JPS6340435B2 - - Google Patents
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- JPS6340435B2 JPS6340435B2 JP3382382A JP3382382A JPS6340435B2 JP S6340435 B2 JPS6340435 B2 JP S6340435B2 JP 3382382 A JP3382382 A JP 3382382A JP 3382382 A JP3382382 A JP 3382382A JP S6340435 B2 JPS6340435 B2 JP S6340435B2
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 20
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 125000005677 ethinylene group Chemical group [*:2]C#C[*:1] 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- -1 polyethynylene Polymers 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- ANRQGKOBLBYXFM-UHFFFAOYSA-M phenylmagnesium bromide Chemical compound Br[Mg]C1=CC=CC=C1 ANRQGKOBLBYXFM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 2
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- CJGGOMJBAIHAED-UHFFFAOYSA-N chloro-[2-[[chloro(dimethyl)silyl]-dimethylsilyl]ethynyl-dimethylsilyl]-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)[Si](C)(C)C#C[Si](C)(C)[Si](C)(C)Cl CJGGOMJBAIHAED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- JQZUMFHYRULBEN-UHFFFAOYSA-N diethyl(methyl)silicon Chemical compound CC[Si](C)CC JQZUMFHYRULBEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPISIPFWLMPWOU-UHFFFAOYSA-N dimethylsilyl-diethyl-methylsilane Chemical compound CC[Si](C)(CC)[SiH](C)C KPISIPFWLMPWOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- RQJRLVCBMAKXFG-UHFFFAOYSA-N phenyl(silyl)silane Chemical class [SiH3][SiH2]C1=CC=CC=C1 RQJRLVCBMAKXFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000012048 reactive intermediate Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規エチニレンポリシラン系化合物
およびその製造方法に関する。
およびその製造方法に関する。
二価の反応性中間体であるシリレンは、極めて
反応性に富むことから、高分子の架橋剤や新しい
有機合成反応への利用が期待され、広く研究され
ている。有機シリレン（：SiR2）の発生法とし
ては、各種の方法が公知であり、例えばポリシラ
ン類を光分解する方法がある。この方法は操作が
容易であることから応用範囲が広い。
反応性に富むことから、高分子の架橋剤や新しい
有機合成反応への利用が期待され、広く研究され
ている。有機シリレン（：SiR2）の発生法とし
ては、各種の方法が公知であり、例えばポリシラ
ン類を光分解する方法がある。この方法は操作が
容易であることから応用範囲が広い。
上記の方法の一つに鎮状フエニルジシラン類を
光分解する方法が知られているが、この方法によ
ると１，３−ケイ素転位したシラエテンを主に生
成し、有機シリレンの生成収率は低い。またその
感光波長が紫外線領域に限られる。
光分解する方法が知られているが、この方法によ
ると１，３−ケイ素転位したシラエテンを主に生
成し、有機シリレンの生成収率は低い。またその
感光波長が紫外線領域に限られる。
本発明の目的は、光分解で有機シリレンを高収
率で発生する新規なエチニレンポリシラン系化合
物およびその製造方法を提供するにある。
率で発生する新規なエチニレンポリシラン系化合
物およびその製造方法を提供するにある。
上記目的のために各種のポリエチニレンポリシ
ラン系化合物を合成し、有機シリレンの発生収率
を調べた結果、以下に示される新規なエチニレン
ポリシラン系化合物が有用であることを見出し
た。
ラン系化合物を合成し、有機シリレンの発生収率
を調べた結果、以下に示される新規なエチニレン
ポリシラン系化合物が有用であることを見出し
た。
本発明の新規エチニレンポリシラン系化合物
は、以下の一般式(1)で示される。
は、以下の一般式(1)で示される。
（但し、一般式(1)中のＲはアルキル基を表わす。）
本発明の新規エチニレンポリシラン系化合物と
しては、例えば、７，７，８，８，９，９−ヘキ
サメチル−７，８，９−トリシラシクロ−１，５
−ノナジインなどがあげられる。
しては、例えば、７，７，８，８，９，９−ヘキ
サメチル−７，８，９−トリシラシクロ−１，５
−ノナジインなどがあげられる。
