JPS633468A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPS633468A JPS633468A JP14761686A JP14761686A JPS633468A JP S633468 A JPS633468 A JP S633468A JP 14761686 A JP14761686 A JP 14761686A JP 14761686 A JP14761686 A JP 14761686A JP S633468 A JPS633468 A JP S633468A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm
- pressure
- film
- pressure sensor
- sensitivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体圧力センサ、特にダイアフラムの構造に
関する。
関する。
従来この種の圧力センサはダイアフラム部の受感部の膜
厚により圧力感度が決定され、圧力感度はダイアフラム
厚の二乗に反比例する性質を持っていることが知られて
おり、ダイアフラム厚の制御技術は、この種の圧力セン
サの重要点となっていた。
厚により圧力感度が決定され、圧力感度はダイアフラム
厚の二乗に反比例する性質を持っていることが知られて
おり、ダイアフラム厚の制御技術は、この種の圧力セン
サの重要点となっていた。
従来、ダイアフラム厚の制御技術としてはＰ形基板にＮ
形層をエピタキシャル成長した基板を用い、Ｎ形層に正
電界をかけながらＰ形基板からビドラジン等異方性エツ
チング中でエツチングを行うとＰＮ接合の界面でエツチ
ングがストップするという技術が知られていた（特開昭
５９−１５２２７６号）。
形層をエピタキシャル成長した基板を用い、Ｎ形層に正
電界をかけながらＰ形基板からビドラジン等異方性エツ
チング中でエツチングを行うとＰＮ接合の界面でエツチ
ングがストップするという技術が知られていた（特開昭
５９−１５２２７６号）。
半導体圧力センサはシリコンウェーハ内に多数配列され
た単位セルの第１の主面に感度素子となるゲージ抵抗等
の電子回路を集積化し、第２の主面の一部に異方性エツ
チング、機械加工等により凹みをつけてダイアフラムを
形成し、しかる後に単位セル毎に分割して、この単位セ
ルをグイとすることによって製造される。
た単位セルの第１の主面に感度素子となるゲージ抵抗等
の電子回路を集積化し、第２の主面の一部に異方性エツ
チング、機械加工等により凹みをつけてダイアフラムを
形成し、しかる後に単位セル毎に分割して、この単位セ
ルをグイとすることによって製造される。
上述した従来の半導体圧力センサはＮ形エピタキシャル
層の厚さにより圧力感度が決定されるため、圧力感度の
異なる製品群を作るには、Ｎ形エピタキシャル層の厚さ
が異なる基板を予め用意する必要があるという欠点があ
った。
層の厚さにより圧力感度が決定されるため、圧力感度の
異なる製品群を作るには、Ｎ形エピタキシャル層の厚さ
が異なる基板を予め用意する必要があるという欠点があ
った。
本発明の目的はダイアフラムの圧力感度調整を可能なら
しめた半導体圧力センサを提供することにある。
しめた半導体圧力センサを提供することにある。
本発明の半導体圧力センサはダイアフラムの上面若しく
は下面、あるいは両面に圧力感度調整用薄膜を形成した
ことを特徴とするものである。
は下面、あるいは両面に圧力感度調整用薄膜を形成した
ことを特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
第１図に示すように、異方性エツチング等によりダイア
フラム５を形成したシリコンチップ６のダイアフラム上
面にスパッタリクング法等の薄膜形成技術により、例え
ばＳｉＣ膜による保護膜４が形成しである。測定しよう
とする圧力は圧力導入ポート１より取り入れ、ダイアフ
ラム５上に配した拡散抵抗により電圧出力が得られる。
フラム５を形成したシリコンチップ６のダイアフラム上
面にスパッタリクング法等の薄膜形成技術により、例え
ばＳｉＣ膜による保護膜４が形成しである。測定しよう
とする圧力は圧力導入ポート１より取り入れ、ダイアフ
ラム５上に配した拡散抵抗により電圧出力が得られる。
この保護膜４は膜厚調整することにより圧力感度が調整
される。尚、圧力感度調整用薄膜としての保護膜４はダ
イアフラム５の上面に形成したが、ダイアフラム５の下
面、或いはダイアフラム５の上下両面に形成しても良い
。
される。尚、圧力感度調整用薄膜としての保護膜４はダ
イアフラム５の上面に形成したが、ダイアフラム５の下
面、或いはダイアフラム５の上下両面に形成しても良い
。
以上説明したように本発明はダイアフラム上に薄膜を施
すことにより、ダイアプラムの圧力感度調整ができる効
果がある。
すことにより、ダイアプラムの圧力感度調整ができる効
果がある。
第１図は本発明に係る半導体圧力センサを示す縦断面図
である。
である。
Claims (1)
- （１）半導体圧力センサのダイアフラムの上面若しくは
下面、あるいは両面に圧力感度調整用薄膜を形成したこ
とを特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14761686A JPS633468A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14761686A JPS633468A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS633468A true JPS633468A (ja) | 1988-01-08 |
Family
ID=15434351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14761686A Pending JPS633468A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS633468A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03501062A (ja) * | 1989-04-13 | 1991-03-07 | エンドレス ウント ハウザー ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング ウント コンパニー | 圧力センサ |
| JP2009222050A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-10-01 | Denso Corp | 燃料噴射装置及び蓄圧式燃料噴射装置システム |
| JP2012508387A (ja) * | 2008-11-11 | 2012-04-05 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 圧力センサ |
-
1986
- 1986-06-24 JP JP14761686A patent/JPS633468A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03501062A (ja) * | 1989-04-13 | 1991-03-07 | エンドレス ウント ハウザー ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング ウント コンパニー | 圧力センサ |
| JP2009222050A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-10-01 | Denso Corp | 燃料噴射装置及び蓄圧式燃料噴射装置システム |
| JP2012508387A (ja) * | 2008-11-11 | 2012-04-05 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 圧力センサ |
| US8931348B2 (en) | 2008-11-11 | 2015-01-13 | Robert Bosch Gmbh | Pressure sensor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5178016A (en) | Silicon pressure sensor chip with a shear element on a sculptured diaphragm | |
| KR840002283B1 (ko) | 실리콘 압력 변환기 | |
| US6642594B2 (en) | Single chip multiple range pressure transducer device | |
| US5514898A (en) | Semiconductor device with a piezoresistive pressure sensor | |
| US3994009A (en) | Stress sensor diaphragms over recessed substrates | |
| JP3506932B2 (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| DE10322523A1 (de) | Halbleiterdrucksensor mit einer Membran | |
| JPS59136977A (ja) | 圧力感知半導体装置とその製造法 | |
| US5172205A (en) | Piezoresistive semiconductor device suitable for use in a pressure sensor | |
| US3820401A (en) | Piezoresistive bridge transducer | |
| Hirata et al. | Silicon diaphragm pressure sensors fabricated by anodic oxidation etch-stop | |
| JPS633468A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2696894B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP4845308B2 (ja) | 半導体センサ及びその製造方法 | |
| JPS62266875A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2905902B2 (ja) | 半導体圧力計およびその製造方法 | |
| JPH02137273A (ja) | シリコンダイアフラムの製造方法 | |
| JPH0510830B2 (ja) | ||
| JPH01183165A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH05304304A (ja) | 半導体圧力センサとその製造方法 | |
| JPS5938744B2 (ja) | 圧力−電気変換装置およびその製造方法 | |
| JP2025179889A (ja) | 圧力センサ素子およびその製造方法 | |
| RU165465U1 (ru) | Полупроводниковый датчик давления | |
| JPS6398156A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPH0834315B2 (ja) | 半導体圧力センサー |