JPS6338268A - 赤外線検知素子の製造方法 - Google Patents
赤外線検知素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS6338268A JPS6338268A JP61182257A JP18225786A JPS6338268A JP S6338268 A JPS6338268 A JP S6338268A JP 61182257 A JP61182257 A JP 61182257A JP 18225786 A JP18225786 A JP 18225786A JP S6338268 A JPS6338268 A JP S6338268A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- layer
- type
- cdte
- insulating protective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は、多層からなる水銀・カドミウム・テルル（
以後Ｈｇ＋−ｘＣｄｘ Ｔｅと記す）結晶の表面にＣｄ
ＴｅＮを形成し、選択的にＣｄＴｅＪａｔのエツチング
を行い、絶縁保護膜形成後にＮ層を形成し、高感度の均
一な赤外線検知素子を得ることを可能とする。
以後Ｈｇ＋−ｘＣｄｘ Ｔｅと記す）結晶の表面にＣｄ
ＴｅＮを形成し、選択的にＣｄＴｅＪａｔのエツチング
を行い、絶縁保護膜形成後にＮ層を形成し、高感度の均
一な赤外線検知素子を得ることを可能とする。
この発明は、赤外線検知素子の製造方法に係り、特に多
素子を形成するｌＩｇ、ｙｃｄＸＴｅ結晶からなる赤外
線検知素子の製造方法に関するものである。
素子を形成するｌＩｇ、ｙｃｄＸＴｅ結晶からなる赤外
線検知素子の製造方法に関するものである。
被測温体は、高温度になるに従って、波長の短い赤外線
を輻射する。室温に近い物体からの赤外線を観測するに
は、波長８〜１４μｍを高感度に検知することのできる
赤外線検知素子が必要とされている。この室温付近の温
度を高感度に検知する材料としてＨｇ１−ｙＣｄｙ Ｔ
ｅ結晶が用いられている。
を輻射する。室温に近い物体からの赤外線を観測するに
は、波長８〜１４μｍを高感度に検知することのできる
赤外線検知素子が必要とされている。この室温付近の温
度を高感度に検知する材料としてＨｇ１−ｙＣｄｙ Ｔ
ｅ結晶が用いられている。
従来、赤外線検知素子は、第２図に示す工程によって製
作されていた。即ち、第２図（ａｌに示すように、カド
ミウム・テルル（ＣｄＴｅ）基板６に形成されたＰ−Ｆ
ｌｇ、−ｘＣｄｘＴｅ結晶１の表面に、Ｘ値の大きいＰ
−Ｈ）Ｂ、ヤＣｄ、 Ｔｅ結晶２を形成する。Ｘ値が大
きいと、ハンドギヤツブは大となり、このＰ−Ｈｇ、、
Ｃｄ。
作されていた。即ち、第２図（ａｌに示すように、カド
ミウム・テルル（ＣｄＴｅ）基板６に形成されたＰ−Ｆ
ｌｇ、−ｘＣｄｘＴｅ結晶１の表面に、Ｘ値の大きいＰ
−Ｈ）Ｂ、ヤＣｄ、 Ｔｅ結晶２を形成する。Ｘ値が大
きいと、ハンドギヤツブは大となり、このＰ−Ｈｇ、、
Ｃｄ。
Ｔｅ結晶２を形成することにより、後述するＰＮ接合の
表面リーク電流を減らすことができる。
表面リーク電流を減らすことができる。
次に、第２図伽）に示すように、Ｐ−”ｇ＋−ｙＣｄｙ
Ｔｅ結晶２の表面を薄層にするために、薄層化工・ノ
チングを行う。次いで、Ｐ−１（ｇ、うＣｄｘＴｅ粘晶
１のＮ ｌｆｉ形成予定領域を除いた領域に、絶縁保護
膜３となる硫化亜鉛（以後ＺｎＳと記す）を形成して、
この７．ｎＳ １１９をマスクとして、硼素Ｂのに１子
をイオン注入して■層４を形成する。第２図（Ｃ１の状
態である。
Ｔｅ結晶２の表面を薄層にするために、薄層化工・ノ
チングを行う。次いで、Ｐ−１（ｇ、うＣｄｘＴｅ粘晶
１のＮ ｌｆｉ形成予定領域を除いた領域に、絶縁保護
膜３となる硫化亜鉛（以後ＺｎＳと記す）を形成して、
この７．ｎＳ １１９をマスクとして、硼素Ｂのに１子
をイオン注入して■層４を形成する。第２図（Ｃ１の状
態である。
これに、電極を形成して赤外線検知素子を形成する。
ト記した従来の赤外線検知素子の製造方法は、’Ｈｇ＋
−ｙＣｄｙ Ｔｅ結晶をエツチングする際に、このＰ−
１１Ｌ−ｙＣｄｙ Ｔｅ結晶の厚さを１．０ ±０．１
μｍに均一番こ制御することが困難であり、形成さ
