JPS6342144Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6342144Y2 JPS6342144Y2 JP1983158415U JP15841583U JPS6342144Y2 JP S6342144 Y2 JPS6342144 Y2 JP S6342144Y2 JP 1983158415 U JP1983158415 U JP 1983158415U JP 15841583 U JP15841583 U JP 15841583U JP S6342144 Y2 JPS6342144 Y2 JP S6342144Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lamp
- halogen
- halogen lamp
- radiation
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はハロゲンランプの赤外線ランプから発
せられる赤外線を回転楕円反射鏡を用いてその輻
射線を集光し、高温を得るいわゆる輻射線集中加
熱装置の改良に関する。
せられる赤外線を回転楕円反射鏡を用いてその輻
射線を集光し、高温を得るいわゆる輻射線集中加
熱装置の改良に関する。
輻射線集中加熱装置は、(1)るつぼを使用せずに
試料の溶融が行えること、(2)雰囲気ガスを任意に
選べること、(3)浮遊帯域溶融法を利用して種々の
組成の単結晶育成が容易に行えること、(4)浮遊帯
域徐冷法による相平衡研究が行えること、(5)比較
的少ない電力で高温領域が得られること、等の利
点があり、これまでに単結晶の育成装置、相平衡
研究装置などに広く利用されるようになつた。
試料の溶融が行えること、(2)雰囲気ガスを任意に
選べること、(3)浮遊帯域溶融法を利用して種々の
組成の単結晶育成が容易に行えること、(4)浮遊帯
域徐冷法による相平衡研究が行えること、(5)比較
的少ない電力で高温領域が得られること、等の利
点があり、これまでに単結晶の育成装置、相平衡
研究装置などに広く利用されるようになつた。
一般に輻射線集中装置の加熱用ランプとして
は、ハロゲンランプ、クセノンランプが使用され
ているが、ハロゲンランプを使用するものが殆ん
どで、クセノンランプは高価であるため、超高温
発生を必要とする特殊の場合のみに限られてい
る。
は、ハロゲンランプ、クセノンランプが使用され
ているが、ハロゲンランプを使用するものが殆ん
どで、クセノンランプは高価であるため、超高温
発生を必要とする特殊の場合のみに限られてい
る。
ハロゲンランプは、タングステンのフイラメン
トを熱して強力な赤外線を発生するランプであ
り、これは高温で蒸発するタングステンとハロゲ
ンガスとを反応させてハロゲン化タングステンと
し、これが高温に熱せられているタングステンフ
イラメント上でハロゲンガスを放出してタングス
テンを析出する。このハロゲンサイクルを発生さ
せてランプの長寿命化を実現させたランプであ
る。
トを熱して強力な赤外線を発生するランプであ
り、これは高温で蒸発するタングステンとハロゲ
ンガスとを反応させてハロゲン化タングステンと
し、これが高温に熱せられているタングステンフ
イラメント上でハロゲンガスを放出してタングス
テンを析出する。このハロゲンサイクルを発生さ
せてランプの長寿命化を実現させたランプであ
る。
このハロゲンサイクルを正常に作用させるため
には、ランプの温度が低過ぎるとハロゲン化タン
グステンが凝固し、また高過ぎるとその場所でハ
ロゲンを放出してタングステンの析出が生じてラ
ンプの管壁が析出したタングステンによりくもり
が生じ破壊したりする。
には、ランプの温度が低過ぎるとハロゲン化タン
グステンが凝固し、また高過ぎるとその場所でハ
ロゲンを放出してタングステンの析出が生じてラ
ンプの管壁が析出したタングステンによりくもり
が生じ破壊したりする。
従つて、通常ハロゲンサイクルを正常に作用さ
せるには、ハロゲンランプの管壁の温度を200〜
1000℃に保つ必要がある。一方、ハロゲンランプ
においては、例えば石英管中にハロゲンガスと共
に封じ込むタングステンフイラメントと外部リー
ド線とを封止部において、モリブデン等の箔で接
合している。この接合部の温度は低ければ低い程
よく、通常は100℃以下に冷却することを必要と
している。
せるには、ハロゲンランプの管壁の温度を200〜
1000℃に保つ必要がある。一方、ハロゲンランプ
においては、例えば石英管中にハロゲンガスと共
に封じ込むタングステンフイラメントと外部リー
ド線とを封止部において、モリブデン等の箔で接
合している。この接合部の温度は低ければ低い程
よく、通常は100℃以下に冷却することを必要と
している。
従つて、ハロゲンランプを作動させるには、封
止部は100℃以下に、ランプの管壁は800℃程度に
保持するという困難さがつきまとつている。
止部は100℃以下に、ランプの管壁は800℃程度に
保持するという困難さがつきまとつている。
従来の装置においては反射鏡内の空気を例えば
