JPS63343Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63343Y2 JPS63343Y2 JP1983172958U JP17295883U JPS63343Y2 JP S63343 Y2 JPS63343 Y2 JP S63343Y2 JP 1983172958 U JP1983172958 U JP 1983172958U JP 17295883 U JP17295883 U JP 17295883U JP S63343 Y2 JPS63343 Y2 JP S63343Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reactor
- support
- particles
- flow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の利用分野〕
本考案は気相流動層反応器に係り、特にガス分
散板の目詰りを防止し、安定した流動層の運転を
可能とする気相流動層反応器に関するものであ
る。
散板の目詰りを防止し、安定した流動層の運転を
可能とする気相流動層反応器に関するものであ
る。
第１図は気相流動層反応器の従来例に係るもの
であり、オレフイン重合によつてポリオレフイン
粒子を製造している流動層反応器の断面図であ
る。
であり、オレフイン重合によつてポリオレフイン
粒子を製造している流動層反応器の断面図であ
る。
第１図において１０は流動層反応器であり、そ
の内部の下方位置にはガス分散板１２が設置さ
れ、その上方の空間には流動層Ｆが形成されてい
る。反応器１０の上端のガス排出口１３にはガス
排出ライン１４が接続され、下端にはガス導入用
ノズル１５を介して原料オレフインガス導入ライ
ン１６が接続されている。ガス排出ライン１４、
導入ライン１６は、ガスクーラ２０、ブロワ２２
を介して連結され、ガスの循環流路を構成してい
る。なお途中の管路にはメイクアツプガスライン
２３が接続されている。またガス導入用ノズル１
５の直上位置には、ガス整流用バツフル２１が設
けられている。
の内部の下方位置にはガス分散板１２が設置さ
れ、その上方の空間には流動層Ｆが形成されてい
る。反応器１０の上端のガス排出口１３にはガス
排出ライン１４が接続され、下端にはガス導入用
ノズル１５を介して原料オレフインガス導入ライ
ン１６が接続されている。ガス排出ライン１４、
導入ライン１６は、ガスクーラ２０、ブロワ２２
を介して連結され、ガスの循環流路を構成してい
る。なお途中の管路にはメイクアツプガスライン
２３が接続されている。またガス導入用ノズル１
５の直上位置には、ガス整流用バツフル２１が設
けられている。
触媒は反応器１０側壁に形成された触媒投入口
２６からライン２４を通して反応器１０内に投入
される。反応器１０底部から導入された原料オレ
フインガスは、ガス分散板１２を通り、生成した
ポリオレフイン粒子を流動させながら、その一部
は触媒と接触することによつてポリオレフイン粒
子を形成していく。反応生成物２８は取出口３０
より取り出される。
２６からライン２４を通して反応器１０内に投入
される。反応器１０底部から導入された原料オレ
フインガスは、ガス分散板１２を通り、生成した
ポリオレフイン粒子を流動させながら、その一部
は触媒と接触することによつてポリオレフイン粒
子を形成していく。反応生成物２８は取出口３０
より取り出される。
しかしてこのような従来例においては、分散板
１２は、流動層反応器１０の下部構造の拡大断面
図である第２図に示されるように、反応器１０の
内壁面に突設されたサポート３２（なお、従来こ
のサポート３２は一般に環状とされ、反応器１０
の内壁面に沿つて周設されているので、サポート
リングと称されている。）に係止されて支持され
るように構成されている。
１２は、流動層反応器１０の下部構造の拡大断面
図である第２図に示されるように、反応器１０の
内壁面に突設されたサポート３２（なお、従来こ
のサポート３２は一般に環状とされ、反応器１０
の内壁面に沿つて周設されているので、サポート
リングと称されている。）に係止されて支持され