れるＮ層のＩ’Ｎ接合部が均−深さにならず、検知感度
を不均一にすると共に、局所的にｐ−Ｉｎ、−ｘＣｄ、
Ｔｅ結晶が表面ｔこ露出すると、’４ｇ＋−ｘｃｄｙ
Ｔｅ結晶のバンドギヤ・ノブが小さいために、表面の
リーク電流が多くなるという問題があった。
−ｙＣｄｙ Ｔｅ結晶をエツチングする際に、このＰ−
１１Ｌ−ｙＣｄｙ Ｔｅ結晶の厚さを１．０ ±０．１
μｍに均一番こ制御することが困難であり、形成さ
れるＮ層のＩ’Ｎ接合部が均−深さにならず、検知感度
を不均一にすると共に、局所的にｐ−Ｉｎ、−ｘＣｄ、
Ｔｅ結晶が表面ｔこ露出すると、’４ｇ＋−ｘｃｄｙ
Ｔｅ結晶のバンドギヤ・ノブが小さいために、表面の
リーク電流が多くなるという問題があった。
この発明は、以上のような従来の状況から、リーク電流
が少なく高感度で感度偏差のない赤外線検知素子の製造
方法の提供を目的とするものである。
が少なく高感度で感度偏差のない赤外線検知素子の製造
方法の提供を目的とするものである。
この発明では、Ｐ−Ｈｇ、−ｘＣｄｘＴｅ結晶の表面に
、Ｘ値の大きいＰ−）１ｇ、−、Ｃｄｙ Ｔｅ結晶とＣ
ｄＴｅ１ｉとを多重に積層し、ＣｄＴｅ層を選択上・ノ
チングして除去し、絶縁保護膜を形成した後に、１４圏
を形成する。
、Ｘ値の大きいＰ−）１ｇ、−、Ｃｄｙ Ｔｅ結晶とＣ
ｄＴｅ１ｉとを多重に積層し、ＣｄＴｅ層を選択上・ノ
チングして除去し、絶縁保護膜を形成した後に、１４圏
を形成する。
ＣｄＴｅ１ｉｉは選択的にエツチングされ、Ｐ−Ｈｇ＋
−ｙＣｄｙＴｅＣｄＴｅ１ｉた状態を保つので、均一厚
みとなり、その表面に絶縁保護層が形成され、リーク電
流の少ない均一な高感度の赤外線検知素子となる。
−ｙＣｄｙＴｅＣｄＴｅ１ｉた状態を保つので、均一厚
みとなり、その表面に絶縁保護層が形成され、リーク電
流の少ない均一な高感度の赤外線検知素子となる。
第１図は本発明の赤外線検知素子の製造方法を説明する
ための要部工程図であり、第１図（ａｌに示すように、
ＣｄＴｅ結晶からなる基板６の上に、Ｐ−１１゜、、Ｃ
ｄ、 Ｔｅ結晶１を形成する。このＰ−１１ｇ＋−ｙ＋
Ｃｄｙ Ｔｅ結晶１の表面にｐ−１ｇ、−、ｃａ、 Ｔ
ｅ結晶２を形成する。このＰ−１１１−ｙＣｄｙ Ｔｅ
結晶２はその厚さが１．０±０．１ ｔｔｍになるよう
に成伎される。しかる後に、Ｃｄ Ｔ ｅ １ｉｆｔ５
を形成する。
ための要部工程図であり、第１図（ａｌに示すように、
ＣｄＴｅ結晶からなる基板６の上に、Ｐ−１１゜、、Ｃ
ｄ、 Ｔｅ結晶１を形成する。このＰ−１１ｇ＋−ｙ＋
Ｃｄｙ Ｔｅ結晶１の表面にｐ−１ｇ、−、ｃａ、 Ｔ
ｅ結晶２を形成する。このＰ−１１１−ｙＣｄｙ Ｔｅ
結晶２はその厚さが１．０±０．１ ｔｔｍになるよう
に成伎される。しかる後に、Ｃｄ Ｔ ｅ １ｉｆｔ５
を形成する。
このＣｄＴｅ１Ｗ５のみをエツチングし、Ｐ−１１１！
＋−ｙＣｄｙＴｅ結晶２のエツチングを行わない選択上
・ノチングを行う。例えばエツチング液として、弗酸（
ＩＩＦ）。
＋−ｙＣｄｙＴｅ結晶２のエツチングを行わない選択上
・ノチングを行う。例えばエツチング液として、弗酸（
ＩＩＦ）。
硝酸（ＨＮＯａ ）、酢酸（Ｃｌ１ａ Ｃ００Ｈ）、水
を３．５，６．６の重量比としたものを用いる。
を３．５，６．６の重量比としたものを用いる。
エツチングされた結果、第１図［１１）に示す均一厚さ
のｐ−Ｈｇ、−、Ｃｄ、 Ｔｅ結晶２が得られる。
のｐ−Ｈｇ、−、Ｃｄ、 Ｔｅ結晶２が得られる。
この表面に絶縁保護膜３をＮ層形成予定領域を除いた領
域に形成する。この絶縁保護膜３をマスクとして硼酸Ｂ
の原子をイオン注入してＮＩＷ４を形成する。此れに電
極形成を行って赤外線検知素子を製作する。
域に形成する。この絶縁保護膜３をマスクとして硼酸Ｂ
の原子をイオン注入してＮＩＷ４を形成する。此れに電
極形成を行って赤外線検知素子を製作する。
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、Ｐ
Ｎ接合部が均−深さで作成されると共に、結晶表面１７
！（Ｈｇ＋□ＣｄｙＴｅ結晶）のバンドギャップが光電
変換層（Ｉｌｇ 、−ｘｃｄｘＴｅ結晶）のバンドギャ
ップより大きく、表面リークが均一で小さなものとなり
、高品質の赤外線検知素子を製造する上で極めて有効な
効果を発揮する。
Ｎ接合部が均−深さで作成されると共に、結晶表面１７
！（Ｈｇ＋□ＣｄｙＴｅ結晶）のバンドギャップが光電
