JPS6337501B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6337501B2 JPS6337501B2 JP58159867A JP15986783A JPS6337501B2 JP S6337501 B2 JPS6337501 B2 JP S6337501B2 JP 58159867 A JP58159867 A JP 58159867A JP 15986783 A JP15986783 A JP 15986783A JP S6337501 B2 JPS6337501 B2 JP S6337501B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal substrate
- crystal
- wavelength
- compound semiconductor
- composition distribution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は化合物半導体結晶の組成分布評価法に
係り、特に化合物半導体結晶からなる基板全面の
組成分布状態を、赤外線の透過波長によつて正
確、かつ短時間に評価し得る方法に関するもので
ある。
係り、特に化合物半導体結晶からなる基板全面の
組成分布状態を、赤外線の透過波長によつて正
確、かつ短時間に評価し得る方法に関するもので
ある。
(b) 技術の背景
化合物半導体結晶、特に赤外線検知素子の製造
に用いられる例えば水銀―カドミウム―テルル
（Hg1―xCdxTe）からなる結晶基板としては、Ｘ
値を変化させることにより任意の最大応答波長特
性を有する赤外線検知素子を製作することができ
る。しかしこの場合、問題になるのは前記結晶基
板内での各組成の均一性及び不純物分布の均一性
などである。従つてこれらの問題は結晶成長技術
の改善等によつて解消を図つているが、このよう
なことに関連して前記結晶基板の結晶組成分布を
正確に観測評価することが重要となる。
に用いられる例えば水銀―カドミウム―テルル
（Hg1―xCdxTe）からなる結晶基板としては、Ｘ
値を変化させることにより任意の最大応答波長特
性を有する赤外線検知素子を製作することができ
る。しかしこの場合、問題になるのは前記結晶基
板内での各組成の均一性及び不純物分布の均一性
などである。従つてこれらの問題は結晶成長技術
の改善等によつて解消を図つているが、このよう
なことに関連して前記結晶基板の結晶組成分布を
正確に観測評価することが重要となる。
(c) 従来技術と問題点
従来、赤外線検知素子の製造に用いられる例え
ば水銀―カドミウム―テルル（Hg1―xCdxTe）
からなる結晶基板等の組成分布評価法としては、
第１図に示すように、結晶の組成分布状態を評価
すべきHg1―xCdxTeからなる結晶基板１の前面
に、スリツト３が穿設され、かつ基板前面に沿つ
てＸ，Ｙ方向に移動可能なスリツト板２を配置
し、所定波長範囲の赤外光を赤外用分光器４より
前記スリツト３を通して、結晶基板１上にスポツ
ト状にその波長を順次変化させて照射する。そし
て該結晶基板１を透過した波長の赤外光は、ホト
カプラ等からなる赤外線検出器５にて受光され、
かつ光電変換され、その電気信号は例えば測定記
録装置６に送られて第２図に示すように記録され
る。この第２図に示す記録曲線Ａより前記結晶基
板１を透過し始めた波長、即ちその波長のピーク
を過ぎて、該ピークでの感度が半分となる感度の
カツトオフ波長Ｂを測定する。しかる後、各カツ
トオフ波長と結晶組成との関係表により前記カツ
トオフ波長Ｂと対応する結晶組成を前記結晶基板
１の赤外光透過部分の結晶組成とする。以下前記
結晶基板１の全面にスリツト板２のスリツト３を
所定間隔をもつて移動操作して上記と同様のプロ
セスによつて各部分の結晶組成を検出し、該結晶
基板１全面の結晶組成分布図を作成してその評価
を行う方法がとられている。
ば水銀―カドミウム―テルル（Hg1―xCdxTe）
からなる結晶基板等の組成分布評価法としては、
第１図に示すように、結晶の組成分布状態を評価
すべきHg1―xCdxTeからなる結晶基板１の前面
に、スリツト３が穿設され、かつ基板前面に沿つ
てＸ，Ｙ方向に移動可能なスリツト板２を配置
し、所定波長範囲の赤外光を赤外用分光器４より
前記スリツト３を通して、結晶基板１上にスポツ
ト状にその波長を順次変化させて照射する。そし
て該結晶基板１を透過した波長の赤外光は、ホト
カプラ等からなる赤外線検出器５にて受光され、
かつ光電変換され、その電気信号は例えば測定記
録装置６に送られて第２図に示すように記録され
る。この第２図に示す記録曲線Ａより前記結晶基
板１を透過し始めた波長、即ちその波長のピーク
を過ぎて、該ピークでの感度が半分となる感度の
カツトオフ波長Ｂを測定する。しかる後、各カツ
トオフ波長と結晶組成との関係表により前記カツ
トオフ波長Ｂと対応する結晶組成を前記結晶基板
１の赤外光透過部分の結晶組成とする。以下前記
結晶基板１の全面にスリツト板２のスリツト３を
所定間隔をもつて移動操作して上記と同様のプロ
セスによつて各部分の結晶組成を検出し、該結晶
基板１全面の結晶組成分布図を作成してその評価
を行う方法がとられている。
しかしこの方法においては、所定波長範囲の赤
外ビーム・スポツトを照射操作し、その時の透過
波長によつて結晶基板１全面の結晶組成分布状態
図を作成し、評価しているため、その評価過程に
長時間が費やされると共に、前記組成分布状態図
が大まかになり、結晶基板１全面の結晶組成分布
の評価に正確性が欠ける欠点があつた。
外ビーム・スポツトを照射操作し、その時の透過
波長によつて結晶基板１全面の結晶組成分布状態
図を作成し、評価しているため、その評価過程に
長時間が費やされると共に、前記組成分布状態図
が大まかになり、結晶基板１全面の結晶組成分布