２秒に１回以上の割合で入れ換えることによつて
ランプの管壁温度の上昇を防ぎ、かつ封止部の冷
却を行うようにしていた。
２秒に１回以上の割合で入れ換えることによつて
ランプの管壁温度の上昇を防ぎ、かつ封止部の冷
却を行うようにしていた。
従来装置におけるような強制空冷によると、(1)
コンプレツサー、もしくはブロワー等の強制空冷
設備が必要であり、その分だけ装置全体が大型化
し、コスト高となつた。しかも強制空冷による騒
音が作業環境を悪くしていた。(2)強制空冷に使用
されて熱せられた空気が反射鏡外へ出てくるた
め、これによつて周囲温度が上昇し、装置に熱膨
張による狂いが生じ易く、特に試料室を形成する
透明石英管及び試料の支持シヤフトのシール部の
温度上昇を防ぐために別の冷却が必要となつてく
る等の欠点があつた。
コンプレツサー、もしくはブロワー等の強制空冷
設備が必要であり、その分だけ装置全体が大型化
し、コスト高となつた。しかも強制空冷による騒
音が作業環境を悪くしていた。(2)強制空冷に使用
されて熱せられた空気が反射鏡外へ出てくるた
め、これによつて周囲温度が上昇し、装置に熱膨
張による狂いが生じ易く、特に試料室を形成する
透明石英管及び試料の支持シヤフトのシール部の
温度上昇を防ぐために別の冷却が必要となつてく
る等の欠点があつた。
特に、このような輻射線集中装置を高圧容器中
に封じ込む必要がある場合においては、反射鏡か
ら出てくる加熱された冷却用空気によつて装置全
体の温度が上昇される等により、装置の安全設計
が難しくなる欠点があつた。
に封じ込む必要がある場合においては、反射鏡か
ら出てくる加熱された冷却用空気によつて装置全
体の温度が上昇される等により、装置の安全設計
が難しくなる欠点があつた。
本考案の目的は装置を大型化することなく、騒
音の発生も少なく、且つ装置全体の精度を向上し
得られる等、従来装置の有する欠点を改良した新
しい輻射線集中加熱装置を提供するにある。
音の発生も少なく、且つ装置全体の精度を向上し
得られる等、従来装置の有する欠点を改良した新
しい輻射線集中加熱装置を提供するにある。
本考案の要旨は内面を反射面とした回転楕円反
射鏡の一方の焦点に赤外線ランプを設け、他方の
焦点上に反射面から反射した輻射線を集中して加
熱する方式の輻射線加熱装置において、ハロゲン
ランプのシール部を水冷筒内に収めると共に回転
楕円反射鏡をも水冷するようにしたことを特徴と
する輻射線集中加熱装置にある。
射鏡の一方の焦点に赤外線ランプを設け、他方の
焦点上に反射面から反射した輻射線を集中して加
熱する方式の輻射線加熱装置において、ハロゲン
ランプのシール部を水冷筒内に収めると共に回転
楕円反射鏡をも水冷するようにしたことを特徴と
する輻射線集中加熱装置にある。
本考案の装置によると、封止部のみを水冷筒に
収め、この部分の温度を低温に保持し、他方、反
射鏡を例えば外側から水冷し、鏡内温度をランプ
の作動適温に容易に保持し得られる。従つて、従
来の装置におけるような反射鏡内から加熱された
ガスの系外排出がないため、装置の熱膨張による
狂いもなく、また冷却空気の導入のための設備も
必要でなく、これによつて起こる騒音もなく、極
めて簡単な装置で極めて安定に長時間に亘つて運
転が可能である優れた効果を有する。
収め、この部分の温度を低温に保持し、他方、反
射鏡を例えば外側から水冷し、鏡内温度をランプ
の作動適温に容易に保持し得られる。従つて、従
来の装置におけるような反射鏡内から加熱された
ガスの系外排出がないため、装置の熱膨張による
狂いもなく、また冷却空気の導入のための設備も
必要でなく、これによつて起こる騒音もなく、極
めて簡単な装置で極めて安定に長時間に亘つて運
転が可能である優れた効果を有する。
本考案の輻射線集中加熱装置の実施態様を図面
に基いて説明する。第１図は本考案装置の楕円球
の長軸を含む垂直断面図である。図中、１は回転
楕円反射鏡、２は冷却水パイプ、３はハロゲンラ
ンプ、４はハロゲンランプのリード線、５はラン
プの保持筒、６は冷却水導入管、７は冷却水排出
管、８は石英管、９は上側試料支持シヤフト、１
０は下側種子支持シヤフト、１１は原料棒、１２
は育成結晶、１３は溶融域、１４は雰囲気ガスの
導入管、１５は雰囲気ガスの排出管を示す。
に基いて説明する。第１図は本考案装置の楕円球
の長軸を含む垂直断面図である。図中、１は回転
楕円反射鏡、２は冷却水パイプ、３はハロゲンラ
ンプ、４はハロゲンランプのリード線、５はラン
プの保持筒、６は冷却水導入管、７は冷却水排出
管、８は石英管、９は上側試料支持シヤフト、１
０は下側種子支持シヤフト、１１は原料棒、１２
は育成結晶、１３は溶融域、１４は雰囲気ガスの
導入管、１５は雰囲気ガスの排出管を示す。
ハロゲンランプ３のフイラメント位置は反射面
鏡１の焦点位置に正しく位置されなければならな
い。その取付けは、ランプ保持筒５を反射鏡１に
取付ける際、その位置の調整により行うことがで
きる。
鏡１の焦点位置に正しく位置されなければならな
い。その取付けは、ランプ保持筒５を反射鏡１に
取付ける際、その位置の調整により行うことがで