変換層（Ｉｌｇ 、−ｘｃｄｘＴｅ結晶）のバンドギャ
ップより大きく、表面リークが均一で小さなものとなり
、高品質の赤外線検知素子を製造する上で極めて有効な
効果を発揮する。
第１図は本発明の赤外線検知素子の製造方法を説明する
ための要部工程図、 第２図は従来の赤外線検知素子の製造方法を説明するた
めの要部工程図である。 図において、１はＰ−Ｈｇ＋−ｘＣｄｘ Ｔｅ結晶、２
はＰ−Ｈｇ、、Ｃｄ、 Ｔｅ結晶、３は絶縁保護膜、４
はＮＮ、５はＣｄＴｅ層を示す。 ５ＣとＡ ＃部工社の 第１図 才■ｄか７印裳涜史欠ワ事Ｊめ唱凌３）ｋを訝θ月ｔ）
ルｂの零部工社Ｕ 第２図
ための要部工程図、 第２図は従来の赤外線検知素子の製造方法を説明するた
めの要部工程図である。 図において、１はＰ−Ｈｇ＋−ｘＣｄｘ Ｔｅ結晶、２
はＰ−Ｈｇ、、Ｃｄ、 Ｔｅ結晶、３は絶縁保護膜、４
はＮＮ、５はＣｄＴｅ層を示す。 ５ＣとＡ ＃部工社の 第１図 才■ｄか７印裳涜史欠ワ事Ｊめ唱凌３）ｋを訝θ月ｔ）
ルｂの零部工社Ｕ 第２図
Claims (1)
- 水銀・カドミウム・テルルＨｇ＿１＿−＿ｘＣｄ＿ｘＴ
ｅ結晶（１）の表面にｘ値の大きいＨｇ＿１＿−＿ｙＣ
ｄ＿ｙＴｅ結晶（２）を形成し、該Ｈｇ＿１＿−＿ｙＣ
ｄ＿ｙＴｅ結晶（２）の表面にカドミウム・テルルＣｄ
Ｔｅ層（５）を形成したる後に、該ＣｄＴｅ層（５）の
みを選択エッチングにより除去し、所定パターンの絶縁
保護膜（３）を前記Ｈｇ＿１＿−＿ｙＣｄ＿ｙＴｅ結晶
（２）の表面に形成したる後に、該絶縁保護膜（３）を
マスクとしてＮ層を形成することを特徴とする赤外線検
知素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61182257A JPS6338268A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61182257A JPS6338268A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6338268A true JPS6338268A (ja) | 1988-02-18 |
Family
ID=16115088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61182257A Pending JPS6338268A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6338268A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5403760A (en) * | 1990-10-16 | 1995-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a HgCdTe thin film transistor |
| JPH0945953A (ja) * | 1995-08-01 | 1997-02-14 | Nec Corp | 配列型赤外線検出器 |
| US7112795B2 (en) | 2000-12-30 | 2006-09-26 | Dong Jin Semichem Co., Ltd. | Method of controlling metallic layer etching process and regenerating etchant for metallic layer etching process based on near infrared spectrometer |
-
1986
- 1986-08-01 JP JP61182257A patent/JPS6338268A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5403760A (en) * | 1990-10-16 | 1995-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a HgCdTe thin film transistor |
| JPH0945953A (ja) * | 1995-08-01 | 1997-02-14 | Nec Corp | 配列型赤外線検出器 |