るように構成されている。
ところが従来のサポート３２はその鉛直方向の
断面形状が方形とされており、下面３２ａが反応
器１０の内壁面に対して直角となつている。その
ためこのサポート下面３２ａ付近でガスＧの流れ
が乱れ、流動化ガスに同伴されている粒子が、サ
ポート３２あるいはその近傍に付着（図中Ｄは付
着した粒子を示す。）するようになる。
断面形状が方形とされており、下面３２ａが反応
器１０の内壁面に対して直角となつている。その
ためこのサポート下面３２ａ付近でガスＧの流れ
が乱れ、流動化ガスに同伴されている粒子が、サ
ポート３２あるいはその近傍に付着（図中Ｄは付
着した粒子を示す。）するようになる。
この原因を次に詳述する。なお第１図の系統の
如くガスを循環させる方式のものにあつては、循
環するガスに流動層内の粒子の一部が同伴されて
いる。
如くガスを循環させる方式のものにあつては、循
環するガスに流動層内の粒子の一部が同伴されて
いる。
従来の反応器１０内の分散板１２よりも下方の
部分におけるガスの流れは概略的に言えば次の通
りである。
部分におけるガスの流れは概略的に言えば次の通
りである。
(i) ライン１６から供給されるガスはノズル１５
から反応器１０内に入る。
から反応器１０内に入る。
(ii) 次いでバツフル２１に当たり、分散板１２に
対して均等に供給されるように分散されると共
に整流される。
対して均等に供給されるように分散されると共
に整流される。
(iii) 分散板の中央付近に供給されたガスは比較的
スムースに流れる。またそのため粒子の付着も
僅少である。
スムースに流れる。またそのため粒子の付着も
僅少である。
(iv) ところが反応器１０の内壁面近傍に供給され
たガスは、サポート３２に邪魔されて流れの方
向が急激に変化し、そのためにガスに同伴して
いる粒子がサポート３２あるいはその近傍に付
着するようになる。
たガスは、サポート３２に邪魔されて流れの方
向が急激に変化し、そのためにガスに同伴して
いる粒子がサポート３２あるいはその近傍に付
着するようになる。
ところで気相流動相反応器においては、一般に
分散板直上のコーナー部は流動層内のフローパタ
ンからみて最も流動状態が弱く、粒子が凝集した
り反応器内壁面や分散板に付着するなどして塊状
物が生じ易い部分である。そのため上述の如きサ
ポート３２あるいはその近傍に粒子が付着してこ
の部分のガス流量が若干でも減少すると、極めて
容易に塊状物Ａが生じてしまうのである。
分散板直上のコーナー部は流動層内のフローパタ
ンからみて最も流動状態が弱く、粒子が凝集した
り反応器内壁面や分散板に付着するなどして塊状
物が生じ易い部分である。そのため上述の如きサ
ポート３２あるいはその近傍に粒子が付着してこ
の部分のガス流量が若干でも減少すると、極めて
容易に塊状物Ａが生じてしまうのである。
このような塊状物は反応器のノズルや配管を閉
塞し、運転停止にいたる重大トラブル発生の原因
となつている。
塞し、運転停止にいたる重大トラブル発生の原因
となつている。
本考案は上記従来の問題点を解消すべくなされ
たものであつて、ガス分散板などへの粒子の付着
が極めて少なく、安定した運転を行うことが可能
な気相流動層反応器を提供することを目的とす
る。
たものであつて、ガス分散板などへの粒子の付着
が極めて少なく、安定した運転を行うことが可能
な気相流動層反応器を提供することを目的とす
る。
この目的を達成するために本考案は、サポート
の下面を傾斜させることによつて当該部分のガス
の流れをスムースにし、粒子の付着を防止するよ
うにしたものであつて、 反応器内部の下方位置にガス分散板が設置され
てなる気相流動層反応器において、該ガス分散板
は反応器内壁面に突設されたサポートに係止され
て支持されており、該サポートの下面側は反応器
内壁面に対して傾斜し、かつガス分散板よりも下
方の反応器内壁面からサポート内周面に沿うガス
の流れに同伴する粒子がガス分散板の最外周の開
孔よりも内側の開孔に流れ込むサポート高さ及び
サポート下面傾斜としたことを特徴とする気相流
動層反応器、 を要旨とするものである。
の下面を傾斜させることによつて当該部分のガス
の流れをスムースにし、粒子の付着を防止するよ
