W、Cr、Mo、Mn。
素としてFe、ACGe (Feの一部をCOで置換
したものを含む)からなる合金中にTi、Zr、Nb、
Ta、W、Cr、Mo、Mn。
Ru、Os、Ir、Re、Ni、Pd、Pt、HEの少
なくとも1種の添加元素を添加し、これらの組成比を所
定の値に設定することにより、従来の軟磁性薄膜より優
れた耐摩耗性を確保することが可能になった。
なくとも1種の添加元素を添加し、これらの組成比を所
定の値に設定することにより、従来の軟磁性薄膜より優
れた耐摩耗性を確保することが可能になった。
また、センダスト合金を凌く飽和磁束密度Bsも達成す
ることができ、軟磁気特性にも優れている軟磁性薄膜と
することが可能となった。
ることができ、軟磁気特性にも優れている軟磁性薄膜と
することが可能となった。
したがって、この軟磁性薄膜を例えば磁気ヘッドのコア
材料として用いることにより、磁気記録媒体の高抗磁力
化に充分対処することができ、高品質化や高記録密度化
等記録、再生特性の良好な磁気ヘッドとすることができ
る。
材料として用いることにより、磁気記録媒体の高抗磁力
化に充分対処することができ、高品質化や高記録密度化
等記録、再生特性の良好な磁気ヘッドとすることができ
る。
第1図は耐摩耗性を測定するためのダミーヘッドの構成
を示す斜視図であり、第2図は軟磁性1膜を付着したダ
ミーヘッドのヘッド台板への取り付は状態を示す模式的
な平面図である。 ■・・・ダミーヘッド 3・・・軟磁性薄膜 4・ ・ ・ヘッド台)反
を示す斜視図であり、第2図は軟磁性1膜を付着したダ
ミーヘッドのヘッド台板への取り付は状態を示す模式的
な平面図である。 ■・・・ダミーヘッド 3・・・軟磁性薄膜 4・ ・ ・ヘッド台)反
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Fe_aCo_bAl_cGe_dM_e(ただしa、
b、c、d、eはそれぞれ組成比を原子%として表し、
MはTi、Zr、Nb、Ta、W、Cr、Mo、Mn、
Ru、Os、Ir、Re、Ni、Pd、Pt、Hfの少
なくとも1種を表す。)なる組成式で示され、その組成
範囲が 68≦a+b≦84 0≦b≦15 1≦c≦31 1≦d≦31 0.5≦e≦6 a+b+c+d+e=100 なる関係を満足することを特徴とする軟磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61146226A JPH0758647B2 (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 結晶質軟磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61146226A JPH0758647B2 (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 結晶質軟磁性薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS633406A true JPS633406A (ja) | 1988-01-08 |
| JPH0758647B2 JPH0758647B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=15402962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61146226A Expired - Fee Related JPH0758647B2 (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 結晶質軟磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758647B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000070106A1 (en) * | 1999-05-14 | 2000-11-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic alloy and magnetic recording medium and method for preparation thereof, and target for forming magnetic film and magnetic recording device |
| JP2006322228A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Japan Railway Construction Transport & Technology Agency | コンクリート軌道スラブ及びその成形用型枠 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5827941A (ja) * | 1981-08-11 | 1983-02-18 | Hitachi Ltd | 非晶質薄膜の製造方法 |
| JPS62104107A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Sony Corp | 結晶質軟磁性薄膜 |
| JPS62104106A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Sony Corp | 軟磁性薄膜 |
-
1986
- 1986-06-24 JP JP61146226A patent/JPH0758647B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5827941A (ja) * | 1981-08-11 | 1983-02-18 | Hitachi Ltd | 非晶質薄膜の製造方法 |
| JPS62104107A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Sony Corp | 結晶質軟磁性薄膜 |
| JPS62104106A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Sony Corp | 軟磁性薄膜 |
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| US6607612B1 (en) | 1999-05-14 | 2003-08-19 | Migaku Takahashi | Magnetic alloy and magnetic recording medium and method for preparation thereof, and target for forming magnetic film and magnetic recording device |
| JP2006322228A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Japan Railway Construction Transport & Technology Agency | コンクリート軌道スラブ及びその成形用型枠 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0758647B2 (ja) | 1995-06-21 |
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