| US7112795B2 (en) | 2000-12-30 | 2006-09-26 | Dong Jin Semichem Co., Ltd. | Method of controlling metallic layer etching process and regenerating etchant for metallic layer etching process based on near infrared spectrometer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7576369B2 (en) | Deep diffused thin photodiodes | |
| JPS5467778A (en) | Production of semiconductor device | |
| JPS6338268A (ja) | 赤外線検知素子の製造方法 | |
| JPS5527657A (en) | Method of manufacturing infrared ray detecting element | |
| JPS5421265A (en) | Forming method of semiconductor oxide film | |
| JPS5638835A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5463689A (en) | Production of semiconductor substrate for solar battery | |
| JPH0797654B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| RU2654998C1 (ru) | Способ изготовления многоплощадочного кремниевого pin-фоточувствительного элемента | |
| JPS57136376A (en) | Semiconductor radiation detector | |
| JPS5497390A (en) | Manufacture of semiconductor photo detector | |
| JPS55113379A (en) | Method of fabrication for semiconductor pressure- sensitive element | |
| JPS5724580A (en) | Manufacture of infrared ray detecting element | |
| JPS5568650A (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JPS5615093A (en) | Manufacturing method for semiconductor laser element | |
| JPH04133363A (ja) | アレイ型ＣｄＨｇＴｅ赤外線検出器の製造方法 | |
| JPH05343727A (ja) | 赤外線検出器および製造方法 | |
| JPS5446468A (en) | Manufacture of inverted-trapezoid structure | |
| JPS5484979A (en) | Production of semiconductor device | |
| JPS5478682A (en) | Manufactre of semiconductor laser | |
| JPS5445571A (en) | Manufacture for semiconductor device | |
| JPS54132170A (en) | Photoetching method for semiconductor device | |
| JPS5457865A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS547942A (en) | Production of optical diffusive plate | |
| JPS5447490A (en) | Production of semiconductor device |