うにしたものであつて、 反応器内部の下方位置にガス分散板が設置され
てなる気相流動層反応器において、該ガス分散板
は反応器内壁面に突設されたサポートに係止され
て支持されており、該サポートの下面側は反応器
内壁面に対して傾斜し、かつガス分散板よりも下
方の反応器内壁面からサポート内周面に沿うガス
の流れに同伴する粒子がガス分散板の最外周の開
孔よりも内側の開孔に流れ込むサポート高さ及び
サポート下面傾斜としたことを特徴とする気相流
動層反応器、 を要旨とするものである。
以下、図面を参照して実施例について説明す
る。第３図は本考案の実施例に係る流動層反応器
の全体構成を示す断面図、第４図は同下部の構成
を示す断面図である。
る。第３図は本考案の実施例に係る流動層反応器
の全体構成を示す断面図、第４図は同下部の構成
を示す断面図である。
この実施例においては、サポート３２はその下
面３２ａが反応器１０の内壁面に対して傾斜して
設けられている。そして、該サポート３２は、ガ
ス分散板１２よりも下方の反応器１０の内壁面か
らサポート３２の内周面に沿うガスＧの流れに同
伴する粒子Ｐがガス分散板１２の最外周の開孔列
１２ａよりも内側の開孔列１２ｂ，１２ｃ…に流
れ込むように、その高さ及び下面３２ａの傾斜角
度とされている。これにより、該サポート３２付
近の部分におけるガスの流れがなめらかになり、
サポート３２への粒子の付着が防止される。
面３２ａが反応器１０の内壁面に対して傾斜して
設けられている。そして、該サポート３２は、ガ
ス分散板１２よりも下方の反応器１０の内壁面か
らサポート３２の内周面に沿うガスＧの流れに同
伴する粒子Ｐがガス分散板１２の最外周の開孔列
１２ａよりも内側の開孔列１２ｂ，１２ｃ…に流
れ込むように、その高さ及び下面３２ａの傾斜角
度とされている。これにより、該サポート３２付
近の部分におけるガスの流れがなめらかになり、
サポート３２への粒子の付着が防止される。
即ち反応器１０内壁面に沿つて流れてきたガス
Ｇは、前述のように傾斜したサポート下面３２ａ
によつて流れの方向がゆるやかに変えられる。そ
のためこのガスに同伴して流れている粒子Ｐも、
サポート３２ａ等に付着することなくゆるやかに
流れ方向を変え、次いでそれ自身の慣性によつて
第４図中破線で示される如く、分散板の中央寄り
の部分に供給される。分散板１２の中央寄りの部
分は、それよりも外側の部分に比べて流れがなめ
らかであるので、粒子もこのなめらかなガス流に
同伴されてスムースに分散板１２を通過し、分散
板１２への粒子の付着も防止されるようになる。
Ｇは、前述のように傾斜したサポート下面３２ａ
によつて流れの方向がゆるやかに変えられる。そ
のためこのガスに同伴して流れている粒子Ｐも、
サポート３２ａ等に付着することなくゆるやかに
流れ方向を変え、次いでそれ自身の慣性によつて
第４図中破線で示される如く、分散板の中央寄り
の部分に供給される。分散板１２の中央寄りの部
分は、それよりも外側の部分に比べて流れがなめ
らかであるので、粒子もこのなめらかなガス流に
同伴されてスムースに分散板１２を通過し、分散
板１２への粒子の付着も防止されるようになる。
このような本考案においては、
サポート３２の寸法（図中、Ｗ、Ｈ及びθで
示される幅、高さ及び下面３２ａの傾斜角度）
は、周壁部のガスの流線が最外周の開孔列１２
ａより内側の開孔列（例えば１２ｂ，１２ｃ
…）に入るように決定する。
示される幅、高さ及び下面３２ａの傾斜角度）
は、周壁部のガスの流線が最外周の開孔列１２
ａより内側の開孔列（例えば１２ｂ，１２ｃ
…）に入るように決定する。
サポート３２の幅Ｗは、最外周の開孔列寸法
l1により決められるがl1より小であり、具体的
には50mm以下とするのが好ましい。
l1により決められるがl1より小であり、具体的
には50mm以下とするのが好ましい。
サポート下面３２ａの反応器１０内壁面との
なす角度θは45゜以下となるように選定するの
が好ましい。
なす角度θは45゜以下となるように選定するの
が好ましい。
最外周の開孔列寸法l1はなるべく小さくなる
ようにするのが好ましい。
ようにするのが好ましい。
サポート３２の高さＨとしては、該サポート