きる。
本発明において言う楕円反射鏡とは、単楕円面
鏡、双楕円面鏡、楕円面リング鏡を総称するもの
である。楕円反射鏡１の有する２つの焦点の片方
の焦点位置に設けられたハロゲンランプ３の赤外
線は、冷却水パイプ２により冷却された回転楕円
反射鏡１により反射され、他方の焦点位置である
原料棒１１の先端に焦光される。これにより原料
棒１１の先端は溶融され、種子棒１２と接合す
る。原料棒１１と種子棒１２はそれぞれ、支持シ
ヤフト９及び１０を支持され、全体を回転、上下
動させる。これにより溶融域１３が形成される。
鏡、双楕円面鏡、楕円面リング鏡を総称するもの
である。楕円反射鏡１の有する２つの焦点の片方
の焦点位置に設けられたハロゲンランプ３の赤外
線は、冷却水パイプ２により冷却された回転楕円
反射鏡１により反射され、他方の焦点位置である
原料棒１１の先端に焦光される。これにより原料
棒１１の先端は溶融され、種子棒１２と接合す
る。原料棒１１と種子棒１２はそれぞれ、支持シ
ヤフト９及び１０を支持され、全体を回転、上下
動させる。これにより溶融域１３が形成される。
結晶育成の場合には原料棒１１及び種子棒１２
を同時に種子棒側に移動させ、種子棒上へ単結晶
を育成させる。相平衡研究の場合には、加熱用ラ
ンプ３にリード線４より供給されている電圧を
徐々に下げながら、原料棒１１と種子棒１２を
徐々に上下に切り離すことによつて行われる。
を同時に種子棒側に移動させ、種子棒上へ単結晶
を育成させる。相平衡研究の場合には、加熱用ラ
ンプ３にリード線４より供給されている電圧を
徐々に下げながら、原料棒１１と種子棒１２を
徐々に上下に切り離すことによつて行われる。
第１図は本考案装置の楕円球の長軸を含む垂直
断面図を示す。 １……回転楕円反射鏡、２……冷却水パイプ、
３……ハロゲンランプ、４……ハロゲンランプの
リード線、５……ハロゲンランプの保持筒、６…
…冷却水導入管、７……冷却水排出管、８……石
英管、９……試料支持シヤフト、１０……種子支
持シヤフト、１３……溶融域、１４……雰囲気ガ
スの導入管、１５……雰囲気ガスの排出管。
断面図を示す。 １……回転楕円反射鏡、２……冷却水パイプ、
３……ハロゲンランプ、４……ハロゲンランプの
リード線、５……ハロゲンランプの保持筒、６…
…冷却水導入管、７……冷却水排出管、８……石
英管、９……試料支持シヤフト、１０……種子支
持シヤフト、１３……溶融域、１４……雰囲気ガ
スの導入管、１５……雰囲気ガスの排出管。
Claims (1)
- 内面を反射面とした回転楕円反射鏡の一方の焦
点にハロゲンランプを設け、他方の焦点上に反射
面から反射した輻射線を集中して加熱する方式の
輻射線集中加熱装置において、ハロゲンランプの
シール部を水冷筒内に収めると共に、回転楕円反
射鏡を水冷するようにしたことを特徴とする輻射
線集中加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15841583U JPS6067374U (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 輻射線集中加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15841583U JPS6067374U (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 輻射線集中加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067374U JPS6067374U (ja) | 1985-05-13 |
| JPS6342144Y2 true JPS6342144Y2 (ja) | 1988-11-04 |
Family
ID=30348990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15841583U Granted JPS6067374U (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 輻射線集中加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067374U (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5428821B2 (ja) * | 1973-07-04 | 1979-09-19 | ||
| JPS5315185U (ja) * | 1976-07-21 | 1978-02-08 |
-
1983
- 1983-10-13 JP JP15841583U patent/JPS6067374U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6067374U (ja) | 1985-05-13 |
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