本発明による新規ポリエチニレンポリシラン系
化合物は、例えば次のような反応により合成でき
る。
化合物は、例えば次のような反応により合成でき
る。
３，３，４，４，７，７，８，８，11，11，
12，12−ドデカメチル−３，４，７，８，11，12
−ヘキサシラシクロドデカ−１，５，９−トリイ
ン（一般式４においてＲ＝メチル基、ｎ＝１であ
る化合物）は、エーテル溶液中３，３，４，４−
テトラメチル−３，４−ジシラ−１，５−ヘキサ
ジインとフエニルマグネシウムブロマイドから導
びかれるジグリニヤール試薬を１，６−ジクロロ
−１，１，２，２，５，５，６，６−オクタメチ
ル−１，２，５，６−テトラシラヘキサン−３−
インを加え、室温にて反応させ、さらに還流させ
ることにより合成できる。
12，12−ドデカメチル−３，４，７，８，11，12
−ヘキサシラシクロドデカ−１，５，９−トリイ
ン（一般式４においてＲ＝メチル基、ｎ＝１であ
る化合物）は、エーテル溶液中３，３，４，４−
テトラメチル−３，４−ジシラ−１，５−ヘキサ
ジインとフエニルマグネシウムブロマイドから導
びかれるジグリニヤール試薬を１，６−ジクロロ
−１，１，２，２，５，５，６，６−オクタメチ
ル−１，２，５，６−テトラシラヘキサン−３−
インを加え、室温にて反応させ、さらに還流させ
ることにより合成できる。
実施例 １
200ml３つ口フラスコを窒素置換した後、その
中に３，３，４，４−テトラメチル−３，４−ジ
シラ−１，５−ヘキサジイン2g（0.012モル）を入
れ、40mlのジエチルエーテルを加え、フラスコを
氷冷した。次にこの溶液を撹拌しながら、フエニ
ルマグネシウムブロマイドの２規定THF溶液12
ml（フエニルマグネシウムブロマイドとして
0.024モル）を約10分間で滴下し、さらに室温で
20分間撹拌した。これに１，６−ジクロロ−１，
１，２，２，５，５，６，６−オクタメチル−
１，２，５，６−テトラシラヘキサン−３−イン
3.93（0.012モル）とジエチルエーテル20mlの混合
溶液を一度に添加し、室温にて１時間撹拌した
後、１時間還流させた。反応混合物を常法により
処理した後、粗生成物を再結晶により精製し、白
色固体を得た。この固体が本発明の３，３，４，
４，７，７，８，８，11，11，12，12−ドデカメ
チル−３，４，７，８，11，12−ヘキサシラシク
ロドデカ−１，５，９−トリインであることは核
磁気共鳴スペクトル（1H−NMR）および高分解
能マススペクトルにおける以下の結果から確認さ
れた。収率55％mp.145〜147℃ (1) 1H−NMR（δppm／CDCl3） 0.25（36H、シングレツト、メチル基） (2) 高分解能マススペクトル C18H36Si6の計算値＝421.002 実測値＝421.001 実施例 ２ 実施例１の方法により合成した３，３，４，
４，７，７，８，８，11，11，12，12−ドデカメ
チル−３，４，７，８，11，12−ヘキサシラシク
ロドデカ−１，５，９−トリイン2gをベンゼン
50mlに溶かし、さらにシリレン捕捉剤としてジエ
チルメチルシラン2.9gを加え、300W低圧水銀燈
で10分間光照射した。反応混合物をガスクロマト
グラフイーで分離し、標準試料との比較ならびに
マススペクトルによつて分析した。その結果、シ
リレンの捕捉によつて生じた１，１−ジエチル−
１，２，２−トリメチルジシラン（シリレン捕捉
剤に対して、収率85％）を得た。
中に３，３，４，４−テトラメチル−３，４−ジ
シラ−１，５−ヘキサジイン2g（0.012モル）を入
れ、40mlのジエチルエーテルを加え、フラスコを
氷冷した。次にこの溶液を撹拌しながら、フエニ
ルマグネシウムブロマイドの２規定THF溶液12
ml（フエニルマグネシウムブロマイドとして
0.024モル）を約10分間で滴下し、さらに室温で
20分間撹拌した。これに１，６−ジクロロ−１，
１，２，２，５，５，６，６−オクタメチル−
１，２，５，６−テトラシラヘキサン−３−イン
3.93（0.012モル）とジエチルエーテル20mlの混合
溶液を一度に添加し、室温にて１時間撹拌した
後、１時間還流させた。反応混合物を常法により
処理した後、粗生成物を再結晶により精製し、白
色固体を得た。この固体が本発明の３，３，４，
４，７，７，８，８，11，11，12，12−ドデカメ
チル−３，４，７，８，11，12−ヘキサシラシク
ロドデカ−１，５，９−トリインであることは核
磁気共鳴スペクトル（1H−NMR）および高分解
能マススペクトルにおける以下の結果から確認さ
れた。収率55％mp.145〜147℃ (1) 1H−NMR（δppm／CDCl3） 0.25（36H、シングレツト、メチル基） (2) 高分解能マススペクトル C18H36Si6の計算値＝421.002 実測値＝421.001 実施例 ２ 実施例１の方法により合成した３，３，４，
４，７，７，８，８，11，11，12，12−ドデカメ
チル−３，４，７，８，11，12−ヘキサシラシク
ロドデカ−１，５，９−トリイン2gをベンゼン
50mlに溶かし、さらにシリレン捕捉剤としてジエ
チルメチルシラン2.9gを加え、300W低圧水銀燈
で10分間光照射した。反応混合物をガスクロマト
グラフイーで分離し、標準試料との比較ならびに
マススペクトルによつて分析した。その結果、シ
リレンの捕捉によつて生じた１，１−ジエチル−
１，２，２−トリメチルジシラン（シリレン捕捉
剤に対して、収率85％）を得た。
以上述べたように、本発明の新規エチニレンポ
リシラン系化合物は、σ（Si−Si）−π共役に基づ
く強い吸収を紫外線領域に有するため光分解によ
る有機シリレンの発生効率が高く、新しいシリレ
ン発生剤として有用である。
リシラン系化合物は、σ（Si−Si）−π共役に基づ
く強い吸収を紫外線領域に有するため光分解によ
る有機シリレンの発生効率が高く、新しいシリレ
ン発生剤として有用である。
また、次のように光電変換膜の形成に使用でき
る。例えば、３，３，４，４，７，７，８，８，
11，11，12，12−ドデカメチル−３，４，７，