３２に沿うガスの流れが整流され、粒子の流れ
に対してカルマン渦が影響を与えない高さとす
るのが好ましい。具体的には50〜300mmが好ま
しい。この理由について次に説明する。
３２に沿うガスの流れが整流され、粒子の流れ
に対してカルマン渦が影響を与えない高さとす
るのが好ましい。具体的には50〜300mmが好ま
しい。この理由について次に説明する。
第５図ないし第７図はサポート３２近傍部分の
拡大断面図であり、それぞれＨの大きさが異なつ
ている。そして(イ)第５図の如くＨが０又は０に近
い場合には、サポート３２に沿うガス流に同伴し
て流れている粒子Ｐが最外周開口列１２ａの方へ
も流れるようになり、本考案の効果が小さくな
る。(ロ)第６図の如くＨが小さい場合には、サポー
ト下面３２ａに沿うガス流がこのサポート下面３
２ａから離れたときにカルマン渦が生成し、粒子
が最外周開口列１２ａの方へも流れるようにな
り、本考案の効果が小さくなる。(ハ)Ｈが大き過ぎ
る場合にも、第７図に示す如く粒子が最外周開口
列１２ａの方にも流れるようになり、本考案の効
果が小さくなる。
拡大断面図であり、それぞれＨの大きさが異なつ
ている。そして(イ)第５図の如くＨが０又は０に近
い場合には、サポート３２に沿うガス流に同伴し
て流れている粒子Ｐが最外周開口列１２ａの方へ
も流れるようになり、本考案の効果が小さくな
る。(ロ)第６図の如くＨが小さい場合には、サポー
ト下面３２ａに沿うガス流がこのサポート下面３
２ａから離れたときにカルマン渦が生成し、粒子
が最外周開口列１２ａの方へも流れるようにな
り、本考案の効果が小さくなる。(ハ)Ｈが大き過ぎ
る場合にも、第７図に示す如く粒子が最外周開口
列１２ａの方にも流れるようになり、本考案の効
果が小さくなる。
なお上記実施例では、サポート下面３２ａは直
線的な断面形状として示されているが、本考案に
あつては該下面３２ａは、要するに反応器１０内
壁面に沿つて流れるガスの流線をスムースに変え
ることができるように傾斜していれば良く、例え
ばなめらかな曲面であつても良い。
線的な断面形状として示されているが、本考案に
あつては該下面３２ａは、要するに反応器１０内
壁面に沿つて流れるガスの流線をスムースに変え
ることができるように傾斜していれば良く、例え
ばなめらかな曲面であつても良い。
なお上記実施例ではポリオレフイン系ポリマー
を製造する例が示されているが、本考案はこれに
限定されるものではないことは明らかである。ま
たガスを循環させる系統のみならず、流動化気体
として含塵気体を用いる流動層反応器について一
般的に適用できることも明らかである。
を製造する例が示されているが、本考案はこれに
限定されるものではないことは明らかである。ま
たガスを循環させる系統のみならず、流動化気体
として含塵気体を用いる流動層反応器について一
般的に適用できることも明らかである。
以上の通り本考案の気相流動層反応器は、反応
器内壁面に穿設された分散板支持用サポートの下
面を所要角度に傾斜させると共に、該サポートの
高さを適切なものとし、反応器内壁面に沿うガス
の流線をスムースに変え、ガス分散板よりも下方
の反応器内壁面からサポート内周面に沿うガスの
流れに同伴する粒子がガス分散板の最外周の開孔
よりも内側の開孔に流れ込むようにしたものであ
り、ガス分散板サポートあるいはその近傍への粒
子付着が格段に減少される。このようにしてガス
分散板の目詰りが防止され、これによる種々のト
ラブルを解消することができる。
器内壁面に穿設された分散板支持用サポートの下
面を所要角度に傾斜させると共に、該サポートの
高さを適切なものとし、反応器内壁面に沿うガス
の流線をスムースに変え、ガス分散板よりも下方
の反応器内壁面からサポート内周面に沿うガスの
流れに同伴する粒子がガス分散板の最外周の開孔
よりも内側の開孔に流れ込むようにしたものであ
り、ガス分散板サポートあるいはその近傍への粒
子付着が格段に減少される。このようにしてガス
分散板の目詰りが防止され、これによる種々のト
ラブルを解消することができる。
また本考案構造は、構成が簡便で足り製作費用
も低廉である。また既存の流動層反応器について
も簡単な工事で本考案の構造とすることができ
る。