の評価に正確性が欠ける欠点があつた。
(d) 発明の目的
本発明は上記従来の実情に鑑み、評価すべき化
合物半導体結晶基板の全面に、所定波長範囲の赤
外ビームを、その波長を順次変化させて照射し、
透過した波長の赤外光を赤外線画像装置によつて
二次元的にサーモグラフイツク化して前記結晶基
板全面の結晶組成分布を短時間で、かつ正確に評
価し得る新規な化合物半導体結晶の組成分布評価
法を提供することを目的とするものである。
合物半導体結晶基板の全面に、所定波長範囲の赤
外ビームを、その波長を順次変化させて照射し、
透過した波長の赤外光を赤外線画像装置によつて
二次元的にサーモグラフイツク化して前記結晶基
板全面の結晶組成分布を短時間で、かつ正確に評
価し得る新規な化合物半導体結晶の組成分布評価
法を提供することを目的とするものである。
(e) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、所定波長範
囲の赤外線を化合物半導体結晶基板に該波長を可
変にして照射し、該結晶基板を透過する赤外線の
波長によつてその結晶組成分布を評価する方法に
おいて、上記結晶基板表面全面に波長を変化させ
た赤外線を照射し、上記結晶基板を透過した波長
の赤外線から赤外線画像作成手段により前記結晶
基板表面の全面に於けるカツトオフ波長を求め、
前記各カツトオフ波長に対応する結晶組成値を色
表示により二次元的にパターン表示し、該二次元
的パターンから該結晶基板の組成分布を評価する
ようにしたことを特徴とする化合物半導体結晶の
組成分布評価法を提供することによつて達成され
る。
囲の赤外線を化合物半導体結晶基板に該波長を可
変にして照射し、該結晶基板を透過する赤外線の
波長によつてその結晶組成分布を評価する方法に
おいて、上記結晶基板表面全面に波長を変化させ
た赤外線を照射し、上記結晶基板を透過した波長
の赤外線から赤外線画像作成手段により前記結晶
基板表面の全面に於けるカツトオフ波長を求め、
前記各カツトオフ波長に対応する結晶組成値を色
表示により二次元的にパターン表示し、該二次元
的パターンから該結晶基板の組成分布を評価する
ようにしたことを特徴とする化合物半導体結晶の
組成分布評価法を提供することによつて達成され
る。
(f) 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細
に説明する。
に説明する。
第３図は本発明に係る化合物半導体結晶の組成
分布評価法に適用する装置構成の一実施例を概念
的に示す説明図である。
分布評価法に適用する装置構成の一実施例を概念
的に示す説明図である。
本発明においては、図示のようにまず所定波長
範囲の赤外光を赤外用分光器３２より結晶組成分
布３を評価すべきHg1―xCdxTeからなる化合物
半導体結晶基板３１上の全面に、光波長切換制御
装置３３によつて光波長を順次変化させて照射す
る。そして該結晶基板３１を透過した各波長の赤
外光は集光レンズ３４によつて集束され、更に赤
外線画像作成装置３５において透過波長別に色透
過パターン化処理を行う。そしてこれら各透過波
長別の色透過パターンを、例えばモニターTV３
６の画面に重ねて図示のように表示することによ
り、前記結晶基板３１全面に対する各透過波長分
布が明確となり、此の表示パターン３７を結晶組
成分布に画像処理すれば、前記結晶基板３１全面
の結晶組成分布を短時間に、しかも正確に得るこ
とが可能となる。その結果二次元的に上記結晶組
成分布状態を正確、且つ容易に評価することが可
能となる。
範囲の赤外光を赤外用分光器３２より結晶組成分
布３を評価すべきHg1―xCdxTeからなる化合物
半導体結晶基板３１上の全面に、光波長切換制御
装置３３によつて光波長を順次変化させて照射す
る。そして該結晶基板３１を透過した各波長の赤
外光は集光レンズ３４によつて集束され、更に赤
外線画像作成装置３５において透過波長別に色透
過パターン化処理を行う。そしてこれら各透過波
長別の色透過パターンを、例えばモニターTV３
６の画面に重ねて図示のように表示することによ
り、前記結晶基板３１全面に対する各透過波長分
布が明確となり、此の表示パターン３７を結晶組
成分布に画像処理すれば、前記結晶基板３１全面
の結晶組成分布を短時間に、しかも正確に得るこ
とが可能となる。その結果二次元的に上記結晶組
成分布状態を正確、且つ容易に評価することが可
能となる。
尚、以上の実施例では、水銀―カドミウム―テ
ルル（Hg1―xCdxTe）からなる化合物半導体結
晶基板を用いた場合の例について説明したが、本
発明はこの例に限定されるものではなく、例えば
鉛―錫―テルル（Pb1―xSexTe）、鉛―硫黄―セ
レン（PbS1―xSex）等からなる化合物半導体結
晶基板の結晶組成分布状態の評価にも適用可能な
ことは言うまでもない。
ルル（Hg1―xCdxTe）からなる化合物半導体結
晶基板を用いた場合の例について説明したが、本
発明はこの例に限定されるものではなく、例えば
鉛―錫―テルル（Pb1―xSexTe）、鉛―硫黄―セ
レン（PbS1―xSex）等からなる化合物半導体結
晶基板の結晶組成分布状態の評価にも適用可能な
ことは言うまでもない。
(g) 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係る
化合物半導体結晶全体の組成分布評価法によれ
ば、各種化合物半導体結晶の組成分布状態を短時
間で、かつ正確に評価することが可能となる優れ
た利点を有し、各種化合物半導体結晶の成長工程
へ、形成された各種化合物半導体結晶の組成分布
状態を短時間にフイードバツクすることができ
る。又所望とする最大応答波長特性を有する化合
物半導体結晶基板を短時間で選別し次の素子製造
工程に提供することができる等、実用上優れた効
果を有する。
化合物半導体結晶全体の組成分布評価法によれ
ば、各種化合物半導体結晶の組成分布状態を短時