８，11，12−ヘキサシラシクロドデカ−１，５，
９−トリインのトルエン溶液（５〜10重量％）を
導電性基板上に塗布し、乾燥成膜の後、全面を低
圧水銀燈で照射すれば不溶性の光電変換薄膜を形
成できる。
る。例えば、３，３，４，４，７，７，８，８，
11，11，12，12−ドデカメチル−３，４，７，
８，11，12−ヘキサシラシクロドデカ−１，５，
９−トリインのトルエン溶液（５〜10重量％）を
導電性基板上に塗布し、乾燥成膜の後、全面を低
圧水銀燈で照射すれば不溶性の光電変換薄膜を形
成できる。
さらに、同様の方法により、レーザービームパ
ターニングシステムにおける感光体として用いう
る。即ち上記と同様の方法により作製した本新規
物質薄膜に対して、レーザービーム照射により光
電導性の不溶性薄膜パターンを形成できる。
ターニングシステムにおける感光体として用いう
る。即ち上記と同様の方法により作製した本新規
物質薄膜に対して、レーザービーム照射により光
電導性の不溶性薄膜パターンを形成できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式(1) （但し、一般式(1)中のＲはアルキル基を示す。）
で表される化合物よりなることを特徴とする新規
エチニレンポリシラン系化合物。 ２ ３，３，４，４，７，７，８，８，11，11，
12，12−ドデカメチル−３，４，７，８，11，12
−ヘキサシラシクロドデカ−１，５，９−トリイ
ンであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の新規エチニレンポリシラン系化合物。 ３ 一般式(2)で表される化合物と、一般式(3)で表
される化合物とを反応させて、一般式(1)で示され
る化合物を得ることを特徴とする新規エチニレン
ポリシラン系化合物の製造方法。 但し、一般式(1)〜(3)中のＲはアルキル基であ
り、一般式(2)〜(4)中のＸはClもしくはBrである。 ４ 一般式(2)で示される化合物が 【式】もしくは 【式】であり、一般式(3)で表 される化合物が ClSi（CH3）2Si（CH3）2−Ｃ≡Ｃ−Si（CH3）2Si
（CH3）2Cl もしくは BrSi（CH3）2Si（CH3）2−Ｃ≡Ｃ−Si（CH3）2Si
（CH3）2Br であり、一般式(1)で表される化合物が、 であることを特徴とする特許請求の範囲第３項記
載の新規エチニレンポリシラン系化合物の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3382382A JPS58152892A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 新規エチニレンポリシラン系化合物およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3382382A JPS58152892A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 新規エチニレンポリシラン系化合物およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58152892A JPS58152892A (ja) | 1983-09-10 |
| JPS6340435B2 true JPS6340435B2 (ja) | 1988-08-11 |
Family
ID=12397202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3382382A Granted JPS58152892A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 新規エチニレンポリシラン系化合物およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58152892A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0227462U (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-22 | ||
| JPH0268961U (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-24 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0396735B1 (en) * | 1988-10-28 | 1993-10-20 | Hughes Aircraft Company | High density filament winding and method for producing improved crossovers and inside payout |
| US4996341A (en) * | 1990-07-05 | 1991-02-26 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | Condensed bicyclic disilanylene-acetylene compound and method for preparing the same |
-
1982
- 1982-03-05 JP JP3382382A patent/JPS58152892A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0227462U (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-22 | ||
| JPH0268961U (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58152892A (ja) | 1983-09-10 |
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