も低廉である。また既存の流動層反応器について
も簡単な工事で本考案の構造とすることができ
る。
第１図は従来例に係る流動層反応器の全体構成
を示す断面図、第２図は同従来例におけるガス分
散板支持構造を示す断面図、第３図は実施例に係
る流動層反応器の全体構成を示す断面図、第４図
は同実施例におけるガス分散板支持構造を示す断
面図、第５図、第６図及び第７図はそれぞれサポ
ート近傍部のガスと粒子の流れを示す拡大断面図
である。 １０……流動層反応器、１２……ガス分散板、
２０……ガスクーラ、３２……サポート、３２ａ
……サポート下面。
を示す断面図、第２図は同従来例におけるガス分
散板支持構造を示す断面図、第３図は実施例に係
る流動層反応器の全体構成を示す断面図、第４図
は同実施例におけるガス分散板支持構造を示す断
面図、第５図、第６図及び第７図はそれぞれサポ
ート近傍部のガスと粒子の流れを示す拡大断面図
である。 １０……流動層反応器、１２……ガス分散板、
２０……ガスクーラ、３２……サポート、３２ａ
……サポート下面。
Claims (1)
- 反応器内部の下方位置にガス分散板が設置され
てなる気相流動反応器において、該ガス分散板は
反応器内壁面に突設されたサポートに係止されて
支持されており、該サポートの下面側は反応器内
壁面に対して傾斜し、かつガス分散板よりも下方
の反応器内壁面からサポート内周面に沿うガスの
流れに同伴する粒子がガス分散板の最外周の開孔
よりも内側の開孔に流れ込むサポート高さ及びサ
ポート下面傾斜としたことを特徴とする気相流動
層反応器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17295883U JPS6079541U (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | 気相流動層反応器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17295883U JPS6079541U (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | 気相流動層反応器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6079541U JPS6079541U (ja) | 1985-06-03 |
| JPS63343Y2 true JPS63343Y2 (ja) | 1988-01-07 |
Family
ID=30376892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17295883U Granted JPS6079541U (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | 気相流動層反応器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6079541U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018174075A1 (ja) * | 2017-03-24 | 2018-09-27 | 株式会社カネカ | 流動層反応装置及び塩素化塩化ビニル系樹脂の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5847216A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-18 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 質量流量計 |
-
1983
- 1983-11-08 JP JP17295883U patent/JPS6079541U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6079541U (ja) | 1985-06-03 |
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