間で、かつ正確に評価することが可能となる優れ
た利点を有し、各種化合物半導体結晶の成長工程
へ、形成された各種化合物半導体結晶の組成分布
状態を短時間にフイードバツクすることができ
る。又所望とする最大応答波長特性を有する化合
物半導体結晶基板を短時間で選別し次の素子製造
工程に提供することができる等、実用上優れた効
果を有する。
第１図は従来の化合物半導体結晶の組成分布評
価法を説明する概念図、第２図は結晶基板を透過
するカツトオフ波長を説明する図、第３図は本発
明に係る化合物半導体結晶の組成分布評価法に適
用する装置構成の一実施例を概念的に示す説明図
である。 図面において、３１は化合物半導体結晶基板、
３２は赤外用分光器、３３は光波長切換制御装
置、３４は集光レンズ、３５は赤外線画像作成装
置、３６はモニターTV、３７は表示パターンを
示す。
価法を説明する概念図、第２図は結晶基板を透過
するカツトオフ波長を説明する図、第３図は本発
明に係る化合物半導体結晶の組成分布評価法に適
用する装置構成の一実施例を概念的に示す説明図
である。 図面において、３１は化合物半導体結晶基板、
３２は赤外用分光器、３３は光波長切換制御装
置、３４は集光レンズ、３５は赤外線画像作成装
置、３６はモニターTV、３７は表示パターンを
示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定波長範囲の赤外線を化合物半導体結晶基
板に該波長を可変にして照射し、該結晶基板を透
過する赤外線の波長によつてその結晶組成分布を
評価する方法において、 上記結晶基板表面全面に波長を変化させた赤外
線を照射し、上記結晶基板を透過した波長の赤外
線から赤外線画像作成手段により前記結晶基板表
面の全面に於けるカツトオフ波長を求め、前記各
カツトオフ波長に対応する結晶組成値を色表示に
より二次元的にパターン表示し、該二次元的パタ
ーンから該結晶基板の組成分布を評価するように
したことを特徴とする化合物半導体結晶の組成分
布評価法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58159867A JPS6050936A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 化合物半導体結晶の組成分布評価法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58159867A JPS6050936A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 化合物半導体結晶の組成分布評価法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050936A JPS6050936A (ja) | 1985-03-22 |
| JPS6337501B2 true JPS6337501B2 (ja) | 1988-07-26 |
Family
ID=15702944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58159867A Granted JPS6050936A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 化合物半導体結晶の組成分布評価法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050936A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03114701U (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-26 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2741932B2 (ja) * | 1989-12-15 | 1998-04-22 | 松下電工株式会社 | 便器水洗装置 |
| JP2742459B2 (ja) * | 1989-12-15 | 1998-04-22 | 松下電工株式会社 | 便器水洗装置 |
| JP4043660B2 (ja) * | 1999-09-10 | 2008-02-06 | 日鉱金属株式会社 | 化合物半導体ウェハに含まれる特定元素の組成比のマッピング装置 |
| JP2021170005A (ja) * | 2020-04-15 | 2021-10-28 | 株式会社コーセー | 結晶構造の分布評価方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5193665A (ja) * | 1975-02-14 | 1976-08-17 | ||
| JPS57206045A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-17 | Fujitsu Ltd | Method for checking silicon wafer |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP58159867A patent/JPS6050936A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03114701U (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-26 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6050936A (ja) | 1985-03-22 |
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