JPS6337637A - 多層配線構造の半導体装置および製法 - Google Patents

多層配線構造の半導体装置および製法

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JPS6337637A
JPS6337637A JP18020686A JP18020686A JPS6337637A JP S6337637 A JPS6337637 A JP S6337637A JP 18020686 A JP18020686 A JP 18020686A JP 18020686 A JP18020686 A JP 18020686A JP S6337637 A JPS6337637 A JP S6337637A
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JP
Japan
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semiconductor device
insulating film
film
manufacture
interconnection structure
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Application number
JP18020686A
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English (en)
Inventor
Masao Yamada
雅雄 山田
Masafumi Nakaishi
中石　雅文
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、多層配線構造の半導体装置、特に層間絶縁膜
およびその製法に関する。
〔従来の技術〕
多層配線構造の半導体は、層間絶縁膜を有するが、絶縁
膜の下方に設けた導電配線パターンが凸出しているので
、これを被覆する絶縁膜もこれにならって凸出部を形成
する。そのために絶縁膜の上に設けた配線パターンが、
絶縁膜の凸出部の端において断線する恐れがある。これ
を防くために絶縁膜を成膜した後に、軟化させて凸出端
を緩かにすることが行なわれる。絶縁膜として通常使用
されるりんけい酸ガラス（ＰＳＧ）は電気的特性値は、
抵抗率が約１０′３Ωｃｍ、誘電率が約５．５であって
、化学気相成長（ＣＶＤ）によって成膜し、これを約８
００℃に加熱してリフローさせて、ステンプカバレージ
を良好にしている。ＰＳＧはりフローの後に約１０’　
ｄｙｎｅ／　ｃｎｉの内部応力が残り、またリフロ一時
の加熱によって、熱膨張係数の異なる半導体装置の各部
分の間に熱歪みを残す欠点がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
多層配線構造の半導体装置の層間絶縁膜を、ＰＳＧより
抵抗率が高く、誘電率が低く、かつ低い温度で成膜する
ことができる材料とすることが問題である。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、層間絶縁膜を水素化：炭化窒化ほう素膜
としたことを特徴とする、多層配線構造の半導体’Ａ’
ｌＺ、およびプラズマ化学気相成長（ＰＣＶＤ）によっ
て上記絶縁膜を成膜することを特徴とする、多層配線構
造の半導体装置の製法によって解決することができる。
〔実施例〕
ソースガスとしてＢ２Ｈ４：　　Ｎ）＋３　：　　ＣＨ
４のモル比をｌ：１．５：２とし、ガス圧１．５　Ｔｏ
ｒｒでＰＣＶＤ装置に流入させ、周波数１３．６５旧１
ｚ、出力０．２Ｗ／−の高周波を印加してプラズマガス
とし、３５０〜４００℃に加熱したシリコンウェハに非
晶質ＢＮＣ：　Ｈを沈着させた。なお、リフローは行な
わなかった。
この膜の抵抗率は１０１３Ω１、誘電率は３．６、沈着
させたシリコンウェハを曲げて測定した内部応カバ１０
”　ｄｙｎｅ／　ｃ＋Ｊ程度であった。ソースガスのモ
ル比、特にＢＪｉ　：　Ｎ１１３のモル比を制御するこ
とによって、このように内部応力を低減することができ
る。
〔発明の効果〕
本発明の多層配線構造半導体装置は、層間絶縁膜の抵抗
率が高いので、リーク電流が少なく、誘電率が低いので
高速度で作動させることができ、またＰＣＶＤによって
成膜するとステップカバレージが良好であるので、比較
的低温度で成膜することができて、半導体装置が熱歪み
を受けることが少ない利点を有する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、層間絶縁膜を水素化：炭化窒化ほう素膜としたこと
    を特徴とする、多層配線構造の半導体装置。 ２、プラズマ化学気相成長によって水素化：炭化窒化ほ
    う素を成膜して層間絶縁膜とすることを特徴とする、多
    層配線構造の半導体装置の製法。
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